JP2009206303A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェーハの乾燥プロセスで発生した有機溶剤を効率よく除去してVOCガスの発生を抑制する。
【解決手段】ウェーハWを洗浄するウェーハ洗浄装置30A〜30Cと、洗浄された前記ウェーハWをIPAにより乾燥させる乾燥機DSと、を備える半導体製造装置1に、乾燥処理で用いられたIPAを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクDTを内蔵させる。
【選択図】図1
【解決手段】ウェーハWを洗浄するウェーハ洗浄装置30A〜30Cと、洗浄された前記ウェーハWをIPAにより乾燥させる乾燥機DSと、を備える半導体製造装置1に、乾燥処理で用いられたIPAを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクDTを内蔵させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、例えばウェーハ洗浄後のウェーハ乾燥に用いられる液体の排出量削減を対象とする。
半導体装置の製造には、一般的に、ウェーハを薬液で洗浄し、純水でリンスした後に、液体、例えばイソプロピルアルコール(Isopropyl Alcohol:以下、単に「IPA」という。)を用いてウェーハを乾燥させる工程が含まれる。ここで、使用されるIPAは揮発性有機化合物(Volatile Organic Compound:以下、単に「VOC」という)の一種であり、そのままではガスや液体の態様で乾燥機から空気中に排出されるが、環境保護の観点から大気汚染防止法の規制を受けるため、その廃棄量を低減させる必要がある。
VOCガスの処理方法としては、燃焼法(直接燃焼法、触媒燃焼法、蓄熱燃焼法および蓄熱触媒燃焼法)や、膜分離法、生物処理法、光触媒分解法、プラズマ脱臭法、オゾン分解法、活性炭吸着法および冷却法など様々な種類があるが、いずれも環境負荷、経済性、効率性の少なくともいずれかの点で問題があった。
フッ酸などの処理には、液体や固体の吸着剤を用いて分離する溶剤吸着法のうち、水滴噴射法やプラスチック剤充填法を用いたスクラバー(scrubber)式ガス吸収法が広く利用されている。これは、乾燥プロセスにより乾燥機から排出されるIPAガスをクリーンルームの排気ダクトに接続し、この排気ダクトに接続するよう気体洗浄装置(以下、「スクラバー」(scrubber)という。)をクリーンルームの建屋の外側に設置し、スクラバー内の回収水に溶解させることにより、気中IPAを除去するものである。
しかしながら、上記方法では、建屋内の全ての排気エアーでIPAガスが希釈されるために、IPAをスクラバー回収水に十分に捕獲することができない、という問題があった。
特開2007−098379公報
特許第3698548号公報
本発明の目的は、ウェーハの乾燥プロセスで発生した有機溶剤を効率よく除去してVOCガスの発生を抑制する半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の第1の態様によれば、
ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置と、
有機溶剤を用いて、洗浄された前記ウェーハを乾燥させる乾燥機と、
を備え、
前記乾燥機による乾燥処理で用いられた前記有機溶剤を除去する溶剤除去装置を内蔵する半導体製造装置が提供される。
ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置と、
有機溶剤を用いて、洗浄された前記ウェーハを乾燥させる乾燥機と、
を備え、
前記乾燥機による乾燥処理で用いられた前記有機溶剤を除去する溶剤除去装置を内蔵する半導体製造装置が提供される。
また、本発明の第2の態様によれば、
ウェーハを洗浄する工程と、
有機溶剤を用いることにより、洗浄された前記ウェーハを乾燥させる工程と、
前記乾燥処理で用いられた前記有機溶剤を除去する工程と、
を備え、
前記有機溶剤の除去は、前記ウェーハの乾燥シーケンスに対応づけて実行されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
ウェーハを洗浄する工程と、
有機溶剤を用いることにより、洗浄された前記ウェーハを乾燥させる工程と、
前記乾燥処理で用いられた前記有機溶剤を除去する工程と、
を備え、
前記有機溶剤の除去は、前記ウェーハの乾燥シーケンスに対応づけて実行されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、ウェーハの乾燥プロセスで発生した有機溶剤を効率よく除去してVOCガスの発生を抑制する半導体製造装置および半導体装置の製造方法が提供される。
以下、本発明の実施の一形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の各図において同一の部分には同一の参照番号を付し、その重複説明は省略する。
図1は、本発明の実施の一形態による半導体製造装置の概略構成を示すブロック図である。
図1に示す半導体製造装置1は、コントローラ10と、ウェーハ洗浄装置30A〜30Cと、乾燥機DSと、気液分離タンクDTと、記憶装置MRと、を備える。
ウェーハ洗浄装置30A〜30Cは、ウェーハWを薬液で洗浄した後リンスする洗浄槽CTA〜CTCをそれぞれ含み、排液ラインDL1〜DL3をそれぞれ介して排液ラインDLAへ接続されることにより、洗浄で発生した排液を外部へ排出する。ウェーハ洗浄装置30A〜30Cはまた、排気ラインELA〜ELCをそれぞれ介して排気ラインEL1へ接続され、洗浄により発生したダストを含む排気を外部へ排出する。
乾燥機DSは、コントローラ10に接続されて指令信号の供給を受け、IPAを有機溶剤として、洗浄槽から搬送されたウェーハを乾燥させる。乾燥機DSはまた、排液ラインDL0および排気ラインEL2により気液分離タンクDTに接続される。
気液分離タンクDTは、溶媒を蒸気の態様で噴射する蒸気ミスト噴射器WSを含み、噴射した溶媒の蒸気によりIPAを吸収してIPAおよび溶媒を含む排液としてタンクの底面に一旦貯留した後、排液ラインDLAへ排出する。このように、気液分離タンクDTは、スクラバーとしても機能し、本実施形態において例えば溶剤除去装置に対応する。気液分離タンクDTは、コントローラ10に接続され、乾燥機DSの動作に連動するように指令信号の供給を受け、乾燥機DSから送られるIPAを含む排気・排液を蒸気ミストで洗浄することにより、IPAを除去する。本実施形態において、蒸気となる溶媒としては超純水が用いられる。蒸気ミスト噴射器WSについては図5および6を参照しながら後に詳述する。気液タンクDTはまた、排気ラインEL3に接続される。排気ラインEL3は図示しないポンプに接続されてIPAが混入された気体が気液分離タンクDTから排出される。このような蒸気ミスト噴射器WSの始動および図示しないポンプからのIPA混入気体の排出は、本実施形態においてIPA除害システムの動作として位置づけられる。
記憶装置MRは、乾燥シーケンスをレシピファイルとして格納し、コントローラ10に接続される。コントローラ10は、記憶装置MRから乾燥シーケンスを取り出し、指令信号を生成して乾燥機DSおよび気液分離タンクDTに供給する。
本実施形態の半導体製造装置1によれば、乾燥機DSから送られるIPAを含む排気・排液を洗浄するスクラバーとして機能する気液分離タンクDTを内蔵するので、乾燥に用いた有機溶剤であるIPAが製造装置の外部へ放出する量を大幅に低減することが可能になる。この点を従来の技術によるIPA除去方法との対比で説明する。
図2は、従来のIPA除去方法の一例の説明図である。図2に示す例では、乾燥機DSA〜DSCから排出される(ミストを含む)排気ガスをクリーンルーム(Clean room、以下、単に「CR」という)内集合排気ラインEL200に集め、CR建屋の外に設置された大型の野外スクラバーSR0にて一括でスクラバー回収水に熔解させることで気中IPAを除去していた。この従来方法によれば、乾燥機から発生するIPAガスがCR建屋内の排気エアーを通過するうちに希釈されるので、野外スクラバーSR0では薄まったIPAしか捕獲できないという問題があった。より具体的には、総排気エアー中、例えば数PPM濃度のIPAだけがスクラバーで除害されることになり、実効性に乏しかった。
図3は、従来のIPA除去方法の他の例を説明する図である。この方法は、各乾燥機DSA〜DSCとCR内集合排気ラインEL250との間にスクラバーSRA〜SRCを個別に設置し、IPAガスがCR建屋内で希釈されることを防止しようとするものである。
しかしながら、図3に示すIPA除去方法によっても、各スクラバーSRA〜SRCをIPA乾燥レシピに連動させることが困難であるために、水スクラバーを常時稼働させる必要があり、水の使用量が大幅に増加するという問題があった。また、CR内にスクラバーSRA〜SRCを乾燥機の台数だけ配置することになり、CR内のフットプリントを大幅に占有するというデメリットもあった。
これに対して図1に示す半導体製造装置1によれば、IPA乾燥プロセス時に用いるIPAを一つの製造ラインの外に放出する前に、乾燥機DSから廃棄される高濃度状態のIPAを製造装置内の気液分離タンクDTによって捕獲させることができる。従って、従来は製造ライン外の排気ダクトへ廃棄されていたIPAを溶媒に熔解させた上で気液分離タンクDT内の排水ライン側へ効果的に取り出すことが可能になる。これにより、VOCの排出量を抑制することができる。
図1に示す半導体製造装置1の動作について図4を参照しながら説明する。図4に示す表のステップS5乃至S7に示すように、半導体製造装置1の動作の特徴点の一つは、ウェーハWの洗浄処理と乾燥処理との相互連動に加え、コントローラ10により乾燥機DSのシーケンスに対応づけてスクラバーとしての気液分離タンクDTを連動させる点にある。以下、順を追って説明する。
まず、ウェーハWが洗浄装置30A〜30Cへ投入され、洗浄処理が開始される(ステップS1およびS2)。次に、ウェーハ洗浄処理が完了すると(ステップS3)、ウェーハWは乾燥機DSへ搬送される(ステップS4)。この間、スクラバーとしての気液分離タンクDTおよび乾燥機DSは共にスタンバイ状態にある。
次に、ウェーハWの乾燥シーケンスが開始すると、コントローラ10からの各指令信号に従い、乾燥機DSはIPAの供給を準備し、スクラバーとしての気液分離タンクDTはIPA除害システムをONにする(ステップS5)。
続いて、乾燥シーケンス内でIPAの供給が始まると、コントローラ10からの指令信号に従って乾燥機DSがIPAの供給を開始する(ステップS6)。このとき、スクラバーとしての気液分離タンクDTはIPA除害システムをONにしたままである。
さらに、乾燥シーケンス内でIPAの供給が終了すると、コントローラ10からの各指令信号に従い、乾燥機DSはIPAの供給を停止し、スクラバーとしての気液分離タンクDTはIPA除害システムをOFFにする(ステップS7)。
その後は、乾燥シーケンスの終了によりコントローラ10が指令信号を乾燥機DSとスクラバーとしての気液分離タンクDTとに供給し、いずれもスタンバイの状態へ戻り(ステップS8)、ウェーハWが半導体製造装置1から取り出される(ステップS9)。
図4からも分かるように、気液分離タンクDTによるIPA除害システムは、洗浄装置30A〜30Cとの間では直接の連動関係が無く、乾燥機DSでのIPA供給プロセスにのみ連動している点に着目されたい。即ち、スクラバーとしての気液分離タンクDTは、ウェーハWを乾かす際に乾燥機DSに供給されるIPAの使用有無に連動しており、IPA供給の前段階にて稼動を開始し、IPA除害可能な状態で待機させる。IPA供給中、スクラバーとしての気液分離タンクDTは稼動し続け、乾燥機内でのIPA使用停止、乾燥機内残留IPA並びに、気液分離タンクDTに至るまでの排気ラインEL2および排液ラインDLO中に残留するIPAを全て除害できるまで稼動している。
このように、本実施形態によれば、IPA乾燥シーケンス中にのみスクラバーとしての気液分離タンクDTを稼働させるので、ガス処理の効率を大幅に向上させることができる。なお、ウェーハWの乾燥シーケンスに関わらず、スクラバーとしての気液分離タンクDTをONさせておくことも勿論可能である。
気液分離タンクDTの具体的構成を図5に示す。気液分離タンクDTは、水平面内でアレイ状に配置された蒸気ミスト噴射器WSがさらに垂直方向へ積層配置された縦型多層構造を有する。多層構造にすることにより、IPAガスをポンプで吸い取ることによる空気圧力損失を低減させることができる。また、個々の蒸気ミスト噴射器WSは、図6に示すように回転式になっており、図示しない給水口から供給される溶媒としての超純水をミストの態様で回転しながら噴射する。これにより、IPAを効率的に除去することができる。なお、噴射機WSの設置方法は、垂直方向に積層債列された構造だけに限るものではなく、横方向に配列した構造、または縦および横に配列した構造にすることもでき、気液分離タンクDT内の気体の流れに有効的に蒸気を当てることができる配置であれば問題無い。さらに、回転構造は気体とミストとの接触効率を上げる手段の一例として提案されるものであり、ミスト噴射機WSは、回転式に限ることなく単純にミストを噴出する構造でもかまわない。
このような多層構造により、IPAとの接触面積と接触時間が増加するので、IPA除去効率をさらに上げることができる。また、界面活性剤等を用いた後処理も不要なので、低コストでIPAを除去することができる。
このように、本実施形態によれば、ウェーハWの乾燥シーケンスで発生したIPAを効率よく除去することができる。なお、上述した実施形態では、コントローラ10が生成する指令信号によりスクラバーとしての気液分離タンクDTが乾燥機DSの乾燥シーケンスに連動することとしたが、IPA除去の精度がそれほど要求されない場合は、例えばセンサによって乾燥機DSの始動を検知して検知信号を気液分離タンクDTに供給し、これに基づいて気液分離タンクDTをスクラバーとして稼働させることとしてもよい。
以上、本発明の実施の一形態について説明したが、本発明は上記形態に限るものでは決して無く、その技術的範囲内で種々変更して適用することができる。例えば、上記実施形態では、IPAを溶解させるための溶媒として超純水を蒸気ミスト噴射器WSに導入してミストを発生させることとしたが、超純水に限る必要は全く無く、IPAを未だ溶解していない液体であれば、例えばウェーハWの洗浄に使用した排液(酸溶液またはアルカリ溶液)でもかまわない。
また、上記実施形態ではウェーハWの乾燥に用いる溶剤としてIPAを取り上げて説明したが、これに限ること無く、他の有機溶剤、例えばハイドロフルオロエーテル(HFE)も同様に気液分離タンクDTで捕獲することができる。その際、気液分離タンクDTからの排液を従前と同様に排水ラインへ排出するのでなく、回収ラインを設けてこれに接続し、溶剤を回収することも可能である。この場合は、回収コストを低減できるという効果も生じる。
1:半導体製造装置
10:コントローラ
30A〜30C:ウェーハ洗浄装置
CT1〜CT4:ウェーハ洗浄槽
DL0〜DL3,DLA:廃液ライン(液体)
DS,DSA〜DSC:乾燥機
DT:気液分離タンク(IPA除去装置)
EL1,EL3:排気ライン(気体およびミスト)
EL2:排気ライン(IPA混入気体およびミスト)
W:ウェーハ
WS:蒸気ミスト噴射器
10:コントローラ
30A〜30C:ウェーハ洗浄装置
CT1〜CT4:ウェーハ洗浄槽
DL0〜DL3,DLA:廃液ライン(液体)
DS,DSA〜DSC:乾燥機
DT:気液分離タンク(IPA除去装置)
EL1,EL3:排気ライン(気体およびミスト)
EL2:排気ライン(IPA混入気体およびミスト)
W:ウェーハ
WS:蒸気ミスト噴射器
Claims (5)
- ウェーハを洗浄するウェーハ洗浄装置と、
有機溶剤を用いて、洗浄された前記ウェーハを乾燥させる乾燥機と、
を備え、
前記乾燥機による乾燥処理で用いられた前記有機溶剤を除去する溶剤除去装置を内蔵する半導体製造装置。 - 前記乾燥機への前記有機溶剤の供給に応じて前記溶剤除去装置を連動させる制御装置をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記溶剤除去装置は、多層構造を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体製造装置。
- 前記溶剤除去装置は、溶媒の蒸気にて前記有機溶剤を前記溶剤に溶融させる蒸気ミスト噴射器を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体製造装置。
- ウェーハを洗浄する工程と、
有機溶剤を用いることにより、洗浄された前記ウェーハを乾燥させる工程と、
前記乾燥処理で用いられた前記有機溶剤を除去する工程と、
を備え、
前記有機溶剤の除去は、前記ウェーハの乾燥シーケンスに対応づけて実行されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008047218A JP2009206303A (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2009206303A true JP2009206303A (ja) | 2009-09-10 |
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JP2008047218A Withdrawn JP2009206303A (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011181797A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US20120118334A1 (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-17 | Hisashi Okuchi | Exhaust gas treatment device and method and semiconductor manufacturing system |
WO2014136566A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2008
- 2008-02-28 JP JP2008047218A patent/JP2009206303A/ja not_active Withdrawn
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JP2011181797A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US20120118334A1 (en) * | 2010-11-11 | 2012-05-17 | Hisashi Okuchi | Exhaust gas treatment device and method and semiconductor manufacturing system |
WO2014136566A1 (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP2014175361A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20150125938A (ko) | 2013-03-06 | 2015-11-10 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
US10446388B2 (en) | 2013-03-06 | 2019-10-15 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device |
KR102055970B1 (ko) * | 2013-03-06 | 2019-12-13 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 |
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