JP2017200667A - 排気処理装置、基板処理システム、及び、排気を処理する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】排気処理装置の部品の交換頻度を低減すること。【解決手段】排気処理装置は、被処理体を洗浄する洗浄装置のチャンバから排出される汚染ガスを処理する排気処理装置である。排気処理装置は、汚染ガスに対して互いに異なる処理を行う複数の排気処理ユニットと、チャンバにおける洗浄処理を特定するレシピに応じて、複数の排気処理ユニットのうち一以上の排気処理ユニットを選択し、選択された一以上の排気処理ユニットのみによって汚染ガスが処理されるように、排気処理装置を制御する制御部と、選択された一以上の排気処理ユニットを通って出力されるガスをチャンバに循環するガスラインと、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、排気処理装置、基板処理システム、及び、排気を処理する方法に関する。

半導体デバイスの製造工程では、洗浄装置によって被処理体の洗浄が行われている。このような洗浄装置として、回転する被処理体の表面に対して洗浄処理を施すものが知られている。例えば、特開２００５−１８３７６８号公報には、洗浄液と窒素ガスとの混合流体を被処理体に吐出することで被処理体の表面を洗浄する洗浄装置が記載されている。また、特開２００８−１４１０４３号公報には、洗浄液ノズルに供給される洗浄液と、ガスノズルに供給される窒素ガスとを、それぞれ被処理体に吐出することで被処理体の表面を洗浄する洗浄装置が記載されている。このような従来の洗浄装置では、通常、洗浄に利用された窒素ガスは、処理施設等において処理された後に廃棄される。

ところで、被処理体の処理に利用されたガスを再利用する試みがなされている。例えば、特開２０１０−５８１１８号公報には、半導体プロセス装置において使用されたハロゲン含有ガスを処理する排気処理装置が記載されている。この排気処理装置は、複数の処理ユニットを有している。具体的には、この排気処理装置は、複数の処理ユニットとして、酸成分や不純物を除去する洗浄手段、ガス分離膜、除酸部、及び除湿部を備えている。これらの複数の処理ユニットは、直列に接続されている。この排気処理装置では、半導体プロセス装置からのハロゲン含有ガスがシステムポンプにてパージガスと混合されて、希釈ガスが生成される。希釈ガスは、複数の処理ユニットを順次通過する。これにより、再利用可能なパージガスが生成される。生成されたパージガスは、再びシステムポンプに戻され、ハロゲン含有ガスと混合されるパージガスとして再利用される。

特開２００５−１８３７６８号公報 特開２００８−１４１０４３号公報 特開２０１０−５８１１８号公報

上述の処理装置では、排気が全ての処理ユニットを通るので、どの処理ユニットがどの程度汚染物質を処理したのかを判別することができない。したがって、複数の処理ユニットに含まれる部品（例えば、処理ユニットのフィルタといった濾過用部品）のうち寿命の短い部品に合わせて、全ての部品を交換することが必要である。

したがって、本技術分野においては、排気処理装置の部品の交換頻度を低減することが求められている。

一態様においては被処理体を洗浄する洗浄装置のチャンバから排出される汚染ガスを処理する排気処理装置が提供される。この排気処理装置は、複数の排気処理ユニット、制御部、及びガスラインを備える。複数の排気処理ユニットは、汚染ガスに対して互いに異なる処理を行う。制御部は、チャンバにおける洗浄処理を特定するレシピに応じて、複数の排気処理ユニットのうち一以上の排気処理ユニットを選択する。制御部は、選択された一以上の排気処理ユニットのみによって汚染ガスが処理されるように、排気処理装置を制御する。ガスラインは、選択された一以上の排気処理ユニットを通って出力されるガスをチャンバに循環する。

一態様に係る排気処理装置では、複数の排気処理ユニットのうち一以上の排気処理ユニットがレシピに応じて選択される。したがって、各処理ユニットにおいてどの程度汚染物質が処理されたかの判別が可能となる。また、選択された一以上の排気処理ユニットのみによって汚染ガスが処理される。即ち、汚染ガスに含まれる成分に応じた排気処理ユニットのみに汚染ガスが通される。故に、排気処理装置の濾過用部品の不要な交換を抑制することが可能であり、当該濾過用部品の交換頻度を低減することができる。

一実施形態において、排気処理装置は、複数の排気処理ユニットを順に接続するメインガスライン、複数の排気処理ユニットのそれぞれを迂回する複数のバイパスガスライン、及び、メインガスラインと複数のバイパスガスラインとの間に介在する複数の方向切替弁を更に備えていてもよく、制御部は、レシピに応じて複数の方向切替弁を制御してもよい。この実施形態では、方向切替弁の制御を行うことで、レシピに応じて選択された排気処理ユニットのみに汚染ガスを送ることができる。

一実施形態では、複数の排気処理ユニットは、汚染ガス中の酸性ガスを濾過する第１の排気処理ユニット、アルカリ性ガスを濾過する第２の排気処理ユニット、及び、有機溶剤に基づく揮発成分を濾過する第３の排気処理ユニットを含んでいてもよい。この実施形態では、酸性ガス、アルカリ性ガス、及び有機溶剤の揮発成分のうち一以上を含む汚染ガスを処理することができる。

一実施形態では、第１の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、制御部は、レシピに応じて特定される汚染ガス中の酸性ガスの濃度に応じて、第１の排気処理ユニットの複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された一以上のフィルタを汚染ガスが通るように第１の排気処理ユニットを制御してもよい。この実施形態では、酸性ガスをその濃度に応じて効率的に処理することができる。また、濃度に応じて選択されたフィルタのみに汚染ガスが通るので、各フィルタにおいてどの程度汚染物質が処理されたかの判別が可能となる。故に、濾過用部品の交換頻度を低減することができる。

一実施形態では、第２の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、制御部は、レシピに応じて特定される汚染ガス中のアルカリ性ガスの濃度に応じて、第２の排気処理ユニットの複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された一以上のフィルタを汚染ガスが通るように第２の排気処理ユニットを制御してもよい。この実施形態では、アルカリ性ガスをその濃度に応じて効率的に処理することができる。また、濃度に応じて選択されたフィルタのみに汚染ガスが通るので、各フィルタにおいてどの程度汚染物質が処理されたかの判別が可能となる。故に、濾過用部品の交換頻度を低減することができる。

一実施形態では、第３の排気処理ユニットは、活性炭フィルタ、及び、汚染ガスを紫外線によって処理する紫外線処理部、を含む複数の処理部を有し、制御部は、レシピに応じて特定される汚染ガス中の揮発成分の濃度に応じて、第３の排気処理ユニットの複数の処理部のうち一以上の処理部を選択し、選択された一以上の処理部を汚染ガスが通るように第３の排気処理ユニットを制御してもよい。この実施形態では、制御部は、揮発成分の濃度が第１の濃度以上であるときに、活性炭フィルタ及び紫外線処理部に順に汚染ガスが通るよう、第３の排気処理ユニットを制御し、揮発成分の濃度が第１の濃度よりも低いときに、紫外線処理部に汚染ガスが通るよう、第３の排気処理ユニットを制御してもよい。この実施形態では、有機溶剤を揮発成分の濃度に応じて効率的に処理することができる。また、濃度に応じて選択された処理部のみに汚染ガスが通るので、各処理部においてどの程度汚染物質が処理されたかの判別が可能となる。故に、処理部の交換頻度を低減することができる。

別の一態様においては、基板処理システムが提供される。この基板処理システムは、チャンバを有し、該チャンバ内において被処理体を洗浄する洗浄装置と、上述した一態様及び種々の実施形態の排気処理装置のうち何れかの排気処理装置と、チャンバから延び排気処理装置に接続する排気管とを備える。

更に別の一態様においては、被処理体を洗浄する洗浄装置のチャンバから排出される汚染ガスを排気処理装置を用いて処理する方法が提供される。排気処理装置は、複数の排気処理ユニットと、ガスラインとを備える。複数の排気処理ユニットは、汚染ガスに対して互いに異なる処理を行う。ガスラインは、複数の排気処理ユニットのうち少なくとも一つの排気処理ユニットを通って出力されるガスをチャンバに循環する。本方法は、チャンバにおける洗浄処理を特定するレシピに応じて選択される一以上の排気処理ユニットを汚染ガスが通るように排気処理装置を制御する工程と、一以上の排気処理ユニットにおいて汚染ガスを処理する工程と、一以上の排気処理ユニットから出力されるガスをチャンバに戻す工程と、を含む。

一実施形態では、排気処理装置は、複数の排気処理ユニットを順に接続するメインガスラインと、複数の排気処理ユニットのそれぞれを迂回する複数のバイパスガスラインと、メインガスラインと複数のバイパスガスラインとの間に介在する複数の方向切替弁と、を更に備えてもよく、排気処理装置を制御する工程では、レシピに応じて複数の方向切替弁が制御されてもよい。

一実施形態では、複数の排気処理ユニットは第１の排気処理ユニットを含み、第１の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、レシピに応じて特定される汚染ガス中の酸性ガスの濃度に応じて、第１の排気処理ユニットの複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された該一以上のフィルタを汚染ガスが通るように第１の排気処理ユニットを制御する工程を更に含んでもよい。

一実施形態では、複数の排気処理ユニットは第２の排気処理ユニットを含み、第２の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、レシピに応じて特定される汚染ガス中のアルカリ性ガスの濃度に応じて、第２の排気処理ユニットの複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された一以上のフィルタを汚染ガスが通るように第２の排気処理ユニットを制御する工程を更に含んでもよい。

一実施形態では、複数の排気処理ユニットは第３の排気処理ユニットを含み、第３の排気処理ユニットは、活性炭フィルタ、及び、汚染ガスを紫外線によって処理する紫外線処理部、を含む複数の処理部を有し、レシピに応じて特定される汚染ガス中の揮発成分の濃度に応じて、第３の排気処理ユニットの複数の処理部のうち一以上の処理部を選択し、選択された一以上の処理部を汚染ガスが通るように第３の排気処理ユニットを制御する工程を更に含んでもよい。

一実施形態では、第３の排気処理ユニットを制御する工程において、揮発成分の濃度が第１の濃度以上であるときに、活性炭フィルタ及び紫外線処理部に順に汚染ガスが通るよう、第３の排気処理ユニットが制御され、揮発成分の濃度が第１の濃度よりも低いときに、紫外線処理部に汚染ガスが通るよう、第３の排気処理ユニットが制御されてもよい。

本発明によれば、排気処理装置の部品の交換頻度を低減することができる。

一実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。 図１に示す排気処理部の構成の一例を示す図である。 図２に示す酸処理ユニットの構成の一例を示す図である。 図２に示すアルカリ処理ユニットの構成の一例を示す図である。 図２に示す有機系処理ユニットの構成の一例を示す図である。 排気処理の方法の一実施形態を示すフローチャートである。 酸処理における処理条件設定を示すフローチャートである。 アルカリ処理における処理条件設定を示すフローチャートである。 有機系処理における処理条件設定を示すフローチャートである。 レシピと排気処理工程との関係を示すタイムチャートの一例である。

以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら具体的に説明する。便宜上、実質的に同一の要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

図１は、一実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。図１に示す基板処理システム１は、半導体基板等の被処理体の洗浄処理を行うシステムである。この基板処理システム１は、洗浄装置１０、洗浄液供給源７０、ガス供給源８０、及び排気処理装置６０を備えている。

洗浄装置１０は、一以上のチャンバ１１、及び制御部１２を備えている。図１に示す実施形態では、洗浄装置１０は、複数のチャンバ１１を備えている。各チャンバ１１は、その内部に空間を提供する容器である。各チャンバ１１内には、被処理体が収容され、当該チャンバ１１内において被処理体の洗浄が行われる。

これらチャンバ１１には、洗浄液供給源７０からの洗浄液が供給されるようになっている。このため、洗浄液供給源７０と複数のチャンバ１１との間には、複数の洗浄液ライン７１が設けられている。洗浄液供給源７０は、複数の洗浄液から選択される洗浄液を、各チャンバ１１に対応の洗浄液ライン７１を介して供給する。洗浄液供給源７０によって供給される洗浄液は、例えば、純水、酸性系洗浄液、アルカリ性系洗浄液、及び有機系洗浄液を含み得る。一例では、洗浄液供給源７０によって供給される洗浄液は、ＳＣ−１洗浄液、ＳＣ−２洗浄液、ＤＨＦ洗浄液、及びイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む。なお、ＳＣ−１洗浄液は、水、過酸化水素、及び水酸化アンモニウムを含む洗浄液であり、ＳＣ−２洗浄液は、水、塩酸、及び過酸化水素を含む洗浄液である。また、ＤＨＦ洗浄液は、希フッ酸を含む洗浄液である。

各洗浄液ライン７１には、洗浄液の流量を制御するための流量制御部７２が設けられている。流量制御部７２は、例えば、バルブと流量制御器とを含んでいる。流量制御部７２によれば、各チャンバ１１に供給される洗浄液の流量を調整することが可能である。

また、複数のチャンバ１１には、ガス供給源８０からのキャリアガス、例えば、窒素ガス又はドライエアが供給されるようになっている。このため、ガス供給源８０と複数のチャンバ１１との間には、ガスライン８１が設けられている。各ガスライン８１には、対応するチャンバ１１に供給するキャリアガスの流量を調整するために、流量制御部８２が設けられている。流量制御部８２は、例えば、バルブ、及びマスフローコントローラといった流量制御器を有している。キャリアガスは、洗浄液を洗浄対象物に高圧で吹き付ける為のガスとして、及び／又は、チャンバ１１内のガスを置換する為のガスとして使用される。

この洗浄装置１０における洗浄処理は、制御部１２によって制御される。制御部１２は、ＣＰＵといった中央処理装置、レシピを記憶するためのメモリといった記憶手段、オペレータによる入力のための入力装置、及び、表示装置といった種々の要素を有するコンピュータ装置であり得る。制御部１２は、洗浄装置１０における洗浄処理の実行のために、当該洗浄処理を特定するためのレシピに基づいて、基板処理システム１の各部を制御する。このレシピは、各チャンバ１１に供給される洗浄液及びキャリアガスの条件に関する種々の情報を含んでいる。例えば、レシピは、洗浄液の種別、濃度、流量、温度及び供給時間、並びにキャリアガスの流量及び供給時間といった情報を含む。制御部１２は、レシピによって特定される種別の洗浄液が当該レシピによって特定される時間、チャンバ１１に供給されるよう、洗浄液供給源７０を制御する。また、制御部１２は、レシピによって特定される流量で洗浄液がチャンバ１１に供給されるよう、流量制御部７２を制御する。また、制御部１２は、レシピによって特定される流量で、レシピによって特定される時間、キャリアガスがチャンバ１１に供給されるよう、流量制御部７２を制御する。

この制御部１２による制御に従って洗浄装置１０において洗浄処理が実行されると、チャンバ１１内においては、洗浄液とキャリアガスとの混合や、洗浄液からの蒸発などによって、洗浄液の成分が汚染物質としてキャリアガス中に含まれる。汚染物質は酸性系洗浄液ならば酸性ガス、アルカリ性系洗浄液ならばアルカリ性ガス、有機系洗浄液ならば有機系の揮発成分である。これらキャリアガス中の汚染物質の種類及び濃度は、洗浄液の種別、濃度、流量、温度及び供給時間、並びにキャリアガスの流量及び供給時間によって決まる。基板処理システム１では、チャンバ１１内で汚染物質を含んだキャリアガスは、排気処理装置６０に汚染ガスとして送られるようになっている。このため、複数のチャンバ１１は、排気管１１ａを介して排気処理装置６０と接続されている。排気管１１ａは、複数のチャンバ１１からそれぞれ延びる複数の配管と、これら複数の配管が合流する一つの配管とを含んでいる。

排気処理装置６０は、洗浄装置１０から排出される汚染ガスを再利用可能な状態に処理し、処理後のガスを洗浄装置１０に循環させる装置である。排気処理装置６０は、排気処理部６１、及び制御部６２を備えている。排気処理部６１には、排気管１１ａが接続されている。また、排気処理部６１には、各チャンバ１１に延びるガスライン６３が接続されている。各チャンバ１１で洗浄に使用された汚染ガスは、排気管１１ａを通って排気処理部６１に送られる。汚染ガスは、排気処理部６１にて処理される。これにより、再利用可能なガス、即ち、ガス供給源８０から供給されるキャリアガスと同様のガスが生成される。排気処理部６１によって生成されたガスは、ガスライン６３を介して各チャンバ１１に戻されるようになっている。

制御部６２は、制御部１２と同様にコンピュータ装置であり得る。制御部６２は、排気処理部６１の動作を制御する。洗浄装置１０の制御部１２と排気処理装置６０の制御部６２とは、例えば、通信線８によって相互に通信可能に接続されている。また、制御部１２と制御部６２とは、同期している。

図２は、排気処理部６１の一例を示す図である。排気処理部６１は、汚染ガスに対して互いに異なる処理を行う複数の排気処理ユニットを備えている。図２に示す排気処理部６１は、酸性ガスを濾過する第１の排気処理ユニット（酸処理ユニット）１００、アルカリ性ガスを濾過する第２の排気処理ユニット（アルカリ処理ユニット）２００、有機溶剤に基づく揮発成分を濾過する第３の排気処理ユニット（有機系処理ユニット）３００、及び、パーティクルを濾過する第４の排気処理ユニット（パーティクル処理ユニット）４００を備えている。

排気処理部６１は、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、第３の排気処理ユニット３００及び第４の排気処理ユニット４００を順に接続するメインガスライン６４を有している。即ち、第１の排気処理ユニット１００と第２の排気処理ユニット２００とがメインガスライン６４ａで接続され、第２の排気処理ユニット２００と第３の排気処理ユニット３００とがメインガスライン６４ｂで接続され、第３の排気処理ユニット３００と第４の排気処理ユニット４００とがメインガスライン６４ｃで接続されている。第１の排気処理ユニット１００には、チャンバ１１から延びる排気管１１ａが接続している。第４の排気処理ユニット４００には、各チャンバ１１に延びるガスライン６３が接続している。

また、排気処理部６１には、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００及び第３の排気処理ユニット３００のそれぞれを迂回する複数のバイパスガスライン６５ａ〜６５ｃが設けられている。バイパスガスライン６５ａは、排気管１１ａとメインガスライン６４ａとに接続している。バイパスガスライン６５ａと排気管１１ａとの間、及び、バイパスガスライン６５ａとメインガスライン６４ａとの間にはそれぞれ、方向切替弁６６ａが設けられている。方向切替弁６６ａが制御部６２によって制御されることで、汚染ガスは、第１の排気処理ユニット１００とバイパスガスライン６５ａとのいずれかを通るようになっている。同様に、バイパスガスライン６５ｂは、方向切替弁６６ｂを介してメインガスライン６４ａとメインガスライン６４ｂに接続している。また、バイパスガスライン６５ｃは、方向切替弁６６ｃを介して、メインガスライン６４ｂとメインガスライン６４ｃに接続している。

これら複数の方向切替弁６６ａ〜６６ｃは、排気管１１ａから送られる汚染ガスの種類に応じて、制御部６２によって制御される。即ち、制御部６２は、上述したレシピに応じて、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、及び、第３の排気処理ユニット３００のうち、選択された排気処理ユニットのみを汚染ガスが通るように、方向切替弁６６ａ〜６６ｃが制御される。なお、本実施形態では、洗浄装置１０からの汚染ガスには、必ずパーティクルが含まれている。そのため、パーティクルを濾過する第４の排気処理ユニット４００には迂回のためのバイパスガスラインが設けられていない。なお、第４の排気処理ユニット４００にバイパスガスラインを設けることを妨げるものではない。

図３は、第１の排気処理ユニット１００の一例を示す図である。第１の排気処理ユニット１００は、複数のフィルタを備えている。例えば、第１の排気処理ユニット１００は、汚染ガスに含まれる酸性ガスの濃度に対応した第１のフィルタ１１０、第２のフィルタ１２０、第３のフィルタ１３０、及び第４のフィルタ１４０を備えている。この例では、第１のフィルタ１１０が最も高い濃度に対応し、第２のフィルタ１２０、第３のフィルタ１３０、第４のフィルタ１４０の順に対応する濃度が低くなる。第１の排気処理ユニット１００は、第１のフィルタ１１０、第２のフィルタ１２０、第３のフィルタ１３０、及び第４のフィルタ１４０を順に接続するメインガスライン２５を有している。第１の排気処理ユニット１００には、これら複数のフィルタのそれぞれを迂回する複数のバイパスガスライン２６ａ〜２６ｄが設けられている。各バイパスガスライン２６ａ〜２６ｄは、方向切替弁２７を介してメインガスライン２５に接続されている。制御部６２は、汚染ガス中の酸性ガスの濃度に応じて、第１のフィルタ１１０、第２のフィルタ１２０、第３のフィルタ１３０、及び第４のフィルタ１４０のうち一以上のフィルタを汚染ガスが通るように方向切替弁２７を制御する。

図４は、第２の排気処理ユニット２００の一例を示す図である。第２の排気処理ユニット２００は、複数のフィルタを備えている。例えば、第２の排気処理ユニット２００は、汚染ガスに含まれるアルカリ性ガスの濃度に対応した第１のフィルタ２１０、第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、及び第４のフィルタ２４０を備えている。この例では、第１のフィルタ２１０が最も高い濃度に対応し、第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、第４のフィルタ２４０の順に対応する濃度が低くなる。第２の排気処理ユニット２００は、第１のフィルタ２１０、第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、及び第４のフィルタ２４０を順に接続するメインガスライン３５を有している。第２の排気処理ユニット２００には、第１のフィルタ２１０、第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、及び第４のフィルタ２４０のそれぞれを迂回する複数のバイパスガスライン３６ａ〜３６ｄが設けられている。各バイパスガスライン３６ａ〜３６ｄは、方向切替弁３７を介してメインガスライン３５に接続されている。制御部６２は、汚染ガス中のアルカリ性ガスの濃度に応じて、第１のフィルタ２１０、第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、及び第４のフィルタ２４０のうち一以上のフィルタを汚染ガスが通るように方向切替弁３７を制御する。

第１の排気処理ユニット１００及び第２の排気処理ユニット２００に用いられる各フィルタは、酸性又はアルカリ性の汚染物質を濾過できる機能を備えていれば、特に限定されるものではない。例えば、ケミカルフィルタやスクラバなど、種々のフィルタを用いることができる。

図５は、第３の排気処理ユニット３００の一例を示す図である。第３の排気処理ユニット３００は、複数のフィルタを備えている。例えば、第３の排気処理ユニット３００は、汚染ガスに含まれる揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の濃度に対応した複数の処理部を備えている。一実施形態では、第３の排気処理ユニット３００は、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０を備えている。この例では、第１の処理部３１０が高い濃度に対応し、第２の処理部３２０が低い濃度に対応している。第３の排気処理ユニット３００は、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０を接続するメインガスライン４５を有している。第３の排気処理ユニット３００には、第１の処理部３１０を迂回するバイパスガスライン４６ａと、第２の処理部３２０を迂回するバイパスガスライン４６ｂとが設けられている。バイパスガスライン４６ａ及びバイパスガスライン４６ｂの各々は、方向切替弁４７を介してメインガスライン４５に接続されている。制御部６２は、汚染ガス中のＶＯＣの濃度に応じて、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０のうち一以上の処理部を汚染ガスが通るように方向切替弁４７を制御する。

第３の排気処理ユニット３００に用いられる各処理部は、ＶＯＣを濾過できる機能を備えていれば、特に限定されるものではない。一例として、第１の処理部３１０は活性炭の作用によってＶＯＣを吸着する活性炭フィルタであり、第２の処理部３２０は紫外線によってＶＯＣを分解する紫外線処理装置（紫外線処理部）である。

以下、排気処理装置６０を用いて行われる排気処理の方法の一実施形態について、図６〜図９を参照しながら説明する。

排気処理装置６０の排気処理のための図６に示す方法は、基板処理システム１における洗浄装置１０の処理工程に伴って開始される。まず、図６に示すように、工程Ｓ１において、排気処理装置６０の制御部６２が、洗浄装置１０の制御部１２から各チャンバ１１における洗浄処理を特定するレシピの読み込みを行う。

次いで、工程Ｓ２において、制御部６２によって、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、及び第３の排気処理ユニット３００のうち一以上の排気処理ユニットが選択される。選択される排気処理ユニットは、工程Ｓ１で取得されたレシピに応じて決定される。排気処理部６１では、選択された排気処理ユニットのみに排気が通るように方向切替弁６６ａ、方向切替弁６６ｂ、及び方向切替弁６６ｃが制御される。

次いで、工程Ｓ３において、各排気処理ユニットの条件設定が行われる。この条件設定は、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、及び第３の排気処理ユニット３００のうち、工程Ｓ２で選択された排気制御ユニットに対して実行される。工程Ｓ３における第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、及び第３の排気処理ユニット３００に対する条件設定は、制御部６２によって実行される。

図７は、第１の排気処理ユニット１００における条件設定（工程Ｓ３）を示すフローチャートである。まず、工程Ｓ１００において、汚染ガス中に含まれる酸性ガスの濃度が求められる。この濃度は、例えばレシピに記載された酸性洗浄液の種類、濃度、流量及び温度、並びに洗浄液とキャリアガスの供給時間などから計算される。この例では、汚染ガス中に含まれる酸性ガスの濃度が条件１〜条件４の中のどの範囲に入っているかが、レシピに基いて判定される。この判定では、例えば、基準となる３つの濃度Ｃ１ａ，Ｃ１ｂ，Ｃ１ｃ（任意単位）が用いられる。これらの濃度Ｃ１ａ，Ｃ１ｂ，Ｃ１ｃは、「Ｃ１ａ＜Ｃ１ｂ＜Ｃ１ｃ」を満たす範囲内で、制御部６２によって任意に設定可能である。濃度が、Ｃ１ａ未満であると判定されると、工程Ｓ１１０において、条件１用の制御が行われる。濃度が、Ｃ１ａ以上でありＣ１ｂ未満であると判定されると、工程Ｓ１２０において、条件２用の制御が行われる。濃度が、Ｃ１ｂ以上でありＣ１ｃ未満であると判定されると、工程Ｓ１３０において、条件３用の制御が行われる。濃度が、Ｃ１ｃ以上であると判定されると、工程Ｓ１４０において、条件４用の制御が行われる。

一例として、工程Ｓ１１０における条件１用の制御では、汚染ガスが第４のフィルタ１４０のみを通るように方向切替弁２７が制御される。また、工程Ｓ１２０における条件２用の制御では、汚染ガスが第３のフィルタ１３０及び第４のフィルタ１４０のみを通るように方向切替弁２７が制御される。また、工程Ｓ１３０における条件３用の制御では、汚染ガスが第２のフィルタ１２０、第３のフィルタ１３０、及び第４のフィルタ１４０のみを通るように方向切替弁２７が制御される。また、工程Ｓ１４０における条件４用の制御では、汚染ガスが第１のフィルタ１１０、第２のフィルタ１２０、第３のフィルタ１３０、及び第４のフィルタ１４０の全てを通るように方向切替弁２７が制御される。

図８は、第２の排気処理ユニット２００における条件設定（工程Ｓ３）を示すフローチャートである。まず、工程Ｓ２００において、汚染ガス中に含まれるアルカリ性ガスの濃度が求められる。この濃度は、例えばレシピに記載されたアルカリ性系洗浄液の種類、濃度、流量及び温度、並びに洗浄液とキャリアガスの供給時間などから計算される。この例では、汚染ガス中に含まれるアルカリ性ガスの濃度が条件１〜条件４の中のどの範囲に入っているかが、レシピに基いて判定される。この判定では、例えば、基準となる３つの濃度Ｃ２ａ，Ｃ２ｂ，Ｃ２ｃ（任意単位）が用いられる。これらの濃度Ｃ２ａ，Ｃ２ｂ，Ｃ２ｃは、「Ｃ２ａ＜Ｃ２ｂ＜Ｃ２ｃ」を満たす範囲内で、制御部６２によって任意に設定可能である。濃度が、Ｃ２ａ未満であると判定されると、工程Ｓ２１０において、条件１用の制御が行われる。濃度が、Ｃ２ａ以上でありＣ２ｂ未満であると判定されると、工程Ｓ２２０において、条件２用の制御が行われる。濃度が、Ｃ２ｂ以上でありＣ２ｃ未満であると判定されると、工程Ｓ２３０において、条件３用の制御が行われる。濃度が、Ｃ２ｃ以上であると判定されると、工程Ｓ１４０において、条件４用の制御が行われる。

一例として、工程Ｓ２１０における条件１用の制御では、汚染ガスが第４のフィルタ２４０のみを通るように方向切替弁３７が制御される。また、工程Ｓ２２０における条件２用の制御では、汚染ガスが第３のフィルタ２３０及び第４のフィルタ２４０のみを通るように方向切替弁３７が制御される。また、工程Ｓ２３０における条件３用の制御では、汚染ガスが第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、及び第４のフィルタ２４０のみを通るように方向切替弁３７が制御される。また、工程Ｓ２４０における条件４用の制御では、汚染ガスが第１のフィルタ２１０、第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、及び第４のフィルタ２４０の全てを通るように方向切替弁３７が制御される。

図９は、第３の排気処理ユニット３００における条件設定（工程Ｓ３）を示すフローチャートである。まず、工程Ｓ３００において、汚染ガス中に含まれるＶＯＣの濃度が求められる。この濃度は、例えばレシピに記載された有機系洗浄液の種類、濃度、流量及び温度、並びに洗浄液とキャリアガスの供給時間などから計算される。この例では、汚染ガス中に含まれるＶＯＣの濃度が条件１〜条件４の中のどの範囲に入っているかが、レシピに基いて判定される。この判定では、例えば、基準となる３つの濃度Ｃ３ａ，Ｃ３ｂ，Ｃ３ｃ（任意単位）が用いられる。これらの濃度Ｃ３ａ，Ｃ３ｂ，Ｃ３ｃは、「Ｃ３ａ＜Ｃ３ｂ＜Ｃ３ｃ」を満たす範囲内で、制御部６２によって任意に設定可能である。濃度が、Ｃ３ａ未満であると判定されると、工程Ｓ３１０において、条件１用の制御が行われる。濃度が、Ｃ３ａ以上でありＣ３ｂ未満であると判定されると、工程Ｓ３２０において、条件２用の制御が行われる。濃度が、Ｃ３ｂ以上でありＣ３ｃ未満であると判定されると、工程Ｓ３３０において、条件３用の制御が行われる。濃度が、Ｃ３ｃ以上であると判定されると、工程Ｓ３４０において、条件４用の制御が行われる。

一例として、工程Ｓ３１０における条件１用の制御では、汚染ガスが第２の処理部３２０のみを通るように方向切替弁４７が制御される。また、工程Ｓ３２０における条件２用の制御では、汚染ガスが第２の処理部３２０のみを通るように方向切替弁４７が制御され、さらに、第２の処理部３２０における汚染ガスの滞留時間が条件１の場合よりも長くなるように流量が制御される。また、工程Ｓ３３０における条件３用の制御では、汚染ガスが第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０を通るように方向切替弁４７が制御される。また、工程Ｓ３４０における条件４用の制御では、汚染ガスが第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０を通るように方向切替弁４７が制御され、さらに、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０における滞留時間が条件３よりも長くなるように流量が制御される。なお、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０における汚染ガスの滞留時間は、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０のそれぞれの下流に設けたポンプによって制御することが可能である。

再び図６を参照すると、続く工程Ｓ４において、排気処理装置６０による排気処理が行われる。このとき、洗浄装置１０からの汚染ガスは、第１〜第３の排気処理ユニットのうち工程Ｓ２で選択された排気処理ユニットと第４の排気処理ユニット４００のみを通る。このように、レシピに応じて制御された排気処理部６１を排気が通ることで、汚染物質が濾過されたガスが当該排気処理部６１から出力される。

続く工程Ｓ５では、工程Ｓ４によって排気処理部６１から出力されたガスが、ガスライン６３を経由して各チャンバ１１に循環される。

次いで、工程Ｓ６において、制御部６２によって、洗浄装置１０からの汚染ガスに含まれる汚染物質の種類に変更があるか否かが、レシピに応じて判定される。この実施形態では、汚染物質の種類を、酸性系、アルカリ性系及びＶＯＣの３種類に分けており、この種類に変更があるかを判定している。判定の結果、汚染ガスの種類に変更が生じた場合には、工程Ｓ２に戻る。そして、工程Ｓ２において、変更された汚染物質の種類に応じて、排気処理ユニットが選択され、その後の処理が継続される。

工程Ｓ６において、汚染物質の種類に変更がないと判定された場合には工程Ｓ７に進む。工程Ｓ７では、全てのレシピの処理工程が終了したかが判定される。終了していない場合には、工程Ｓ３に進み、排気処理ユニットの条件に変更があれば、排気処理ユニットの再設定が行われる。

工程Ｓ７において、全てのレシピの処理工程が終了したと判定されると、制御部によって排気処理が終了される。

図１０は、レシピと排気処理工程との関係を示すタイムチャートである。以下、このタイムチャートに従って排気処理の工程について、更に具体的に説明する。図１０は、レシピＲ１に基づく洗浄処理が一つのチャンバ内で進行しており、これに並行して、異なるレシピＲ２に基づく洗浄処理が別のチャンバ１１で進行している例を示している。図１０に示すタイムチャートには、レシピＲ１及びレシピＲ２における処理工程の内容と、処理工程によって発生が予想される汚染ガス中の汚染物質の種類と、汚染物質の相対的な濃度変化とが示されている。さらに、図１０に示すタイムチャートには、各排気処理ユニットのいずれに汚染ガスが流されているかが示されている。

図１０の例では、工程Ｓ１において、まずレシピＲ１及びレシピＲ２が読み込まれる。レシピＲ１は、ＤＨＦ洗浄、ＩＰＡ乾燥の順に洗浄が行われる処理工程を備えている。より具体的には、ＤＨＦ洗浄終了後に、純水によるリンスに切り替えられる。次に、リンス終了後にＩＰＡ乾燥に切り替えられる。ＩＰＡ乾燥が終了すると、洗浄工程が終了となる。レシピＲ２は、ＳＣ−１洗浄、ＳＣ−２洗浄、ＩＰＡ乾燥の順に洗浄が行われる処理工程を備えている。より具体的には、ＳＣ−１洗浄終了後に、純水によるリンスに切り替えられる。次に、リンス終了後にＳＣ−２洗浄に切り替えられる。ＳＣ−１洗浄終了後には、再度、純水によるリンスに切り替えられる。そして、リンス終了後にＩＰＡ乾燥に切り替えられる。ＩＰＡ乾燥が終了すると、洗浄工程が終了となる。

工程Ｓ１におけるレシピの読み込みが完了すると、工程Ｓ２に進む。レシピＲ１における最初の処理工程は、ＤＨＦ洗浄である。この場合、汚染ガス中には汚染物質としてＨＦが含まれる。また、レシピＲ２における最初の処理工程はＳＣ−１洗浄である。この場合、汚染ガス中には汚染物質としてＮＨ_４が含まれる。このように、レシピＲ１及びレシピＲ２によれば、処理開始時ｔ０における汚染ガスには、ＨＦ及びＮＨ_４が含まれることが分かる。これにより、制御部６２は、汚染ガスを通す排気処理ユニットして、酸性のＨＦを濾過することができる第１の排気処理ユニット２０と、アルカリ性のＮＨ_４を濾過することができる第２の排気処理ユニット２００とを選択する。そして、排気処理部６１では、選択された第１の排気処理ユニット１００及び第２の排気処理ユニット２００のみに排気が通るように方向切替弁６６ａ，６６ｂ及び６６ｃが制御される。排気は、第３の排気処理ユニット３００を通ることなく、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００及び第４の排気処理ユニット４００のみを通る。

続いて、工程Ｓ３において、工程Ｓ２で選択された第１の排気処理ユニット１００及び第２の排気処理ユニット２００についての条件設定が行われる。まず、工程Ｓ１００及び工程Ｓ２００において、処理開始時ｔ０の汚染ガスにおけるＨＦ及びＮＨ_４の濃度が、条件１〜４のいずれの範囲に含まれるのかが、レシピＲ１及びレシピＲ２に基いて判定される。そして、判定された条件に従って第１の排気処理ユニット１００及び第２の排気処理ユニット２００が制御される。例えば、ＨＦの濃度がＣ１ｃ以上である場合には、第１の排気処理ユニット１００が、条件４用に制御される。また、ＮＨ_４の濃度がＣ２ｂ以上、Ｃ２ｃ未満である場合には、第２の排気処理ユニット２００が、条件３用に制御される。この状態で、工程Ｓ４の排気処理と、工程Ｓ５のガスの循環が行われる。

時間ｔ０から時間ｔ３までの間に、汚染物質の種類に変更はない。そのため、時間ｔ３までは、工程Ｓ６で「Ｎｏ」と判定され、工程Ｓ７に進む。そして、工程Ｓ７において、全てのレシピの処理工程が終了していない（Ｎｏ）と判定され、工程Ｓ３に進む。工程Ｓ３において、濃度の条件に変更がある場合には、変更された条件に従って排気処理ユニットが制御される。図１０の例では、時間ｔ０から時間ｔ１の間に、レシピＲ１及びレシピＲ２のいずれにおいても汚染物質の濃度に変化が生じていない。このため、排気処理ユニットの条件変更は行われない。一方、時間ｔ１〜時間ｔ３の間では、レシピＲ１及びレシピＲ２のいずれにおいても汚染物質の濃度が徐々に小さくなっている。そこで、このような濃度変化に従い、工程Ｓ１００，Ｓ２００において条件が変更されたと判定されたときには、各条件に従って第１の排気処理ユニット１００及び第２の排気処理ユニット２００が制御される。

時間ｔ３になると、レシピＲ１の処理工程がＤＨＦ洗浄、切替及びリンスまで終わり、レシピＲ２の処理工程がＳＣ−１洗浄、切替及びリンスまで終わる。時間ｔ３までの汚染物質は酸性のＨＦとアルカリ性のＮＨ_４である。制御部６２は、レシピＲ１及びレシピＲ２に基いて、時間ｔ３以降の汚染ガスに有機系（ＶＯＣ）のＩＰＡ及び酸性のＨＣｌが含まれると判定する。すなわち、時間ｔ３において、汚染物質の種類が酸性及びアルカリ性から酸性及び有機系に変更されることになる。これにより、工程Ｓ６において、制御部６２は、時間ｔ３に汚染ガスの種類に変更があると判定する。次いで、工程Ｓ２において第１の排気処理ユニット１００、第３の排気処理ユニット３００、及び第４の排気処理ユニット４００のみを汚染ガスが流れるように方向切替弁が制御される。次いで、工程Ｓ３において、第１の排気処理ユニット１００及び第３の排気処理ユニット３００についての条件設定が行われる。例えば、ＨＣｌの濃度がＣ１ａ以上、Ｃ２ｂ未満である場合には、第１の排気処理ユニット１００が、条件２用に制御される。また、ＩＰＡの濃度がＣ２ｃ以上である場合には、第３の排気処理ユニット３００が、条件４用に制御される。

以下、同様にして、時間ｔ３から時間ｔ６までは、工程Ｓ３によって第１の排気処理ユニット及び第３の排気処理ユニットの処理条件が再設定されながら、排気処理が継続される。時間ｔ６から時間ｔ７までは、工程Ｓ２によって第１の排気処理ユニット１００及び第４の排気処理ユニット４００のみに汚染ガスが流れるように制御される。また、時間ｔ６から時間ｔ７までは、ＨＣｌ濃度の変化に応じて工程Ｓ３によって第１の排気処理ユニット１００の条件が再設定される。そして、時間ｔ７から時間ｔ１０までは、工程Ｓ２によって第３の排気処理ユニット３００及び第４の排気処理ユニット４００のみに汚染ガスが流れるように制御される。また、時間ｔ７から時間ｔ１０までは、ＶＯＣ濃度の変化に応じて工程Ｓ３によって第３の排気処理ユニット３００の条件が再設定される。

時間ｔ１０になると、レシピＲ１及びレシピＲ２のいずれも全ての処理工程を終えている。よって、工程Ｓ７において、「Ｙｅｓ」と判定され、排気処理が終了する。

上述した排気処理装置６０を含む基板処理システム１では、洗浄装置１０からの汚染ガスを処理する排気処理ユニットがレシピに応じて選択され、選択された排気処理ユニットのみに汚染ガスが通される。また、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、第３の排気処理ユニット３００、及び第４の排気処理ユニット４００のそれぞれにおいて処理された汚染物質の濃度や総量の判別が可能となる。したがって、判別された結果に応じて各排気処理ユニットのメンテナンスを行うことができる。故に、各排気処理ユニットの濾過用の部品の不要な交換を抑制すことができ、排気処理装置６０の部品の交換頻度を低減することができる。

また、一実施形態では、排気処理装置６０は、第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、及び第３の排気処理ユニット３００のそれぞれを迂回するバイパスガスライン６５ａ，６５ｂ，６５ｃと、メインガスライン６４とバイパスガスライン６５ａ，６５ｂ，６５ｃとの間に介在する方向切替弁６６ａ〜６６ｃとを備えている。この実施形態では、制御部６２は、レシピに応じて方向切替弁６６ａ〜６６ｃを制御する。方向切替弁６６ａ〜６６ｃの制御が行われることで、排気処理ユニットの選択を容易に行うことができる。

また、一実施形態では、第１の排気処理ユニット１００は、複数のフィルタ（第１のフィルタ１１０、第２のフィルタ１２０、第３のフィルタ１３０、第４のフィルタ１４０）を有している。また、制御部６２は、レシピから特定される酸性ガスの濃度に応じて、複数のフィルタから選択されるフィルタの組み合わせを変更する。これにより、酸性ガスをその濃度に応じて効率的に処理することができる。また、濃度に応じて選択されたフィルタのみに汚染ガスが通るため、各フィルタにおいてどの程度汚染物質が処理されたかの判別が可能となる。故に、フィルタの交換頻度を低減することができる。例えば、低濃度の酸性ガスのみを処理する場合には、高濃度に対応した第１のフィルタ１１０が使用される頻度が低くなる。この場合、第１のフィルタ１１０の交換頻度を低減することができる。

また、一実施形態では、第２の排気処理ユニット２００は、複数のフィルタ（第１のフィルタ２１０、第２のフィルタ２２０、第３のフィルタ２３０、第４のフィルタ２４０）を有している。また、制御部６２は、レシピから特定されるアルカリ性ガスの濃度に応じて、複数のフィルタから選択されるフィルタの組み合わせを変更する。これにより、アルカリ性ガスをその濃度に応じて効率的に処理することができる。また、濃度に応じて選択されたフィルタのみに汚染ガスが通るため、各フィルタにおいてどの程度汚染物質が処理されたかの判別が可能となる。故に、フィルタの交換頻度を低減することができる。例えば、低濃度のアルカリ性ガスのみを処理する場合には、高濃度に対応した第１のフィルタ２１０が使用される頻度が低くなる。この場合、第１のフィルタ２１０の交換頻度を低減することができる。

また、一実施形態では、第３の排気処理ユニット３００は、活性炭フィルタである第１の処理部３１０と紫外線処理装置である第２の処理部３２０を有している。また、制御部６２は、レシピから特定されるＶＯＣ濃度に応じて、第１の処理部３１０と第２の処理部３２０の両方を使用するか、第２の処理部３２０のみ使用するかを選択する。制御部６２は、ＶＯＣ濃度が高い場合には、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０に順に汚染ガスが通るよう制御し、ＶＯＣ濃度が低いときには、第２の処理部３２０のみに汚染ガスが通るよう制御している。これにより、ＶＯＣの濃度に応じた効率的な処理を行うことができる。また、第１の処理部３１０と第２の処理部３２０とのそれぞれによってどの程度汚染物質が処理されたかの判別が、レシピから可能となる。故に、第１の処理部３１０及び第２の処理部３２０の交換頻度を低減することができる。

洗浄装置では、多様な方法で被処理体の洗浄が行われる。したがって、従来、洗浄装置の汚染ガスを処理する為には、汚染ガスに含まれることが想定される全ての汚染物質に対応すべく大型の排気処理施設が必要となっていた。一方、一実施形態の排気処理装置６０は、洗浄装置１０における洗浄処理を特定するレシピに応じて選択される第１の排気処理ユニット１００、第２の排気処理ユニット２００、第３の排気処理ユニット３００、及び第４の排気処理ユニット４００を備える。このように、排気処理装置６０を予めレシピが判明している洗浄装置１０の専用装置とすることで、排気処理ユニットを最適化することができる。したがって、排気処理装置６０を小型化することが可能となり、例えば洗浄装置１０と排気処理装置とを隣接して設置することができる。

以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、排気処理ユニットによって処理される汚染物質として、酸性ガス、アルカリ性ガス、ＶＯＣ及びパーティクルを挙げたが、これに限定されるものではない。

また、各排気処理ユニットにおけるフィルタ及び処理部の構成も実施形態の例に限定されるものではない。例えば、各排気処理ユニットにおいては、必ずしも複数のフィルタ及び処理部を必要とするものではない。また、複数のフィルタ及び処理部を備える場合であっても、例えば、複数のフィルタ及び処理部の構成は、処理の対象となる汚染物質の濃度に応じて切替可能であればよい。

また、洗浄装置１０と排気処理装置６０とが、別個の制御部１２及び制御部６２を備える例を示したが、これに限定されない。例えば、洗浄装置と排気処理装置とが共通の制御部によって制御されてもよい。

１…基板処理システム、１０…洗浄装置、１１…チャンバ、１１ａ…排気管、２７…方向切替弁、３７…方向切替弁、４７…方向切替弁、６０…排気処理装置、６１…排気処理部、６２…制御部、６３…ガスライン、６４…メインガスライン、６６ａ〜６６ｃ…方向切替弁、１００…第１の排気処理ユニット、１１０，１２０，１３０，１４０…フィルタ、２００…第２の排気処理ユニット、２１０，２２０，２３０，２４０…フィルタ、３００…第３の排気処理ユニット、３１０…第１の処理部（活性炭フィルタ）、３２０…第２の処理部（紫外線処理部）。

Claims (14)

1. 被処理体を洗浄する洗浄装置のチャンバから排出される汚染ガスを処理する排気処理装置であり、
   前記汚染ガスに対して互いに異なる処理を行う複数の排気処理ユニットと、
   前記チャンバにおける洗浄処理を特定するレシピに応じて、前記複数の排気処理ユニットのうち一以上の排気処理ユニットを選択し、選択された該一以上の排気処理ユニットのみによって前記チャンバからの前記汚染ガスが処理されるように、前記排気処理装置を制御する制御部と、
   選択された前記一以上の排気処理ユニットを通って出力されるガスを前記チャンバに循環するガスラインと、
   を備える排気処理装置。
2. 前記複数の排気処理ユニットを順に接続するメインガスラインと、
   前記複数の排気処理ユニットのそれぞれを迂回する複数のバイパスガスラインと、
   前記メインガスラインと複数のバイパスガスラインとの間に介在する複数の方向切替弁と、
   を更に備え、
   前記制御部は、前記レシピに応じて前記複数の方向切替弁を制御する、
   請求項１に記載の排気処理装置。
3. 前記複数の排気処理ユニットは、前記汚染ガス中の酸性ガスを濾過する第１の排気処理ユニット、
   アルカリ性ガスを濾過する第２の排気処理ユニット、及び、
   有機溶剤に基づく揮発成分を濾過する第３の排気処理ユニットを含む、
   請求項１又は２に記載の排気処理装置。
4. 前記第１の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、
   前記制御部は、前記レシピに応じて特定される前記汚染ガス中の前記酸性ガスの濃度に応じて、前記第１の排気処理ユニットの前記複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された該一以上のフィルタを前記汚染ガスが通るように前記第１の排気処理ユニットを制御する、
   請求項３に記載の排気処理装置。
5. 前記第２の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、
   前記制御部は、前記レシピに応じて特定される前記汚染ガス中の前記アルカリ性ガスの濃度に応じて、前記第２の排気処理ユニットの前記複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された該一以上のフィルタを前記汚染ガスが通るように前記第２の排気処理ユニットを制御する、
   請求項３又は４に記載の排気処理装置。
6. 前記第３の排気処理ユニットは、活性炭フィルタ、及び、前記汚染ガスを紫外線によって処理する紫外線処理部、を含む複数の処理部を有し、
   前記制御部は、前記レシピに応じて特定される前記汚染ガス中の前記揮発成分の濃度に応じて、前記第３の排気処理ユニットの前記複数の処理部のうち一以上の処理部を選択し、選択された該一以上の処理部を前記汚染ガスが通るように前記第３の排気処理ユニットを制御する、
   請求項４〜５の何れか一項に記載の排気処理装置。
7. 前記制御部は、
   前記揮発成分の濃度が第１の濃度以上であるときに、前記活性炭フィルタ及び前記紫外線処理部に順に前記汚染ガスが通るよう、前記第３の排気処理ユニットを制御し、
   前記揮発成分の濃度が前記第１の濃度よりも低いときに、前記紫外線処理部に前記汚染ガスが通るよう、前記第３の排気処理ユニットを制御する、
   請求項６に記載の排気処理装置。
8. チャンバを有し、該チャンバ内において被処理体を洗浄する洗浄装置と、
   請求項１〜７の何れか一項に記載の排気処理装置と、
   前記チャンバから延び前記排気処理装置に接続する排気管と、
   を備える、基板処理システム。
9. 被処理体を洗浄する洗浄装置のチャンバから排出される汚染ガスを排気処理装置を用いて処理する方法であって、
   前記排気処理装置は、
   前記汚染ガスに対して互いに異なる処理を行う複数の排気処理ユニットと、
   前記複数の排気処理ユニットのうち少なくとも一つの排気処理ユニットを通って出力されるガスを前記チャンバに循環するガスラインと、
   を備え、該方法は、
   チャンバにおける洗浄処理を特定するレシピに応じて選択される一以上の排気処理ユニットを前記汚染ガスが通るように前記排気処理装置を制御する工程と、
   前記一以上の排気処理ユニットにおいて前記排気を処理する工程と、
   前記一以上の排気処理ユニットから出力されるガスを前記チャンバに戻す工程と、
   を含む方法。
10. 前記排気処理装置は、
    前記複数の排気処理ユニットを順に接続するメインガスラインと、
    前記複数の排気処理ユニットのそれぞれを迂回する複数のバイパスガスラインと、
    前記メインガスラインと前記複数のバイパスガスラインとの間に介在する複数の方向切替弁と、
    を更に備え、
    前記排気処理装置を制御する工程では、前記レシピに応じて前記複数の方向切替弁が制御される、
    請求項９に記載の方法。
11. 前記複数の排気処理ユニットは第１の排気処理ユニットを含み、
    該第１の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、
    前記レシピに応じて特定される前記汚染ガス中の酸性ガスの濃度に応じて、前記第１の排気処理ユニットの前記複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された該一以上のフィルタを前記汚染ガスが通るように前記第１の排気処理ユニットを制御する工程を更に含む、
    請求項１０に記載の方法。
12. 前記複数の排気処理ユニットは第２の排気処理ユニットを含み、
    該第２の排気処理ユニットは、複数のフィルタを有し、
    前記レシピに応じて特定される前記汚染ガス中のアルカリ性ガスの濃度に応じて、前記第２の排気処理ユニットの前記複数のフィルタのうち一以上のフィルタを選択し、選択された該一以上のフィルタを前記汚染ガスが通るように前記第２の排気処理ユニットを制御する工程を更に含む、
    請求項１０又は１１に記載の方法。
13. 前記複数の排気処理ユニットは第３の排気処理ユニットを含み、
    該第３の排気処理ユニットは、活性炭フィルタ、及び、前記汚染ガスを紫外線によって処理する紫外線処理部、を含む複数の処理部を有し、
    前記レシピに応じて特定される前記汚染ガス中の揮発成分の濃度に応じて、前記第３の排気処理ユニットの前記複数の処理部のうち一以上の処理部を選択し、選択された該一以上の処理部を前記汚染ガスが通るように前記第３の排気処理ユニットを制御する工程を更に含む、
    請求項１０〜１２の何れか一項に記載の方法。
14. 前記第３の排気処理ユニットを制御する工程において、
    前記揮発成分の濃度が第１の濃度以上であるときに、前記活性炭フィルタ及び前記紫外線処理部に順に前記汚染ガスが通るよう、前記第３の排気処理ユニットが制御され、
    前記揮発成分の濃度が前記第１の濃度よりも低いときに、前記紫外線処理部に前記汚染ガスが通るよう、前記第３の排気処理ユニットが制御される、
    請求項１３に記載の方法。

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