JP2022025560A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、及び基板処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】アルカリ性の薬液を回収して再使用する場合に、薬液の溶存酸素濃度を効率良く低下させる、技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、処理部と、貯留部と、処理ラインと、循環ラインと、ガス供給ラインと、を備える。処理部は、基板に形成されたポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を、アルカリ性の薬液でエッチングする。貯留部は、前記処理部で使用された前記薬液を回収し、貯留する。処理ラインは、前記貯留部に貯留された前記薬液を、前記処理部に供給する。循環ラインは、前記貯留部から前記薬液を取り出し、取り出した前記薬液を前記貯留部に戻す。ガス供給ラインは、前記循環ラインに接続され、前記循環ラインに不活性ガスを供給する。前記循環ラインは、前記第１ガス供給ラインによって供給される不活性ガスと前記貯留部から取り出した前記薬液との混合流体を、前記貯留部に貯留されている前記薬液の内部に吐出する吐出口を含む。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
特許文献１に記載の基板処理方法は、酸素ガスを溶解させたＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）含有薬液を薬液ノズルから吐出することにより、基板に形成されたポリシリコン膜をエッチングする。この基板処理方法は、ＴＭＡＨ含有薬液に酸素ガスを溶解させて、エッチングレートを制御する。
特開２０１３－２５８３９１号公報
本開示の一態様は、アルカリ性の薬液を回収して再使用する場合に、薬液の溶存酸素濃度を効率良く低下させる、技術を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理装置は、処理部と、貯留部と、処理ラインと、循環ラインと、ガス供給ラインと、を備える。処理部は、基板に形成されたポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を、アルカリ性の薬液でエッチングする。貯留部は、前記処理部で使用された前記薬液を回収し、貯留する。処理ラインは、前記貯留部に貯留された前記薬液を、前記処理部に供給する。循環ラインは、前記貯留部から前記薬液を取り出し、取り出した前記薬液を前記貯留部に戻す。ガス供給ラインは、前記循環ラインに接続され、前記循環ラインに不活性ガスを供給する。前記循環ラインは、前記第１ガス供給ラインによって供給される不活性ガスと前記貯留部から取り出した前記薬液との混合流体を、前記貯留部に貯留されている前記薬液の内部に吐出する吐出口を含む。
本開示の一態様によれば、アルカリ性の薬液を回収して再使用する場合に、薬液の溶存酸素濃度を効率良く低下できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す図である。 図２は、一実施形態に係る処理部を示す図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図４は、貯留部に接続される容器の一例を示す断面図である。 図５は、各ガス供給ラインの流量の設定の一例を示す表である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
基板処理装置１は、図１に示すように、処理部１０を備える。処理部１０は、基板に形成されたポリシリコン膜を、アルカリ性の薬液でエッチングする。なお、ポリシリコン膜の代わりにアモルファスシリコン膜が形成されてもよく、薬液はアモルファスシリコン膜をエッチングしてもよい。
処理部１０は、図２に示すように、処理容器１１と、基板Ｗを水平に保持する保持部１２と、鉛直な回転軸１４を中心に保持部１２を回転させる回転部１３と、保持部１２に保持されている基板Ｗの上面に液体を吐出するノズル１６と、を有する。なお、処理部１０は、本実施形態では基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式であるが、基板Ｗを複数枚ずつ同時に処理するバッチ式でもよい。バッチ式の場合、保持部１２は、基板Ｗを鉛直に保持してもよい。
処理容器１１は、基板Ｗを内部に収容する。処理容器１１は、不図示のゲートと、ゲートを開閉する不図示のゲートバルブとを有する。基板Ｗは、ゲートを介して処理容器１１の内部に搬入され、処理容器１１の内部にて薬液で処理され、その後、ゲートを介して処理容器１１の外部に搬出される。
保持部１２は、処理容器１１の内部に搬入された基板Ｗを水平に保持する。保持部１２は、基板Ｗのポリシリコン膜が形成された面を上に向けて、基板Ｗの中心が回転軸１４の回転中心線と一致するように、基板Ｗを水平に保持する。保持部１２は、図２ではメカニカルチャックであるが、真空チャックまたは静電チャックなどであってもよい。保持部１２は、回転可能なスピンチャックであればよい。
回転部１３は、例えば、鉛直な回転軸１４と、回転軸１４を回転させる回転モータ１５と、を含む。回転モータ１５の回転駆動力は、タイミングベルト又はギヤなどの回転伝達機構を介して、回転軸１４に伝達されてもよい。回転軸１４が回転させられると、保持部１２も回転させられる。
ノズル１６は、保持部１２に保持されている基板Ｗに対し、アルカリ性の薬液を供給する。ノズル１６は、薬液を吐出する吐出口を有する。ノズル１６は、吐出口を下に向けて基板Ｗの上方に配置される。ノズル１６は、基板Ｗの上方において、基板Ｗの径方向に移動可能である。
ノズル１６は、例えば、基板Ｗの中心部に、薬液を供給する。薬液は、回転する基板Ｗの中心部に供給され、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、液膜を形成する。液膜によって、ポリシリコン膜がエッチングされる。
薬液は、例えばＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を含むＴＭＡＨ含有薬液である。薬液は、本実施形態ではＴＭＡＨ含有薬液であるが、ポリシリコン膜をエッチングするものであればよい。例えば、薬液はアンモニア溶液またはコリン溶液などであってもよい。
なお、ノズル１６は、エッチング用の薬液の他、リンス液、及び乾燥液を吐出してもよい。薬液、リンス液、及び乾燥液など、基板Ｗを処理する液を「処理液」とも呼ぶ。一のノズル１６が複数種類の処理液を順番に吐出してもよいし、複数のノズル１６が異なる処理液を吐出してもよい。
リンス液は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。リンス液は、薬液を除去するのに用いられる。リンス液は、回転する基板Ｗの中心部に供給され、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残る薬液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上面に、リンス液の液膜が形成される。
乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤である。有機溶剤は、リンス液よりも低い表面張力を有する。それゆえ、表面張力による凹凸パターンの倒壊を抑制できる。乾燥液は、回転する基板Ｗの中心部に供給され、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残るリンス液を置換する。その結果、基板Ｗの上面に、乾燥液の液膜が形成される。
なお、ノズル１６は、エッチング用の薬液とは別の薬液を吐出してもよく、例えばエッチング用の薬液の前に洗浄用の薬液を吐出してもよい。エッチング前のポリシリコン膜の汚染物を洗浄用の薬液によって除去できる。洗浄用の薬液としては、例えばＤＨＦ（希フッ酸）、ＳＣ－１（水酸化アンモニウムと過酸化水素とを含む水溶液）、またはＳＣ－２（塩化水素と過酸化水素とを含む水溶液）などが挙げられる。
処理部１０は、基板Ｗに供給された薬液等を回収するカップ１７を有する。カップ１７は、保持部１２に保持されている基板Ｗの周縁を囲み、基板Ｗの周縁から飛散する薬液等を受ける。カップ１７は、本実施形態では回転軸１４と共に回転しないが、回転軸１４と共に回転してもよい。
カップ１７は、水平な底壁１７ａと、底壁１７ａの周縁から上方に延びる外周壁１７ｂと、外周壁１７ｂの上端から外周壁１７ｂの径方向内側に向けて斜め上方に延びる傾斜壁１７ｃと、を含む。底壁１７ａには、カップ１７の内部に溜まった液体を排出する排液管１７ｄと、カップ１７の内部に溜まった気体を排出する排気管１７ｅとが設けられる。
基板処理装置１は、図１に示すように、制御部９０を備える。制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２と、を備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。
次に、図３を参照して、基板処理方法について説明する。図３に示す各ステップＳ１０１～Ｓ１０６は、制御部９０による制御下で実施される。
先ず、Ｓ１０１では、不図示の搬送装置が、基板Ｗを処理容器１１の内部に搬入する。搬送装置は、保持部１２に基板Ｗを載置した後、処理容器１１の内部から退出する。保持部１２は、基板Ｗを搬送装置から受け取り、基板Ｗを保持する。その後、回転部１３が保持部１２と共に基板Ｗを回転させる。
次に、Ｓ１０２では、ノズル１６が、回転する基板Ｗの中心部に薬液を供給する。薬液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、液膜を形成する。液膜は、基板Ｗに形成されたポリシリコン膜をエッチングする。
次に、Ｓ１０３では、ノズル１６が、回転する基板Ｗの中心部にリンス液を供給する。リンス液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残る薬液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上面に、リンス液の液膜が形成される。
次に、Ｓ１０４では、ノズル１６が、回転する基板Ｗの中心部に乾燥液を供給する。乾燥液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に残るリンス液を洗い流す。その結果、基板Ｗの上面に、乾燥液の液膜が形成される。
次に、Ｓ１０５では、回転部１３が、基板Ｗを回転させ、基板Ｗの上面に残る乾燥液を振り切り、基板Ｗを乾燥させる。基板Ｗの乾燥後、回転部１３が基板Ｗの回転を停止する。
次に、Ｓ１０６では、保持部１２が基板Ｗの保持を解除し、続いて不図示の搬送装置が保持部１２から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを処理容器１１の外部に搬出する。
なお、図３に示す処理の一部は実施されなくてもよい。例えば、乾燥液の供給（Ｓ１０４）は実施されなくてもよい。この場合、リンス液の供給（Ｓ１０３）に続いて、基板Ｗの乾燥（Ｓ１０５）が実施され、基板Ｗに残るリンス液が遠心力によって振り切られる。
次に、図１を再度参照して、処理部１０の周辺装置について説明する。基板処理装置１は、処理部１０で使用された薬液を回収し、貯留する貯留部２０と、貯留部２０に貯留された薬液を処理部１０に供給する処理ライン３０と、を備える。貯留部２０は、例えばタンクである。
処理ライン３０は、例えば、後述の循環ライン４０と処理部１０とを接続する。処理ライン３０の上流端が循環ライン４０に接続され、処理ライン３０の下流端が処理部１０のノズル１６に接続される。処理ライン３０は、処理部１０毎に設けられる。
処理ライン３０の途中には、処理ライン３０の流路を開閉する開閉弁３１と、処理ライン３０の流量を調整する流量調整器３２と、処理ライン３０の流量を計測する流量計３３と、が設けられる。開閉弁３１の動作、及び流量調整器３２の動作は、制御部９０によって制御される。流量計３３は、計測結果を示す信号を制御部９０に送信する。
開閉弁３１が流路を開放すると、ノズル１６が薬液を吐出する。薬液の流量は流量計３３によって計測され、その計測値が設定値になるように制御部９０が流量調整器３２を制御する。一方、開閉弁３１が流路を閉塞すると、ノズル１６が薬液の吐出を停止する。
基板処理装置１は、更に、循環ライン４０を備える。循環ライン４０は、貯留部２０から薬液を取り出し、取り出した薬液を貯留部２０に戻す。循環ライン４０の上流端４０ａは貯留部２０に接続され、循環ライン４０の下流端４０ｂも貯留部２０に接続される。
循環ライン４０の途中には、薬液を送り出すポンプ４１と、薬液中の異物を捕集するフィルター４２と、薬液を加熱するヒータ４３と、薬液の温度を計測する温度計４５と、が設けられる。温度計４５の計測値が設定値になるように制御部９０がヒータ４３を制御する。所望の温度の薬液を基板Ｗに供給できる。
ところで、薬液による基板Ｗのポリシリコン膜のエッチングレートは、薬液の溶存酸素濃度などで決まる。溶存酸素とは、液体中に溶解している分子状の酸素（Ｏ２）のことである。溶存酸素濃度（単位：ｍｇ／Ｌ）が高いほど、ポリシリコン膜が酸化されやすく、酸化膜が形成されやすい。
薬液がＴＭＡＨ含有薬液である場合、ポリシリコン膜の酸化が進むほど、ポリシリコン膜のエッチングレートが遅くなる。ＴＭＡＨ含有薬液は、酸化膜のエッチングが不得手だからである。
従って、薬液がＴＭＡＨ含有薬液である場合、薬液の溶存酸素濃度が高いほど、薬液によるポリシリコン膜のエッチングレートが遅くなる。この傾向は、特許文献１に記載された傾向とは逆の傾向である。
なお、薬液がアンモニア溶液またはコリン溶液である場合、ポリシリコン膜の酸化が進むほど、ポリシリコン膜のエッチングレートが速くなる。アンモニア溶液及びコリン溶液は、酸化膜のエッチングが得意だからである。
従って、薬液がアンモニア溶液またはコリン溶液である場合、薬液の溶存酸素濃度が高いほど、薬液によるポリシリコン膜のエッチングレートが速くなる。
薬液は、処理部１０のノズル１６から吐出された後、貯留部２０に戻される。その間に、薬液は空気に触れ、空気に含まれる酸素が薬液に溶解するので、薬液の溶存酸素濃度が高くなってしまう。
そこで、基板処理装置１は、更に、第１ガス供給ライン５０を備える。第１ガス供給ライン５０は、循環ライン４０に接続され、循環ライン４０にＮ２ガス等の不活性ガスを供給する。供給した不活性ガスと、薬液との混合流体が、形成される。
循環ライン４０は、第１ガス供給ライン５０によって供給された不活性ガスと、貯留部２０から取り出した薬液との混合流体を、貯留部２０に貯留されている薬液の内部に吐出する吐出口４０ｂを含む。貯留部２０の内部に不活性ガスの気泡が多数発生する。不活性ガスと薬液の接触面積が大きく、不活性ガスが薬液に効率的に溶解すると共に、薬液中の酸素がヘンリーの法則に従って不活性ガス中に効率的に放出される。従って、薬液の溶存酸素濃度を効率的に低下できる。
循環ライン４０は、不活性ガスと薬液の混合流体を貯留部２０の底壁に衝突させ、その衝撃によって不活性ガスの気泡を細分化してもよい。気泡の比表面積が増え、不活性ガスと薬液の接触面積が大きくなる。また、気泡は貯留部２０の底壁に達した後で薬液の液面に向けて浮上するので、液面に達するまでの時間が長い。従って、薬液の溶存酸素濃度を効率的に低下できる。
循環ライン４０は、各処理ライン３０との接続点４０ｃよりも下流に、第１ガス供給ライン５０との接続点４０ｄを有してもよい。接続点４０ｄは、全ての接続点４０ｃよりも下流に配置される。全ての処理部１０に、同じ溶存酸素濃度の薬液を供給できる。
第１ガス供給ライン５０は、例えば、共通ライン５０ａと、複数の個別ライン５０ｂと、を含む。共通ライン５０ａの下流端は循環ライン４０に接続され、共通ライン５０ａの上流端は各個別ライン５０ｂに接続される。各個別ライン５０ｂの途中には、個別ライン５０ｂの流路を開閉する開閉弁５１と、個別ライン５０ｂの流量を調整する流量調整器５２と、個別ライン５０ｂの流量を計測する流量計５３と、が設けられる。開閉弁５１の動作、及び流量調整器５２の動作は、制御部９０によって制御される。流量計５３は、計測結果を示す信号を制御部９０に送信する。
開閉弁５１が流路を開放すると、第１ガス供給ライン５０が循環ライン４０に不活性ガスを供給し、貯留部２０の内部に不活性ガスの気泡が多数発生する。不活性ガスの流量は流量計５３によって計測され、その計測値が設定値Ｑ１、Ｑ２になるように制御部９０が流量調整器５２を制御する。個別ライン５０ｂ毎に、異なる設定値Ｑ１、Ｑ２（Ｑ２＞Ｑ１）が設定される。一方、開閉弁５１が流路を閉塞すると、第１ガス供給ライン５０が循環ライン４０への不活性ガスの供給を停止する。
なお、本実施形態では、不活性ガスの流量を円滑に切り換えるべく、第１ガス供給ライン５０が２つの個別ライン５０ｂを有し、各個別ライン５０ｂに開閉弁５１と流量調整器５２と流量計５３とが設けられるが、本開示の技術はこれに限定されない。第１ガス供給ライン５０には、開閉弁５１と流量調整器５２と流量計５３とが１つずつ設けられてもよい。
基板処理装置１は、貯留部２０に接続される容器５５と、容器５５に接続される薬液回収ライン５６と、容器５５に接続される第２ガス供給ライン６０と、を備える。容器５５は、薬液を一時的に収容し、貯留部２０に渡す。薬液回収ライン５６は、処理部１０で使用された後の薬液を、容器５５を介して貯留部２０に戻す。第２ガス供給ライン６０は、容器５５の内部にＮ２ガス等の不活性ガスを供給する。
本実施形態によれば、薬液は、処理部１０のノズル１６から吐出された後、貯留部２０に戻される前に、容器５５に一時的に収容される。容器５５の内部は第２ガス供給ライン６０によって不活性ガスで満たされており、不活性ガスが薬液に溶解すると共に、薬液中の酸素がヘンリーの法則に従って不活性ガス中に放出される。従って、薬液を貯留部２０に戻す前に、薬液の溶存酸素濃度を元の濃度に近づけることができる。
薬液回収ライン５６は、例えば、共通ライン５６ａと、複数の個別ライン５６ｂと、を含む。共通ライン５６ａは、容器５５に接続される。各個別ライン５６ｂは、共通ライン５０ａと処理部１０とを接続し、処理部１０のカップ１７等に回収された薬液を、共通ライン５０ａに送る。
第２ガス供給ライン６０の途中には、第２ガス供給ライン６０の流路を開閉する開閉弁６１と、第２ガス供給ライン６０の流量を調整する流量調整器６２と、第２ガス供給ライン６０の流量を計測する流量計６３と、が設けられる。開閉弁６１の動作、及び流量調整器６２の動作は、制御部９０によって制御される。流量計６３は、計測結果を示す信号を制御部９０に送信する。
開閉弁６１が流路を開放すると、第２ガス供給ライン６０が容器５５の内部に不活性ガスを供給する。不活性ガスの流量は流量計６３によって計測され、その計測値が設定値Ｑ３になるように制御部９０が流量調整器６２を制御する。一方、開閉弁６１が流路を閉塞すると、第２ガス供給ライン６０が容器５５への不活性ガスの供給を停止する。
基板処理装置１は、容器５５に接続される薬液供給ライン６６を更に備える。薬液供給ライン６６は、処理部１０で使用される前の薬液、つまり、基板Ｗのエッチングによって劣化する前の薬液を、容器５５を介して貯留部２０に供給する。その結果、貯留部２０の内部は、空の状態から、薬液の液面の高さが予め設定された高さの状態になる。
貯留部２０の内部が空の状態になるのは、基板処理装置１の立ち上げ時、又は劣化した薬液の交換時である。劣化した薬液は、劣化する前の薬液、例えば未使用の薬液に比べて高いシリコン濃度を有しており、排液ライン２１を介して貯留部２０の外部に排出される。ちなみに、貯留部２０の内部に溜まるガスは、排気ライン２２を介して貯留部２０の外部に排出される。
本実施形態によれば、未使用の薬液は、貯留部２０に供給される前に、容器５５に一時的に収容される。容器５５の内部は第２ガス供給ライン６０によって不活性ガスで満たされており、不活性ガスが薬液に溶解すると共に、薬液中の酸素がヘンリーの法則に従って不活性ガス中に放出される。従って、未使用の薬液を貯留部２０に供給する前に、薬液の溶存酸素濃度を所望の濃度に近づけることができる。
薬液供給ライン６６の途中には、薬液供給ライン６６の流路を開閉する開閉弁６７と、薬液供給ライン６６の流量を調整する流量調整器６８と、薬液供給ライン６６の流量を計測する流量計６９と、が設けられる。開閉弁６７の動作、及び流量調整器６８の動作は、制御部９０によって制御される。流量計６９は、計測結果を示す信号を制御部９０に送信する。
開閉弁６７が流路を開放すると、薬液供給ライン６６が容器５５の内部に薬液を供給する。薬液の流量は流量計６９によって計測され、その計測値が設定値になるように制御部９０が流量調整器６８を制御する。一方、開閉弁６７が流路を閉塞すると、薬液供給ライン６６が容器５５への薬液の供給を停止する。
次に、図４を参照して、容器５５の構造について説明する。容器５５は、例えば、貯留部２０の天井に設置される。容器５５は、容器５５の内部と貯留部２０の内部とを連通する開口部５５ａ、５５ｂが形成される壁５５ｃを有する。壁５５ｃは、例えば、貯留部２０の天井に水平に設置される。
壁５５ｃの開口部５５ａ、５５ｂは、薬液回収ライン５６の流路の延長線Ｅ１からずらして配置される。延長線Ｅ１は例えば鉛直であり、薬液は真っすぐ下に落下する。壁５５ｃは、薬液回収ライン５６によって容器５５に戻された薬液を受け止め、跳ね返す。その結果、薬液の液滴が多数形成され、薬液の比表面積が増加する。薬液と不活性ガスの接触面積が大きく、不活性ガスが薬液に効率的に溶解すると共に、薬液中の酸素がヘンリーの法則に従って不活性ガス中に効率的に放出される。従って、薬液の溶存酸素濃度を効率的に低下できる。
また、壁５５ｃの開口部５５ａ、５５ｂは、薬液供給ライン６６の流路の延長線Ｅ２からずらして配置される。延長線Ｅ２は例えば鉛直であり、薬液は真っすぐ下に落下する。壁５５ｃは、薬液供給ライン６６によって容器５５に供給された薬液を受け止め、跳ね返す。その結果、薬液の液滴が多数形成され、薬液の比表面積が増加する。薬液と不活性ガスの接触面積が大きく、不活性ガスが薬液に効率的に溶解すると共に、薬液中の酸素がヘンリーの法則に従って不活性ガス中に効率的に放出される。従って、薬液の溶存酸素濃度を効率的に低下できる。
更に、壁５５ｃの開口部５５ａ、５５ｂは、第２ガス供給ライン６０の流路の延長線Ｅ３からずらして配置される。延長線Ｅ３は例えば鉛直であり、不活性ガスは真っすぐ下に落下する。壁５５ｃは、第２ガス供給ライン６０によって容器５５に供給された不活性ガスを受け止め、跳ね返す。その結果、不活性ガスが散らばりやすい。不活性ガスが薬液に効率的に溶解すると共に、薬液中の酸素がヘンリーの法則に従って不活性ガス中に効率的に放出される。従って、薬液の溶存酸素濃度を効率的に低下できる。
図１に示すように、基板処理装置１は、貯留部２０に接続される第３ガス供給ライン７０を更に備える。第３ガス供給ライン７０は、第２ガス供給ライン６０とは異なり、容器５５を介さずに貯留部２０の内部にＮ２ガス等の不活性ガスを供給する。また、第３ガス供給ライン７０は、循環ライン４０とは異なり、貯留部２０の内部に溜めた薬液の液面よりも上方の空間（貯留部２０の上部空間）に、不活性ガスの吐出口７０ａを有する。
第３ガス供給ライン７０の途中には、第３ガス供給ライン７０の流路を開閉する開閉弁７１と、第３ガス供給ライン７０の流量を調整する流量調整器７２と、第３ガス供給ライン７０の流量を計測する流量計７３と、が設けられる。開閉弁７１の動作、及び流量調整器７２の動作は、制御部９０によって制御される。流量計７３は、計測結果を示す信号を制御部９０に送信する。
開閉弁７１が流路を開放すると、第３ガス供給ライン７０が貯留部２０の内部に不活性ガスを供給する。不活性ガスの流量は流量計７３によって計測され、その計測値が設定値Ｑ４になるように制御部９０が流量調整器７２を制御する。一方、開閉弁７１が流路を閉塞すると、第３ガス供給ライン７０が貯留部２０への不活性ガスの供給を停止する。
また、基板処理装置１は、更に、第４ガス供給ライン８０を備える。第４ガス供給ライン８０は、薬液回収ライン５６に接続され、薬液回収ライン５６にＮ２ガス等の不活性ガスを供給する。薬液回収ライン５６の内部が不活性ガスで満たされ、処理部１０から薬液回収ライン５６への空気の流入を抑制でき、空気と薬液の接触を抑制できる。従って、薬液の溶存酸素濃度の上昇を抑制できる。
第４ガス供給ライン８０は、薬液回収ライン５６の共通ライン５６ａに接続され、共通ライン５６ａに不活性ガスを供給する。第４ガス供給ライン８０は、各個別ライン５６ｂよりも上流にて、共通ライン５６ａに接続される。共通ライン５６ａの全体を不活性ガスで満たし、全ての処理部１０から薬液回収ライン５６への空気の流入を抑制できる。
第４ガス供給ライン８０の途中には、第４ガス供給ライン８０の流路を開閉する開閉弁８１と、第４ガス供給ライン８０の流量を調整する流量調整器８２と、第４ガス供給ライン８０の流量を計測する流量計８３と、が設けられる。開閉弁８１の動作、及び流量調整器８２の動作は、制御部９０によって制御される。流量計８３は、計測結果を示す信号を制御部９０に送信する。
開閉弁８１が流路を開放すると、第４ガス供給ライン８０が薬液回収ライン５６に不活性ガスを供給する。不活性ガスの流量は流量計８３によって計測され、その計測値が設定値Ｑ５になるように制御部９０が流量調整器８２を制御する。一方、開閉弁８１が流路を閉塞すると、第４ガス供給ライン８０が薬液回収ライン５６への不活性ガスの供給を停止する。
次に、図５を参照して、各ガス供給ラインの流量の設定について説明する。図５において、Ｎは、処理ライン３０の稼働数であり、例えば１以上５以下の整数である。処理ライン３０の稼働数とは、開閉弁３１が流路を開放し、ノズル１６が薬液を吐出する状態の処理ライン３０の本数である。なお、処理部１０の設置数、及び処理ライン３０の設置数は、５つには限定されず、２つ以上であればよい。Ｎの最大値は、処理ライン３０の設置数に等しい。
液溜めモードは、貯留部２０の内部に未使用の薬液を溜める状態のことである。液溜めモードでは、薬液供給ライン６６が、未使用の薬液を貯留部２０に供給する。また、液溜めモードでは、循環ライン４０が、貯留部２０から薬液を取り出し、取り出した薬液を貯留部２０に戻す。液溜めモードでは、貯留部２０の内部の薬液の量が不足しているので、処理ライン３０は処理部１０への薬液の供給を停止する。
液溜めモードで貯留部２０に供給される未使用の薬液は、後述の基板処理モードで処理部１０から貯留部２０に回収される薬液と同様に、溶存酸素濃度が高い。また、液溜めモードで貯留部２０に供給される未使用の薬液は、基板処理モードで処理部１０から貯留部２０に回収される薬液に比べて、流量が多い。
そこで、液溜めモードの場合、基板処理モードの場合に比べて、第１ガス供給ライン５０の循環ライン４０に供給する不活性ガスの流量が多い。未使用の薬液の溶存酸素濃度を、所望の濃度まで短時間で低下できる。
また、液溜めモードの場合、薬液供給ライン６６が、容器５５を介して貯留部２０に未使用の薬液を供給する。そこで、第２ガス供給ライン６０が、容器５５の内部に不活性ガスを供給する。また、第３ガス供給ライン７０が、貯留部２０の内部に不活性ガスを供給する。
液溜めモードの場合、処理ライン３０が処理部１０への薬液の供給を停止するので、処理部１０から薬液回収ライン５６に薬液が流れ込まない。それゆえ、第４ガス供給ライン８０は、薬液回収ライン５６への不活性ガスの供給を停止する。無駄な不活性ガスの使用を防止できる。なお、液溜めモードの場合に、基板処理モードの場合に比べて、第４ガス供給ライン８０の薬液回収ライン５６に供給する不活性ガスの流量が少なければ、無駄な不活性ガスの使用を抑制できる。
待機モードは、貯留部２０の内部に所望の量の薬液が溜まり、薬液供給ライン６６が貯留部２０への薬液の供給を停止し、且つ処理ライン３０が処理部１０への薬液の供給を停止する状態のことである。待機モードでは、循環ライン４０が、貯留部２０から薬液を取り出し、取り出した薬液を貯留部２０に戻す。薬液の温度が所望の温度に保たれる。
待機モードの場合、処理ライン３０が処理部１０への薬液の供給を停止するので、処理部１０から薬液回収ライン５６に薬液が流れ込まない。それゆえ、第４ガス供給ライン８０は、薬液回収ライン５６への不活性ガスの供給を停止する。無駄な不活性ガスの使用を防止できる。
待機モードの場合、薬液回収ライン５６も薬液供給ライン６６も、容器５５を介した貯留部２０への薬液の供給を停止する。それゆえ、第２ガス供給ライン６０は、容器５５の内部への不活性ガスの供給を停止する。無駄な不活性ガスの使用を防止できる。また、第１ガス供給ライン５０が、循環ライン４０への不活性ガスの供給を停止する。
待機モードの場合、第３ガス供給ライン７０が、貯留部２０の内部に不活性ガスを供給すればよい。貯留部２０の上部空間への外気の侵入を防止でき、空気と薬液との接触を防止できる。
基板処理モードは、貯留部２０の内部に所望の量の薬液が溜まり、薬液供給ライン６６が貯留部２０への薬液の供給を停止し、且つ処理ライン３０が処理部１０に薬液を供給する状態のことである。基板処理モードでは、循環ライン４０が、貯留部２０から薬液を取り出し、取り出した薬液を貯留部２０に戻す。
基板処理モードの場合、処理ライン３０が処理部１０に薬液を供給し、その結果、処理部１０から薬液回収ライン５６に薬液が流れ込む。そこで、第４ガス供給ライン８０が、薬液回収ライン５６に不活性ガスを供給する。
また、基板処理モードの場合、薬液回収ライン５６が、容器５５を介して貯留部２０に薬液を供給する。そこで、第２ガス供給ライン６０が、容器５５の内部に不活性ガスを供給する。また、第１ガス供給ライン５０が、循環ライン４０に不活性ガスを供給する。
ところで、基板処理モードの場合、処理ライン３０の稼働数に応じて、薬液回収ライン５６から貯留部２０に戻される薬液の流量が変わる。そこで、制御部９０は、処理ライン３０の稼働数に応じて、第１ガス供給ライン５０によって循環ライン４０に供給する不活性ガスの流量を制御してもよい。処理ライン３０の稼働数が多いほど、不活性ガスの流量が多く設定される。処理ライン３０の稼働数は、例えば、開状態の開閉弁３１の数から求められる。
なお、制御部９０は、処理ライン３０の総流量に応じて、第１ガス供給ライン５０によって循環ライン４０に供給する不活性ガスの流量を制御してもよい。処理ライン３０の総流量が多いほど、不活性ガスの流量が多く設定される。処理ライン３０の総流量は、複数の流量計３３によって計測される。
基板処理モードの場合、第３ガス供給ライン７０が、貯留部２０の内部に不活性ガスを供給する。貯留部２０の上部空間への外気の侵入を防止でき、空気と薬液との接触を防止できる。
基板処理装置１の状態は、基板処理装置１の立ち上げ時に、液溜めモードと、待機モードとにこの順番で移行する。その後、基板処理装置１の状態は、基板処理モードと、待機モードとに交互に移行される。薬液が劣化すると、貯留部２０の内部の薬液が排出され、薬液の交換が実施される。
薬液の交換時には、基板処理装置１の状態が、再び、液溜めモードと、待機モードとにこの順番で移行する。その後、基板処理装置１の状態は、基板処理モードと、待機モードとに交互に移行される。薬液が劣化すると、再び、貯留部２０の内部の薬液が排出され、薬液の交換が実施される。
以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
１ 基板処理装置
１０ 処理部
２０ 貯留部
３０ 処理ライン
４０ 循環ライン
４０ｂ 吐出口
５０ 第１ガス供給ライン

Claims (19)

  1. 基板に形成されたポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜を、アルカリ性の薬液でエッチングする処理部と、
    前記処理部で使用された前記薬液を回収し、貯留する貯留部と、
    前記貯留部に貯留された前記薬液を、前記処理部に供給する処理ラインと、
    前記貯留部から前記薬液を取り出し、取り出した前記薬液を前記貯留部に戻す循環ラインと、
    前記循環ラインに接続され、前記循環ラインに不活性ガスを供給する第１ガス供給ラインと、を備え、
    前記循環ラインは、前記第１ガス供給ラインによって供給される不活性ガスと前記貯留部から取り出した前記薬液との混合流体を、前記貯留部に貯留されている前記薬液の内部に吐出する吐出口を含む、基板処理装置。
  2. 前記第１ガス供給ラインによって前記循環ラインに供給する不活性ガスの流量を調整する流量調整器と、
    前記流量調整器を制御する制御部と、を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理部が複数設けられ、
    前記処理ラインが前記処理部ごとに設けられ、
    前記制御部は、前記処理ラインの稼働数、又は前記処理ラインの総流量に応じて、前記第１ガス供給ラインの前記流量調整器を制御する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記貯留部に接続され、前記薬液を一時的に収容し、前記薬液を前記貯留部に渡す容器と、
    前記容器に接続され、前記処理部で使用された後の前記薬液を、前記容器を介して前記貯留部に戻す薬液回収ラインと、
    前記容器に接続され、前記容器の内部に不活性ガスを供給する第２ガス供給ラインと、を備える、請求項２又は３に記載の基板処理装置。
  5. 前記容器は、前記容器の内部と前記貯留部の内部とを連通する開口部が形成される壁を有し、
    前記開口部は、前記薬液回収ラインの流路の延長線からずらして配置され、
    前記壁は、前記薬液回収ラインによって前記容器に戻された前記薬液を受け止め、跳ね返す、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記容器に接続され、前記処理部で使用される前の前記薬液を、前記容器を介して前記貯留部に供給する薬液供給ラインを備える、請求項４又は５に記載の基板処理装置。
  7. 前記容器は、前記容器の内部と前記貯留部の内部とを連通する開口部が形成される壁を有し、
    前記開口部は、前記薬液供給ラインの流路の延長線からずらして配置され、
    前記壁は、前記薬液供給ラインによって前記容器に供給された前記薬液を受け止め、跳ね返す、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記薬液供給ラインが前記容器に前記薬液を供給し、且つ前記処理ラインが前記処理部への前記薬液の供給を停止する液溜めモードの場合に、前記薬液供給ラインが前記容器への前記薬液の供給を停止し、且つ前記処理ラインが前記処理部に前記薬液を供給する基板処理モードの場合に比べて、前記第１ガス供給ラインの前記循環ラインに供給する不活性ガスの流量が多い、請求項６又は７に記載の基板処理装置。
  9. 前記貯留部に接続され、前記容器を介さずに前記貯留部に不活性ガスを供給する第３ガス供給ラインを備え、
    前記薬液供給ラインが前記容器への前記薬液の供給を停止し、且つ前記処理ラインが前記処理部への前記薬液の供給を停止する待機モードの場合に、前記第３ガス供給ラインが前記貯留部に不活性ガスを供給する、請求項６～８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  10. 前記薬液回収ラインに接続され、前記薬液回収ラインに不活性ガスを供給する第４ガス供給ラインを備える、請求項８に記載の基板処理装置。
  11. 前記液溜めモードの場合に、前記基板処理モードの場合に比べて、前記第４ガス供給ラインの前記薬液回収ラインに供給する不活性ガスの流量が少ない、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 処理部によって、基板に形成されたポリシリコン膜またはアモルファスシリコン膜を、アルカリ性の薬液でエッチングすることと、
    前記処理部で使用された前記薬液を、貯留部に回収し、貯留することと、
    前記貯留部に貯留された前記薬液を、処理ラインを介して前記処理部に供給することと、
    前記貯留部に貯留された前記薬液を、循環ラインを介して前記貯留部に戻すことと、
    前記循環ラインに接続される第１ガス供給ラインによって、前記循環ラインに不活性ガスを供給することと、を有し、
    前記循環ラインは、前記第１ガス供給ラインによって供給される不活性ガスと前記貯留部から取り出した前記薬液との混合流体を、前記貯留部に貯留されている前記薬液の内部に吐出する、基板処理方法。
  13. 前記処理部が複数設けられ、
    前記処理ラインが前記処理部ごとに設けられ、
    前記処理ラインの稼働数、又は前記処理ラインの総流量に応じて、前記第１ガス供給ラインによって前記循環ラインに供給する不活性ガスの流量を制御することを有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記貯留部には、前記薬液を一時的に収容し、前記薬液を前記貯留部に渡す容器が接続されており、
    前記容器に接続される薬液回収ラインによって、前記処理部で使用された後の前記薬液を、前記容器を介して前記貯留部に戻すことと、
    前記容器に接続される第２ガス供給ラインによって、前記容器の内部に不活性ガスを供給することと、を有する、請求項１２又は１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記容器は、前記容器の内部と前記貯留部の内部とを連通する開口部が形成される壁を有し、
    前記開口部は、前記薬液回収ラインの流路の延長線からずらして配置され、
    前記壁は、前記薬液回収ラインによって前記容器に戻された前記薬液を受け止め、跳ね返す、請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 前記容器に接続される薬液供給ラインによって、前記処理部で使用される前の前記薬液を、前記容器を介して前記貯留部に供給することを有する、請求項１４又は１５に記載の基板処理方法。
  17. 前記容器は、前記容器の内部と前記貯留部の内部とを連通する開口部が形成される壁を有し、
    前記開口部は、前記薬液回収ラインの流路の延長線からずらして配置され、
    前記壁は、前記薬液供給ラインによって前記容器に供給された前記薬液を受け止め、跳ね返す、請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記薬液供給ラインが前記容器に前記薬液を供給し、且つ前記処理ラインが前記処理部への前記薬液の供給を停止する液溜めモードの場合に、前記薬液供給ラインが前記容器への前記薬液の供給を停止し、且つ前記処理ラインが前記処理部に前記薬液を供給する基板処理モードの場合に比べて、前記第１ガス供給ラインの前記循環ラインに供給する不活性ガスの流量が多い、請求項１６又は１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記貯留部に接続される第３ガス供給ラインによって、前記容器を介さずに前記貯留部に不活性ガスを供給することを有し、
    前記薬液供給ラインが前記容器への前記薬液の供給を停止し、且つ前記処理ラインが前記処理部への前記薬液の供給を停止する待機モードの場合に、前記第３ガス供給ラインが前記貯留部に不活性ガスを供給する、請求項１６～１８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4233106A (en) * 1979-07-09 1980-11-11 Chemcut Corporation Method for ion control of solutions
SG92720A1 (en) * 1999-07-14 2002-11-19 Nisso Engineering Co Ltd Method and apparatus for etching silicon
KR20040041763A (ko) * 2002-11-11 2004-05-20 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법
JP4793927B2 (ja) * 2005-11-24 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
JP4708243B2 (ja) * 2006-03-28 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2009049108A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および処理液成分補充方法
JP5726784B2 (ja) * 2012-02-24 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 処理液交換方法および基板処理装置
JP6300139B2 (ja) 2012-05-15 2018-03-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
JP6010457B2 (ja) * 2012-12-28 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および薬液回収方法
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
WO2020145002A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法

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