JP2511363B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JP2511363B2 JP2511363B2 JP4200154A JP20015492A JP2511363B2 JP 2511363 B2 JP2511363 B2 JP 2511363B2 JP 4200154 A JP4200154 A JP 4200154A JP 20015492 A JP20015492 A JP 20015492A JP 2511363 B2 JP2511363 B2 JP 2511363B2
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- Japan
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- gas
- vacuum
- dry
- exhaust gas
- vacuum processing
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に係り、
特に、ドライエッチング、ＣＶＤ（化学蒸着）、イオン
注入などの工程に代表される半導体や液晶など精密電子
部品の製造装置（以下、真空製造装置という）の排気処
理を含めた真空処理装置に関する。
特に、ドライエッチング、ＣＶＤ（化学蒸着）、イオン
注入などの工程に代表される半導体や液晶など精密電子
部品の製造装置（以下、真空製造装置という）の排気処
理を含めた真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスの排気系には、ウエ
ハープロセスに供給された未反応ガスや、プロセスであ
らたに生成した数多くのガス成分が含有されている。こ
れらの中には酸素との親和力がきわめて強くて酸素が共
存すると自然発火的に燃焼するガス（ＳｉＨ4 など）や
水分と反応して腐食性のはげしいハロゲン化水素を発生
するガス（ＳｉＦ4 ，Ｃｌ2 など）が含まれている。こ
のため、排気系に大気が混入すると、大気中の酸素や水
分により発火・爆発、構成材料の腐食を引き起す。
ハープロセスに供給された未反応ガスや、プロセスであ
らたに生成した数多くのガス成分が含有されている。こ
れらの中には酸素との親和力がきわめて強くて酸素が共
存すると自然発火的に燃焼するガス（ＳｉＨ4 など）や
水分と反応して腐食性のはげしいハロゲン化水素を発生
するガス（ＳｉＦ4 ，Ｃｌ2 など）が含まれている。こ
のため、排気系に大気が混入すると、大気中の酸素や水
分により発火・爆発、構成材料の腐食を引き起す。
【０００３】これ迄、これらのガスを取扱う工程では、
定期点検保修時や停電時に装置が停止したときに細心の
注意を払って系内のガスをＮ2 などの不活性ガスで置換
している。また、万一の事態が発生しないように装置及
び配管・弁の材料に耐久性にすぐれ信頼性の高いものを
採用したり、排ガスを多量の不活性ガスで常時希釈して
排気するなどの方法がとられている。又、真空ポンプ乾
式除害装置をボックス内に収納し、工場内の排気ダクト
に接続して換気することもある。
定期点検保修時や停電時に装置が停止したときに細心の
注意を払って系内のガスをＮ2 などの不活性ガスで置換
している。また、万一の事態が発生しないように装置及
び配管・弁の材料に耐久性にすぐれ信頼性の高いものを
採用したり、排ガスを多量の不活性ガスで常時希釈して
排気するなどの方法がとられている。又、真空ポンプ乾
式除害装置をボックス内に収納し、工場内の排気ダクト
に接続して換気することもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の対処では、危険
が予知できる停電時、定期点検保修時には有効である
が、日常の操作中における異常事態の予知あるいは早期
発見は困難であり、特にこれらの有害ガスを長期間にわ
たって処理したことにより、発火・爆発を誘起する恐れ
のある乾式除害装置の除害カラムに対しては万全の対応
ではなかった。本発明は、上記の日常運転時の事故を予
知して、未然に防止することのできる真空処理装置を提
供することを課題とする。
が予知できる停電時、定期点検保修時には有効である
が、日常の操作中における異常事態の予知あるいは早期
発見は困難であり、特にこれらの有害ガスを長期間にわ
たって処理したことにより、発火・爆発を誘起する恐れ
のある乾式除害装置の除害カラムに対しては万全の対応
ではなかった。本発明は、上記の日常運転時の事故を予
知して、未然に防止することのできる真空処理装置を提
供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、真空製造装置と該装置に連通して設け
た真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処
理する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管及び／又は出口配管に大気混
入センサを配備すると共に、該大気混入センサの出力信
号により作動する真空製造装置へのプロセスガス供給停
止機構、吸引ガスへの希釈用Ｎ ２ ガス流入機構及び排気
ガスの乾式除害装置バイパス弁開放機構を備えることと
したものである。
に、本発明では、真空製造装置と該装置に連通して設け
た真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処
理する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前
記乾式除害装置の入口配管及び／又は出口配管に大気混
入センサを配備すると共に、該大気混入センサの出力信
号により作動する真空製造装置へのプロセスガス供給停
止機構、吸引ガスへの希釈用Ｎ ２ ガス流入機構及び排気
ガスの乾式除害装置バイパス弁開放機構を備えることと
したものである。
【０００６】前記大気混入センサとしては、酸素濃度計
及び／又は水分計を用いるのがよい。 また、前記真空処
理装置によれば、大気混入センサにより異常を検知した
際に直に対応することができる。
及び／又は水分計を用いるのがよい。 また、前記真空処
理装置によれば、大気混入センサにより異常を検知した
際に直に対応することができる。
【０００７】
【作用】正常な運転がなされている限りにおいては、プ
ロセスガス流量や半導体製造装置の操作条件は非常に厳
密にコントロールされているので、真空ポンプで排気さ
れるガスの組成や各成分の濃度、ガス流量の変動は非常
に少い。例えば、ポリシリコンの成膜工程から排出され
る排ガスの一例を以下に示す。 ＳｉＨ４ ３８０ｐｐｍ Ｈ２ ３２００ｐｐｍ これは、希釈窒素が８０リットル／ｍｉｎの場合である
が、それが低下すると爆発範囲に入るし、その際に空気
の混入があって酸素濃度があがれば自然発火も起こり得
る。
ロセスガス流量や半導体製造装置の操作条件は非常に厳
密にコントロールされているので、真空ポンプで排気さ
れるガスの組成や各成分の濃度、ガス流量の変動は非常
に少い。例えば、ポリシリコンの成膜工程から排出され
る排ガスの一例を以下に示す。 ＳｉＨ４ ３８０ｐｐｍ Ｈ２ ３２００ｐｐｍ これは、希釈窒素が８０リットル／ｍｉｎの場合である
が、それが低下すると爆発範囲に入るし、その際に空気
の混入があって酸素濃度があがれば自然発火も起こり得
る。
【０００８】また、アルミエッチングで多用されるＢＣ
ｌ3 のような加水分解性ガスを処理した乾式除害装置で
は、その除害原理によらずガス流入部にそれらのガスが
滞留しており、大気が混入するとその水分と反応して発
熱するだけでなくＢ（ＯＨ）3 のような固形物を生成し
閉塞の原因となると同時に発生するＨＣｌにより接ガス
部が激しく腐食し配管にピンホールをあけ有毒ガスの漏
えいにつながる。このように酸素分圧や水分の変化をセ
ンサで検知して、通常希釈用Ｎ2 ガス量の低下、大気の
混入などの異常事態を予知することは大災害を未然に防
止する上できわめて有効な手段である。
ｌ3 のような加水分解性ガスを処理した乾式除害装置で
は、その除害原理によらずガス流入部にそれらのガスが
滞留しており、大気が混入するとその水分と反応して発
熱するだけでなくＢ（ＯＨ）3 のような固形物を生成し
閉塞の原因となると同時に発生するＨＣｌにより接ガス
部が激しく腐食し配管にピンホールをあけ有毒ガスの漏
えいにつながる。このように酸素分圧や水分の変化をセ
ンサで検知して、通常希釈用Ｎ2 ガス量の低下、大気の
混入などの異常事態を予知することは大災害を未然に防
止する上できわめて有効な手段である。
【０００９】酸素分圧が上昇しうるケースとしては 半導体製造装置の操作ミス又は故障による大気混入 半導体製造装置の操作ミス又は故障による通常希釈
用Ｎ2 の低下 半導体製造装置〜乾式除害装置の配管（真空ポンプ
本体を含む）の不具合、例えば配管が腐食されることに
より、腐食孔（ピンホール）からの大気混入 などの原因があげられる。本発明によれば、このような
大気の混入を迅速に検知でき、万一混入するとセンサか
らの異常信号の出力によって、プロセスガスの供給停
止、希釈用Ｎ2 ガスの流入、乾式除害装置バイパス弁開
放等により直ちに対応でき、発火・爆発等の事故を予防
できる。
用Ｎ2 の低下 半導体製造装置〜乾式除害装置の配管（真空ポンプ
本体を含む）の不具合、例えば配管が腐食されることに
より、腐食孔（ピンホール）からの大気混入 などの原因があげられる。本発明によれば、このような
大気の混入を迅速に検知でき、万一混入するとセンサか
らの異常信号の出力によって、プロセスガスの供給停
止、希釈用Ｎ2 ガスの流入、乾式除害装置バイパス弁開
放等により直ちに対応でき、発火・爆発等の事故を予防
できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面を用いて具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ 図１は、本発明の真空処理装置の概略を示す系統図であ
る。図において、半導体製造装置１は真空ポンプ２によ
って真空が保持され、プロセスガスが１６から流入され
ている。真空ポンプ２では排気ガスが６から吸引され、
通常希釈ライン１５からのＮ2 ガスによって希釈され
て、排気ガスライン７から排出される。そして、排気ガ
スライン７からの排気ガスは、乾式除害装置３に流入し
て、除害剤が充填されたカラム４内で有害ガスを除去し
て排気ガスライン８から排気ダクトに排出される。乾式
除害装置３内には、充填カラム４をバイパスするバイパ
ス弁５を有するバイパス通路を設けて、排気ガスライン
７からの排気ガスを直接排気ガスライン８に排出させる
ことができるようにしてもよい。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例１ 図１は、本発明の真空処理装置の概略を示す系統図であ
る。図において、半導体製造装置１は真空ポンプ２によ
って真空が保持され、プロセスガスが１６から流入され
ている。真空ポンプ２では排気ガスが６から吸引され、
通常希釈ライン１５からのＮ2 ガスによって希釈され
て、排気ガスライン７から排出される。そして、排気ガ
スライン７からの排気ガスは、乾式除害装置３に流入し
て、除害剤が充填されたカラム４内で有害ガスを除去し
て排気ガスライン８から排気ダクトに排出される。乾式
除害装置３内には、充填カラム４をバイパスするバイパ
ス弁５を有するバイパス通路を設けて、排気ガスライン
７からの排気ガスを直接排気ガスライン８に排出させる
ことができるようにしてもよい。
【００１１】上記のような半導体製造装置を含む真空処
理装置において、本発明では、真空ポンプ２からの排気
ガスライン７に排気ガス分岐配管１３を取り付けてその
配管１３に水分計又は酸素濃度計１２が接続されてい
る。そして、この水分計又は酸素濃度計１２の信号を半
導体製造装置１内に設けたコントロールボックス１４に
送り、送られた信号が異常を示した場合は、コントロー
ルボックス１４からの指令により、プロセスガス流入ラ
イン１６に設けた自動弁を閉止し、Ｎ2 ガス希釈ライン
１５に設けた自動弁１７及び１８を開とし、また、排気
ガス乾式除害装置３をバイパスする通路に設けたバイパ
ス弁５を開放することのできる機構としている。
理装置において、本発明では、真空ポンプ２からの排気
ガスライン７に排気ガス分岐配管１３を取り付けてその
配管１３に水分計又は酸素濃度計１２が接続されてい
る。そして、この水分計又は酸素濃度計１２の信号を半
導体製造装置１内に設けたコントロールボックス１４に
送り、送られた信号が異常を示した場合は、コントロー
ルボックス１４からの指令により、プロセスガス流入ラ
イン１６に設けた自動弁を閉止し、Ｎ2 ガス希釈ライン
１５に設けた自動弁１７及び１８を開とし、また、排気
ガス乾式除害装置３をバイパスする通路に設けたバイパ
ス弁５を開放することのできる機構としている。
【００１２】なお、上記図１において、９は真空ポンプ
ボックスの換気ダクトであり、１０は除害装置ボックス
の換気ダクトであり、１１は集合主ダクトである。ま
た、大気混入センサは入口配管でなく、出口配管あるい
は入口と出口配管の両方に設けてもよい。
ボックスの換気ダクトであり、１０は除害装置ボックス
の換気ダクトであり、１１は集合主ダクトである。ま
た、大気混入センサは入口配管でなく、出口配管あるい
は入口と出口配管の両方に設けてもよい。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、排気系の大気の混入又
は希釈用Ｎ2 ガスの設定異常を酸素濃度計又は水分計で
早期に検知することによって、発火・爆発などの危険を
未然に防止することができ、より安全な運転が確保され
る。
は希釈用Ｎ2 ガスの設定異常を酸素濃度計又は水分計で
早期に検知することによって、発火・爆発などの危険を
未然に防止することができ、より安全な運転が確保され
る。
【図１】本発明の真空処理装置の概略を示す系統図。
１：半導体製造装置 ２：真空ポンプ ３：乾式除害装置 ４：除害剤充填カラム ５：バイパス弁 ６、７、８：排ガス排気ライン ９：真空ポンプ収納ボックスの換気ダクト １０：乾式除害装置収納ボックスの換気ダクト １１：集合主ダクト １２：大気混入センサ １３：大気混入センサへの排ガス分岐配管 １４：コントロールボックス １５：Ｎ2 ガス希釈ライン １６：プロセスガス流入ライン １７、１８：自動弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福永 明 神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号 株式会社荏原総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−141321（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−40492（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−5639（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】 真空製造装置と該装置に連通して設けた
真空ポンプと該真空ポンプで吸引される排気ガスを処理
する乾式除害装置からなる真空処理装置において、前記
乾式除害装置の入口配管及び／又は出口配管に大気混入
センサを配備すると共に、該大気混入センサの出力信号
により作動する真空製造装置へのプロセスガス供給停止
機構、吸引ガスへの希釈用Ｎ ２ ガス流入機構及び排気ガ
スの乾式除害装置バイパス弁開放機構を備えていること
を特徴とする真空処理装置。 - 【請求項２】 前記大気混入センサは酸素濃度計及び／
又は水分計であることを特徴とする請求項１記載の真空
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200154A JP2511363B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4200154A JP2511363B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0647269A JPH0647269A (ja) | 1994-02-22 |
| JP2511363B2 true JP2511363B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=16419691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4200154A Expired - Fee Related JP2511363B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511363B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4074079B2 (ja) * | 2001-11-01 | 2008-04-09 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP4501799B2 (ja) * | 2005-07-08 | 2010-07-14 | 住友電気工業株式会社 | 排ガス処理装置 |
| JP5748523B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-07-15 | エドワーズ株式会社 | 除害装置 |
| GB2513300B (en) * | 2013-04-04 | 2017-10-11 | Edwards Ltd | Vacuum pumping and abatement system |
| JP6472653B2 (ja) | 2014-03-17 | 2019-02-20 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
| JP6441660B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-12-19 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
| JP6860494B2 (ja) | 2015-10-29 | 2021-04-14 | 日精エー・エス・ビー機械株式会社 | 金型ユニット、ブロー成形装置、およびブロー成形方法 |
| JP6952022B2 (ja) | 2016-02-19 | 2021-10-20 | 日精エー・エス・ビー機械株式会社 | ブロー成形装置およびブロー成形方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08980Y2 (ja) * | 1987-06-25 | 1996-01-17 | 日電アネルバ株式会社 | 有害・有毒ガス配管装置 |
| JPH0697142B2 (ja) * | 1988-07-30 | 1994-11-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱間静水圧加圧装置のインターロック装置 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4200154A patent/JP2511363B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0647269A (ja) | 1994-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |