TW202222418A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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藪田貴士
中尾秀俊
笠原政俊
齊木大輔
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

[課題]提供一種「在將鹼性之藥液進行回收而再使用的情況下，效率良好地使藥液之溶存氧濃度降低」的技術。 [解決手段]基板處理裝置，係具備有：處理部；儲存部；處理管線；循環管線；及氣體供給管線。處理部，係以鹼性之藥液來蝕刻被形成於基板的多晶矽膜或非晶矽膜。儲存部，係回收並儲存在前述處理部所使用的前述藥液。處理管線，係將被儲存於前述儲存部的前述藥液供給至前述處理部。循環管線，係從前述儲存部取出前述藥液，並使取出的前述藥液返回到前述儲存部。氣體供給管線，係被連接於前述循環管線，將惰性氣體供給至前述循環管線。前述循環管線，係包含有：吐出口，將藉由前述第1氣體供給管線所供給之惰性氣體與從前述儲存部取出之前述藥液的混合流體吐出至被儲存於前述儲存部之前述藥液的內部。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本揭示，係關於基板處理裝置及基板處理方法。
記載於專利文獻1之基板處理方法，係從藥液噴嘴吐出使氧氣溶解之含TMAH(氫氧化四甲基銨)藥液，藉此，蝕刻被形成於基板的多晶矽膜。該基板處理方法，係使氧氣溶解至含TMAH藥液中，控制蝕刻率。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-258391號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示之一態樣，係提供一種「在將鹼性之藥液進行回收而再使用的情況下，效率良好地使藥液之溶存氧濃度降低」的技術。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的基板處理裝置，係具備有：處理部；儲存部；處理管線；循環管線；及氣體供給管線。處理部，係以鹼性之藥液來蝕刻被形成於基板的多晶矽膜或非晶矽膜。儲存部，係回收並儲存在前述處理部所使用的前述藥液。處理管線，係將被儲存於前述儲存部的前述藥液供給至前述處理部。循環管線，係從前述儲存部取出前述藥液，並使取出的前述藥液返回到前述儲存部。氣體供給管線，係被連接於前述循環管線，將惰性氣體供給至前述循環管線。前述循環管線，係包含有：吐出口，將藉由前述第1氣體供給管線所供給之惰性氣體與從前述儲存部取出之前述藥液的混合流體吐出至被儲存於前述儲存部之前述藥液的內部。 [發明之效果]
根據本揭示之一態樣，在將鹼性之藥液進行回收而再使用的情況下，可效率良好地使藥液之溶存氧濃度降低。
以下，參照圖面，說明關於本揭示之實施形態。另外，在各圖面中，對於相同或相對應之構成，係有時賦予賦予相同符號並省略說明。
基板處理裝置1，係如圖1所示般，具備有處理部10。處理部10，係以鹼性之藥液來蝕刻被形成於基板的多晶矽膜。另外，亦可形成非晶矽膜來代替多晶矽膜，藥液，係亦可蝕刻非晶矽膜。
處理部10，係如圖2所示般，具有：處理容器11；保持部12，水平地保持基板W；旋轉部13，以垂直之旋轉軸14為中心，使保持部12旋轉；及噴嘴16，將液體吐出至被保持於保持部12之基板W的上面。另外，在本實施形態中，處理部10，係雖為逐片地處理基板W的枚葉式，但亦可為每次複數片地同時處理基板W的批次式。在批次式的情況下，保持部12，係亦可垂直地保持基板W。
處理容器11，係在內部收容基板W。處理容器11，係具有：未圖示的閘門；及未圖示的閘閥，開關閘門。基板W，係經由閘門被搬入至處理容器11的內部，並在處理容器11之內部以藥液予以處理，其後，經由閘門被搬出至處理容器11的外部。
保持部12，係水平地保持被搬入至處理容器11之內部的基板W。保持部12，係以將基板W之形成有多晶矽膜的面朝上且使基板W的中心與旋轉軸14之旋轉中心線一致的方式，水平地保持基板W。在圖2中，保持部12，係雖為機械卡盤，但亦可為真空吸盤或靜電卡盤等。保持部12，係只要為可旋轉的旋轉卡盤即可。
旋轉部13，係例如包含有：垂直之旋轉軸14；及旋轉馬達15，使旋轉軸14旋轉。旋轉馬達15之旋轉驅動力，係亦可經由正時皮帶或齒輪等的旋轉傳達機構被傳遞至旋轉軸14。當旋轉軸14旋轉時，則保持部12亦旋轉。
噴嘴16，係對被保持於保持部12的基板W供給鹼性之藥液。噴嘴16，係具有：吐出口，吐出藥液。噴嘴16，係將吐出口朝下，被配置於基板W的上方。噴嘴16，係可在基板W之上方，沿基板W的徑方向移動。
噴嘴16，係例如將藥液供給至基板W的中心部。藥液，係被供給至旋轉之基板W的中心部，藉由離心力而潤濕擴展至基板W的上面整體，形成液膜。藉由液膜，蝕刻多晶矽膜。
藥液，係例如包含有TMAH(氫氧化四甲基銨)的含TMAH藥液。在本實施形態中，藥液，係雖為含TMAH藥液，但只要為蝕刻多晶矽膜者即可。例如，藥液，係亦可為氨溶液或膽鹼溶液等。
另外，噴嘴16，係除了蝕刻用之藥液以外，亦可吐出沖洗液及乾燥液。將藥液、沖洗液及乾燥液等、處理基板W的液體亦稱為「處理液」。亦可從一個噴嘴16依序地吐出複數個種類的處理液，或亦可從複數個噴嘴16吐出不同的處理液。
沖洗液，係例如DIW(去離子水)。沖洗液，係被用以去除藥液。沖洗液，係被供給至旋轉之基板W的中心部，藉由離心力而潤濕擴展至基板W的上面整體，沖洗殘留於基板W之上面的藥液。其結果，在基板W之上面形成沖洗液的液膜。
乾燥液，係例如IPA(異丙醇)等的有機溶劑。有機溶劑，係具有低於沖洗液的表面張力。因此，可抑制因表面張力所造成的凹凸圖案之倒塌。乾燥液，係被供給至旋轉之基板W的中心部，藉由離心力而潤濕擴展至基板W的上面整體，置換殘留於基板W之上面的沖洗液。其結果，在基板W之上面形成乾燥液的液膜。
另外，噴嘴16，係亦可吐出與蝕刻用之藥液不同的藥液，且例如亦可在蝕刻用之藥液之前吐出洗淨用之藥液。可藉由洗淨用之藥液來去除蝕刻前之多晶矽膜的污染物。作為洗淨用之藥液，係例如可列舉出DHF(稀氫氟酸)、SC-1(包含有氫氧化銨與過氧化氫之水溶液)或SC-2(包含有氯化氫與過氧化氫之水溶液)等。
處理部10，係具有：罩杯17，回收被供給至基板W的藥液等。罩杯17，係包圍被保持於保持部12之基板W的周緣，承接從基板W之周緣飛散的藥液等。在本實施形態中，罩杯17，係雖不與旋轉軸14一起旋轉，但亦可與旋轉軸14一起旋轉。
罩杯17，係包含有：水平之底壁17a；外周壁17b，從底壁17a的周緣往上方延伸；及傾斜壁17c，從外周壁17b之上端朝向外周壁17b的徑方向內側斜上方地延伸。在底壁17a，係設置有：排液管17d，排出儲存於罩杯17之內部的液體；及排氣管17e，排出儲存於罩杯17之內部的氣體。
基板處理裝置1，係如圖1所示般，具備有控制部90。控制部90，係例如電腦，具備有CPU(Central Processing Unit)91與記憶體等的記憶媒體92。在記憶媒體92，係儲存有控制在基板處理裝置1中所執行之各種處理的程式。控制部90，係藉由使CPU91執行被記憶於記憶媒體92之程式的方式，控制基板處理裝置1的動作。
其次，參閱圖3，說明關於基板處理方法。圖3所示之各步驟S101~S106，係在控制部90的控制下予以實施。
首先，在S101中，係未圖示之搬送裝置將基板W搬入至處理容器11的內部。搬送裝置，係在將基板W載置於保持部12後，從處理容器11的內部退出。保持部12，係從搬送裝置接收基板W，並保持基板W。其後，旋轉部13使基板W與保持部12一起旋轉。
其次，在S102中，係噴嘴16將藥液供給至旋轉之基板W的中心部。藥液，係藉由離心力而潤濕擴展至基板W的上面整體，形成液膜。液膜，係蝕刻被形成於基板W的多晶矽膜。
其次，在S103中，係噴嘴16將沖洗液供給至旋轉之基板W的中心部。沖洗液，係藉由離心力而潤濕擴展至基板W的上面整體，沖洗殘留於基板W之上面的藥液。其結果，在基板W之上面形成沖洗液的液膜。
其次，在S104中，係噴嘴16將乾燥液供給至旋轉之基板W的中心部。乾燥液，係藉由離心力而潤濕擴展至基板W的上面整體，沖洗殘留於基板W之上面的沖洗液。其結果，在基板W之上面形成乾燥液的液膜。
其次，在S105中，係旋轉部13使基板W旋轉，甩掉殘留於基板W之上面的乾燥液，使基板W乾燥。在基板W之乾燥後，旋轉部13停止基板W的旋轉。
其次，在S106中，係保持部12解除基板W的保持，接著，未圖示之搬送裝置從保持部12接收基板W，並將接收到的基板W搬出至處理容器11的外部。
另外，亦可不實施圖3所示之處理的一部分。例如，亦可不實施乾燥液的供給(S104)。在該情況下，接續於沖洗液的供給(S103)，實施基板W之乾燥(S105)，藉由離心力甩掉殘留於基板W的沖洗液。
其次，再次參閱圖1，說明關於處理部10的周邊裝置。基板處理裝置1，係具備有：儲存部20，回收並儲存在處理部10所使用的藥液；及處理管線30，將被儲存於儲存部20的藥液供給至處理部10。儲存部20，係例如儲槽。
處理管線30，係例如連接後述的循環管線40與處理部10。處理管線30之上游端被連接於循環管線40，處理管線30之下游端被連接於處理部10的噴嘴16。處理管線30，係被設置於每個處理部10。
在處理管線30之途中，係設置有：開關閥31，對處理管線30的流路進行開關；流量調整器32，調整處理管線30的流量；及流量計33，計測處理管線30的流量。開關閥31之動作及流量調整器32之動作，係藉由控制部90予以控制。流量計33，係將表示計測結果的信號發送至控制部90。
當開關閥31開放流路時，則噴嘴16吐出藥液。藥液之流量，係藉由流量計33予以計測，且控制部90控制流量調整器32，使得其計測值成為設定值。另一方面，當開關閥31關閉流路時，則噴嘴16停止藥液的吐出。
基板處理裝置1，係更具備有循環管線40。循環管線40，係從儲存部20取出藥液，並使取出的藥液返回到儲存部20。循環管線40之上游端40a，係被連接於儲存部20，且循環管線40之下游端40b亦被連接於儲存部20。
在循環管線40之途中，係設置有：泵41，送出藥液；過濾器42，捕集藥液中之異物；加熱器43，加熱藥液；及溫度計45，計測藥液的溫度。控制部90控制加熱器43，使得溫度計45的計測值成為設定值。可將所期望之溫度的藥液供給至基板W。
然而，藥液所致之基板W的多晶矽膜之蝕刻率，係由藥液的溶存氧濃度等來決定。溶存氧，係指溶解於液體中之分子狀的氧(O 2)。溶存氧濃度(單位：mg/L)越高，則多晶矽膜被越容易被氧化且越容易形成氧化膜。
在藥液為含TMAH藥液的情況下，多晶矽膜之氧化越進行，則多晶矽膜的蝕刻率變得越慢。其原因在於，含TMAH藥液並不擅長氧化膜的蝕刻。
因此，在藥液為含TMAH藥液的情況下，藥液之溶存氧濃度越高，則藥液所致之多晶矽膜的蝕刻率變得越慢。該傾向，係與專利文獻1所記載之傾向相反的傾向。
另外，在藥液為氨溶液或膽鹼溶液的情況下，多晶矽膜之氧化越進行，則多晶矽膜的蝕刻率變得越快。其原因在於，氨溶液及膽鹼溶液擅長氧化膜的蝕刻。
因此，在藥液為氨溶液或膽鹼溶液的情況下，藥液之溶存氧濃度越高，則藥液所致之多晶矽膜的蝕刻率變得越快。
藥液，係在從處理部10的噴嘴16被吐出後，返回到儲存部20。在該期間，由於藥液，係與空氣接觸而空氣所包含的氧溶解於藥液，因此，導致藥液之溶存氧濃度變高。
因此，基板處理裝置1，係更具備有第1氣體供給管線50。第1氣體供給管線50，係被連接於循環管線40，將N 2氣體等的惰性氣體供給至循環管線40。形成所供給之惰性氣體與藥液的混合流體。
循環管線40，係包含有：吐出口40b，將藉由第1氣體供給管線50所供給之惰性氣體與從儲存部20取出之藥液的混合流體吐出至被儲存於儲存部20之藥液的內部。在儲存部20之內部產生許多惰性氣體的氣泡。惰性氣體與藥液的接觸面積大且惰性氣體有效率地溶解於藥液，並且藥液中之氧依照亨利定律(Henry's law)有效率地被放出至惰性氣體中。因此，可有效率地降低藥液之溶存氧濃度。
循環管線40，係亦可使惰性氣體與藥液的混合流體碰撞儲存部20之底壁，並藉由該衝擊，使惰性氣體的氣泡細分化。氣泡之比表面積增加，惰性氣體與藥液的接觸面積變大。又，由於氣泡，係在到達儲存部20之底壁後朝向藥液的液面浮起，因此，到達液面的時間較長。因此，可有效率地降低藥液之溶存氧濃度。
循環管線40，係亦可在比與各處理管線30之連接點40c更下游具有與第1氣體供給管線50的連接點40d。連接點40d，係被配置於比所有連接點40c更下游。可將相同的溶存氧濃度之藥液供給至所有處理部10。
第1氣體供給管線50，係例如包含有共通管線50a與複數個個別管線50b。共通管線50a之下游端，係被連接於循環管線40，共通管線50a之上游端，係被連接於各個別管線50b。在各個別管線50b之途中，係設置有：開關閥51，對個別管線50b的流路進行開關；流量調整器52，調整個別管線50b的流量；及流量計53，計測個別管線50b的流量。開關閥51之動作及流量調整器52之動作，係藉由控制部90予以控制。流量計53，係將表示計測結果的信號發送至控制部90。
當開關閥51開放流路時，則第1氣體供給管線50將惰性氣體供給至循環管線40，並在儲存部20之內部產生許多惰性氣體的氣泡。惰性氣體之流量，係藉由流量計53予以計測，且控制部90控制流量調整器52，使得其計測值成為設定值Q1、Q2。針對個別管線50b設定不同的設定值Q1、Q2(Q2＞Q1)。另一方面，當開關閥51關閉流路時，則第1氣體供給管線50停止對循環管線40供給惰性氣體。
另外，在本實施形態中，係雖為了平滑地切換惰性氣體之流量，第1氣體供給管線50具有2個個別管線50b且在各個別管線50b設置有開關閥51、流量調整器52及流量計53，但本揭示的技術並不限於此。在第1氣體供給管線50，係亦可逐一地設置有開關閥51、流量調整器52及流量計53。
基板處理裝置1，係具備有：容器55，被連接於儲存部20；藥液回收管線56，被連接於容器55；及第2氣體供給管線60，被連接於容器55。容器55，係暫時收容藥液，並傳遞至儲存部20。藥液回收管線56，係使在處理部10所使用後的藥液經由容器55返回到儲存部20。第2氣體供給管線60，係將N 2氣體等的惰性氣體供給至容器55的內部。
根據本實施形態，藥液，係在從處理部10的噴嘴16被吐出後且返回到儲存部20之前，暫時被收容於容器55。容器55之內部，係藉由第2氣體供給管線60而被惰性氣體充滿，惰性氣體溶解於藥液，並且藥液中之氧依照亨利定律被放出至惰性氣體中。因此，在使藥液返回到儲存部20之前，可使藥液之溶存氧濃度接近原來的濃度。
藥液回收管線56，係例如包含有共通管線56a與複數個個別管線56b。共通管線56a，係被連接於容器55。各個別管線56b，係連接共通管線50a與處理部10，將被回收至處理部10之罩杯17等的藥液傳送至共通管線50a。
在第2氣體供給管線60之途中，係設置有：開關閥61，對第2氣體供給管線60的流路進行開關；流量調整器62，調整第2氣體供給管線60的流量；及流量計63，計測第2氣體供給管線60的流量。開關閥61之動作及流量調整器62之動作，係藉由控制部90予以控制。流量計63，係將表示計測結果的信號發送至控制部90。
當開關閥61開放流路時，則第2氣體供給管線60將惰性氣體供給至容器55的內部。惰性氣體之流量，係藉由流量計63予以計測，且控制部90控制流量調整器62，使得其計測值成為設定值Q3。另一方面，當開關閥61關閉流路時，則第2氣體供給管線60停止對容器55供給惰性氣體。
基板處理裝置1，係更具備有：藥液供給管線66，被連接於容器55。藥液供給管線66，係將在處理部10使用之前的藥液，亦即因基板W的蝕刻而劣化之前的藥液經由容器55供給至儲存部20。其結果，儲存部20之內部，係從空的狀態成為預先設定了藥液之液面的高度之高度的狀態。
在基板處理裝置1啟動時或更換已劣化的藥液時，儲存部20之內部會成為空的狀態。已劣化的藥液，係具有比劣化之前的藥液例如未使用之藥液高的矽濃度，且經由排液管線21被排出至儲存部20的外部。順帶一提，儲存於儲存部20之內部的氣體，係經由排氣管線22被排出至儲存部20的外部。
根據本實施形態，未使用之藥液，係在被供給至儲存部20之前，暫時被收容於容器55。容器55之內部，係藉由第2氣體供給管線60而被惰性氣體充滿，惰性氣體溶解於藥液，並且藥液中之氧依照亨利定律被放出至惰性氣體中。因此，在將未使用之藥液供給至儲存部20之前，可使藥液之溶存氧濃度接近所期望的濃度。
在藥液供給管線66之途中，係設置有：開關閥67，對藥液供給管線66的流路進行開關；流量調整器68，調整藥液供給管線66的流量；及流量計69，計測藥液供給管線66的流量。開關閥67之動作及流量調整器68之動作，係藉由控制部90予以控制。流量計69，係將表示計測結果的信號發送至控制部90。
當開關閥67開放流路時，則藥液供給管線66將藥液供給至容器55的內部。藥液之流量，係藉由流量計69予以計測，且控制部90控制流量調整器68，使得其計測值成為設定值。另一方面，當開關閥67關閉流路時，則藥液供給管線66停止對容器55供給藥液。
其次，參照圖4，說明關於容器55的構造。容器55，係例如被設置於儲存部20的頂棚。容器55，係具有：壁55c，形成有將容器55之內部與儲存部20之內部連通的開口部55a、55b。壁55c，係例如水平地被設置於儲存部20的頂棚。
壁55c之開口部55a、55b，係與藥液回收管線56之流路的延伸線E1錯開配置。延伸線E1例如為垂直，藥液直直地向下落下。壁55c，係承接並反彈藉由藥液回收管線56返回到容器55的藥液。其結果，形成許多藥液之液滴，藥液的比表面積增加。藥液與惰性氣體的接觸面積大且惰性氣體有效率地溶解於藥液，並且藥液中之氧依照亨利定律有效率地被放出至惰性氣體中。因此，可有效率地降低藥液之溶存氧濃度。
又，壁55c之開口部55a、55b，係與藥液供給管線66之流路的延伸線E2錯開配置。延伸線E2例如為垂直，藥液直直地向下落下。壁55c，係承接並反彈藉由藥液供給管線66被供給至容器55的藥液。其結果，形成許多藥液之液滴，藥液的比表面積增加。藥液與惰性氣體的接觸面積大且惰性氣體有效率地溶解於藥液，並且藥液中之氧依照亨利定律有效率地被放出至惰性氣體中。因此，可有效率地降低藥液之溶存氧濃度。
而且，壁55c之開口部55a、55b，係與第2氣體供給管線60之流路的延伸線E3錯開配置。延伸線E3例如為垂直，惰性氣體直直地向下落下。壁55c，係承接並反彈藉由第2氣體供給管線60被供給至容器55的惰性氣體。其結果，惰性氣體容易散落。惰性氣體有效率地溶解於藥液，並且藥液中之氧依照亨利定律有效率地被放出至惰性氣體中。因此，可有效率地降低藥液之溶存氧濃度。
如圖1所示般，基板處理裝置1，係更具備有：第3氣體供給管線70，被連接於儲存部20。第3氣體供給管線70，係與第2氣體供給管線60不同，並不經由容器55而將N 2氣體等的惰性氣體供給至儲存部20的內部。又，第3氣體供給管線70，係與循環管線40不同，在比儲存於儲存部20之內部的藥液之液面更上方的空間(儲存部20的上部空間)具有惰性氣體的吐出口70a。
在第3氣體供給管線70之途中，係設置有：開關閥71，對第3氣體供給管線70的流路進行開關；流量調整器72，調整第3氣體供給管線70的流量；及流量計73，計測第3氣體供給管線70的流量。開關閥71之動作及流量調整器72之動作，係藉由控制部90予以控制。流量計73，係將表示計測結果的信號發送至控制部90。
當開關閥71開放流路時，則第3氣體供給管線70將惰性氣體供給至儲存部20的內部。惰性氣體之流量，係藉由流量計73予以計測，且控制部90控制流量調整器72，使得其計測值成為設定值Q4。另一方面，當開關閥71關閉流路時，則第3氣體供給管線70停止對儲存部20供給惰性氣體。
又，基板處理裝置1，係更具備有第4氣體供給管線80。第4氣體供給管線80，係被連接於藥液回收管線56，將N 2氣體等的惰性氣體供給至藥液回收管線56。藥液回收管線56之內部被惰性氣體充滿，可抑制空氣從處理部10流入藥液回收管線56，並可抑制空氣與藥液的接觸。因此，可抑制藥液之溶存氧濃度的上升。
第4氣體供給管線80，係被連接於藥液回收管線56之共通管線56a，將惰性氣體供給至共通管線56a。第4氣體供給管線80，係在比各個別管線56b更上游，被連接於共通管線56a。以惰性氣體充滿共通管線56a整體，可抑制空氣從所有處理部10流入藥液回收管線56。
在第4氣體供給管線80之途中，係設置有：開關閥81，對第4氣體供給管線80的流路進行開關；流量調整器82，調整第4氣體供給管線80的流量；及流量計83，計測第4氣體供給管線80的流量。開關閥81之動作及流量調整器82之動作，係藉由控制部90予以控制。流量計83，係將表示計測結果的信號發送至控制部90。
當開關閥81開放流路時，則第4氣體供給管線80將惰性氣體供給至藥液回收管線56。惰性氣體之流量，係藉由流量計83予以計測，且控制部90控制流量調整器82，使得其計測值成為設定值Q5。另一方面，當開關閥81關閉流路時，則第4氣體供給管線80停止對藥液回收管線56供給惰性氣體。
其次，參閱圖5，說明關於各氣體供給管線之流量的設定。在圖5中，N，係處理管線30之運轉數，例如為1以上5以下的整數。處理管線30之運轉數，係指開關閥31開放流路而噴嘴16吐出藥液的狀態之處理管線30的條數。另外，處理部10之設置數及處理管線30之設置數，係並不限於5個，只要為2個以上即可。N之最大值，係等於處理管線30的設置數。
儲液模式，係指「將未使用之藥液儲存於儲存部20的內部」的狀態。在儲液模式中，係藥液供給管線66將未使用之藥液供給至儲存部20。又，在儲液模式中，係循環管線40從儲存部20取出藥液，並使取出的藥液返回到儲存部20。在儲液模式中，係由於儲存部20之內部的藥液量不足，因此，處理管線30停止對處理部10供給藥液。
儲液模式中被供給至儲存部20的未使用之藥液，係與後述基板處理模式中從處理部10被回收至儲存部20的藥液相同，其溶存氧濃度高。又，儲液模式中被供給至儲存部20的未使用之藥液，係與基板處理模式中從處理部10被回收至儲存部20的藥液相比，其流量較多。
因此，與基板處理模式的情形相比，在儲液模式的情況下，供給至第1氣體供給管線50之循環管線40的惰性氣體之流量較多。可將未使用之藥液的溶存氧濃度在短時間內降低至所期望的濃度。
又，在儲液模式的情況下，藥液供給管線66經由容器55將未使用之藥液供給至儲存部20。因此，第2氣體供給管線60將惰性氣體供給至容器55的內部。又，第3氣體供給管線70將惰性氣體供給至儲存部20的內部。
在儲液模式的情況下，由於處理管線30停止對處理部10供給藥液，因此，藥液不會從處理部10流入藥液回收管線56。因此，第4氣體供給管線80，係停止對藥液回收管線56供給惰性氣體。可防止使用過多的惰性氣體。另外，與基板處理模式的情形相比，在儲液模式的情況下，只要供給至第4氣體供給管線80之藥液回收管線56的惰性氣體之流量較少，則可抑制使用過多的惰性氣體。
待機模式，係指「所期望的量之藥液儲存於儲存部20的內部，藥液供給管線66停止對儲存部20供給藥液且處理管線30停止對處理部10供給藥液」的狀態。在待機模式中，係循環管線40從儲存部20取出藥液，並使取出的藥液返回到儲存部20。藥液之溫度被保持為所期望的溫度。
在待機模式的情況下，由於處理管線30停止對處理部10供給藥液，因此，藥液不會從處理部10流入藥液回收管線56。因此，第4氣體供給管線80，係停止對藥液回收管線56供給惰性氣體。可防止使用過多的惰性氣體。
在待機模式的情況下，無論藥液回收管線56或藥液供給管線66皆停止經由容器55對儲存部20供給藥液。因此，第2氣體供給管線60，係停止對容器55的內部供給惰性氣體。可防止使用過多的惰性氣體。又，第1氣體供給管線50停止對循環管線40供給惰性氣體。
在待機模式的情況下，第3氣體供給管線70只要將惰性氣體供給至儲存部20的內部即可。可防止外氣侵入儲存部20之上部空間，並可防止空氣與藥液的接觸。
基板處理模式，係指「所期望的量之藥液儲存於儲存部20的內部，藥液供給管線66停止對儲存部20供給藥液且處理管線30將藥液供給至處理部10」的狀態。在基板處理模式中，係循環管線40從儲存部20取出藥液，並使取出的藥液返回到儲存部20。
在基板處理模式的情況下，由於處理管線30將藥液供給至處理部10，其結果，藥液從處理部10流入藥液回收管線56。因此，第4氣體供給管線80將惰性氣體供給至藥液回收管線56。
又，在基板處理模式的情況下，藥液回收管線56經由容器55將藥液供給至儲存部20。因此，第2氣體供給管線60將惰性氣體供給至容器55的內部。又，第1氣體供給管線50將惰性氣體供給至循環管線40。
然而，在基板處理模式的情況下，從藥液回收管線56返回到儲存部20之藥液的流量會因應處理管線30之運轉數而變化。因此，控制部90，係亦可因應處理管線30之運轉數，控制藉由第1氣體供給管線50供給至循環管線40之惰性氣體的流量。處理管線30之運轉數越多，則惰性氣體的流量被設定為越多。處理管線30之運轉數，係例如從開啟狀態之開關閥31的數量來求出。
另外，控制部90，係亦可因應處理管線30之總流量，控制藉由第1氣體供給管線50供給至循環管線40之惰性氣體的流量。處理管線30之總流量越多，則惰性氣體的流量被設定為越多。處理管線30之總流量，係藉由複數個流量計33予以計測。
在基板處理模式的情況下，第3氣體供給管線70將惰性氣體供給至儲存部20的內部。可防止外氣侵入儲存部20之上部空間，並可防止空氣與藥液的接觸。
在基板處理裝置1啟動時，基板處理裝置1之狀態，係以該順序移行至儲液模式與待機模式。其後，基板處理裝置1之狀態，係交互地被移行至基板處理模式與待機模式。當藥液劣化時，則排出儲存部20之內部的藥液並實施藥液之更換。
在更換藥液時，基板處理裝置1之狀態，係再次以該順序移行至儲液模式與待機模式。其後，基板處理裝置1之狀態，係交互地被移行至基板處理模式與待機模式。當藥液劣化時，則再次排出儲存部20之內部的藥液並實施藥液之更換。
以上，雖說明了關於本揭示之基板處理裝置及基板處理方法的實施形態等，但本揭示並不限定於上述實施形態等。在申請專利範圍所記載的範疇中，可進行各種變更、修正、置換、追加、刪除及組合。關於該些，當然亦屬於本揭示的技術範圍。
1:基板處理裝置 10:處理部 20:儲存部 30:處理管線 40:循環管線 40b:吐出口 50:第1氣體供給管線
[圖1]圖1，係表示一實施形態之基板處理裝置的圖。 [圖2]圖2，係表示一實施形態之處理部的圖。 [圖3]圖3，係表示一實施形態之基板處理方法的流程圖。 [圖4]圖4，係表示被連接於儲存部的容器之一例的剖面圖。 [圖5]圖5，係表示各氣體供給管線之流量的設定之一例的表格。
1:基板處理裝置
10:處理部
20:儲存部
21:排液管線
22:排氣管線
30:處理管線
31:開關閥
32:流量調整器
33:流量計
40:循環管線
40a:上游端
40b:下游端
40c:連接點
40d:連接點
41:泵
42:過濾器
43:加熱器
45:溫度計
50:第1氣體供給管線
50a:共通管線
50b:個別管線
51:開關閥
52:流量調整器
53:流量計
55:容器
56:藥液回收管線
56a:共通管線
56b:個別管線
60:第2氣體供給管線
61:開關閥
62:流量調整器
63:流量計
66:藥液供給管線
67:開關閥
68:流量調整器
69:流量計
70:第3氣體供給管線
70a:吐出口
71:開關閥
72:流量調整器
73:流量計
80:第4氣體供給管線
81:開關閥
82:流量調整器
83:流量計
90:控制部
91:CPU
92:記憶媒體

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： 處理部，以鹼性之藥液來蝕刻被形成於基板的多晶矽膜或非晶矽膜； 儲存部，回收並儲存在前述處理部所使用的前述藥液； 處理管線，將被儲存於前述儲存部的前述藥液供給至前述處理部； 循環管線，從前述儲存部取出前述藥液，並使取出的前述藥液返回到前述儲存部；及 第1氣體供給管線，被連接於前述循環管線，將惰性氣體供給至前述循環管線， 前述循環管線，係包含有：吐出口，將藉由前述第1氣體供給管線所供給之惰性氣體與從前述儲存部取出之前述藥液的混合流體吐出至被儲存於前述儲存部之前述藥液的內部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，具備有： 流量調整器，調整藉由前述第1氣體供給管線供給至前述循環管線之惰性氣體的流量；及 控制部，控制前述流量調整器。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中， 前述處理部設置有複數個， 前述處理管線針對每個前述處理部而設置， 前述控制部，係因應前述處理管線之運轉數或前述處理管線之總流量，控制前述第1氣體供給管線的前述流量調整器。
  4. 如請求項2或3之基板處理裝置，其中，具備有： 容器，被連接於前述儲存部，暫時收容前述藥液，並將前述藥液傳遞至前述儲存部； 藥液回收管線，被連接於前述容器，使在前述處理部所使用後的前述藥液經由前述容器返回到前述儲存部；及 第2氣體供給管線，被連接於前述容器，將惰性氣體供給至前述容器的內部。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中， 前述容器，係具有：壁，形成有將前述容器之內部與前述儲存部之內部連通的開口部， 前述開口部，係與前述藥液回收管線之流路的延伸線錯開配置， 前述壁，係承接並反彈藉由前述藥液回收管線返回到前述容器的前述藥液。
  6. 如請求項4之基板處理裝置，其中，具備有： 藥液供給管線，被連接於前述容器，將在前述處理部使用之前的前述藥液經由前述容器供給至前述儲存部。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中， 前述容器，係具有：壁，形成有將前述容器之內部與前述儲存部之內部連通的開口部， 前述開口部，係與前述藥液供給管線之流路的延伸線錯開配置， 前述壁，係承接並反彈藉由前述藥液供給管線被供給至前述容器的前述藥液。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中， 與「前述藥液供給管線停止對前述容器供給前述藥液且前述處理管線將前述藥液供給至前述處理部」之基板處理模式的情形相比，在「前述藥液供給管線將前述藥液供給至前述容器且前述處理管線停止對前述處理部供給前述藥液」之儲液模式的情況下，供給至前述第1氣體供給管線之前述循環管線的惰性氣體之流量較多。
  9. 如請求項6之基板處理裝置，其中，具備有： 第3氣體供給管線，被連接於前述儲存部，不經由前述容器而將惰性氣體供給至前述儲存部， 在「前述藥液供給管線停止對前述容器供給前述藥液且前述處理管線停止對前述處理部供給前述藥液」之待機模式的情況下，前述第3氣體供給管線將惰性氣體供給至前述儲存部。
  10. 如請求項8之基板處理裝置，其中，具備有： 第4氣體供給管線，被連接於前述藥液回收管線，將惰性氣體供給至前述藥液回收管線。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中， 與前述基板處理模式的情形相比，在前述儲液模式的情況下，供給至前述第4氣體供給管線之前述藥液回收管線的惰性氣體之流量較少。
  12. 一種基板處理方法，其特徵係，具有： 藉由處理部，以鹼性之藥液來蝕刻被形成於基板的多晶矽膜或非晶矽膜； 將在前述處理部所使用的前述藥液回收並儲存於儲存部； 將被儲存於前述儲存部的前述藥液經由處理管線供給至前述處理部； 使被儲存於前述儲存部的前述藥液經由循環管線返回到前述儲存部；及 藉由被連接於前述循環管線的第1氣體供給管線，將惰性氣體供給至前述循環管線， 前述循環管線，係將藉由前述第1氣體供給管線所供給之惰性氣體與從前述儲存部取出之前述藥液的混合流體吐出至被儲存於前述儲存部之前述藥液的內部。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中， 前述處理部設置有複數個， 前述處理管線針對每個前述處理部而設置， 且具有： 因應前述處理管線之運轉數或前述處理管線之總流量，控制藉由前述第1氣體供給管線供給至前述循環管線之惰性氣體的流量。
  14. 如請求項12或13之基板處理方法，其中， 在前述儲存部，係連接有容器，該容器，係暫時收容前述藥液，並將前述藥液傳遞至前述儲存部， 且具有： 藉由被連接於前述容器之藥液回收管線，使在前述處理部所使用後的前述藥液經由前述容器返回到前述儲存部；及 藉由被連接於前述容器之第2氣體供給管線，將惰性氣體供給至前述容器的內部。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中， 前述容器，係具有：壁，形成有將前述容器之內部與前述儲存部之內部連通的開口部， 前述開口部，係與前述藥液回收管線之流路的延伸線錯開配置， 前述壁，係承接並反彈藉由前述藥液回收管線返回到前述容器的前述藥液。
  16. 如請求項14之基板處理方法，其中，具有： 藉由被連接於前述容器之藥液供給管線，將在前述處理部使用之前的前述藥液經由前述容器供給至前述儲存部。
  17. 如請求項16之基板處理方法，其中， 前述容器，係具有：壁，形成有將前述容器之內部與前述儲存部之內部連通的開口部， 前述開口部，係與前述藥液回收管線之流路的延伸線錯開配置， 前述壁，係承接並反彈藉由前述藥液供給管線被供給至前述容器的前述藥液。
  18. 如請求項16之基板處理方法，其中， 與「前述藥液供給管線停止對前述容器供給前述藥液且前述處理管線將前述藥液供給至前述處理部」之基板處理模式的情形相比，在「前述藥液供給管線將前述藥液供給至前述容器且前述處理管線停止對前述處理部供給前述藥液」之儲液模式的情況下，供給至前述第1氣體供給管線之前述循環管線的惰性氣體之流量較多。
  19. 如請求項16之基板處理方法，其中，具有： 藉由被連接於前述儲存部之第3氣體供給管線，不經由前述容器而將惰性氣體供給至前述儲存部， 在「前述藥液供給管線停止對前述容器供給前述藥液且前述處理管線停止對前述處理部供給前述藥液」之待機模式的情況下，前述第3氣體供給管線將惰性氣體供給至前述儲存部。
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