TWI523068B - 處理液更換方法及基板處理裝置 - Google Patents

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TWI523068B TW102101378A TW102101378A TWI523068B TW I523068 B TWI523068 B TW I523068B TW 102101378 A TW102101378 A TW 102101378A TW 102101378 A TW102101378 A TW 102101378A TW I523068 B TWI523068 B TW I523068B
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東京威力科創股份有限公司
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    • B65B3/00—Packaging plastic material, semiliquids, liquids or mixed solids and liquids, in individual containers or receptacles, e.g. bags, sacks, boxes, cartons, cans, or jars
    • B65B3/04—Methods of, or means for, filling the material into the containers or receptacles
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    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Description

處理液更換方法及基板處理裝置
本發明係關於一種更換基板處理裝置中的處理液的技術。
在半導體裝置的製造當中，進行使用藥液以去除半導體晶圓等基板上不要的薄膜乃至污染物質的洗淨處理。在進行這樣的洗淨處理的基板處理裝置當中，設置處理液循環系統，其用來對組裝於基板處理裝置中的液體處理單元供給處理液(例如參照專利文獻1)。
在專利文獻1中的基板處理裝置中所設置的處理液循環系統，包含處理液儲存槽以及與處理液儲存槽連接的循環管線(管路)。在循環管線上設置泵，在藉由泵將處理液從處理液儲存槽送出之後，再次回到處理液儲存槽。在循環管線的途中，複數台的液體處理單元透過各別的分流管線並聯連接。對應各液體處理單元之處理排程，從循環管線透過各分流管線對各液體處理單元輸送處理液，而各液體處理單元則使用該處理液對基板實施既定的液體處理。在處理液供給系統內的處理液劣化的情況下，處理液被更換為相同種類的處理液，而在進行使用與基板處理裝置中不同種類或是濃度的處理液的其他的處理情況中，則更換為其他種類或是濃度的處理液。
以往係藉由以下的步驟來進行處理液的更換：(1)從處理液儲存槽排出舊的處理液，(2)將新的處理液投入處理液儲存槽中，(3)使處理液儲存槽中 之新的處理液在處理液循環管線中循環既定的時間，以將在處理液循環管線內的舊的處理液推壓出來，(4)從處理液儲存槽排出處理液，(5)反覆進行上述的步驟(2)~(4)。將在處理液循環系統內的液體，特別是在配管內的液體推壓出來以將其完全排出是有困難地，並無法避免一定程度量的液體殘留在處理液循環系統內。若殘留在處理液循環系統內的液體量太多，則需要實行上述步驟(2)~(4)的次數變多，導致浪費了多餘的處理液。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2007-329328號公報
本發明提供一種在基板處理裝置中更換處理液時，降低處理液使用量的方法以及具有達成該目的之構造的裝置。
本發明提供一種處理液更換方法，包含：使該儲存槽中之處理液進行排液的處理液排液步驟；對該循環管線供給吹淨氣體以將殘留於該循環管線內的處理液從該循環管線排出的液體排出步驟；以及將處理液供給至該儲存槽中的處理液供給步驟；該處理液更換方法係更換基板處理裝置之處理液的方法，該基板處理裝置透過連接於該循環管線上的分流管路，以處理液對基板實施液體處理，其中包含：儲存槽，其儲存處理液；以及循環管線，其兩端與該儲存槽連接，並使處理液循環於其中。
另外，本發明提供一種基板處理裝置，包含：儲存槽，其儲存處理液；循環管線，其兩端與該儲存槽連接；循環泵，其插設於該循環管線上；處理液供給噴嘴，其透過分流管路與該循環管線連接；吹淨氣體供給部，其在比該分流管路對於該循環管線的連接區域更上游的第1位置，對該循環 管線供給吹淨氣體；以及排放部，其在第2位置與該循環管線連接，該第2位置，從流向所視，係比該分流管路對於該循環管線的連接區域更下游且比該儲存槽更上游的位置。
本發明藉由對循環管線供給吹淨氣體，可在一般排液之後，效率良好地強制排出殘留在循環管線內的大量的處理液。因此，可縮減洗淨循環管線乃至循環系統之處理液的使用量。
10‧‧‧處理液循環系統
11‧‧‧儲存槽
12‧‧‧循環管線
12a‧‧‧連接區域
12b‧‧‧第1位置
12c‧‧‧第2位置
13‧‧‧加熱器
14‧‧‧循環泵
15‧‧‧過濾器
16‧‧‧循環管線吹淨機構
16a、16d、16e、16g、17a、18a、19a、23、34a、34d、35a、44a、44d、45a‧‧‧開閉閥
16b、44b‧‧‧N2氣體供給源
16c、34c、44c‧‧‧吹淨氣體供給線
16f、18、19、35、45‧‧‧排放線
17‧‧‧氣體抽出線
20‧‧‧處理區塊
21‧‧‧處理單元
22‧‧‧分流管線
24‧‧‧流量調整閥
25‧‧‧處理液供給噴嘴
26‧‧‧基板保持部
27‧‧‧杯體
28‧‧‧分流回收線
29‧‧‧回收線
30‧‧‧處理液回收系統
31‧‧‧回收槽
32‧‧‧回送線
32a‧‧‧下游側位置
33‧‧‧回送泵
34b‧‧‧N2氣體供給源
40‧‧‧處理液補給系統
41‧‧‧補給槽
42‧‧‧補給線
42a‧‧‧下游側位置
43‧‧‧補給泵
44‧‧‧補給線吹淨機構
50‧‧‧供給裝置
51‧‧‧DIW供給源
52‧‧‧DIW供給線
53‧‧‧開閉閥
100‧‧‧控制部
101‧‧‧記憶媒體
102‧‧‧處理器
W‧‧‧基板
【圖1】係表示基板處理裝置之整體構造的系統圖。
【圖2】係表示更換處理液之順序的流程圖。
以下參照圖式，對較佳的實施態樣進行說明。
如圖1所示，基板處理裝置包含：處理液循環系統10；處理區塊20，其使用處理液對半導體晶圓等被處理基板(以下僅稱為「基板W」)進行處理(該處理液在處理液循環系統內循環)；處理液回收系統30，其使從處理區塊20排出的處理液回到處理液循環系統10以再利用；以及處理液補給系統40，其對處理液循環系統10供給用來更換或是用來補充的處理液。
首先，就處理液循環系統10進行說明。處理液循環系統10包含：儲存槽11，其儲存處理液；循環管線(循環管路)12，其與儲存槽11連接。從儲存槽出來後，由上游側開始，在循環管線12上依序插設有：加熱器13，其加熱處理液(可依照處理液的種類省略)；循環泵14，其輸送處理液；過濾器15，其去除處理液中所含有的粒子等污染物質。在循環管線12上，更設置了循環管線吹淨機構16，其用以對此循環管線12供給吹淨氣體。循環 管線吹淨機構16包含：開閉閥16a，其插設於過濾器15之下游的循環管線12上；N2氣體(氮氣)供給源16b，其作為吹淨氣體供給源；吹淨氣體供給線16c，其在開閉閥16a之下游的第1位置12b與循環管線12連接；以及開閉閥16d，其插設於吹淨氣體供給線16c上。循環管線吹淨機構16更包含：開閉閥16e，其插設在位於儲存槽11之下游且回到儲存槽11之前的位置的循環管線12上；排放線16f，其在開閉閥16e之上游的第2位置12c與循環管線12連接；以及開閉閥16g，其插設於排放線16f上。
另外，過濾器15與氣體抽出線17連接，該氣體抽出線17用於去除包含於流過循環管線12的處理液中的氣泡，而氣體抽出線17與儲存槽11連接。在氣體抽出線17上插設開閉閥17a。另外過濾器15亦與排放線18連接，且在排放線18上插設開閉閥18a。儲存槽11與排放線19連接，且在排放線19上插設開閉閥19a。
接著，就處理區塊20以及處理液回收系統30進行說明。處理區塊20，包含相互具有同樣構造的複數處理單元21。處理液循環系統10的循環管線12的一部分通過處理區塊20中。循環管線12的在處理區塊20中的連接區域12a當中，對各處理單元21供給處理液的分流管線22與循環管線12連接。連接分流管線22的連接區域12a，位於第1位置12b的下游與第2位置12c的上游，該第1位置12b與循環管線吹淨機構16的吹淨氣體供給線16c連接，該第2位置12c與循環管線吹淨機構16的排放線16f連接。在分流管線22上，插設開閉閥23以及流量調整閥24。分流管線22與處理液供給噴嘴25連接，從處理液供給噴嘴25對由基板保持部26所保持的基板W，以控制的流量供給處理液，藉此對基板W實施洗淨處理或是濕式蝕刻處理等既定的液體處理。又，在圖1中雖顯示了4個處理單元21，但可在處理區塊20內設置任意數量的處理單元21。
在各處理單元21中連接了分流回收線28，其透過設置於基板保持部26周圍的杯體27(其用於防止處理液飛散)，回收從處理液供給噴嘴25所吐出的處理液。各分流回收線28與回收線29連接，該回收線29，與處理液 回收系統30的回收槽31連接。回收槽31與回送線32連接，回送線32與儲存槽11連接。在回送線32上插設回送泵33，該回送泵33，使在回收槽31中所回收的處理液回到儲存槽11。在回送泵33的下游，更設置了回送線吹淨機構34，其用以對回送線32供給N2氣體(氮氣)。回送線吹淨機構34包含：開閉閥34a，其插設於回送泵33之下游的回送線32上；N2氣體供給源34b，其作為吹淨氣體供給源；吹淨氣體供給線34c，其在開閉閥34a的下游的位置32a與回送線32連接；以及開閉閥34d，其插設於吹淨氣體供給線34c上。另外，回收槽31與插設有開閉閥35a的排放線35連接。
接著，就處理液補給系統40進行說明。處理液補給系統40包含用來對處理液循環系統10的儲存槽11供給處理液的補給槽41。補給槽41與補給線42連接，該補給線42與儲存槽11連接。在補給線42上插設有補給泵43，該補給泵43，對儲存槽11供給儲存於補給槽41中的處理液。補給泵43的下游，更設有用以對補給線42供給氣體的補給線吹淨機構44。補給線吹淨機構44包含：開閉閥44a，其插設於補給泵43之下游的補給線42上；N2氣體供給源44b，其作為吹淨氣體供給源；吹淨氣體供給線44c，其在開閉閥44a的下游位置42a與補給線42連接；以及開閉閥44d，其插設於吹淨氣體供給線44c上。另外，補給槽41與插設有開閉閥45a的排放線45連接。又，雖在圖中並未顯示，但在補給槽41上設有補充處理液的補充線。
基板處理裝置更包含DIW供給裝置50，其供給作為洗淨處理液循環系統10之洗淨液的DIW，該DIW供給裝置50包含：DIW供給源51；DIW供給線52，其與DIW供給源51與處理液循環系統10的儲存槽11連接；以及開閉閥53，其插設於DIW供給線52上。
又，在基板處理裝置中，亦具有使用複數種類的藥液當作處理液以進行基板處理的情況，而在這樣的情況當中，在處理區塊20的各處理單元21中設置複數的處理液供給噴嘴25，同時相應於需求，設置了複數的處理液循環系統10、處理液回收系統30以及處理液補給系統40。又，處理液亦 有無法回收至儲存槽11的種類，在該情況中，回收線29被設置為直接連接至工廠廢液系統的排放線，回收槽31中並不設置回送泵33以及回送線吹淨機構34。又，吹淨氣體並不僅限於N2氣體，只要是與處理液無反應性、不會污染處理液流通之區域的氣體，可使用任何的氣體。
基板處理裝置更包含控制部100，其統一控制其整體的動作。控制部100控制基板處理裝置的各功能元件(處理單元的基板保持部、各種開閉閥、流量調整閥、泵等元件)的動作。控制部100，可以例如通用電腦作為硬體，以使該電腦運作的程式(裝置控制程式以及處理程序等程式)作為軟體來實現。軟體可儲存在固定設置於電腦中之硬體等記憶媒體中，或是CDROM(Compact Disk Read Only Memory)、DVD(Digital Versatile Disc)、快閃記憶體等以可拆卸的方式裝設於電腦上的記憶媒體。以參照符號101表示這樣的記憶媒體。處理器102可相應於需求，根據從圖中未顯示的使用者介面而來的指示等指令，從記憶媒體101中讀出既定的處理程序，藉此在控制部100的控制之下，使基板處理裝置的各功能元件運作，以進行既定的處理。在記憶媒體101中亦儲存了用以實行下述的處理液更換順序的程式。
接著，就上述基板處理裝置的作用進行說明。
在一般的基板處理裝置運作時，在開閉閥16a、16e為開啟的狀態下，藉由循環泵14使循環管線12內的處理液循環。在此處理液循環時，開閉閥19a、16d、16g、17a、18a為關閉的狀態。加熱器13相應於需求將處理液加熱至適當的溫度。藉由過濾器15去除處理液中所含有的粒子等污染物質。相應於需求，從循環管線12將處理液透過分流管線22送至各處理單元21，以進行基板W的液體處理。基板W的液體處理，係在控制部100的控制之下進行。另外，在一般運作時，相應於需求，處理液回收系統30將透過回收線29集中於回收槽31中的使用結束的處理液送回儲存槽11。像這樣的一般運作，係藉由控制部100根據儲存於記憶媒體101中的處理程序，控制基板處理裝置的各功能元件來實行。
接著，就更換處理液之情況的順序，參照圖2所示的流程圖進行說明。
藉由圖中未顯示的使用者操作介面，操作者事先設定與DIW洗淨(詳細情形於後段中敘述)的次數、預洗(詳細情形於後段中敘述)的次數等處理液更換作業相關的各種的參數，並將各種參數的設定值儲存於記憶媒體101中。藉由控制部100根據記憶於該各種設定值以及記憶媒體101中的處理液更換順序來控制基板處理裝置的各功能元件，以實行處理液更換作業。又，在將舊的(現在使用中的)處理液更換為相同規格的(種類、濃度等規格相同)新的處理液的情況中，更換時機可根據現在使用中的處理液的總使用時間、以現在使用中的處理液所處理的總基板處理片數來決定。或是，可藉由根據成為現在使用中的處理液的劣化程度之指標的參數(粒子數、pH值等參數)的感測器(圖中未顯示)之檢出值來決定更換時機的基準值，亦可由操作者透過圖中未顯示的使用者操作介面來設定。亦具有與上述情況不同的情況，其係根據對該基板處理裝置預先設定的製程排程，將現在使用中的處理液更換為其他規格(種類、濃度等規格不同)的處理液。在任何的情況中，若控制部100收到更換處理液的要求，則在控制部100的控制之下，依照圖2的流程自動地實行一連串的處理液更換順序。
在更換處理液時，停止將基板W般入處理單元21。若所有處理單元21中的基板W的處理結束、基板W的搬出結束，才開始圖2所示的流程。首先，開啟排放線19的開閉閥19a，排出儲存槽11內的液體(步驟S1)。接著，在開閉閥19a開啟的狀態下，使循環泵14運作，以將從儲存槽11至循環泵14之間的循環管線12中的液體推送至循環泵14的下游(步驟S2)。該步驟S2，係使循環泵14在循環泵14的上游的循環管線12清空、循環泵14形成不運送液體之狀態(空轉的狀態)之前持續地運轉。又，亦可以其他的方法來實施步驟S1以及步驟S2。例如，使開閉閥16d、16e、19a關閉，使開閉閥16a、16g開啟，然後使循環泵14運作。如此，儲存槽11內的液體通過循環管線12，而從排放線16f排出。接著若在儲存槽11清空後的短暫的期間內，在循環泵14形成空轉狀態(不吐出液體的狀態)之前使 其運轉，可實現與在步驟S2結束後相同的狀態。又，步驟S1以及S2皆稱為處理液排液步驟。
在步驟S2之後，因為與液體流向有關，故在從循環泵14到儲存槽11之間的循環管線12內形成液體殘留的態樣。故為了將此液體排出，進行N2氣體的供給(液體排出步驟)。首先，將插設於循環管線12上的開閉閥16a以及開閉閥16e關閉，並將插設於吹淨氣體供給線16c上的開閉閥16d以及插設於排放線16f上的開閉閥16g開啟。藉此，將N2氣體從N2氣體供給源16b透過吹淨氣體供給線16c流入循環管線12，在流入循環管線12之後，從排放線16f排出。隨著該N2氣體的流動，位於從第1位置12b至第2位置12c之間的循環管線12內的液體被強制地從排放線16f排出(步驟S3)。在步驟S3結束之前的期間(例如從結束前5秒到結束之間的期間)，除了開啟開閉閥16g之外，亦開啟開閉閥16e。藉此，可將位於從循環管線12的第2位置12c至儲存槽11之間的區間的液體抽出。因為若太早將此開閉閥16e開啟，則在比第2位置12c更上游側的循環管線12內的舊的處理液流入儲存槽11中，導致儲存槽11被污染，故不宜進行這樣的操作。相對於此，因為在步驟S3快結束的期間，在比第2位置12c更上游側的循環管線12內的舊的處理液幾乎已從排放線16f排出，故即使在該時間點將開閉閥16e開啟，流入儲存槽11內的，實際上僅為比第2位置12c更下游的舊的處理液。
接著，判斷是否已實行預先設定之次數的DIW洗淨(步驟S4)(該DIW洗淨為後述的步驟S5、S6)，若判斷並未實行既定次數(步驟S4的NO)，則流程進入步驟S5，進行DIW洗淨。首先，使循環管線12的開閉閥16a以及排放線16f的開閉閥16g成為開啟狀態，使循環管線12的開閉閥16e、吹淨氣體供給線16c的開閉閥以及排放線19的開閉閥19a為關閉狀態。在此狀態下，插設於DIW供給線52上的開閉閥53被開啟，以使儲存槽11形成其內部儲存既定量的DIW(純水)的狀態(不需要為滿水的狀態)。接著持續從DIW供給線52對儲存槽11供給DIW，並使循環泵14運作，藉此，在儲存槽11內的DIW流至循環管線12內，並從排放線16f排出。此時， 藉由DIW洗淨位於從儲存槽11到第2位置12c之間的循環管線12以及插設於該區間內的裝置(加熱器13、泵14、過濾器15等裝置)(步驟S5)。在步驟S5實行了既定時間之後，持續循環泵14的運作以及從DIW供給線52對儲存槽11的DIW的供給，並且關閉排放線16f的開閉閥16g，同時，開啟循環管線12的開閉閥16e，在以DIW填滿儲存槽11的狀態下(滿水狀態)，使DIW在循環管線12內循環既定的時間。又，在儲存槽11形成滿水的時間點，停止從DIW供給線52對儲存槽11的DIW的供給。藉此，可藉由DIW在從儲存槽11出來至回到儲存槽11以前的全部的區間中，洗淨循環管線12以及插設於該區間內的裝置(步驟S6)。
在以既定時間實行步驟S6之後，停止循環泵14。接著，流程回到步驟S1，將儲存槽11內的液體(此處為DIW)排出(步驟S1)，接著排出循環管線12內的液體(此處為DIW)(步驟S2)。接著，實行步驟S3，以排出殘留於比循環管線12的第1位置12b更下游的DIW。
接著，流程再次進入步驟S4，此處再次判斷是否實行既定次數的DIW洗淨(步驟S5、S6)。若判斷還未實行既定次數(步驟S4的NO)，則再次實行步驟S5、S6、S1、S2、S3。此處，例如既定次數為3次，已經分別實行3次的DIW洗淨(步驟S4的YES)。在此情況下，流程進入步驟S7。
首先，使循環管線12的開閉閥16a以及排放線16f的開閉閥16g成為開啟狀態，並使循環管線12的開閉閥16e、吹淨氣體供給線16c的開閉閥以及排放線19的開閉閥19a形成關閉狀態。在此狀態下，藉由處理液補給系統40對儲存槽11供給新的處理液。詳細而言，在插設於吹淨氣體供給線44c的開閉閥44d為關閉的狀態下，將插設於補給線42上的開閉閥44a開啟的同時，使補給泵43運作，藉此將儲存於補給槽41中的新的處理液供給至儲存槽11，而在儲存槽11內形成儲存既定量之新的處理液的狀態(不需要為滿水的狀態)。接著持續從補給線42對儲存槽11供給新的處理液，並使循環泵14運作，藉此，在儲存槽11內的新的處理液，流至循環管線12內，而從排放線16f排出。此時，可藉由新的處理液洗淨位於從儲存槽 11至第2位置12c之間的循環管線12以及插設於該區間內的裝置(加熱器13、泵14、過濾器15等裝置)(步驟S7)。在以既定的時間實行步驟S7之後，持續循環泵14的運作以及從補給線42對儲存槽11的新的處理液的供給，並且在關閉排放線16f的開閉閥16g的同時，開啟循環管線12的開閉閥16e，在儲存槽11被新的處理液填滿的狀態下(滿水狀態)，使新的處理液在循環管線12內循環既定的時間。又，從補給線42對儲存槽11的新的處理液的供給，在儲存槽11形成滿水狀態的時間點停止。藉此，可在從儲存槽11出來至回到儲存槽11為止的全部的區間中，藉由新的處理液洗淨循環管線12以及插設於該區間內的裝置(步驟S8)。
在以既定時間實行步驟S8之後，停止循環泵14。接著，判斷是否以既定的次數(例如2回)實行藉由新的處理液的預洗(步驟S9)(預洗為步驟S7、S8)，若判斷並未實行既定的次數(步驟S9的NO)，則再次實行步驟S1、S2、S3、(S4)、S7、S8。在步驟S9中，若判斷「已實行既定次數」(步驟S9的YES)，則結束一連串的處理液更換作業。
又，因為氣體抽出線17中亦存在舊的處理液，故宜在步驟S5以及步驟S6之間的至少1個步驟中開啟開閉閥17a，以DIW洗淨氣體抽出線17。另外，因為在處理液更換作業結束時，也就是，在進行藉由使用新的處理液的處理單元21所進行的處理時，希望過濾器15結束空氣抽出的動作，故宜至少在最後實行步驟S8時，開啟開閉閥17a。
又，在上述的實施態樣的說明中，雖並無對回送線吹淨機構34的作用進行說明，但因為在回送線32內殘留有舊的處理液，故亦宜同樣地盡可能去除回送線32的舊的處理液。例如，可在步驟S1開始之前實施這樣的舊的處理液的去除。具體而言，首先，開啟排放線35的開閉閥35a，使回收槽31內的舊的處理液排出。接著，在吹淨氣體供給線34c的開閉閥34d為關閉，同時，回送線32的開閉閥34a為開啟的狀態下，在回送泵3形成空轉狀態之前使其運作，以將從回送線32的回收槽31到回送泵33之間所殘留的舊的處理液送回至儲存槽11。之後，若在關閉回送線32的開閉閥34a 的同時，開啟吹淨氣體供給線34c的開閉閥34d，使N2氣體從N2氣體供給源34b流入回送線32，則殘留在比回送線32的位置32a更下游的舊的處理液，隨著N2氣體流入儲存槽11當中(藉由N2氣體的液體排出)。
另外，在實施DIW洗淨(步驟S5以及S6，特別是步驟S6)時，或是在實施藉由新的處理液之預洗(步驟S7以及S8，特別是步驟S8)時，亦可將插設於各分流管線22上的開閉閥23開啟，並將在循環管線12中循環的液體透過分流管線22流至各處理單元22，再透過分流回收線28以及回收線29流至透過回收槽31，在將該回收槽31內的液體藉由回送泵33透過回送線32送回儲存槽11之內。另外，之後亦可使用回送線吹淨機構34，以上述之順序將N2氣體供給至回送線32以進行液體的排出。
又，在上述的實施態樣的說明中，雖並無對補給線吹淨機構44的作用進行說明，但是因為在補給線42內殘存舊的處理液，故同樣地，宜盡可能去除補給線42中的舊的處理液。像這樣去除舊的處理液，可在例如步驟S2開始之前實施。具體而言，首先，開啟排放線45的開閉閥45a，以排出補給槽41內之舊的處理液。接著，關閉補給線42的開閉閥44a，同時，開起吹淨氣體供給線44c的開閉閥44d，使N2氣體從N2氣體供給源44b流入補給線42，則殘存於補給線42內的舊的處理液隨著N2氣體流入儲存槽11內(藉由N2氣體的液排出)。
若根據上述的實施態樣，可藉由對循環管線12供給吹淨氣體(N2氣體)，在透過排放線19排液以及使用循環泵14的一般排液之後，效率良好地強制排出殘留於循環管線12的大部份的液體。因此，可減少用於預洗(步驟S7、S8)的新的處理液的量。
另外，因為可在排出舊的處理液之後(步驟S1~S3之後)進行DIW洗淨(步驟S5、S6)，藉由便宜的DIW(純水)，確實地將殘留於處理液循環系統10內的舊的處理液推壓出來，故可在預洗(步驟S7、S8)開始之前，使處理液循環系統10內形成更潔淨的狀態。因此，可更減少用於預洗(步驟S7、 S8)的新的處理液的量。另外，因為進行複數次的DIW洗淨(步驟S5、S6)，故可在預洗(步驟S7、S8)開始之前，使處理液循環系統10內形成更為潔淨的狀態，而可更減少使用於預洗(步驟S7、S8)的新的處理液的量。
又，在上述的實施態樣中，雖分別進行了複數次的DIW洗淨(步驟S5、S6)以及預洗(步驟S7、S8)，但並不限制於此。例如，可省略DIW洗淨(步驟S5、S6)。在此情況中，因為可藉由吹淨氣體效率良好地排出舊的處理液，故可減少用於預洗(步驟S7、S8)的新的處理液的量。另外，亦可僅實行一次DIW洗淨(步驟S5、S6)。亦可僅實行一次預洗(步驟S7、S8)。
10‧‧‧處理液循環系統
11‧‧‧儲存槽
12‧‧‧循環管線
12a‧‧‧連接區域
12b‧‧‧第1位置
12c‧‧‧第2位置
13‧‧‧加熱器
14‧‧‧循環泵
15‧‧‧過濾器
16‧‧‧循環管線吹淨機構
16a、16d、16e、16g、17a、18a、19a、23、34a、34d、35a、44a、44d、45a‧‧‧開閉閥
16b、44b‧‧‧N2氣體供給源
16c、34c、44c‧‧‧吹淨氣體供給線
16f、18、19、35、45‧‧‧排放線
17‧‧‧氣體抽出線
20‧‧‧處理區塊
21‧‧‧處理單元
22‧‧‧分流管線
24‧‧‧流量調整閥
25‧‧‧處理液供給噴嘴
26‧‧‧基板保持部
27‧‧‧杯體
28‧‧‧分流回收線
29‧‧‧回收線
30‧‧‧處理液回收系統
31‧‧‧回收槽
32‧‧‧回送線
32a‧‧‧下游側位置
33‧‧‧回送泵
34b‧‧‧N2氣體供給源
40‧‧‧處理液補給系統
41‧‧‧補給槽
42‧‧‧補給線
42a‧‧‧下游側位置
43‧‧‧補給泵
44‧‧‧補給線吹淨機構
50‧‧‧供給裝置
51‧‧‧DIW供給源
52‧‧‧DIW供給線
53‧‧‧開閉閥
100‧‧‧控制部
101‧‧‧記憶媒體
102‧‧‧處理器
w‧‧‧基板

Claims (14)

  1. 一種處理液更換方法，用以更換一基板處理裝置中的處理液，該基板處理裝置包含：儲存處理液的儲存槽；循環管線，其兩端與該儲存槽連接；循環泵，插設於該循環管線上；及處理液供給噴嘴，透過分流管路與該循環管線連接；該處理液更換方法包含：處理液排液步驟，使該儲存槽中的處理液進行排液；液體排出步驟，在比該分流管路對於該循環管線的連接區域更上游側的第1位置，對該循環管線供給吹淨氣體，以從排放部排出殘存於該循環管線內的處理液，該排放部在比該分流管路對於該循環管線的連接區域更下游側且在比該儲存槽更上游側的第2位置與該循環管線連接；以及處理液供給步驟，其將處理液供給至該儲存槽中。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理液更換方法，其中，該第1位置係比該循環泵更下游側的位置。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之處理液更換方法，其中，在該處理液排液步驟中，係透過設置在該儲存槽的排放部排出該儲存槽中的處理液。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之處理液更換方法，其中，在該處理液排液步驟中，該儲存槽中的處理液藉由該循環泵從該儲存槽送出，在流過該循環管線之後，從該第2位置排出。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之處理液更換方法，其中更包含：DIW洗淨步驟，其以DIW(純水)洗淨該儲存槽以及循環管線；該DIW洗淨步驟包含對該儲存槽供給DIW，並將所供給的DIW從第2位置排出的步驟，該第2位置係在比該分流管路對於該循環管線的連接區域更下游側且比該儲存槽更上游側的位置。
  6. 如申請專利範圍第5項之處理液更換方法，其中，該DIW洗淨步驟更包含對該儲存槽供給DIW，並使所供給的DIW在該循環管線內循環的步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項之處理液更換方法，其中更包含：在該DIW洗淨步驟之後，對該循環管線供給吹淨氣體，以使該循環管 線內殘存的DIW從該循環管線排出的步驟。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之處理液更換方法，其中更包含：處理液洗淨步驟，其使用在該處理液供給步驟中對該儲存槽供給的處理液，來洗淨該儲存槽以及循環管線；該處理液洗淨步驟，包含使供給至該儲存槽的處理液從第2位置排出的步驟，該第2位置，係比該分流管路對於該循環管線的連接區域更下游側且比該儲存槽更上游側的位置。
  9. 如申請專利範圍第8項之處理液更換方法，其中，該處理液洗淨步驟，更包含使供給至該儲存槽的處理液在該循環管線內循環的步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項之處理液更換方法，其中更包含：在該處理液洗淨步驟之後，對該循環管線供給吹淨氣體，以使該循環管線內殘存的處理液從該循環管線排出的步驟。
  11. 一種基板處理裝置，包含：儲存槽，其儲存處理液；循環管線，其兩端與該儲存槽連接；循環泵，其插設於該循環管線上；處理液供給噴嘴，其透過分流管路與該循環管線連接；以及循環管線吹淨機構，根據需求將在該循環管線的一區域中的該處理液排出，該區域從第1位置延伸至第2位置且包括在該第1位置與該第2位置之間的連接區域，該分流管路在該連接區域與該循環管線連接；其中該循環管線吹淨機構包含：吹淨氣體供給部，其從該循環管線的該第1位置對該循環管線供給吹淨氣體，以將在該循環管線的該區域中的該處理液推送至下游；以及排放部，具有與該循環管線的該第2位置連接的排放線，該排放線具有第1開閉閥，以使藉由該吹淨氣體供給部所供給的該吹淨氣體而被推送通過該循環管線的該區域至下游的該處理液得以通過該排放線從該循環管線排出，該排放部更包含第2開閉閥，以防止處理液被該吹淨氣體推送而從該第2位置進入該儲存槽。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中，該第1位置，係比該循環泵更下游側的位置，在該第1位置與該循環泵之間設有第3開閉閥。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，更包含，具有第4開閉閥的排放部，該第4開閉閥與設置在該循環管線上且在該循環泵與該第3開閉閥之間的過濾器連接以從該過濾器排放該處理液。
  14. 如申請專利範圍第11至13項中任一項之基板處理裝置，其中，在該儲存槽中設置排放部，用以使該儲存槽中的液體進行排液。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6346447B2 (ja) * 2014-01-28 2018-06-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI630652B (zh) 2014-03-17 2018-07-21 斯克林集團公司 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
JP6385714B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
JP6223906B2 (ja) * 2014-05-19 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および液処理装置
US9659794B2 (en) * 2014-08-08 2017-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Particle improvement for single wafer apparatus
JP6499414B2 (ja) 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6383254B2 (ja) * 2014-11-04 2018-08-29 株式会社東芝 処理装置および処理方法
JP6330624B2 (ja) * 2014-11-04 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給装置の洗浄方法
KR102343634B1 (ko) * 2014-12-30 2021-12-29 세메스 주식회사 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
JP6605394B2 (ja) * 2016-05-17 2019-11-13 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、タンク洗浄方法及び記憶媒体
JP6813378B2 (ja) * 2017-01-26 2021-01-13 株式会社Kelk 流体加熱装置
JP6940958B2 (ja) * 2017-02-23 2021-09-29 オルガノ株式会社 配管のフラッシング方法
JP2018134608A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 オルガノ株式会社 配管のフラッシング方法及びフィルターユニット
KR102478777B1 (ko) * 2017-04-06 2022-12-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 공급 장치 및 액 공급 방법
CN108962781B (zh) * 2017-05-23 2020-12-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种药液供给系统
KR102264002B1 (ko) * 2017-10-20 2021-06-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP7089902B2 (ja) * 2018-02-28 2022-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法
JP7023763B2 (ja) * 2018-03-23 2022-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置および処理液供給方法
JP7122140B2 (ja) * 2018-04-02 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP7019494B2 (ja) * 2018-04-05 2022-02-15 株式会社荏原製作所 洗浄液供給システム、基板処理装置および基板処理システム
JP6697055B2 (ja) * 2018-11-30 2020-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理装置の配管洗浄方法
GB201821018D0 (en) * 2018-12-21 2019-02-06 Realmthree Ltd Ultrasonic cleaning apparatus
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
JP7382164B2 (ja) * 2019-07-02 2023-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP7412134B2 (ja) * 2019-11-01 2024-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TW202135914A (zh) * 2020-02-05 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 過濾器洗淨系統及過濾器洗淨方法
JP7376424B2 (ja) * 2020-04-30 2023-11-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理用の処理液の交換方法および基板処理装置
TW202209471A (zh) * 2020-05-25 2022-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP2022025560A (ja) * 2020-07-29 2022-02-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
TWI799172B (zh) * 2021-03-19 2023-04-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置、及基板處理方法
JP2022148186A (ja) * 2021-03-24 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および配管着脱パーツ洗浄方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002168551A (ja) 2000-11-30 2002-06-14 Tokyo Electron Ltd 処理装置の電極用冷却装置
FR2826294B1 (fr) * 2001-06-25 2003-09-26 Inst Francais Du Petrole Dispositif et procede optimisant la circulation d'une suspension dans une installation comprenant un reacteur fischer-tropsch
JP2006269743A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Seiko Epson Corp 薬液処理装置および半導体装置の製造方法
JP4849958B2 (ja) * 2006-05-26 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理ユニットおよび基板処理方法
JP4815274B2 (ja) 2006-06-08 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、および記録媒体
JP5471886B2 (ja) 2010-06-25 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体

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