TW201929945A - 氣體淨化裝置、氣體淨化方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可降低淨化氣體時所產生的受污染的液體的量的技術。氣體淨化裝置3包括：淨化槽42a～42c，形成來自處理單元2的排氣所通過的排氣路徑44a～44c；風機36，使排氣路徑44a～44c內的排氣分別朝向出口45a～45c移動；以及噴出噴嘴46a～46c，在排氣路徑44a～44c內噴出對各個排氣進行淨化的淨化液。又，氣體淨化裝置3包括：循環部47a～47c，形成使通過各個淨化槽42a～42c的各個排液口422a～422c的淨化液返回至噴出噴嘴46a～46c的各個循環流路；酸性液供給配管51a，供給去除通過各循環流路的淨化液中的特定成分的酸性液；鹼性液供給配管51b，供給鹼性液；以及有機物去除部51c。

Description

氣體淨化裝置、氣體淨化方法及基板處理裝置
本發明是有關於一種對氣體進行淨化的技術。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的製造步驟中，是將酸性或鹼性等的藥液或有機藥液（液狀的有機溶劑）供給至基板的表面。因此，產生包含藥液成分等污染物質的氣體。這種氣體藉由被稱為洗滌器的氣體淨化裝置，而去除污染物質之後，釋放至大氣。
例如，在專利文獻1中，揭示有一種處理單元以及對來自處理單元的受污染的排氣進行淨化的洗滌器。在專利文獻1中，基於排氣中所含的藥液的種類，選擇多種清洗液中的任一種，使所選擇的清洗液自噴出器噴出。由此，去除排氣中的污染物質。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-175361號公報
[發明所欲解決之課題]
但是，在專利文獻1中，噴出的清洗液是被直接排出。因此，會產生大量的受污染的清洗液。清洗液由於受到污染，故而需要實施某種處理而排出。因此，當清洗液大量產生時，其淨化處理會成為大的負擔。
因此，本發明的目的在於提供一種可降低對氣體進行淨化時所產生的受污染的液體的量的技術。
[解決課題之手段]
第1態樣是一種氣體淨化裝置，對氣體進行淨化，所述氣體淨化裝置包括：第1淨化槽，形成淨化對象的氣體所通過的第1排氣路徑；壓送部，使所述第1排氣路徑內的所述氣體朝向出口移動；第1噴出噴嘴，噴出對所述第1排氣路徑內的所述氣體進行淨化的淨化液；第1循環部，與設置在所述第1淨化槽上的第1排液口連接，形成使通過所述第1排液口的所述淨化液返回至所述第1噴出噴嘴的第1循環流路；以及第1去除部，與所述第1循環部連接，去除通過所述第1循環流路的所述淨化液中的特定成分。
第2態樣如第1態樣的氣體淨化裝置，其中所述第1去除部藉由將來自酸性液源的酸性液供給至所述第1循環路徑內，而去除所述淨化液中的鹼。
第3態樣如第2態樣的氣體淨化裝置，其中進而包括酸鹼度（pH）測定部，所述pH測定部是設置在所述第1循環部，測定通過所述第1循環流路的所述淨化液的pH值，所述第1去除部包括調節所述酸性液的供給量的酸性液供給量調整部。
第4態樣如第1態樣至第3態樣中任一項的氣體淨化裝置，其中進而包括：第2淨化槽，形成與所述第1淨化槽的所述第1排氣路徑的出口連接的第2排氣路徑；第2噴出噴嘴，在所述第2排氣路徑內噴出所述淨化液；第2循環部，與設置在所述第2淨化槽上的第2排液口連接，形成使通過所述第2排液口的所述淨化液返回至所述第2噴出噴嘴的第2循環流路；以及第2去除部，與所述第2循環部連接，去除通過所述第2循環流路的所述淨化液中的特定成分。
第5態樣如第4態樣的氣體淨化裝置，其中所述第2去除部藉由將來自鹼性液供給源的鹼性液供給至所述第2循環流路內，而去除所述淨化液中的酸。
第6態樣如第5態樣的氣體淨化裝置，其中進而包括pH測定部，所述pH測定部是設置在所述第2循環部，測定通過所述第2循環流路的所述淨化液的pH值，所述第2去除部包括對所述鹼性液的供給量進行調整的鹼性液供給量調整部。
第7態樣如第2態樣的氣體淨化裝置，其中進而包括：第3淨化槽，形成與所述第2淨化槽的所述第2排氣路徑的出口連接的第3排氣路徑；第3噴出噴嘴，在所述第3排氣路徑內噴出所述淨化液；第3循環部，與設置在所述第3淨化槽上的第3排液口連接，形成使通過所述第3排液口的所述淨化液返回至所述第3噴出噴嘴的第3循環流路；以及第2去除部，與所述第3循環部連接，去除通過所述第3循環流路的所述淨化液中的特定成分。
第8態樣如第7態樣的氣體淨化裝置，其中所述第3去除部具有與所述淨化液接觸的活性炭。
第9態樣如第8態樣的氣體淨化裝置，其中進而包括有機物濃度測定部，所述有機物濃度測定部與所述第3循環部連接，測定通過所述第3循環流路的所述淨化液中的有機物濃度。
第10態樣如第7態樣至第9態樣中任一項的氣體淨化裝置，其中所述第3循環部進而包括：存積槽，與所述第3循環流路連接，存積所述淨化液；以及排液部，排出所述存積槽中所存積的所述淨化液。
第11態樣是一種氣體淨化方法，對氣體進行淨化，所述氣體淨化方法包括：（a）移動步驟，使淨化對象的氣體，朝向第1淨化槽所形成的第1排氣路徑內的出口移動；（b）噴出步驟，在所述第1排氣路徑內自第1噴出噴嘴噴出對所述氣體進行淨化的淨化液；（c）循環步驟，使噴出至所述第1排氣路徑內的所述淨化液，通過第1循環流路而返回至所述第1噴出噴嘴；以及（d）去除步驟，去除通過所述第1循環路徑的所述淨化液中的特定成分。
第12態樣是一種基板處理裝置，對基板進行處理，所述基板處理裝置包括：處理單元，利用處理液對基板進行處理；如第1態樣至第10態樣中任一項的氣體淨化裝置；以及導管部，將所述處理單元與所述氣體淨化裝置加以連接。
[發明的效果]
根據第1態樣至第10態樣的氣體淨化裝置，由於使淨化液與氣體接觸，故可捕獲氣體中所含的特定成分。又，由於一面去除所捕獲的特定成分，一面使淨化液循環，故可一方面抑制淨化液的捕獲能力的下降，一方面實施氣體的淨化處理。又，由於循環利用淨化液，故可降低受污染的淨化液的產生量。
根據第2態樣的氣體淨化裝置，可利用酸性液來中和淨化液中的所捕獲的鹼成分而加以去除。
根據第3態樣的氣體淨化裝置，可調節酸性液的供給，以使淨化液與所需的pH值接近。
根據第4態樣的氣體淨化裝置，藉由設置第2淨化槽，可進一步實現氣體中所含的污染物質的去除。又，由於可在第2循環部中利用第2去除部來去除特定成分，故可抑制淨化液的捕獲性能的下降。
根據第5態樣的氣體淨化裝置，可利用鹼性液來中和第2淨化槽中所捕獲的酸成分而加以去除。
根據第6態樣的氣體淨化裝置，可調節鹼性液的供給，以使淨化液接近於所需的pH值。
根據第7態樣的氣體淨化裝置，藉由設置第3淨化槽，可更進一步實現氣體中所含的污染物質的去除。又，由於可在第3循環部中利用第3去除部去除特定成分，故可抑制淨化液的捕獲性能的下降。
根據第8態樣的氣體淨化裝置，藉由使活性炭與淨化液接觸，可自淨化液去除特定的有機物。
根據第9態樣的氣體淨化裝置，藉由測定有機物濃度，可適當地掌握第3去除部的活性炭的更換時期。
根據第10態樣的氣體淨化裝置，可藉由在第1淨化槽～第3淨化槽中循環而適當地排出雜質增加的淨化液。
根據第11態樣的氣體淨化方法，由於使淨化液與氣體接觸，故可捕獲氣體中所含的特定成分。又，由於一面去除已捕獲的特定成分，一面使淨化液循環，故可一方面抑制淨化液的捕獲能力的下降，一方面實施氣體的淨化處理。
根據第12態樣的基板處理裝置，可利用氣體淨化裝置來對自處理單元排出的氣體進行淨化。
以下，一面參照隨附圖式，一面對本發明的實施形態進行說明。再者，所述實施形態中所述的構成元件說到底是例示，其主旨並非是將本發明的範圍僅限定於該些構成元件。在圖式中，為了易於理解，存在根據需要，誇張或簡化地圖示各部的尺寸或數量的情況。
＜1.第1實施形態＞
圖1是表示實施形態的基板處理裝置1的概略的示意圖。圖2是圖解性地表示實施形態的處理單元2的側視圖。
基板處理裝置1是逐塊地處理半導體晶圓等圓板狀的基板W的單片式裝置。基板處理裝置1包括多個處理單元2、氣體淨化裝置3、外壁4及控制裝置5。
處理單元2分別藉由對基板W供給處理液，來對基板W進行處理。氣體淨化裝置3對自處理單元2分別排出的氣體進行淨化。此處，氣體淨化裝置3是相對於多個處理單元2僅設置有一個。外壁4形成為箱狀，將多個處理單元2及氣體淨化裝置3收容於內部。控制裝置5對基板處理裝置1中所含的各裝置的動作及閥的開閉進行控制。
如圖2所示，處理單元2分別是逐塊地處理基板W的單片式裝置。多個處理單元2具有共同的構成。處理單元2分別包括腔室6、自旋夾盤7、酸性藥液噴嘴8、鹼性藥液噴嘴9、有機藥液噴嘴10、沖洗液噴嘴11及杯體12。
腔室6形成為具有內部空間的箱狀。自旋夾盤7在腔室6內以水平姿勢（基板W與水平面平行的狀態）保持一塊基板W，並且使基板W圍繞著通過基板W的中心的鉛垂的旋轉軸線A1而旋轉。噴嘴8～噴嘴11朝向自旋夾盤7所保持的基板W噴出各處理液。杯體12形成為包圍自旋夾盤7的筒狀。
在杯體12內的底部，設置有排出口12a。排出口12a在杯體12的底部，排出腔室6內的氣體。排出口12a在此處，與杯體12的底部連接。排出口12a對腔室6內的氣體，朝向設置基板處理裝置1的工廠內所設置的排氣設備加以引導。
如圖2所示，腔室6包括隔壁13及風機過濾器單元（fan filter unit，FFU）14。隔壁13形成為箱狀，將自旋夾盤7及噴嘴8～噴嘴11收容於內部。FFU 14是配設在隔壁13內的上部（此處為頂板部）的送風單元，自隔壁13內的上部向隔壁13內輸送潔淨空氣（經過濾器過濾的清潔空氣）。
此處，在腔室6內，藉由來自FFU 14的潔淨空氣的供給及排出口12a的空氣抽吸，而形成向下流動的向下流（下降流）。向下流不僅可能在基板W存在於腔室6內的期間內形成，而且可能在其他期間內形成。
如圖2所示，自旋夾盤7包括自旋底座16及自旋馬達17。自旋底座16形成為水平地保持基板W的圓盤狀。自旋馬達17使自旋底座16圍繞著旋轉軸線A1旋轉。自旋夾盤7既可為藉由沿水平方向夾持基板W而水平地保持基板W的夾持式自旋夾盤，亦可為藉由吸附基板W中的非器件形成面即背面（此處為下表面）而以水平姿勢保持基板W的真空式夾盤。此處，自旋夾盤7是設為利用多個夾盤銷來夾持基板W的夾持式夾盤。
杯體12包圍著自旋底座16。向上打開的杯體12的上端部配置在比自旋底座16更靠上方的位置。因此，藉由基板W旋轉而在基板W的周圍飛散的藥液或沖洗液等處理液會被杯體12的內側面接住，且自在杯體12的內部形成開口的排出口12a排出。
酸性藥液噴嘴8朝向基板W的上表面噴出酸性的藥液。鹼性藥液噴嘴9朝向基板W的上表面噴出鹼性的藥液。有機藥液噴嘴10朝向基板W的上表面噴出有機藥液。沖洗液噴嘴11朝向基板W的上表面噴出沖洗液。
噴嘴8～噴嘴11既可為在噴出口靜止的狀態下朝向基板W的上表面中央部噴出處理液的固定噴嘴，亦可為一面以處理液相對於基板W的上表面的著液位置在中央部與周緣部之間移動的方式而移動，一面噴出處理液的掃描噴嘴。
如圖2所示，處理單元2包括酸性藥液配管18、酸性藥液閥19、鹼性藥液配管20、鹼性藥液閥21、有機藥液配管22、有機藥液閥23、沖洗液配管24及沖洗液閥25。
酸性藥液配管18與酸性藥液噴嘴8連接，形成用以將自酸性液源供給的酸性液輸送至酸性藥液噴嘴8的流路。酸性藥液閥19插裝於酸性藥液配管18上。酸性藥液閥19藉由使酸性藥液配管18內的流路開閉，而對自酸性藥液噴嘴8的酸性液的噴出的導通/關閉進行控制。
鹼性藥液配管20與鹼性藥液噴嘴9連接，形成用以將自鹼性液源供給的鹼性液輸送至鹼性藥液噴嘴9的流路。鹼性藥液閥21插裝於鹼性藥液配管20上。鹼性藥液閥21藉由使鹼性藥液配管20內的流路開閉，而對自鹼性藥液噴嘴9的鹼性液的噴出的導通/關閉進行控制。
有機藥液配管22與有機藥液噴嘴10連接，形成用以將自有機藥液源供給的有機藥液輸送至有機藥液噴嘴10的流路。有機藥液閥23插裝於有機藥液配管22上。有機藥液閥23藉由使有機藥液配管22內的流路開閉，而對自有機藥液噴嘴10的有機藥液的噴出的導通/關閉進行控制。
沖洗液配管24與沖洗液噴嘴11連接，形成用以將自沖洗液源供給的沖洗液輸送至沖洗液噴嘴11的流路。沖洗液閥25插裝於沖洗液配管24上。沖洗液閥25藉由使沖洗液配管24內的流路開閉，而對自沖洗液噴嘴11的沖洗液的噴出的導通/關閉進行控制。
酸性藥液的一例是氫氟酸（hydrofluoric acid），鹼性藥液的一例是SC-1（過氧化氫氨水）。有機藥液的一例是異丙醇（iso-propyl alcohol，IPA），沖洗液的一例是純水（去離子水：Deionized Water）。酸性藥液亦可為包含硫酸或鹽酸的酸性藥液。鹼性藥液亦可為包含四甲基氫氧化銨（Tetramethylphenylammonium Hydroxide，TMAH）等的鹼性藥液。有機藥液並不限於IPA，亦可為氫氟醚（hydrofluoroether，HFE）等其他有機藥液。沖洗液並不限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度（例如，10 ppm～100 ppm左右）的鹽酸水中的任一者。
如圖2所示，處理單元2包括使處理單元2內產生的混合流體中所含的氣體及液體分離的氣液分離器26。氣液分離器26配置在腔室6的外部。
氣液分離器26包括氣液分離盒27、液體配管28及氣體配管29。氣液分離盒27與排出口12a連接。液體配管28自氣液分離盒27的內部延伸至氣液分離盒27的外部。氣體配管29自氣液分離盒27的內部延伸至氣液分離盒27的外部。
液體配管28的一端部在氣液分離盒27的底面形成有朝向上方形成開口的液體排出口30。氣體配管29的一端部設置成突出至較氣液分離盒27的底面更靠上方的位置，在氣液分離盒27的內部形成有朝向上方形成開口的氣體排出口31。以氣體配管29的一端部較液體配管28的一端部更靠上側的方式，配設有液體配管28及氣體配管29。氣體配管29與後述氣體淨化裝置3的上游排氣導管32連接。腔室6內所產生的包含污染物質的氣體經由氣液分離盒27及氣體配管29而朝向氣體淨化裝置3自腔室6排出。
當將處理液供給至基板W時，包含蒸氣或霧的氣體（嚴格而言，是在氣體中混合液體而構成的混合流體）會產生於腔室6內。所述氣體通過排出口12a，流入至氣液分離器26的氣液分離盒27的內部。混合流體中所含的液體成分在氣液分離盒27內變為液滴，而自液體排出口30排出。氣體排出口31藉由配置在較液體排出口30更靠上方的位置，來抑制氣液分離盒27內的液體滲入至氣體排出口31。因此，將液體成分的殘留量經降低的氣體通過氣體排出口31，而排出至氣體淨化裝置3。
圖3是表示實施形態的處理單元2所執行的基板W的處理的流程圖。在對基板W進行處理時，FFU 14將潔淨空氣供給至腔室6內，而形成為如下的狀態：在排出口12a抽吸腔室6內的氣體的腔室6內形成有向下流。在此狀態下，控制裝置5藉由控制搬運機器人（未圖示），而將基板W搬運至自旋夾盤7上。然後，控制裝置5藉由控制自旋夾盤7，而使基板W旋轉。
繼而，進行將酸性藥液（此處為氫氟酸）供給至基板W的酸性藥液供給步驟（步驟S1）。詳細而言，藉由控制裝置5打開酸性藥液閥19，而使酸性藥液自酸性藥液噴嘴8向旋轉的基板W的上表面中央部噴出。由此，將酸性藥液供給至基板W的上表面。當打開酸性藥液閥19後經過規定時間時，控制裝置5藉由關閉酸性藥液閥19，而使酸性藥液的噴出停止。
自酸性藥液噴嘴8噴出而供給至基板W的上表面中央部的酸性藥液受到因基板W的旋轉而產生的離心力，而沿基板W的上表面蔓延至外方。由此，形成覆蓋基板W的上表面整個區域的酸性藥液的液膜。即，成為對基板W的上表面整個區域，供給酸性藥液的狀態。將伴隨著對基板W的氫氟酸的供給、氫氟酸相對於杯體12的內表面的碰撞而產生的包含酸性藥液的氣體自杯體12的底部經由排出口12a而排出。將自杯體12排出的酸性排氣（包含酸性藥液的氣體）輸送至氣體淨化裝置3。
繼而，進行將沖洗液（此處為純水）供給至基板W的第1中間沖洗液供給步驟（步驟S2）。詳細而言，藉由控制裝置5打開沖洗液閥25，而使沖洗液自沖洗液噴嘴11向旋轉的基板W的上表面中央部噴出。由此，將覆蓋基板W的上表面整個區域的酸性藥液替換成沖洗液，且利用沖洗液沖走基板W上的酸性藥液。又，將伴隨著對基板W的沖洗液的供給等而產生的包含沖洗液的環境氣體自杯體12的底部經由排出口12a而排出。當打開沖洗液閥25後經過規定時間時，控制裝置5藉由關閉沖洗液閥25，而使沖洗液的噴出停止。
繼而，進行將鹼性藥液（此處為SC-1（過氧化氫氨水混合液））供給至基板W的鹼性藥液供給步驟（步驟S3）。詳細而言，藉由控制裝置5打開鹼性藥液閥21，而使鹼性藥液自鹼性藥液噴嘴9向旋轉的基板W的上表面中央部噴出。由此，將覆蓋基板W的上表面整個區域的純水的液膜替換成鹼性藥液，對基板W的上表面整個區域供給鹼性藥液。又，將伴隨著對基板W的鹼性藥液的供給等而產生的包含鹼性藥液的環境氣體自杯體12的底部經由排出口12a而排出。將自杯體12排出的鹼性排氣（包含鹼性藥液的氣體）輸送至氣體淨化裝置3。當打開鹼性藥液閥21之後經過規定時間時，控制裝置5藉由關閉鹼性藥液閥21，而使鹼性藥液的噴出停止。
繼而，進行將沖洗液（此處為純水）供給至基板W的第2中間沖洗液供給步驟（步驟S4）。詳細而言，藉由控制裝置5打開沖洗液閥25，而使沖洗液自沖洗液噴嘴11向旋轉的基板W的上表面中央部噴出。由此，藉由沖洗液而沖走覆蓋基板W的上表面整個區域的鹼性藥液。又，將伴隨著對基板W的沖洗液的供給等而產生的包含純水的環境氣體自杯體12的底部經由排出口12a而排出。當打開沖洗液閥25之後經過規定時間時，控制裝置5藉由關閉沖洗液閥25，而使沖洗液的噴出停止。
繼而，進行將有機藥液（此處為IPA）供給至基板W的有機藥液供給步驟（步驟S5）。詳細而言，藉由控制裝置5打開有機藥液閥23，而使有機藥液自有機藥液噴嘴10向旋轉的基板W的上表面中央部噴出。由此，將覆蓋基板W的上表面整個區域的沖洗液的液膜替換成有機藥液，藉由IPA而沖走基板W上的沖洗液。又，將藉由對基板W的有機藥液的供給等而產生的包含有機藥液的環境氣體自杯體12的底部經由排出口12a而排出。將自杯體12排出的有機排氣（包含有機藥液的氣體）輸送至氣體淨化裝置3。當打開有機藥液閥23之後經過規定時間時，控制裝置5藉由關閉有機藥液閥23，而使有機藥液的噴出停止。
繼而，進行使基板W乾燥的乾燥步驟（步驟S6）。詳細而言，控制裝置5藉由使基板W的旋轉加速，而使基板W以高於自酸性液供給步驟（步驟S1）至有機藥液供給步驟（步驟S6）為止的旋轉速度的高旋轉速度（例如，2000 rpm～3000 rpm）旋轉。由此，大的離心力會施加至基板W的液體，將附著在基板W上的液體甩開至基板W的周圍。藉由如上所述自基板W去除液體，而使基板W乾燥。接著，當開始基板W的高速旋轉之後經過規定時間時，控制裝置5藉由對自旋夾盤7進行控制，而使基板W的旋轉停止。然後，利用搬運機器人將處理完畢的基板W從自旋夾盤7搬出。
圖4是圖解性地表示實施形態的氣體淨化裝置3的內部的側視圖。氣體淨化裝置3包括上游排氣導管32、排氣淨化盒38及下游排氣導管35。
排氣淨化盒38包括形成為具有內部空間的箱狀的殼體39。在殼體39的長邊方向一側的側壁部390上連接著上游排氣導管32，在殼體39的長邊方向另一側的側壁部392上連接著下游排氣導管35。
在殼體39的內部，經由上游排氣導管32，流入自多個處理單元2排出的排氣。流入至殼體39的內部的排氣藉由通過形成於殼體39的內部的流路（後述排氣路徑44a～排氣路徑44c）而淨化，且經由下游排氣導管35排出至殼體39的外部。
在下游排氣導管35的內部，設置有風機36。風機36藉由自殼體39的內部向下游排氣導管35產生氣流，而壓送殼體39內部的排氣。風機36是壓送部的一例。再者，壓送部並不限定於風機36。例如，亦可將壓送部設為與下游排氣導管35連接的真空裝置（抽吸裝置）。
在殼體39的內部，設置有間隔壁部40a～間隔壁部40c及間隔壁部41a～間隔壁部41c。間隔壁部40a～間隔壁部40c是自殼體39內部的底部立設的形成為板狀的構件。間隔壁部40a～間隔壁部40c是依此順序在殼體39的長邊方向上隔開間隔而配設。間隔壁部40a與殼體39的側壁部390的內表面相向。間隔壁部41a設置在側壁部390與間隔壁部40a之間。
間隔壁部41a設置在與上游排氣導管32相向的位置上。殼體39中，其內部藉由間隔壁部40a～間隔壁部40c，而間隔成多個分區（淨化槽42a、淨化槽42b、淨化槽42c及存積槽43）。
詳細而言，在殼體39中，側壁部390與間隔壁部40a所夾的分區為淨化槽42a，間隔壁部40a、間隔壁部40b所夾的分區為淨化槽42b，間隔壁部40b、間隔壁部40c所夾的分區為淨化槽42c，間隔壁部40c與側壁部392所夾的分區為存積槽43。
淨化槽42a～淨化槽42c及存積槽43是可在底部存積淨化液而構成。
在存積槽43的靠近側壁部392的底部的部分，形成有流入口431。流入口431連接著將清潔的淨化液導入至存積槽43的供給配管4311。在供給配管4311上，插裝有用以控制自供給配管4301向存積槽43的淨化液的供給的閥4312。藉由打開閥4312，而將來自規定的供給源的清潔的淨化液供給至存積槽43。
淨化液例如為水（工業用水）。又，所謂清潔的淨化液，是指至少較存積於殼體39的內部的淨化液更清潔的狀態的淨化液。又，所謂｢清潔的狀態｣，是指所述淨化液中的可能在處理單元2等之中產生的污染物質的濃度相對低的狀態。
＜淨化槽42a（第1淨化槽）＞
淨化槽42a是自上游排氣導管32流入至殼體39的內部的排氣最早通過的分區。自上游排氣導管32流入至淨化槽42a的排氣藉由配置在正面的間隔壁部41a而導引至下方，且通過側壁部390與間隔壁部41a所夾的空間。然後，所述排氣在通過較間隔壁部41a的下端更靠下側的空間之後，藉由配置在正面的間隔壁部40a而導引至上方，且通過間隔壁部40a與間隔壁部41a所夾的空間。
在淨化槽42a中，側壁部390與間隔壁部41a所夾的空間及間隔壁部41a與間隔壁部40a所夾的空間成為排氣所通過的排氣路徑44a（第1排氣路徑）。
已通過排氣路徑44a的排氣通過排氣路徑44a的出口45a，流入至下一個淨化槽42b。出口45a在此處，是間隔壁部40a的上端的緣部與殼體39的頂板部之間的間隙。出口45a若自淨化槽42b觀察，則亦為排氣流入至淨化槽42b內部的入口。
＜噴出噴嘴46a（第1噴出噴嘴）＞
噴出噴嘴46a在淨化槽42a的排氣路徑44a內部，噴出對排氣進行淨化的淨化液。此處，噴出噴嘴46a配設在間隔壁部40a與間隔壁部41a所夾的空間內，在所述空間內自噴出口向下方噴出霧狀的淨化液。又，噴出噴嘴46a在排氣路徑44a中，自高度不同的多處（此處為三處）噴出淨化液。再者，噴出噴嘴46a的形態並不限定於如上所述的形態，只要是可使淨化液與通過排氣路徑44a的排氣接觸的形態，即可為任意形態。藉由自噴出噴嘴46a噴出的霧狀的淨化液與通過排氣路徑44a的排氣相接觸，而捕獲排氣中所含的污染物質。
藉由供給配管49b延伸至淨化槽42a的排氣路徑44a為止，且將噴出噴嘴46a設置在排氣路徑44a中，可抑制自噴出噴嘴46a噴出的淨化液落下至淨化槽42b。
＜循環部47a（第1循環部）＞
噴出噴嘴46a噴出的淨化液是藉由循環部47a而循環的淨化液。循環部47a包括連接配管48a、供給配管49a及循環泵50a。
連接配管48a與設置在淨化槽42a的底部的排液口422a、以及設置在淨化槽42b的底部的流入口420b相連接。藉由連接配管48a，而使得淨化槽42a、淨化槽42b中所存積的淨化液能夠往來。在連接配管48a上，插裝有引入泵481a。引入泵481a將淨化槽42a內的淨化液引入至連接配管48a內，並且將所述淨化液朝向淨化槽42b的流入口420b壓送。
供給配管49a的一端部設置在可浸於淨化槽42b中所存積的淨化液中的高度位置。供給配管49a自其一端部通過淨化槽42b內的間隔壁部40a與間隔壁部41b所夾的空間及出口45a，而與配置在淨化槽42a的排氣路徑44a上的噴出噴嘴46a相連接。
循環泵50a設置在供給配管49a上，將供給配管49a內的淨化液朝向噴出噴嘴46a壓送。此處，藉由對循環泵50a進行驅動，淨化槽42b中所存積的淨化液被上吸至供給配管49a內，且自噴出噴嘴46a噴出。自噴出噴嘴46a噴出的淨化液落下而存積在淨化槽42a的底部。淨化槽42a中所存積的淨化液通過連接配管48a而移動至淨化槽42b，且再次被上吸至供給配管49a。以如上所述的方式，使淨化液藉由循環泵50a而循環。連接配管48a及供給配管49a形成淨化液所通過的第1循環流路。
＜酸性液供給配管51a＞
在連接配管48a上，連接著酸性液供給配管51a。酸性液供給配管51a對第1循環流路即連接配管48a內部，供給酸性液（此處為硫酸）。在酸性液供給配管51a上，插裝有使酸性液供給配管51a的內部開閉的供給閥52a。供給至連接配管48a的酸性液與通過連接配管48a的淨化液中所含的鹼成分發生反應而使其中和。由此，去除淨化液中所含的鹼成分。酸性液供給配管51a、供給閥52a為去除部的一例。
在連接配管48a上，設置有pH測定部53a。pH測定部53a設置在連接配管48a之中較酸性液供給配管51a所連接的部分更靠下游側（即，淨化槽42b的流入口420b側）的位置。因此，pH測定部53a對混合酸性液後的淨化液的pH（氫離子指數）進行測定。控制裝置5基於pH測定部53a的測定結果，對供給閥52a的開閉進行控制。詳細而言，當淨化液的pH大於基準值（例如，表示中性的7.0）時（即，淨化液為鹼性時），控制裝置5可打開供給閥52a而供給酸性液。供給閥52a是調節酸性液的供給量的酸性液供給量調整部的一例。
再者，供給閥52a不必藉由控制裝置5而自動地開閉控制。亦可由操作者確認pH測定部53a的測定結果，根據所述測定結果，操作者藉由手動操作而使供給閥52a開閉。
藉由自風機36接收到的力，而使淨化對象的排氣（氣體），在淨化槽42a所形成的排氣路徑44a內朝向出口45a移動的步驟，相當於移動步驟。又，在排氣路徑44a內自噴出噴嘴46a噴出對排氣進行淨化的淨化液的步驟，相當於噴出步驟。進而，使噴出至排氣路徑44a的淨化液，通過包含連接配管48a及供給配管49a的第1循環流路返回至噴出噴嘴46a的步驟，相當於循環步驟。又，藉由在自酸性液供給配管51a通過第1循環流路的連接配管48a的淨化液中供給酸性液而使鹼成分中和而加以去除的步驟，相當於去除步驟。
＜淨化槽42b（第2淨化槽）＞
淨化槽42b是排氣在繼淨化槽42a之後通過的分區。通過出口45a而流入至淨化槽42b的排氣藉由配置在正面的間隔壁部41b而導引至下方，且通過間隔壁部40a與間隔壁部41b所夾的空間。然後，所述排氣在通過較間隔壁部41b更靠下側的空間之後，藉由配置在正面的間隔壁部40b而導引至上方，且通過間隔壁部40b與間隔壁部41b所夾的空間。
在淨化槽42b中，間隔壁部40a與間隔壁部41b所夾的空間、以及間隔壁部41b與間隔壁部40b所夾的空間成為排氣所通過的排氣路徑44b（第2排氣路徑）。
已通過排氣路徑44b的排氣通過排氣路徑44b的出口45b，而流入至下一個淨化槽42c。出口45b在此處，是間隔壁部40b的上端的緣部與殼體39的頂板部之間的間隙。出口45b在自淨化槽42c觀察時，亦為排氣流入至淨化槽42c內部的入口。
＜噴出噴嘴46b（第2噴出噴嘴）＞
噴出噴嘴46b在淨化槽42b的排氣路徑44b內部，噴出對排氣進行淨化的淨化液。此處，噴出噴嘴46b配設在間隔壁部41b與間隔壁部40b所夾的空間，在所述空間內自噴出口向下方噴出霧狀的淨化液。又，噴出噴嘴46b自高度不同的多處（此處為三處）噴出淨化液。再者，噴出噴嘴46b的形態並不限定於如上所述的形態，只要可使淨化液與通過排氣路徑44b的排氣接觸，即可為任意形態。藉由自噴出噴嘴46b噴出的霧狀的淨化液與通過排氣路徑44b的排氣相接觸，而捕獲排氣中所含的污染物質。
＜循環部47b（第2循環部）＞
噴出噴嘴46b所噴出的淨化液是藉由循環部47b而循環的淨化液。循環部47b包括連接配管48b、供給配管49b及循環泵50b。
連接配管48b與設置在淨化槽42b的底部的排液口422b、以及設置在淨化槽42c的底部的流入口420c連接。藉由連接配管48b，而使得淨化槽42b、淨化槽42c中所存積的淨化液能夠往來。在連接配管48b上，插裝有引入泵481b。引入泵481b將淨化槽42b內的淨化液引入至連接配管48b內，並且將所述淨化液朝向淨化槽42c的流入口420c壓送。
供給配管49b的一端部設置在可浸於淨化槽42c中所存積的淨化液中的高度位置。供給配管49b自其一端部通過淨化槽42c內的間隔壁部40b與間隔壁部41c所夾的空間及出口45b，而與配置在淨化槽42b的排氣路徑44b上的噴出噴嘴46b連接。
循環泵50b設置在供給配管49b上，使供給配管49b內的淨化液朝向噴出噴嘴46b壓送。此處，藉由對循環泵50b進行驅動，而使淨化槽42c中所存積的淨化液上吸至供給配管49b內，且自噴出噴嘴46b噴出。自噴出噴嘴46b噴出的淨化液落下而存積於淨化槽42b的底部。淨化槽42b中所存積的淨化液通過連接配管48b而移動至淨化槽42c，且再次上吸至供給配管49b。以如上所述的方式，使淨化液藉由循環泵50b而循環。連接配管48b及供給配管49b形成淨化液所通過的第2循環流路。
＜鹼性液供給配管51b＞
在連接配管48b上，連接著鹼性液供給配管51b。鹼性液供給配管51b對作為第2循環流路的連接配管48b內部，供給鹼性液（此處為苛性鹼）。在鹼性液供給配管51b上，插裝有使鹼性液供給配管51b內部開閉的供給閥52b。供給至連接配管48b的鹼性液與通過連接配管48b的淨化液中所含的酸成分發生反應而中和。由此，去除淨化液中所含的酸成分。鹼性液供給配管51b、供給閥52b是去除部的一例。
在連接配管48b上，設置有pH測定部53b。pH測定部53b設置在連接配管48b之中、較連接著鹼性液供給配管51b的部分更靠下游側（即，淨化槽42c的流入口420c側）的位置。因此，pH測定部53a對混合鹼性液後的淨化液的pH進行測定。控制裝置5基於pH測定部53b的測定結果，對供給閥52b的開閉進行控制。詳細而言，當淨化液的pH小於基準值（例如，表示中性的7.0）時（即，淨化液為酸性時），控制裝置5可打開供給閥52b而供給鹼性液。
再者，供給閥52b不必藉由控制裝置5而進行開閉控制。亦可由操作者確認pH測定部53a的測定結果，且對應於所述測定結果，操作者藉由手動操作而使供給閥52b開閉。
＜淨化槽42c（第3淨化槽）＞
淨化槽42c是排氣在繼淨化槽42b之後通過的分區。通過出口45b而流入至淨化槽42c的排氣藉由配置在正面的間隔壁部41c而導引至下方，且通過間隔壁部41b與間隔壁部40a之間。然後，所述排氣通過較間隔壁部41c的下端的緣部更靠下側的空間，藉由正面的間隔壁部40c而導引至上方，且通過間隔壁部40c與間隔壁部41c所夾的空間。在淨化槽42c中，間隔壁部40b與間隔壁部41c所夾的空間及間隔壁部41c與間隔壁部40c所夾的空間成為排氣所通過的排氣路徑44c（第3排氣路徑）。
已通過排氣路徑44c的排氣通過排氣路徑44c的出口45c而流入至下一個存積槽43。所述出口45c在此處，是間隔壁部40c的上端的緣部與殼體39的頂板部之間的間隙。出口45c在自存積槽43觀察時，亦為排氣流入至存積槽43內部的入口。
＜噴出噴嘴46c（第3噴出噴嘴）＞
噴出噴嘴46c在淨化槽42c的排氣路徑44c內部，噴出對排氣進行淨化的淨化液。此處，噴出噴嘴46c配設在間隔壁部41c與間隔壁部40c所夾的空間內，在所述空間內自噴出口向下方噴出霧狀的淨化液。又，噴出噴嘴46c自高度不同的多處（此處為三處）噴出淨化液。再者，噴出噴嘴46c的形態並不限定於如上所述的形態，只要可使淨化液與通過排氣路徑44c的排氣相接觸，即可為任意形態。自噴出噴嘴46c噴出的霧狀的淨化液藉由與通過排氣路徑44c的排氣相接觸，而捕獲排氣中所含的污染物質。
＜循環部47c（第2循環部）＞
噴出噴嘴46c所噴出的淨化液是藉由循環部47c而循環的淨化液。循環部47c包括連接配管48c、供給配管49c及循環泵50c。
連接配管48c與設置在淨化槽42c的底部的排液口422c、及設置在存積槽43的底部的流入口430連接。藉由連接配管48c，而使得淨化槽42c與存積槽43中所存積的淨化液能夠往來。在連接配管48c上，插裝有引入泵481c。引入泵481c將淨化槽42c內的淨化液引入至連接配管48c內，並且將所述淨化液朝向存積槽43的流入口430壓送。
供給配管49c的一端部設置在可浸於存積槽43中所存積的淨化液的高度位置。供給配管49c自其一端部通過存積槽43及出口45c，與配置在淨化槽42c的排氣路徑44c上的噴出噴嘴46c連接。
循環泵50c設置在供給配管49c上，將供給配管49c內的淨化液朝向噴出噴嘴46c壓送。此處，藉由對循環泵50c進行驅動，而使存積槽43中所存積的淨化液上吸至供給配管49c內，且自噴出噴嘴46c噴出。自噴出噴嘴46c噴出的淨化液落下而存積於淨化槽42c的底部。淨化槽42c中所存積的淨化液通過連接配管48c而移動至存積槽43，且再次上吸至供給配管49c。以如上所述的方式，使淨化液藉由循環泵50c而循環。連接配管48c及供給配管49c形成淨化液所通過的第3循環流路。
＜有機物去除部51c＞
在連接配管48c上，連接著有機物去除部51c。有機物去除部51c去除通過連接配管48c的淨化液中所含的有機物。有機物去除部51c在此處，包含可拆裝更換地設置的活性炭過濾器510。活性炭過濾器510藉由使通過連接配管48c的淨化液過濾，而去除有機物。關於有機物，具體而言，是將處理單元2中所使用的有機藥液（此處為IPA），與排氣一併送入至氣體淨化裝置3。繼而，所述排氣在通過殼體39內的排氣路徑44a～排氣路徑44c時，藉由被捕獲至自噴出噴嘴46a～噴出噴嘴46c噴出的淨化液中，而存積於殼體39的下部。藉由所述經存積的淨化液通過有機物去除部51c，而去除淨化液中的有機物。
在連接配管48c上的較有機物去除部51c更靠下游側（即，連接配管48c的與存積槽43的流入口430連接之側）的位置，設置著有機物濃度測定部53c。有機物濃度測定部53c對通過有機物去除部51c的淨化液中的有機物濃度進行測定。有機物濃度測定部53c例如是對吸光度進行測定的構件等。
藉由設定有機物濃度測定部53c，可監視淨化液中的有機物濃度，因此可容易地檢測出異常。又，將有機物濃度測定部53c設置在有機物去除部51c的下游側附近。因此，可檢測出有機物去除部51c的有機物去除能力的下降。例如，可藉由預先將用以判定有機物去除能力的下降的濃度基準值確定為臨限值，而適當地掌握有機物去除部51c的零件（活性炭過濾器510）的更換時期。
在所述實施形態中，是將有機物去除部51c設置在連接配管48c上，但此形態並非必需。有機物去除部51c可設置在淨化液所循環的路徑的任意位置上。例如，有機物去除部51c可設置在連接配管48a、連接配管48b、供給配管49a～供給配管49c上。又，關於有機物濃度測定部53c，亦可設置在淨化液所循環的路徑上的任意位置。
＜存積槽43＞
存積槽43是排氣在繼淨化槽42c之後通過的分區。自出口45c流入的流入至存積槽43的排氣通過下游排氣導管35，而自存積槽43排出。此處，出口45c與下游排氣導管35在存積槽43的內部，在沿水平方向重合的位置上形成開口。因此，在存積槽43中，排氣自出口45c向下游排氣導管35直行地移動。在側壁部392與間隔壁部40c之間的底部存積著淨化液。
在存積槽43的靠近側壁部392的底部的部分，形成有流出口432。流出口432連接著將存積槽43中所存積的淨化液導引至外部的排液配管4321。在排液配管4321上，插裝有用以控制自存積槽43向排液配管4321的淨化液的排出的閥4322。藉由打開閥4322，而自存積槽43排出淨化液。流出口432及排液配管4321、以及閥4322是排液部的一例。
在所述實施形態中，注入至殼體39的淨化液藉由循環部47a～循環部47c，而一面添加酸性液、鹼性液等，一面進行循環。由此，淨化液中的雜質逐漸增大。因此，藉由定期地打開閥4202，而對殼體39供給清潔的淨化液，並且藉由打開閥4322而排出殼體39內的包含雜質的淨化液。閥4202、閥4322的開閉既可在控制裝置5的控制下進行，亦可藉由操作者的手動操作而進行。
在本實施形態中，是將排出淨化液的排液部（排液配管4321及閥4322）設置在存積槽43上，但此形態並非必需。例如，亦可不將所述排液部設置在存積槽43上，而將所述排液部設置在各個淨化槽42a～淨化槽42c上，自各個淨化槽42a～淨化槽42c分別排出淨化液。
＜效果＞
如上所述，根據氣體淨化裝置3，使淨化液與來自處理單元2的排氣接觸，故可捕獲排氣中所含的特定成分。又，由於一面去除所捕獲的特定成分，一面使淨化液循環，故可一方面抑制淨化液的捕獲能力的下降，一方面實施氣體的淨化處理。又，由於循環利用淨化液，故可降低受污染的淨化液的產生量。進而，淨化液中所含的污染物質是藉由來自酸性液供給配管51a的酸性液、來自鹼性液供給配管51b的鹼性液、及有機物去除部51c而適當去除，故可降低所排氣的淨化液中的污染物質濃度。
又，當排氣中包含各種污染物質時，藉由所述氣體依次通過各個淨化槽42a～淨化槽42c，而自氣體中依次不斷去除包含鹼、酸、有機物的污染物質。當使多台處理單元2工作時，藉由各個處理單元2進行不同的處理，而可能產生包含各種污染物質的氣體。根據氣體淨化裝置3，即使在氣體中包含如上所述的不同種類的污染物質的情況下，亦可對所述氣體進行淨化。
處理單元2中所產生的污染物質在排氣最早通過的淨化槽42a的排氣路徑44a中，主要被捕獲至自噴出噴嘴46a噴出的淨化液中。在所述實施形態中，自用作處理液的SC-1中會產生大量的呈鹼性的氨，作為污染物質。因此，在淨化槽42a中，藉由淨化液而捕獲大量的氨。與此相對，在所述實施形態中，在循環部47a（詳細而言，連接配管48c）中，藉由在所述淨化液中添加酸性液（硫酸），來使氨中和，而加以去除。因此，可使導入至供給配管49a而再次噴出至排氣路徑44a的淨化液的氨捕獲能力維持在高位準。
又，由於在最早的淨化槽42a中去除大量的氨，故在下一個淨化槽42b及淨化槽42c中，可自排氣中適當地進行其他污染物質（酸、有機物）的去除。
＜2.變形例＞
以上，已對實施形態進行說明，但本發明並不限定於如上所述的實施形態，而可進行各種變形。
例如，在所述實施形態中，是對連接配管48a供給酸性液，對連接配管48b供給鹼性液，但亦可對連接配管48a供給鹼性液，對連接配管48b供給酸性液。又，亦可設為在連接配管48a上設置有機物去除部51，且取而代之，對連接配管48c供給酸性液。同樣地，亦可設為在連接配管48b上設置有機物去除部51，且取而代之對連接配管48c供給鹼性液。
又，在所述實施形態中，設置有存積槽43，但設置存積槽43的形態並非必需。此時，雖省略詳細的圖示，但可藉由將圖3所示的流入口430與供給配管49c的吸水口加以直接連接，而利用循環部47c使淨化槽42c中所存積的淨化液循環。又，可在出口45c上連接下游排氣導管35的吸口。
又，在所述實施形態的氣體淨化裝置3中，殼體39包含三個淨化槽42a～淨化槽42c。但是，殼體39亦可包含兩個以下的淨化槽或四個以上的淨化槽。例如，亦可假設殼體39僅包含一個淨化槽42a的情況。此時，雖省略圖示，但可使圖3所示的連接配管48a的流入口420b與供給配管49a的吸水口直接連接。又，可在出口45a上連接下游排氣導管35的吸口。此時，在循環部47a中，可去除鹼成分。進而，此時，藉由將鹼性液供給配管51b連接於供給配管49a，可去除通過供給配管49a的淨化液中的酸性成分。而且進而，藉由在供給配管49a上設置有機物去除部51c，亦可去除淨化液中的有機物。
又，在本實施形態中，對殼體39的內部，藉由利用間隔壁部40a～間隔壁部40c加以間隔，而劃分成淨化槽42a～淨化槽42c及存積槽43。但是，亦可利用各別的箱狀構件來形成淨化槽42a～淨化槽42c及存積槽43。
成為基板處理裝置1的處理對象的基板並不限定於半導體晶圓，亦可為光罩用玻璃基板、液晶用或電漿顯示器用玻璃基板、磁碟與光碟用的玻璃或陶瓷基板、有機電致發光（electroluminescence，EL）用玻璃基板、太陽電池用玻璃基板或矽基板、其他可撓性基板及印刷基板等面向電子設備的各種被處理基板。
已對本發明進行詳細說明，但所述說明在所有方面為例示，本發明並不限定於此。可知在不脫離本發明的範圍的條件下，可設想出未例示的無數變形例。所述各實施形態及各變形例中所說明的各構成只要不相互矛盾，即可適當組合或省略。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧氣體淨化裝置
4‧‧‧外壁
5‧‧‧控制裝置
6‧‧‧腔室
7‧‧‧自旋夾盤
8‧‧‧酸性藥液噴嘴
9‧‧‧鹼性藥液噴嘴
10‧‧‧有機藥液噴嘴
11‧‧‧沖洗液噴嘴
12‧‧‧杯體
12a‧‧‧排出口
13‧‧‧隔壁
16‧‧‧自旋底座
17‧‧‧自旋馬達
18‧‧‧酸性藥液配管
19‧‧‧酸性藥液閥
20‧‧‧鹼性藥液配管
21‧‧‧鹼性藥液閥
22‧‧‧有機藥液配管
23‧‧‧有機藥液閥
24‧‧‧沖洗液配管
25‧‧‧沖洗液閥
26‧‧‧氣液分離器
27‧‧‧氣液分離盒
28‧‧‧液體配管
29‧‧‧氣體配管
30‧‧‧液體排出口
31‧‧‧氣體排出口
32‧‧‧上游排氣導管（導管部）
35‧‧‧下游排氣導管
36‧‧‧風機（壓送部）
38‧‧‧排氣淨化盒
39‧‧‧殼體
40a～40c、41a～41c‧‧‧間隔壁部
42a‧‧‧淨化槽（第1淨化槽）
42b‧‧‧淨化槽（第2淨化槽）
42c‧‧‧淨化槽（第3淨化槽）
43‧‧‧存積槽
44a‧‧‧排氣路徑（第1排氣路徑）
44b‧‧‧排氣路徑（第2排氣路徑）
44c‧‧‧排氣路徑（第3排氣路徑）
45a～45c‧‧‧出口
46a‧‧‧噴出噴嘴（第1噴出噴嘴）
46b‧‧‧噴出噴嘴（第2噴出噴嘴）
46c‧‧‧噴出噴嘴（第3噴出噴嘴）
47a‧‧‧循環部（第1循環部）
47b‧‧‧循環部（第2循環部）
47c‧‧‧循環部（第3循環部）
48a～48c‧‧‧連接配管
49a～49c、4311‧‧‧供給配管
50a～50c‧‧‧循環泵
51a‧‧‧酸性液供給配管
51b‧‧‧鹼性液供給配管
51c‧‧‧有機物去除部
52a、52b‧‧‧供給閥
53a、53b‧‧‧pH測定部
53c‧‧‧有機物濃度測定部
390、392‧‧‧側壁部
420b、420c、430、431‧‧‧流入口
422a～422c、432‧‧‧排液口
481a～481c‧‧‧引入泵
510‧‧‧活性炭過濾器
4312、4322‧‧‧閥
4321‧‧‧排液配管
A1‧‧‧旋轉軸線
S1～S6‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
圖1是表示實施形態的基板處理裝置1的示意圖。
圖2是圖解性地表示實施形態的處理單元2的側視圖。
圖3是表示實施形態的處理單元2所執行的基板W的處理的流程圖。
圖4是圖解性地表示實施形態的氣體淨化裝置3的內部的側視圖。

Claims (12)

  1. 一種氣體淨化裝置，對氣體進行淨化，所述氣體淨化裝置包括： 第1淨化槽，形成淨化對象的氣體所通過的第1排氣路徑； 壓送部，使所述第1排氣路徑內的所述氣體朝向出口移動； 第1噴出噴嘴，噴出對所述第1排氣路徑內的所述氣體進行淨化的淨化液； 第1循環部，與設置在所述第1淨化槽上的第1排液口連接，形成使通過所述第1排液口的所述淨化液返回至所述第1噴出噴嘴的第1循環流路；以及 第1去除部，與所述第1循環部連接，去除通過所述第1循環流路的所述淨化液中的特定成分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氣體淨化裝置，其中 所述第1去除部藉由將來自酸性液源的酸性液供給至所述第1循環路內，而去除所述淨化液中的鹼。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的氣體淨化裝置，其中進而包括： pH測定部，設置在所述第1循環部，測定通過所述第1循環流路的所述淨化液的pH值；且 所述第1去除部包括對所述酸性液的供給量進行調節的酸性液供給量調整部。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的氣體淨化裝置，其中進而包括： 第2淨化槽，形成與所述第1淨化槽的所述第1排氣路徑的出口連接的第2排氣路徑； 第2噴出噴嘴，在所述第2排氣路徑內噴出所述淨化液； 第2循環部，與設置在所述第2淨化槽上的第2排液口連接，形成使通過所述第2排液口的所述淨化液返回至所述第2噴出噴嘴的第2循環流路；以及 第2去除部，與所述第2循環部連接，去除通過所述第2循環流路的所述淨化液中的特定成分。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的氣體淨化裝置，其中 所述第2去除部藉由將來自鹼性液供給源的鹼性液供給至所述第2循環流路內，而去除所述淨化液中的酸。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的氣體淨化裝置，其中進而包括： pH測定部，設置在所述第2循環部，測定通過所述第2循環流路的所述淨化液的pH值；且 所述第2去除部包括對所述鹼性液的供給量進行調整的鹼性液供給量調整部。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的氣體淨化裝置，其中進而包括： 第3淨化槽，形成與所述第2淨化槽的所述第2排氣路徑的出口連接的第3排氣路徑； 第3噴出噴嘴，在所述第3排氣路徑內噴出所述淨化液； 第3循環部，與設置在所述第3淨化槽上的第3排液口連接，形成使通過所述第3排液口的所述淨化液返回至所述第3噴出噴嘴的第3循環流路；以及 第2去除部，與所述第3循環部連接，去除通過所述第3循環流路的所述淨化液中的特定成分。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的氣體淨化裝置，其中 所述第3去除部具有與所述淨化液接觸的活性炭。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的氣體淨化裝置，其中進而包括： 有機物濃度測定部，與所述第3循環部連接，測定通過所述第3循環流路的所述淨化液中的有機物濃度。
  10. 如申請專利範圍第7項至第9項中任一項所述的氣體淨化裝置，其中 所述第3循環部進而包括： 存積槽，與所述第3循環流路連接，存積所述淨化液；以及 排液部，排出所述存積槽中所存積的所述淨化液。
  11. 一種氣體淨化方法，對氣體進行淨化，所述氣體淨化方法包括： （a）移動步驟，使淨化對象的氣體，朝向第1淨化槽所形成的第1排氣路徑內的出口移動； （b）噴出步驟，在所述第1排氣路徑內自第1噴出噴嘴噴出對所述氣體進行淨化的淨化液； （c）循環步驟，使噴出至所述第1排氣路徑內的所述淨化液，通過第1循環流路返回至所述第1噴出噴嘴；以及 （d）去除步驟，去除通過所述第1循環路徑的所述淨化液中的特定成分。
  12. 一種基板處理裝置，對基板進行處理，所述基板處理裝置包括： 處理單元，利用處理液對基板進行處理； 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的氣體淨化裝置；以及 導管部，將所述處理單元與所述氣體淨化裝置加以連接。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI824754B (zh) * 2022-10-04 2023-12-01 奇鼎科技股份有限公司 去除氨氣及有機物之洗滌裝置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111388898A (zh) * 2020-04-26 2020-07-10 屠西理 一种空气净化装置及面罩

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51111471A (en) * 1975-03-24 1976-10-01 Fmc Corp Method and apparatus for purifying nitrogen dioxide
US5720926A (en) * 1995-11-01 1998-02-24 Environair S.I.P.A. Inc. Apparatus for removing a contaminant from a gas
EP1029581A4 (en) * 1997-11-10 2001-09-05 Ebara Corp METHOD FOR PREVENTING SCALING IN A WET WASTE GAS TREATMENT PLANT
JPH11156139A (ja) * 1997-11-21 1999-06-15 Toshiba Corp 外気処理装置及び外気清浄化システム
JP2002126446A (ja) * 2000-10-27 2002-05-08 Fuji Photo Film Co Ltd 気液接触装置及び気液接触方法
JP2002301332A (ja) * 2001-04-05 2002-10-15 Nomura Micro Sci Co Ltd 無機酸を含む気体の処理方法、処理装置、処理システム、及び、洗浄処理装置
JP5297221B2 (ja) * 2009-02-16 2013-09-25 株式会社テクノ菱和 水溶性有機化合物の除去システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI824754B (zh) * 2022-10-04 2023-12-01 奇鼎科技股份有限公司 去除氨氣及有機物之洗滌裝置

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