TW201620606A - 排氣處理裝置、基板處理系統、及處理排氣之方法 - Google Patents

Abstract

排氣處理裝置係對自將被處理體洗淨之洗淨裝置之腔室排出之污染氣體進行處理之排氣處理裝置。排氣處理裝置包括：複數個排氣處理單元，其對污染氣體進行互不相同之處理；控制部，其根據確定腔室中之洗淨處理之處理程式，選擇複數個排氣處理單元中之一個以上之排氣處理單元，以僅藉由所選擇之一個以上之排氣處理單元對污染氣體進行處理之方式，對排氣處理裝置進行控制；及氣體管路，其使經由所選擇之一個以上之排氣處理單元而輸出之氣體循環至腔室。

Description

排氣處理裝置、基板處理系統、及處理排氣之方法

本發明係關於一種排氣處理裝置、基板處理系統、及處理排氣之方法。

於半導體器件之製造步驟中，藉由洗淨裝置將被處理體洗淨。作為此種洗淨裝置，已知有對旋轉之被處理體之表面實施洗淨處理者。例如於日本專利特開2005-183768號公報中揭示有如下洗淨裝置，該洗淨裝置將洗淨液與氮氣之混合流體噴出至被處理體，藉此，將被處理體之表面洗淨。又，於日本專利特開2008-141043號公報中揭示有如下洗淨裝置，該洗淨裝置將供給至洗淨液噴嘴之洗淨液、與供給至氣體噴嘴之氮氣分別噴出至被處理體，藉此，將被處理體之表面洗淨。對於如上所述之先前之洗淨裝置而言，通常，用於洗淨之氮氣於處理設施等中經處理之後被廢棄。

且說，已嘗試對用於處理被處理體之氣體進行再利用。例如於日本專利特開2010-58118號公報中揭示有如下排氣處理裝置，該排氣處理裝置對半導體製程裝置中所使用之含有鹵素之氣體進行處理。該排氣處理裝置具有複數個處理單元。具體而言，該排氣處理裝置包括去除酸成分或雜質之洗淨機構、氣體分離膜、除酸部、及除濕部作為複數個處理單元。上述複數個處理單元串聯連接。於該排氣處理裝置中，來自半導體製程裝置之含有鹵素之氣體於系統泵中，與淨化氣體混合而產生稀釋氣體。稀釋氣體依序通過複數個處理單元。藉此，產 生能夠再利用之淨化氣體。所產生之淨化氣體再次返回至系統泵，再用作與含有鹵素之氣體混合之淨化氣體。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2005-183768號公報

[專利文獻2]日本專利特開2008-141043號公報

[專利文獻3]日本專利特開2010-58118號公報

於上述處理裝置中，排氣通過全部之處理單元，因此，無法判別何處理單元對污染物質進行了何程度之處理。因此，必需配合複數個處理單元中所含之零件(例如處理單元之過濾器之類的過濾用零件)中的壽命短之零件而更換全部之零件。

因此，本技術領域要求減少排氣處理裝置之零件之更換頻率。

於一態樣中提供如下排氣處理裝置，其對自將被處理體洗淨之洗淨裝置之腔室排出之污染氣體進行處理。該排氣處理裝置包括：複數個排氣處理單元、控制部、及氣體管路。複數個排氣處理單元對污染氣體進行互不相同之處理。控制部根據確定腔室中之洗淨處理之處理程式，選擇複數個排氣處理單元中之一個以上之排氣處理單元。控制部對排氣處理裝置進行控制，以僅藉由所選擇之一個以上之排氣處理單元對污染氣體進行處理。氣體管路使經由所選擇之一個以上之排氣處理單元而輸出之氣體循環至腔室。

於一態樣之排氣處理裝置中，根據處理程式而選擇複數個排氣處理單元中之一個以上之排氣處理單元。因此，能夠判別污染物質於各處理單元中以何程度受到處理。又，僅藉由所選擇之一個以上之排 氣處理單元對污染氣體進行處理。即，污染氣體僅通過與污染氣體中所含之成分相對應之排氣處理單元。因此，能夠抑制排氣處理裝置之過濾用零件之不必要之更換，從而可減少該過濾用零件之更換頻率。

於一實施形態中，排氣處理裝置亦可進而包括：主氣體管路，其依序連接複數個排氣處理單元；複數個旁通氣體管路，其分別繞過複數個排氣處理單元；及複數個方向切換閥，其介置於主氣體管路與複數個旁通氣體管路之間，控制部亦可根據處理程式而控制複數個方向切換閥。於該實施形態中，藉由對方向切換閥進行控制，可將污染氣體僅輸送至根據處理程式而選擇之排氣處理單元。

於一實施形態中，複數個排氣處理單元亦可包含：過濾污染氣體中之酸性氣體之第1排氣處理單元、過濾鹼性氣體之第2排氣處理單元、及過濾基於有機溶劑之揮發成分之第3排氣處理單元。於該實施形態中，可對如下污染氣體進行處理，該污染氣體包含酸性氣體、鹼性氣體及有機溶劑之揮發成分中之一個以上之氣體。

於一實施形態中，第1排氣處理單元亦可具有複數個過濾器，控制部根據由處理程式確定之污染氣體中之酸性氣體之濃度，選擇第1排氣處理單元之複數個過濾器中之一個以上之過濾器，對第1排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過所選擇之一個以上之過濾器。於該實施形態中，可根據酸性氣體之濃度而有效率地對酸性氣體進行處理。又，由於污染氣體僅通過根據濃度而選擇之過濾器，故而能夠判別污染物質於各過濾器中以何程度受到處理。因此，可減少過濾用零件之更換頻率。

於一實施形態中，第2排氣處理單元亦可具有複數個過濾器，控制部根據由處理程式確定之污染氣體中之鹼性氣體之濃度，選擇第2排氣處理單元之複數個過濾器中之一個以上之過濾器，對第2排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過所選擇之一個以上之過濾器。於 該實施形態中，可根據鹼性氣體之濃度而有效率地對鹼性氣體進行處理。又，由於污染氣體僅通過根據濃度而選擇之過濾器，故而能夠判別污染物質於各過濾器中以何程度受到處理。因此，可減少過濾用零件之更換頻率。

於一實施形態中，第3排氣處理單元亦可具有複數個處理部，上述複數個處理部包含活性碳過濾器、及藉由紫外線而對污染氣體進行處理之紫外線處理部，控制部根據由處理程式確定之污染氣體中之揮發成分之濃度，選擇第3排氣處理單元之複數個處理部中之一個以上之處理部，對第3排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過所選擇之一個以上之處理部。於該實施形態中，控制部亦可於揮發成分之濃度為第1濃度以上時，對第3排氣處理單元進行控制，以使污染氣體依序通過活性碳過濾器及紫外線處理部，於揮發成分之濃度低於第1濃度時，對第3排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過紫外線處理部。於該實施形態中，可根據揮發成分之濃度而有效率地對有機溶劑進行處理。又，由於污染氣體僅通過根據濃度而選擇之處理部，故而能夠判別污染物質於各處理部中以何程度受到處理。因此，可減少處理部之更換頻率。

於一實施形態中，第3排氣處理單元亦可包括藉由經加熱之熱觸媒而對污染氣體中之揮發成分進行處理之熱觸媒處理部，該熱觸媒處理部具有熱觸媒、對熱觸媒進行加熱之加熱器、以及收容熱觸媒及加熱器之容器，控制部於根據處理程式而選擇之一個以上之排氣處理單元中包含第3排氣處理單元之情形時，將第3排氣處理單元控制為藉由加熱器而對熱觸媒進行加熱之排氣模式，於根據處理程式而選擇之一個以上之排氣處理單元中不包含第3排氣處理單元之情形時，將第3排氣處理單元控制為閒置模式，該閒置模式係使加熱器對熱觸媒進行之加熱較排氣模式下之加熱器之加熱更弱之模式。於該實施形態中，在 未選擇第3排氣處理單元作為用於污染氣體之處理之一個以上之排氣處理單元之情形時，於閒置模式下，加熱器之消耗電力減少。因此，抑制第3排氣處理單元之運轉成本。

於一實施形態中，控制部亦可於排氣模式下，對第3排氣處理單元進行控制，使得於揮發成分之濃度為特定濃度以上之情形時，容器內之污染氣體之壓力高於揮發成分之濃度低於特定濃度時之容器內的污染氣體之壓力。於該實施形態中，可根據基於有機溶劑之揮發成分之濃度而有效率地對揮發成分進行處理。

於另一態樣中提供一種基板處理系統。該基板處理系統包括：洗淨裝置，其具有腔室，且於該腔室內將被處理體洗淨；上述一態樣及各種實施形態之排氣處理裝置中之任一個排氣處理裝置；及排氣管，其自腔室延伸且連接於排氣處理裝置。

於又一態樣中提供如下方法，其使用排氣處理裝置，對自將被處理體洗淨之洗淨裝置之腔室排出之污染氣體進行處理。排氣處理裝置包括複數個排氣處理單元與氣體管路。複數個排氣處理單元對污染氣體進行互不相同之處理。氣體管路使經由複數個排氣處理單元中之至少一個排氣處理單元而輸出之氣體循環至腔室。本方法包含如下步驟：對排氣處理裝置進行控制，以使污染氣體通過根據確定腔室中之洗淨處理之處理程式而選擇之一個以上之排氣處理單元；於一個以上之排氣處理單元中，對污染氣體進行處理；及使自一個以上之排氣處理單元輸出之氣體返回至腔室。

於一實施形態中，排氣處理裝置亦可進而包括：主氣體管路，其依序連接複數個排氣處理單元；複數個旁通氣體管路，其分別繞過複數個排氣處理單元；及複數個方向切換閥，其介置於主氣體管路與複數個旁通氣體管路之間，於對排氣處理裝置進行控制之步驟中，根據處理程式而控制複數個方向切換閥。

於一實施形態中，複數個排氣處理單元亦可包含第1排氣處理單元，第1排氣處理單元具有複數個過濾器，且進而包含如下步驟：根據由處理程式確定之污染氣體中之酸性氣體之濃度，選擇第1排氣處理單元之複數個過濾器中之一個以上之過濾器，對第1排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過所選擇之上述一個以上之過濾器。

於一實施形態中，複數個排氣處理單元亦可包含第2排氣處理單元，第2排氣處理單元具有複數個過濾器，且進而包含如下步驟：根據由處理程式確定之污染氣體中之鹼性氣體之濃度，選擇第2排氣處理單元之複數個過濾器中之一個以上之過濾器，對第2排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過所選擇之上述一個以上之過濾器。

於一實施形態中，複數個排氣處理單元亦可包含第3排氣處理單元，第3排氣處理單元具有複數個處理部，上述複數個處理部包含活性碳過濾器、及藉由紫外線而對污染氣體進行處理之紫外線處理部，且進而包含如下步驟：根據由處理程式確定之污染氣體中之揮發成分之濃度，選擇第3排氣處理單元之複數個處理部中之一個以上之處理部，對第3排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過所選擇之上述一個以上之處理部。

於一實施形態中，亦可於控制第3排氣處理單元之步驟中，於揮發成分之濃度為第1濃度以上時，對第3排氣處理單元進行控制，以使污染氣體依序通過活性碳過濾器及紫外線處理部，於揮發成分之濃度低於第1濃度時，對第3排氣處理單元進行控制，以使污染氣體通過紫外線處理部。

於一實施形態中，複數個排氣處理單元亦可包含第3排氣處理單元，第3排氣處理單元包括藉由經加熱之熱觸媒而對污染氣體中之基於有機溶劑之揮發成分進行處理之熱觸媒處理部，熱觸媒處理部具有熱觸媒、對熱觸媒進行加熱之加熱器、以及收容熱觸媒及加熱器之容 器。於該實施形態中，方法亦可進而包含如下步驟：於根據處理程式而選擇之一個以上之排氣處理單元中不包含第3排氣處理單元之情形時，對第3排氣處理單元進行控制，以使加熱器對熱觸媒進行之加熱較一個以上之排氣處理單元中包含第3排氣處理單元時的加熱器之加熱更弱。

於一實施形態中，亦可於根據處理程式而選擇之一個以上之排氣處理單元中包含第3排氣處理單元之情形時，對第3排氣處理單元進行控制，以使揮發成分之濃度為特定濃度以上時之容器內之污染氣體之壓力，高於揮發成分之濃度低於特定濃度時之污染氣體之壓力。

根據本發明，可減少排氣處理裝置之零件之更換頻率。

1‧‧‧基板處理系統

8‧‧‧通信線

10‧‧‧洗淨裝置

11‧‧‧腔室

11a‧‧‧排氣管

12‧‧‧控制部

25、35、64、64a~64c‧‧‧主氣體管路

26a~26d、36a~36d、46a、46b、65a~65c‧‧‧旁通氣體管路

27、37、47、66a~66c‧‧‧方向切換閥

60‧‧‧排氣處理裝置

61‧‧‧排氣處理部

62‧‧‧控制部

63‧‧‧氣體管路

70‧‧‧洗淨液供給源

71‧‧‧洗淨液管路

72‧‧‧流量控制部

80‧‧‧氣體供給源

81‧‧‧氣體管路

82‧‧‧流量控制部

100‧‧‧第1排氣處理單元

110、120、130、140、210、220、230、240‧‧‧過濾器

200‧‧‧第2排氣處理單元

300‧‧‧第3排氣處理單元

310‧‧‧第1處理部(活性碳過濾器)

320‧‧‧第2處理部(紫外線處理部)

400‧‧‧第4排氣處理單元

1300‧‧‧第3排氣處理單元

1310‧‧‧熱觸媒處理部

1311‧‧‧熱觸媒

1312‧‧‧加熱器

S1~S7、S100、S110、S120、S130、S140、S200、S210、S220、S230、S240、S300、S310、S320、S330、S340‧‧‧步驟

t0~t10‧‧‧時間

圖1係表示一實施形態之基板處理系統之構成之圖。

圖2係表示圖1所示之排氣處理部之構成之一例的圖。

圖3係表示圖2所示之酸處理單元之構成之一例的圖。

圖4係表示圖2所示之鹼處理單元之構成之一例的圖。

圖5係表示圖2所示之有機系處理單元之構成之一例的圖。

圖6係表示排氣處理之方法之一實施形態之流程圖。

圖7係表示酸處理中之處理條件設定之流程圖。

圖8係表示鹼處理中之處理條件設定之流程圖。

圖9係表示有機系處理中之處理條件設定之流程圖。

圖10係表示處理程式與排氣處理步驟之關係之時序圖的一例。

圖11係表示變化例之有機系處理單元之構成之一例的圖，(a)表示閒置模式下之設定，(b)表示通常模式下之設定，(c)表示高效率模式下之設定。

圖12係表示變化例之有機系處理中之處理條件設定之流程圖。

以下，一面參照圖式，一面具體地對本發明之實施形態進行說明。方便起見，有時對實質上相同之要素附上相同符號，且省略其說明。

圖1係表示一實施形態之基板處理系統之構成之圖。圖1所示之基板處理系統1係對半導體基板等被處理體進行洗淨處理之系統。該基板處理系統1包括：洗淨裝置10、洗淨液供給源70、氣體供給源80、及排氣處理裝置60。

洗淨裝置10包括一個以上之腔室11及控制部12。於圖1所示之實施形態中，洗淨裝置10包括複數個腔室11。各腔室11係於內部提供空間之容器。被處理體收容於各腔室11內，於該腔室11內將被處理體洗淨。

來自洗淨液供給源70之洗淨液供給至該等腔室11。因此，於洗淨液供給源70與複數個腔室11之間設置有複數個洗淨液管路71。洗淨液供給源70經由對應於各腔室11之洗淨液管路71而供給選自複數個洗淨液之洗淨液。洗淨液供給源70所供給之洗淨液例如可包含純水、酸性系洗淨液、鹼性系洗淨液、及有機系洗淨液。於一例中，洗淨液供給源70所供給之洗淨液包含：SC-1洗淨液、SC-2洗淨液、DHF洗淨液、及異丙醇(IPA)。再者，SC-1洗淨液為包含水、過氧化氫、及氫氧化銨之洗淨液，SC-2洗淨液為包含水、鹽酸、及過氧化氫之洗淨液。又，DHF洗淨液為包含稀氫氟酸之洗淨液。

於各洗淨液管路71設置有用以對洗淨液之流量進行控制之流量控制部72。流量控制部72例如包含閥與流量控制器。根據流量控制部72，能夠對供給至各腔室11之洗淨液之流量進行調整。

又，來自氣體供給源80之載體氣體例如氮氣或乾燥空氣供給複數個腔室11。因此，於氣體供給源80與複數個腔室11之間設置有氣體 管路81。於各氣體管路81設置有流量控制部82，以對供給至對應之腔室11之載體氣體之流量進行調整。流量控制部82例如具有閥及質量流量控制器之類的流量控制器。載體氣體用作為將洗淨液以高壓噴射至洗淨對象物之氣體、及/或用以替換腔室11內之氣體之氣體。

該洗淨裝置10中之洗淨處理係由控制部12控制。控制部12可為具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)之類的中央處理裝置、用於記憶處理程式之記憶體之類的記憶機構、用於供操作員進行輸入之輸入裝置、及顯示裝置之類的各種要素之電腦裝置。控制部12為了執行洗淨裝置10中之洗淨處理，基於用於確定該洗淨處理之處理程式，對基板處理系統1之各部分進行控制。該處理程式包含與供給至各腔室11之洗淨液及載體氣體之條件相關之各種資訊。例如，處理程式包含：洗淨液之類別、濃度、流量、溫度及供給時間、以及載體氣體之流量及供給時間之類的資訊。控制部12對洗淨液供給源70進行控制，使得以處理程式所確定之時間，將該處理程式所確定之類別之洗淨液供給至腔室11。又，控制部12對流量控制部72進行控制，使得以處理程式所確定之流量，將洗淨液供給至腔室11。又，控制部12對流量控制部72進行控制，使得以處理程式所確定之流量，且以處理程式所確定之時間，將載體氣體供給至腔室11。

根據藉由上述控制部12進行之控制，於洗淨裝置10中執行洗淨處理後，於腔室11內，由於洗淨液與載體氣體混合，或由於洗淨液蒸發等，洗淨液之成分作為污染物質而包含於載體氣體中。若洗淨液為酸性系洗淨液，則污染物質為酸性氣體，若洗淨液為鹼性系洗淨液，則污染物質為鹼性氣體，若洗淨液為有機系洗淨液，則污染物質為有機系之揮發成分。該等載體氣體中之污染物質之種類及濃度取決於洗淨液之類別、濃度、流量、溫度及供給時間、以及載體氣體之流量及供給時間。於基板處理系統1中，腔室11內之包含污染物質之載體氣 體係作為污染氣體而被輸送至排氣處理裝置60。因此，複數個腔室11經由排氣管11a而與排氣處理裝置60連接。排氣管11a包含自複數個腔室11分別延伸出之複數根配管、與上述複數根配管所匯流之一根配管。

排氣處理裝置60為如下裝置，其將自洗淨裝置10排出之污染氣體處理至可再利用之狀態，且使處理後之氣體循環至洗淨裝置10。排氣處理裝置60包括排氣處理部61及控制部62。於排氣處理部61連接有排氣管11a。又，於排氣處理部61連接有延伸至各腔室11之氣體管路63。各腔室11中用於洗淨之污染氣體經由排氣管11a而輸送至排氣處理部61。污染氣體於排氣處理部61中受到處理。藉此，產生可再利用之氣體即與自氣體供給源80供給之載體氣體相同之氣體。排氣處理部61所產生之氣體經由氣體管路63而返回至各腔室11。

控制部62與控制部12同樣可為電腦裝置。控制部62對排氣處理部61之動作進行控制。洗淨裝置10之控制部12與排氣處理裝置60之控制部62例如藉由通信線8而可相互通信地連接。又，控制部12與控制部62同步。

圖2係表示排氣處理部61之一例之圖。排氣處理部61包括對污染氣體進行互不相同之處理之複數個排氣處理單元。圖2所示之排氣處理部61包括：過濾酸性氣體之第1排氣處理單元(酸處理單元)100、過濾鹼性氣體之第2排氣處理單元(鹼處理單元)200、過濾基於有機溶劑之揮發成分之第3排氣處理單元(有機系處理單元)300、及過濾顆粒之第4排氣處理單元(顆粒處理單元)400。

排氣處理部61具有主氣體管路64，該主氣體管路64依序連接第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200、第3排氣處理單元300及第4排氣處理單元400。即，第1排氣處理單元100與第2排氣處理單元200由主氣體管路64a連接，第2排氣處理單元200與第3排氣處理單元300 由主氣體管路64b連接，第3排氣處理單元300與第4排氣處理單元400由主氣體管路64c連接。自腔室11延伸出之排氣管11a連接於第1排氣處理單元100。延伸至各腔室11之氣體管路63連接於第4排氣處理單元400。

又，於排氣處理部61設置有分別繞過第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200及第3排氣處理單元300之複數個旁通氣體管路65a~65c。旁通氣體管路65a連接於排氣管11a與主氣體管路64a。於旁通氣體管路65a與排氣管11a之間、及旁通氣體管路65a與主氣體管路64a之間，分別設置有方向切換閥66a。方向切換閥66a由控制部62控制，藉此，污染氣體通過第1排氣處理單元100與旁通氣體管路65a中之任一者。同樣地，旁通氣體管路65b經由方向切換閥66b而連接於主氣體管路64a與主氣體管路64b。又，旁通氣體管路65c經由方向切換閥66c而連接於主氣體管路64b與主氣體管路64c。

上述複數個方向切換閥66a~66c根據自排氣管11a輸送之污染氣體之種類而由控制部62控制。即，控制部62根據上述處理程式而對方向切換閥66a~66c進行控制，以使污染氣體僅通過第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200、及第3排氣處理單元300中之所選擇之排氣處理單元。再者，於本實施形態中，來自洗淨裝置10之污染氣體中必然包含顆粒。因此，未於過濾顆粒之第4排氣處理單元400設置用於迂迴之旁通氣體管路。再者，亦不妨礙於第4排氣處理單元400設置旁通氣體管路。

圖3係表示第1排氣處理單元100之一例之圖。第1排氣處理單元100包括複數個過濾器。例如，第1排氣處理單元100包括與污染氣體中所含之酸性氣體之濃度相對應之第1過濾器110、第2過濾器120、第3過濾器130、及第4過濾器140。於該例中，第1過濾器110對應於最高濃度，依照第2過濾器120、第3過濾器130、第4過濾器140之順序，對 應之濃度降低。第1排氣處理單元100具有主氣體管路25，該主氣體管路25依序連接第1過濾器110、第2過濾器120、第3過濾器130、及第4過濾器140。於第1排氣處理單元100設置有分別繞過上述複數個過濾器之複數個旁通氣體管路26a~26d。各旁通氣體管路26a~26d經由方向切換閥27而連接於主氣體管路25。控制部62根據污染氣體中之酸性氣體之濃度而對方向切換閥27進行控制，以使污染氣體通過第1過濾器110、第2過濾器120、第3過濾器130及第4過濾器140中之一個以上之過濾器。

圖4係表示第2排氣處理單元200之一例之圖。第2排氣處理單元200包括複數個過濾器。例如，第2排氣處理單元200包括與污染氣體中所含之鹼性氣體之濃度相對應之第1過濾器210、第2過濾器220、第3過濾器230、及第4過濾器240。於該例中，第1過濾器210對應於最高濃度，依照第2過濾器220、第3過濾器230、第4過濾器240之順序，對應之濃度降低。第2排氣處理單元200具有主氣體管路35，該主氣體管路35依序連接第1過濾器210、第2過濾器220、第3過濾器230、及第4過濾器240。於第2排氣處理單元200設置有分別繞過第1過濾器210、第2過濾器220、第3過濾器230及第4過濾器240之複數個旁通氣體管路36a~36d。各旁通氣體管路36a~36d經由方向切換閥37而連接於主氣體管路35。控制部62根據污染氣體中之鹼性氣體之濃度而對方向切換閥37進行控制，以使污染氣體通過第1過濾器210、第2過濾器220、第3過濾器230、及第4過濾器240中之一個以上之過濾器。

第1排氣處理單元100及第2排氣處理單元200中所使用之各過濾器只要具有可對酸性或鹼性之污染物質進行過濾之功能，則並無特別限定。例如，可使用化學過濾器或清除器等各種過濾器。

圖5係表示第3排氣處理單元300之一例之圖。第3排氣處理單元300包括複數個過濾器。例如，第3排氣處理單元300包括與污染氣體 中所含之揮發性有機化合物(VOC)之濃度相對應之複數個處理部。於一實施形態中，第3排氣處理單元300包括第1處理部310及第2處理部320。於該例中，第1處理部310對應於高濃度，第2處理部320對應於低濃度。第3排氣處理單元300具有連接第1處理部310及第2處理部320之主氣體管路45。於第3排氣處理單元300設置有繞過第1處理部310之旁通氣體管路46a、與繞過第2處理部320之旁通氣體管路46b。旁通氣體管路46a及旁通氣體管路46b各自經由方向切換閥47而連接於主氣體管路45。控制部62根據污染氣體中之VOC之濃度而對方向切換閥47進行控制，以使污染氣體通過第1處理部310及第2處理部320中之一個以上之處理部。

第3排氣處理單元300中所使用之各處理部只要具有可對VOC進行過濾之功能，則並無特別限定。作為一例，第1處理部310為藉由活性碳之作用而吸附VOC之活性碳過濾器，第2處理部320為藉由紫外線而分解VOC之紫外線處理裝置(紫外線處理部)。

以下，一面參照圖6~圖9，一面說明使用排氣處理裝置60而進行之排氣處理之方法之一實施形態。

用於排氣處理裝置60之排氣處理之圖6所示之方法伴隨基板處理系統1中之洗淨裝置10之處理步驟而開始。首先，如圖6所示，於步驟S1中，排氣處理裝置60之控制部62自洗淨裝置10之控制部12讀取如下處理程式，該處理程式確定各腔室11中之洗淨處理。

其次，於步驟S2中，藉由控制部62而選擇第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200及第3排氣處理單元300中之一個以上之排氣處理單元。所選擇之排氣處理單元係根據步驟S1中所取得之處理程式而決定。於排氣處理部61中，對方向切換閥66a、方向切換閥66b、及方向切換閥66c進行控制，以使排氣僅通過所選擇之排氣處理單元。

其次，於步驟S3中，進行各排氣處理單元之條件設定。對第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200、及第3排氣處理單元300中之、於步驟S2中所選擇之排氣控制單元執行該條件設定。步驟S3中之對於第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200、及第3排氣處理單元300之條件設定係由控制部62執行。

圖7係表示第1排氣處理單元100中之條件設定(步驟S3)之流程圖。首先，於步驟S100中，求出污染氣體中所含之酸性氣體之濃度。例如根據處理程式中所記載之酸性洗淨液之種類、濃度、流量及溫度、以及洗淨液與載體氣體之供給時間等而計算上述濃度。於該例中，基於處理程式而判定污染氣體中所含之酸性氣體之濃度已進入至條件1~條件4中的哪一範圍。於該判定中，例如使用成為基準之3個濃度C1a、C1b、C1c(任意單位)。該等濃度C1a、C1b、C1c於滿足「C1a<C1b<C1c」之範圍內，能夠由控制部62任意地設定。若判定為濃度不足C1a，則於步驟S110中進行條件1用之控制。若判定為濃度為C1a以上且不足C1b，則於步驟S120中進行條件2用之控制。若判定為濃度為C1b以上且不足C1c，則於步驟S130中進行條件3用之控制。若判定為濃度為C1c以上，則於步驟S140中進行條件4用之控制。

作為一例，於步驟S110之條件1用之控制中，對方向切換閥27進行控制，以使污染氣體僅通過第4過濾器140。又，於步驟S120之條件2用之控制中，對方向切換閥27進行控制，以使污染氣體僅通過第3過濾器130及第4過濾器140。又，於步驟S130之條件3用之控制中，對方向切換閥27進行控制，以使污染氣體僅通過第2過濾器120、第3過濾器130、及第4過濾器140。又，於步驟S140之條件4用之控制中，對方向切換閥27進行控制，以使污染氣體通過全部之第1過濾器110、第2過濾器120、第3過濾器130、及第4過濾器140。

圖8係表示第2排氣處理單元200中之條件設定(步驟S3)之流程 圖。首先，於步驟S200中，求出污染氣體中所含之鹼性氣體之濃度。例如根據處理程式中所記載之鹼性系洗淨液之種類、濃度、流量及溫度、以及洗淨液與載體氣體之供給時間等而計算上述濃度。於該例中，基於處理程式而判定污染氣體中所含之鹼性氣體之濃度已進入至條件1~條件4中的哪一範圍。於該判定中，例如使用成為基準之3個濃度C2a、C2b、C2c(任意單位)。該等濃度C2a、C2b、C2c於滿足「C2a<C2b<C2c」之範圍內，能夠由控制部62任意地設定。若判定為濃度不足C2a，則於步驟S210中進行條件1用之控制。若判定為濃度為C2a以上且不足C2b，則於步驟S220中進行條件2用之控制。若判定為濃度為C2b以上且不足C2c，則於步驟S230中進行條件3用之控制。若判定為濃度為C2c以上，則於步驟S140中進行條件4用之控制。

作為一例，於步驟S210之條件1用之控制中，對方向切換閥37進行控制，以使污染氣體僅通過第4過濾器240。又，於步驟S220之條件2用之控制中，對方向切換閥37進行控制，以使污染氣體僅通過第3過濾器230及第4過濾器240。又，於步驟S230之條件3用之控制中，對方向切換閥37進行控制，以使污染氣體僅通過第2過濾器220、第3過濾器230、及第4過濾器240。又，於步驟S240之條件4用之控制中，對方向切換閥37進行控制，以使污染氣體通過全部之第1過濾器210、第2過濾器220、第3過濾器230、及第4過濾器240。

圖9係表示第3排氣處理單元300中之條件設定(步驟S3)之流程圖。首先，於步驟S300中，求出污染氣體中所含之VOC之濃度。例如根據處理程式中所記載之有機系洗淨液之種類、濃度、流量及溫度、以及洗淨液與載體氣體之供給時間等而計算上述濃度。於該例中，基於處理程式而判定污染氣體中所含之VOC之濃度已進入至條件1~條件4中的哪一範圍。於該判定中，例如使用成為基準之3個濃度C3a、 C3b、C3c(任意單位)。該等濃度C3a、C3b、C3c於滿足「C3a<C3b<C3c」之範圍內，能夠由控制部62任意地設定。若判定為濃度不足C3a，則於步驟S310中進行條件1用之控制。若判定為濃度為C3a以上且不足C3b，則於步驟S320中進行條件2用之控制。若判定為濃度為C3b以上且不足C3c，則於步驟S330中進行條件3用之控制。若判定為濃度為C3c以上，則於步驟S340中進行條件4用之控制。

作為一例，於步驟S310之條件1用之控制中，對方向切換閥47進行控制，以使污染氣體僅通過第2處理部320。又，於步驟S320之條件2用之控制中，對方向切換閥47進行控制，以使污染氣體僅通過第2處理部320，進而以使第2處理部320中之污染氣體之滯留時間較條件1之情形更長之方式控制流量。又，於步驟S330之條件3用之控制中，對方向切換閥47進行控制，以使污染氣體通過第1處理部310及第2處理部320。又，於步驟S340之條件4用之控制中，對方向切換閥47進行控制，以使污染氣體通過第1處理部310及第2處理部320，進而以使第1處理部310及第2處理部320中之滯留時間較條件3更長之方式控制流量。再者，第1處理部310及第2處理部320中之污染氣體之滯留時間能夠由設置於第1處理部310及第2處理部320各自之下游之泵控制。

再次參照圖6，於後續之步驟S4中，藉由排氣處理裝置60進行排氣處理。此時，來自洗淨裝置10之污染氣體僅通過第1排氣處理單元~第3排氣處理單元中之於步驟S2中所選擇之排氣處理單元與第4排氣處理單元400。如此，排氣通過根據處理程式而受到控制之排氣處理部61，藉此，自該排氣處理部61輸出過濾了污染物質後之氣體。

於後續之步驟S5中，藉由步驟S4而自排氣處理部61輸出之氣體經由氣體管路63而循環至各腔室11。

其次，於步驟S6中，控制部62根據處理程式而判定來自洗淨裝置10之污染氣體中所含之污染物質之種類是否有變更。於該實施形態 中，將污染物質之種類分為酸性系、鹼性系及VOC該3個種類，且判定該種類是否有變更。判定之結果係於污染氣體之種類已發生變更之情形時，返回至步驟S2。繼而，於步驟S2中，根據已變更之污染物質之種類而選擇排氣處理單元，繼續進行其後之處理。

於步驟S6中判定為污染物質之種類無變更之情形時，前進至步驟S7。於步驟S7中，判定全部之處理程式之處理步驟是否已結束。於尚未結束之情形時，前進至步驟S3，若排氣處理單元之條件有變更，則進行排氣處理單元之再設定。

若於步驟S7中，判定為全部之處理程式之處理步驟已結束，則藉由控制部而結束排氣處理。

圖10係表示處理程式與排氣處理步驟之關係之時序圖。以下，根據該時序圖，更具體地對排氣處理之步驟進行說明。圖10表示了如下例子，即，基於處理程式R1之洗淨處理於一個腔室內進行，與其並行地，基於不同之處理程式R2之洗淨處理於其他腔室11中進行。圖10所示之時序圖中表示了處理程式R1及處理程式R2中之處理步驟之內容、預想會因處理步驟而產生之污染氣體中之污染物質之種類、及污染物質之相對濃度變化。進而，圖10所示之時序圖中表示了污染氣體流入至各排氣處理單元中之哪一個排氣處理單元。

於圖10之例子中，在步驟S1中，首先讀取處理程式R1及處理程式R2。處理程式R1包括依照DHF洗淨、IPA乾燥之順序而進行洗淨之處理步驟。更具體而言，於DHF洗淨結束後，切換至藉由純水進行之沖淋。其次，於沖淋結束後，切換至IPA乾燥。IPA乾燥結束後，洗淨步驟結束。處理程式R2包括依照SC-1洗淨、SC-2洗淨、IPA乾燥之順序而進行洗淨之處理步驟。更具體而言，於SC-1洗淨結束後，切換至藉由純水進行之沖淋。其次，於沖淋結束後，切換至SC-2洗淨。於SC-1洗淨結束後，再次切換至藉由純水進行之沖淋。繼而，於沖淋結 束後，切換至IPA乾燥。IPA乾燥結束之後，洗淨步驟結束。

步驟S1中之處理程式之讀取完成之後，前進至步驟S2。處理程式R1中之最初之處理步驟為DHF洗淨。於該情形時，污染氣體中包含HF作為污染物質。又，處理程式R2中之最初之處理步驟為SC-1洗淨。於該情形時，污染氣體中包含NH₄作為污染物質。如此，根據處理程式R1及處理程式R2，已知於處理開始時t0之污染氣體中包含HF及NH₄。藉此，控制部62選擇可過濾酸性之HF之第1排氣處理單元100、與可過濾鹼性之NH₄之第2排氣處理單元200作為使污染氣體通過之排氣處理單元。繼而，於排氣處理部61中，對方向切換閥66a、66b及66c進行控制，以使排氣僅通過所選擇之第1排氣處理單元100及第2排氣處理單元200。排氣不通過第3排氣處理單元300而僅通過第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200及第4排氣處理單元400。

繼而，於步驟S3中，進行與於步驟S2中所選擇之第1排氣處理單元100及第2排氣處理單元200相關之條件設定。首先，於步驟S100及步驟S200中，基於處理程式R1及處理程式R2而判定處理開始時t0之污染氣體中之HF及NH₄之濃度是否包含於條件1~4中的任一個範圍。繼而，根據判定出之條件而控制第1排氣處理單元100及第2排氣處理單元200。例如，於HF之濃度為C1c以上之情形時，第1排氣處理單元100受到控制，以用於條件4。又，於NH₄之濃度為C2b以上且不足C2c之情形時，第2排氣處理單元200受到控制，以用於條件3。於該狀態下，進行步驟S4之排氣處理、與步驟S5之氣體循環。

於自時間t0至時間t3為止之期間，污染物質之種類未變更。因此，直至時間t3為止，步驟S6判定為「否」，且前進至步驟S7。繼而，於步驟S7中，判定為全部之處理程式之處理步驟尚未結束(否)，且前進至步驟S3。於步驟S3中，在濃度之條件有變更之情形時，根據變更後之條件而控制排氣處理單元。於圖10之例子中，在時間t0至時 間t1之期間，對於處理程式R1及處理程式R2中之任一者而言，污染物質之濃度均未產生變化。因此，不進行排氣處理單元之條件變更。另一方面，於時間t1~時間t3之期間，對於處理程式R1及處理程式R2中之任一者而言，污染物質之濃度均逐步減小。因此，當根據此種濃度變化，於步驟S100、S200中判定為條件已變更時，根據各條件而控制第1排氣處理單元100及第2排氣處理單元200。

到達時間t3之後，處理程式R1之處理步驟結束於DHF洗淨、切換及沖淋，處理程式R2之處理步驟結束於SC-1洗淨、切換及沖淋。直至時間t3為止之污染物質為酸性之HF與鹼性之NH₄。控制部62基於處理程式R1及處理程式R2，判定時間t3以後之污染氣體中包含有機系(VOC)之IPA及酸性之HCl。即，於時間t3，污染物質之種類自酸性及鹼性變更為酸性及有機系。藉此，於步驟S6中，控制部62判定於時間t3污染氣體之種類發生變更。其次，於步驟S2中，以使污染氣體僅流經第1排氣處理單元100、第3排氣處理單元300、及第4排氣處理單元400之方式，對方向切換閥進行控制。其次，於步驟S3中，進行與第1排氣處理單元100及第3排氣處理單元300相關之條件設定。例如，於HCl之濃度為C1a以上且不足C2b之情形時，第1排氣處理單元100以用於條件2之方式而受到控制。又，於IPA之濃度為C2c以上之情形時，第3排氣處理單元300以用於條件4之方式受到控制。

以下，同樣自時間t3至時間t6為止，藉由步驟S3而對第1排氣處理單元及第3排氣處理單元之處理條件進行再設定，並繼續進行排氣處理。自時間t6至時間t7為止，藉由步驟S2而進行控制，以使污染氣體僅流入至第1排氣處理單元100及第4排氣處理單元400。又，自時間t6至時間t7為止，根據HCl濃度之變化，藉由步驟S3而對第1排氣處理單元100之條件進行再設定。繼而，自時間t7至時間t10為止，藉由步驟S2而進行控制，以使污染氣體僅流入至第3排氣處理單元300及第4 排氣處理單元400。又，自時間t7至時間t10為止，根據VOC濃度之變化，藉由步驟S3而對第3排氣處理單元300之條件進行再設定。

到達時間t10之後，處理程式R1及處理程式R2均結束全部之處理步驟。藉此，於步驟S7中判定為「是」，排氣處理結束。

於上述包含排氣處理裝置60之基板處理系統1中，根據處理程式而選擇對來自洗淨裝置10之污染氣體進行處理之排氣處理單元，污染氣體僅通過所選擇之排氣處理單元。又，能夠判別第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200、第3排氣處理單元300、及第4排氣處理單元400各自所處理之污染物質之濃度或總量。因此，可根據判別出之結果而對各排氣處理單元進行維護。因此，可抑制各排氣處理單元之過濾用之零件的不必要之更換，從而可減少排氣處理裝置60之零件之更換頻率。

又，於一實施形態中，排氣處理裝置60包括：旁通氣體管路65a、65b、65c，其分別繞過第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200及第3排氣處理單元300；及方向切換閥66a~66c，其介置於主氣體管路64與旁通氣體管路65a、65b、65c之間。於該實施形態中，控制部62根據處理程式而控制方向切換閥66a~66c。藉由對方向切換閥66a~66c進行控制，可容易地選擇排氣處理單元。

又，於一實施形態中，第1排氣處理單元100具有複數個過濾器(第1過濾器110、第2過濾器120、第3過濾器130、第4過濾器140)。又，控制部62根據由處理程式確定之酸性氣體之濃度，對選自複數個過濾器之過濾器之組合進行變更。藉此，可根據酸性氣體之濃度而有效率地對酸性氣體進行處理。又，由於污染氣體僅通過根據濃度而選擇之過濾器，故而能夠判別污染物質於各過濾器中以何程度受到處理。因此，可減少過濾器之更換頻率。例如，於僅對低濃度之酸性氣體進行處理之情形時，與高濃度相對應之第1過濾器110之使用頻率降 低。於該情形時，可減少第1過濾器110之更換頻率。

又，於一實施形態中，第2排氣處理單元200具有複數個過濾器(第1過濾器210、第2過濾器220、第3過濾器230、第4過濾器240)。又，控制部62根據由處理程式確定之鹼性氣體之濃度，對選自複數個過濾器之過濾器之組合進行變更。藉此，可根據鹼性氣體之濃度而有效率地對鹼性氣體進行處理。又，由於污染氣體僅通過根據濃度而選擇之過濾器，故而能夠判別污染物質於各過濾器中以何程度受到處理。因此，可減少過濾器之更換頻率。例如，於僅對低濃度之鹼性氣體進行處理之情形時，與高濃度相對應之第1過濾器210之使用頻率降低。於該情形時，可減少第1過濾器210之更換頻率。

又，於一實施形態中，第3排氣處理單元300具有作為活性碳過濾器之第1處理部310與作為紫外線處理裝置之第2處理部320。又，控制部62根據由處理程式確定之VOC濃度，選擇是使用第1處理部310與第2處理部320該兩者，還是僅使用第2處理部320。控制部62於VOC濃度高之情形時，以使污染氣體依序通過第1處理部310及第2處理部320之方式進行控制，於VOC濃度低時，以使污染氣體僅通過第2處理部320之方式進行控制。藉此，可進行與VOC之濃度相對應之有效率之處理。又，能夠根據處理程式而判別第1處理部310與第2處理部320以何程度對污染物質進行了處理。因此，可減少第1處理部310及第2處理部320之更換頻率。

於洗淨裝置中，利用多種方法而將被處理體洗淨。因此，先前為了對洗淨裝置之污染氣體進行處理，需要大型之排氣處理設施，以對應於假定包含於污染氣體之全部之污染物質。另一方面，一實施形態之排氣處理裝置60包括根據確定洗淨裝置10中之洗淨處理之處理程式而選擇之第1排氣處理單元100、第2排氣處理單元200、第3排氣處理單元300、及第4排氣處理單元400。如此，將排氣處理裝置60設為 預先由處理程式判明之洗淨裝置10之專用裝置，藉此，可使排氣處理單元最佳化。因此，能夠使排氣處理裝置60小型化，例如可鄰接地設置洗淨裝置10與排氣處理裝置。

(變化例)

其次，參照圖11及圖12，作為第3排氣處理單元之變化例，對可代替第3排氣處理單元300而使用之第3排氣處理單元1300進行說明。

圖11係表示第3排氣處理單元1300之一例之圖。如圖11所示，第3排氣處理單元1300包括對污染氣體中所含之VOC進行處理之熱觸媒處理部1310。熱觸媒處理部1310具有加熱器1312及由該加熱器1312加熱之熱觸媒1311。加熱器1312及熱觸媒1311收容於容器1313內。作為一例，加熱器1312為形成為蜂窩狀之電熱線，熱觸媒1311為承載於電熱線之二氧化鈦等氧化物半導體。電源部1314連接於加熱器1312。電源部1314對來自控制部62之指令作出響應而對加熱器1312之導通與關閉進行切換，及對加熱器1312之加熱功率進行控制。

第3排氣處理單元1300具有連接於熱觸媒處理部1310之主氣體管路45。主氣體管路45於熱觸媒處理部1310之上游側及下游側延伸。主氣體管路45具有：方向切換閥147a、泵148及方向切換閥147b。方向切換閥147a、泵148及方向切換閥147b相對於熱觸媒處理部1310，設置於上游側(第2排氣處理單元200側)。又，主氣體管路45具有方向切換閥147c及壓力控制閥149。方向切換閥147c及壓力控制閥149相對於熱觸媒處理部1310，設置於下游側(第4排氣處理單元400側)。方向切換閥147a與方向切換閥147c經由旁通氣體管路146a而連接。旁通氣體管路146b之一端連接於方向切換閥147b，旁通氣體管路146b之另一端連接於主氣體管路45中之方向切換閥147c與壓力控制閥149之間。又，於方向切換閥147b與熱觸媒處理部1310之間連接有壓力計150。壓力計150對熱觸媒處理部1310內之壓力進行測量。熱觸媒處理部 1310內之壓力能夠由壓力控制閥149控制。控制部62根據污染氣體中之VOC之濃度而控制方向切換閥147a、147b、147c及壓力控制閥149。

本變化例中之排氣處理之方法基本上僅於與第3排氣處理單元相關之控制方面，與第1實施形態不同。即，於本實施形態中，亦執行圖6所示之處理步驟。以下，對與第1實施形態之不同點進行說明。

於步驟S1、S2之後，在步驟S3中進行各排氣處理單元之條件設定(參照圖6)。於本變化例中，即使於步驟2中未選擇第3排氣處理單元1300之情形時，亦執行對於第3排氣處理單元1300之條件設定。

圖12係表示第3排氣處理單元1300中之條件設定(步驟S3)之流程圖。於步驟S1300中，判別是否於步驟S2中選擇了第3排氣處理單元1300。於未選擇第3排氣處理單元1300之情形時，於步驟S1310中進行條件1用之控制。於已選擇第3排氣處理單元1300之情形時，轉移至步驟S1320，求出污染氣體中所含之VOC之濃度。例如根據處理程式中所記載之有機系洗淨液之種類、濃度、流量及溫度、以及洗淨液與載體氣體之供給時間等而計算該濃度。其次，於步驟S1320中，基於處理程式而判定污染氣體中所含之VOC之濃度包含於條件2或條件3中的哪一濃度之範圍。於該判定中，例如使用成為基準之濃度C3(任意單位)。若判定為VOC之濃度不足C3，則於步驟S1330中進行條件2用之控制。若判定為VOC之濃度為C3以上，則於步驟S1340中進行條件3用之控制。條件2用之控制及條件3用之控制均將第3排氣處理單元1300控制為排氣模式(通常模式、高效率模式)。

於步驟S1310之條件1用之控制中，將第3排氣處理單元1300控制為閒置模式。於閒置模式下，使熱觸媒處理部1310之加熱器1312停止，或對加熱器1312進行控制，以進行較排氣模式下之加熱器1312之加熱更弱之加熱。藉此，減少加熱器1312之消耗電力，抑制第3排氣 處理單元1300之運轉成本。

圖11(a)係表示閒置模式下之第3排氣處理單元1300之各閥之設定的構成圖。於圖11(a)中之方向切換閥147a、147b、147c中，塗黑之部分關閉，塗白之部分打開(於圖11(b)、圖11(c)中亦相同)。如圖11(a)所示，於閒置模式下，方向切換閥147a相對於處於該方向切換閥147a之上游側之主氣體管路45關閉，相對於處於該方向切換閥147a之下游側之主氣體管路45及旁通氣體管路146a打開。又，方向切換閥147b相對於處於該方向切換閥147b之下游側之主氣體管路45關閉，相對於處於該方向切換閥147b之上游側之主氣體管路45及旁通氣體管路146b打開。又，方向切換閥147c相對於處於該方向切換閥147c之下游側之主氣體管路45關閉，相對於處於該方向切換閥147c之上游側之主氣體管路45及旁通氣體管路146b打開。於閒置模式下，泵148以形成有如上所述之各閥之設定之狀態而被驅動。藉此，容器1313內之氣體自方向切換閥147c通過旁通氣體管路146a，進而經由方向切換閥147a、147b而通過旁通氣體管路146b，向下游側排出(壓力控制閥149為打開狀態)。又，污染氣體不供給至容器1313內。其結果，於閒置模式下，容器1313內之壓力減小，於容器1313內發揮隔熱效果。因此，於閒置模式下，加熱器1312之熱不易釋放至容器1313之外部。因此，於根據處理程式而再次將第3排氣處理單元1300控制為排氣模式之情形時，容易對加熱器1312進行再加熱。

又，於條件2用之控制中，將第3排氣處理單元1300控制為通常模式。於通常模式下，如圖11(b)所示，不使用旁通氣體管路146a、146b，對方向切換閥147a、147b、147c進行控制，以使污染氣體流經主氣體管路45。又，藉由熱觸媒處理部1310之加熱器1312而對熱觸媒1311進行加熱，以用於VOC之處理。又，於通常模式下，壓力控制閥149處於打開狀態而與熱觸媒處理部1310內之壓力無關。

又，於條件3用之控制中，將第3排氣處理單元1300控制為高效率模式。於高效率模式下，如圖11(c)所示，不使用旁通氣體管路146a、146b，對方向切換閥147a、147b、147c進行控制，以使污染氣體流經主氣體管路45。又，藉由熱觸媒處理部1310之加熱器1312而對熱觸媒1311進行加熱，以用於VOC之處理。進而，對壓力控制閥149進行控制以達到正壓狀態，該正壓狀態係容器1313內之壓力較通常模式下之容器1313內之壓力更高之狀態。藉此，於高效率模式下，容器1313內之污染氣體之滯留時間較通常模式更長，因此，VOC之處理效率升高。再者，於高效率模式下，亦可對加熱器1312進行控制，以使熱觸媒1311之溫度高於通常模式下之熱觸媒1311之溫度。如此，第3排氣處理單元1300由於具有通常模式與高效率模式作為排氣模式，故而可進行與VOC之濃度相對應之有效率之排氣處理。

步驟S3結束之後，與上述實施形態同樣地依序執行步驟S4~步驟S7(參照圖6)。繼而，於步驟S7中，若判定為全部之處理程式之處理步驟已結束，則藉由控制部而結束排氣處理。

以上，對各種實施形態進行了說明，但不限定於上述實施形態，能夠構成各種變化形態。例如作為排氣處理單元所處理之污染物質，可列舉酸性氣體、鹼性氣體、VOC及顆粒，但並不限定於此。

又，各排氣處理單元中之過濾器及處理部之構成亦並不限定於實施形態之例子。例如於各排氣處理單元中，未必需要複數個過濾器及處理部。又，即使於包括複數個過濾器及處理部之情形時，例如，複數個過濾器及處理部之構成只要能夠根據成為處理對象之污染物質之濃度而切換即可。

又，雖表示了洗淨裝置10與排氣處理裝置60包括個別之控制部12及控制部62之例子，但並不限定於此。例如，洗淨裝置與排氣處理裝置亦可由共通之控制部控制。

Claims (18)

1. 一種排氣處理裝置，其係對自將被處理體洗淨之洗淨裝置之腔室排出之污染氣體進行處理者；且包括：複數個排氣處理單元，其對上述污染氣體進行互不相同之處理；控制部，其根據確定上述腔室中之洗淨處理之處理程式，選擇上述複數個排氣處理單元中之一個以上之排氣處理單元，以僅藉由所選擇之該一個以上之排氣處理單元而對來自上述腔室之上述污染氣體進行處理之方式，對上述排氣處理裝置進行控制；及氣體管路，其使經由所選擇之上述一個以上之排氣處理單元而輸出之氣體循環至上述腔室。
2. 如請求項1之排氣處理裝置，其進而包括：主氣體管路，其依序連接上述複數個排氣處理單元；複數個旁通氣體管路，其分別繞過上述複數個排氣處理單元；及複數個方向切換閥，其介置於上述主氣體管路與複數個旁通氣體管路之間；且上述控制部根據上述處理程式而控制上述複數個方向切換閥。
3. 如請求項1或2之排氣處理裝置，其中上述複數個排氣處理單元包含：過濾上述污染氣體中之酸性氣體之第1排氣處理單元、過濾鹼性氣體之第2排氣處理單元、及過濾源於有機溶劑之揮發成分之第3排氣處理單元。
4. 如請求項3之排氣處理裝置，其中上述第1排氣處理單元包括複數個過濾器，上述控制部根據由上述處理程式確定之上述污染氣體中之上述酸性氣體之濃度，選擇上述第1排氣處理單元之上述複數個過濾器中之一個以上之過濾器，以使上述污染氣體通過所選擇之該一個以上之過濾器之方式，對上述第1排氣處理單元進行控制。
5. 如請求項3之排氣處理裝置，其中上述第2排氣處理單元包括複數個過濾器，上述控制部根據由上述處理程式確定之上述污染氣體中之上述鹼性氣體之濃度，選擇上述第2排氣處理單元之上述複數個過濾器中之一個以上之過濾器，以使上述污染氣體通過所選擇之該一個以上之過濾器之方式，對上述第2排氣處理單元進行控制。
6. 如請求項3之排氣處理裝置，其中上述第3排氣處理單元包括複數個處理部，上述複數個處理部包含活性碳過濾器、及藉由紫外線處理上述污染氣體之紫外線處理部；且上述控制部根據由上述處理程式確定之上述污染氣體中之上述揮發成分之濃度，選擇上述第3排氣處理單元之上述複數個處理部中之一個以上之處理部，以使上述污染氣體通過所選擇之該一個以上之處理部之方式，對上述第3排氣處理單元進行控制。
7. 如請求項6之排氣處理裝置，其中上述控制部於上述揮發成分之濃度為第1濃度以上時，以使上述污染氣體依序通過上述活性碳過濾器及上述紫外線處理部之 方式，對上述第3排氣處理單元進行控制；於上述揮發成分之濃度低於上述第1濃度時，以使上述污染氣體通過上述紫外線處理部之方式，對上述第3排氣處理單元進行控制。
8. 如請求項3之排氣處理裝置，其中上述第3排氣處理單元包括藉由經加熱之熱觸媒而對上述污染氣體中之上述揮發成分進行處理之熱觸媒處理部，上述熱觸媒處理部包括上述熱觸媒、對該熱觸媒進行加熱之加熱器、及收容該熱觸媒及該加熱器之容器；且上述控制部於根據上述處理程式而選擇之上述一個以上之排氣處理單元中包含上述第3排氣處理單元之情形時，將上述第3排氣處理單元控制為藉由上述加熱器而對上述熱觸媒進行加熱之排氣模式，於根據上述處理程式而選擇之上述一個以上之排氣處理單元中不包含上述第3排氣處理單元之情形時，將上述第3排氣處理單元控制為閒置模式，該閒置模式係使上述加熱器對上述熱觸媒進行之加熱，較上述排氣模式下之上述加熱器之加熱弱。
9. 如請求項8之排氣處理裝置，其中上述控制部於上述排氣模式下，對上述第3排氣處理單元進行控制，使得於上述揮發成分之濃度為特定濃度以上之情形時，上述容器內之上述污染氣體之壓力高於上述揮發成分之濃度低於上述特定濃度時之上述容器內的上述污染氣體之壓力。
10. 一種基板處理系統，其包括：洗淨裝置，其包括腔室，且於該腔室內將被處理體洗淨；如請求項1至9中任一項之排氣處理裝置；及排氣管，其自上述腔室延伸且連接於上述排氣處理裝置。
11. 一種方法，其係使用排氣處理裝置，對自將被處理體洗淨之洗淨裝置之腔室排出之污染氣體進行處理者；且上述排氣處理裝置包括：複數個排氣處理單元，其對上述污染氣體進行互不相同之處理；及氣體管路，其使經由上述複數個排氣處理單元中之至少一個排氣處理單元而輸出之氣體循環至上述腔室；且上述方法包含如下步驟：對上述排氣處理裝置進行控制之步驟，以使上述污染氣體通過根據確定腔室中之洗淨處理之處理程式而選擇之一個以上的排氣處理單元；於上述一個以上之排氣處理單元中，對上述排氣進行處理之步驟；及使自上述一個以上之排氣處理單元輸出之氣體返回至上述腔室之步驟。
12. 如請求項11之方法，其中上述排氣處理裝置進而包括：主氣體管路，其依序連接上述複數個排氣處理單元；複數個旁通氣體管路，其分別繞過上述複數個排氣處理單元；及複數個方向切換閥，其介置於上述主氣體管路與複數個旁通氣體管路之間；且於對上述排氣處理裝置進行控制之步驟中，根據上述處理程式而控制上述複數個方向切換閥。
13. 如請求項12之方法，其中上述複數個排氣處理單元包含第1排氣處理單元， 上述第1排氣處理單元包含複數個過濾器，且上述方法進而包含如下步驟：根據由上述處理程式確定之上述污染氣體中之酸性氣體之濃度，選擇上述第1排氣處理單元之上述複數個過濾器中之一個以上之過濾器，以使上述污染氣體通過所選擇之該一個以上之過濾器之方式，對上述第1排氣處理單元進行控制。
14. 如請求項12或13之方法，其中上述複數個排氣處理單元包含第2排氣處理單元，上述第2排氣處理單元包含複數個過濾器，且上述方法進而包含如下步驟：根據由上述處理程式確定之上述污染氣體中之鹼性氣體之濃度，選擇上述第2排氣處理單元之上述複數個過濾器中之一個以上之過濾器，以使上述污染氣體通過所選擇之該一個以上之過濾器之方式，對上述第2排氣處理單元進行控制。
15. 如請求項12或13之方法，其中上述複數個排氣處理單元包含第3排氣處理單元，上述第3排氣處理單元包含複數個處理部，上述複數個處理部包含活性碳過濾器、及藉由紫外線處理上述污染氣體之紫外線處理部；且上述方法進而包含如下步驟：根據由上述處理程式確定之上述污染氣體中之揮發成分之濃度，選擇上述第3排氣處理單元之上述複數個處理部中之一個以上之處理部，以使上述污染氣體通過所選擇之該一個以上之處理部之方式，對上述第3排氣處理單元進行控制。
16. 如請求項15之方法，其中於控制上述第3排氣處理單元之步驟中， 於上述揮發成分之濃度為第1濃度以上時，以使上述污染氣體依序通過上述活性碳過濾器及上述紫外線處理部之方式，對上述第3排氣處理單元進行控制，於上述揮發成分之濃度低於上述第1濃度時，以使上述污染氣體通過上述紫外線處理部之方式，對上述第3排氣處理單元進行控制。
17. 如請求項12或13之方法，其中上述複數個排氣處理單元包含第3排氣處理單元，上述第3排氣處理單元包括藉由經加熱之熱觸媒而對污染氣體中之源於有機溶劑之揮發成分進行處理之熱觸媒處理部，上述熱觸媒處理部包括上述熱觸媒、對該熱觸媒進行加熱之加熱器、及收容該熱觸媒及該加熱器之容器，且上述方法進而包含如下步驟：於根據上述處理程式而選擇之上述一個以上之排氣處理單元中不包含上述第3排氣處理單元之情形時，對上述第3排氣處理單元進行控制，以使上述加熱器對上述熱觸媒進行之加熱，較上述一個以上之排氣處理單元中包含上述第3排氣處理單元時的上述加熱器之加熱弱。
18. 如請求項17之方法，其中於根據上述處理程式而選擇之上述一個以上之排氣處理單元中包含上述第3排氣處理單元之情形時，對上述第3排氣處理單元進行控制，以使上述揮發成分之濃度為特定濃度以上時之上述容器內之上述污染氣體之壓力，高於上述揮發成分之濃度低於上述特定濃度時之上述污染氣體之壓力。