CN104103483B - 一种进气装置及等离子体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种进气装置及等离子体加工设备，包括装置本体，在装置本体内形成有第一通道、第二通道和单向通道，其中第一通道分别与清洗气体源和反应腔室的内部连通，用以将由清洗气体输送至反应腔室内；第二通道的进气端与工艺气体源连通，第二通道的出气端经由单向通道与第一通道连通，第二通道用于将工艺气体输送至第一通道内，并经由第一通道流入反应腔室内；并且单向通道被设置为仅能够自第二通道朝向第一通道的单一方向输送工艺气体。本发明提供的进气装置可以防止清洗气体流入用于传输工艺气体的通道，从而可以减少甚至避免发生工艺气体因与清洗气体相互混合而被污染的问题，进而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。

Description

一种进气装置及等离子体加工设备

技术领域

本发明属于半导体设备制造领域，具体涉及一种进气装置及等离子体加工设备。

背景技术

在采用等离子体加工设备进行刻蚀、溅射和沉积等加工工艺的过程中，往往会在其反应腔室中生成刻蚀副产物等的污染颗粒，并沉积在腔室内壁和零部件表面上，这些污染颗粒随着工艺时间的增加累积至一定厚度之后，不仅会污染被加工工件，而且还会改变工艺环境，导致对工艺结果产生不良影响，为此，就需要在经过预定的工艺时间之后对反应腔室进行清洗工艺，以去除沉积在腔室内壁和零部件表面上的污染颗粒。

而且，由于清洗工艺往往是与加工工艺交替进行，即，在每完成预定循环次数的加工工艺之后进行一次清洗工艺，而进行加工工艺所需的工艺气体与进行清洗工艺所需的清洗气体的种类往往不同，因此，就需要一种进气装置，其能够在进行加工工艺时单独将工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将清洗气体输送至反应腔室内。

图1为现有的一种进气装置的剖视图，如图1所示，该进气装置包括装置本体1，在装置本体1内形成有水平通道2和垂直通道3。其中，垂直通道3与反应腔室的内部连通，在进行清洗工艺的过程中，清洗气体经由垂直通道3流入反应腔室的内部；水平通道2与垂直通道3连通，在进行加工工艺的过程中，工艺气体经由水平通道2和垂直通道3流入反应腔室的内部。

上述进气装置在实际应用中不可避免地存在以下问题，即：由于水平通道2直接和垂直通道3连通，这使得在进行清洗工艺的过程中，流经垂直通道3的一部分清洗气体会流入水平通道2内，从而在进行后续的加工工艺，并向水平通道2内通入工艺气体时，流经水平通道2的工艺气体会被残留的清洗气体污染，进而给工艺结果带来不良影响。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种进气装置及等离子体加工设备，其可以防止清洗气体流入用于传输工艺气体的通道，从而可以减少甚至避免发生工艺气体因与清洗气体相互混合而被污染的问题，进而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。

本发明提供了一种进气装置，其用于在进行加工工艺时单独将由工艺气体源提供的工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内，包括装置本体，在所述装置本体内形成有第一通道、第二通道和单向通道，其中所述第一通道分别与所述清洗气体源和所述反应腔室的内部连通，用以将由所述清洗气体源提供的清洗气体输送至所述反应腔室内；所述第二通道的进气端与所述工艺气体源连通，所述第二通道的出气端经由所述单向通道与所述第一通道连通，所述第二通道用于将所述工艺气体输送至所述第一通道内，并经由所述第一通道流入所述反应腔室内；并且所述单向通道被设置为仅能够自所述第二通道朝向所述第一通道的单一方向输送所述工艺气体。

其中，所述单向通道的进气端高于所述单向通道的出气端。

其中，所述单向通道由至少两段子通道串接形成，并且所述至少两段子通道在所述单向通道的轴向截面上组成的形状包括折线、曲线或折线与曲线串接的形状。

其中，最靠近所述第二通道的所述子通道的内径自所述单向通道的进气端朝向出气端的方向逐渐减小。

其中，所述装置本体包括上本体和下本体，所述上本体的下表面与所述下本体的上表面相互叠置，且在所述上本体的下表面上形成有凸部，并对应地在所述下本体的上表面上形成有凹部，所述凸部和凹部彼此嵌套，且所述凸部的端面与所述凹部的底面相接触，其中所述第一通道为设置在所述上本体的上表面上，且依次贯穿所述凸部和凹部的厚度的第一通孔；所述第二通道为设置在所述凹部的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；所述单向通道设置在所述凸部中，并且所述单向通道的输出端与所述第一通孔连通；所述单向通道的进气端与所述第二通孔连通。

其中，所述装置本体包括上本体和下本体，所述上本体的下表面与所述下本体的上表面相互叠置，且在所述上本体的下表面上形成有凹部，并对应地在所述下本体的上表面上形成有凸部，所述凸部和凹部彼此嵌套，且所述凸部的端面与所述凹部的底面相接触，其中所述第一通道为设置在所述上本体的上表面上，且依次贯穿所述凹部和凸部的厚度的第一通孔；所述第二通道为设置在所述凹部的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；所述单向通道设置在所述凸部中，并且所述单向通道的输出端与所述第一通孔连通；所述单向通道的进气端与所述第二通孔连通。

其中，所述凹部的内周壁与所述凸部的外周壁具有预定间距，以在二者之间形成环形空间。

其中，所述单向通道的数量为多个，且多个所述单向通道被划分为沿所述第一通孔的轴向间隔设置的至少一层单向通道组，并且每层所述单向通道组中的多个所述单向通道沿所述凸部的外周壁间隔设置。

其中，所述第二通孔的数量为一个或多个，且多个所述第二通孔沿所述凹部的内周壁间隔设置；并且所述工艺气体源的数量与所述第二通孔的数量相对应，且一一对应地与所述第二通孔连通。

其中，所述凹部的内周壁与所述凸部的外周壁相接触。

其中，所述第二通孔的数量为多个，且多个所述第二通孔沿所述凹部的内周壁间隔设置；并且所述单向通道的数量与所述第二通孔的数量相对应，且多个所述单向通道沿所述凸部的外周壁间隔设置，并且所述单向通道的进气端与所述第二通孔一一对应地连通。

其中，在所述上本体的下表面与所述下本体的上表面之间设置有密封件，用以密封二者之间的间隙；并且在所述凸部的端面与所述凹部的底面之间设置有密封件，用以密封二者之间的间隙。

本发明还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室和进气装置，在所述反应腔室的顶部设置有进气口；所述进气装置用于在进行加工工艺时单独将由工艺气体源提供的工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内，所述进气装置采用了本发明提供的进气装置。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的进气装置，其在装置本体内形成有第一通道、第二通道和单向通道，第一通道分别与清洗气体源和反应腔室的内部连通，用以将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内；第二通道的进气端与工艺气体源连通，第二通道的出气端经由单向通道与第一通道连通，第二通道用于将工艺气体输送至第一通道内，并经由第一通道流入反应腔室内；单向通道被设置为仅能够自第二通道朝向第一通道的单一方向输送工艺气体。由于第二通道是借助单向通道与第一通道连通，且该单向通道仅能够自第二通道朝向第一通道的单一方向输送工艺气体，这使得经由第一通道向反应腔室的内部流动的清洗气体不会经由单向通道流入第二通道内，从而可以减少甚至避免发生工艺气体因与清洗气体相互混合而被污染的问题，进而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。

作为一个优选的技术方案，本发明提供的进气装置通过设置多个单向通道以及位置和数量与之一一对应的第二通道，可以使多个工艺气体源一一对应地与第二通道连通，从而可以在进行加工工艺的过程中同时或分别输送不同种类的工艺气体，而无需拆卸和更换工艺气体源，进而可以提高工艺效率。而且，由于不同种类的工艺气体由相应的第二通道单独输送至第一通孔之后才进行混合，这可以减少甚至避免不同种类的工艺气体在进入反应腔室之前发生反应，从而不仅可以减少工艺气体的损耗，而且还有利于提高工艺质量。

本发明提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明提供的上述进气装置，不仅可以减少甚至避免发生工艺气体因与清洗气体相互混合而被污染的问题，从而可以提高等离子体加工设备的工艺质量；而且，还可以减少甚至避免不同种类的工艺气体在进入反应腔室之前发生反应，从而不仅可以减少工艺气体的损耗，而且还有利于提高工艺质量。

附图说明

图1为现有的一种进气装置的剖视图；

图2A为本发明第一实施例提供的进气装置的剖视图；

图2B为图2A中进气装置的四种结构的单向通道的剖视图；

图3A为本发明第二实施例提供的进气装置的立体图；

图3B为本发明第二实施例提供的进气装置的剖视图；

图3C为图3B中进气装置的上本体的立体图；

图3D为图3B中进气装置的下本体的立体图；

图4为图3A中进气装置的四种结构的单向通道的剖视图；

图5A为本发明第三实施例提供的进气装置的立体图；

图5B为本发明第三实施例提供的进气装置的剖视图；

图5C为图5B中进气装置的上本体的立体图；

图5D为图5B中进气装置的下本体的立体图；以及

图6为本发明第四实施例提供的进气装置的剖视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的进气装置及等离子体加工设备进行详细地描述。

图2A为本发明第一实施例提供的进气装置的剖视图。请参阅图2A，进气装置用于在进行加工工艺时单独将由工艺气体源提供的工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内，进气装置包括装置本体20，在装置本体20内形成有第一通道21、第二通道22和单向通道23。其中，第一通道21分别与清洗气体源和反应腔室的内部（二者在图中均未示出）连通，用以在进行清洗工艺时单独将清洗气体输送至反应腔室内；第二通道22的进气端与工艺气体源（图中均未示出）连通，第二通道22的出气端经由单向通道23与第一通道21连通，第二通道22用于在进行加工工艺时单独将工艺气体输送至第一通道21内，并经由第一通道21流入反应腔室内。

而且，单向通道23被设置为仅能够自第二通道22朝向第一通道21的单一方向输送工艺气体。单向通道23可以采用多种结构来实现上述功能，下面结合图2A和图2B对不同结构的单向通道23进行详细地描述。具体地，第一种结构的单向通道23如图2A所示，单向通道23的进气端高于出气端，并且单向通道23的内径由进气端自出气端逐渐减小；第二种结构的单向通道23如图2B中a图所示，单向通道23的内径小于第二通道22的内径；第三种结构的单向通道23如图2B中b图所示，单向通道23在其轴向截面上的形状为类似倒置的抛物线的曲线形状；第四种结构的单向通道23如图2B中c图所示，单向通道23由两段子通道串接形成，且该两段子通道在其轴向截面上的形状为折线，并且第一段子通道的进气端高于第二段子通道的出气端；第五种结构的单向通道23如图2B中d图所示，单向通道23由两段子通道串接形成，且该两段子通道在其轴向截面上的形状为折线，并且第一段子通道的进气端与第二段子通道的出气端大致平齐。

综上所述，通过使单向通道23的进气端高于出气端、使单向通道23的内径小于第二通道22的内径、单向通道23的内径由进气端自出气端逐渐减小，和/或将单向通道23分割为相互串接的至少两段子通道，并且至少两段子通道在其轴向截面上组成的形状可以包括折线、曲线或折线与曲线串接的形状，均可以实现使单向通道23仅能够自第二通道22朝向第一通道21的单一方向输送工艺气体，从而可以使经由第一通道21向反应腔室的内部流动的清洗气体不会经由单向通道23流入第二通道22内，进而可以减少甚至避免发生工艺气体因与清洗气体相互混合而被污染的问题，从而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。

图3A为本发明第二实施例提供的进气装置的立体图。图3B为本发明第二实施例提供的进气装置的剖视图。图3C为图3B中进气装置的上本体的立体图。图3D为图3B中进气装置的下本体的立体图。请一并参阅图3A、图3B、图3C和图3D，在本实施例中，进气装置同样包括装置本体20，且在装置本体20内形成有第一通道21、第二通道22和单向通道23。并且，装置本体20还包括上本体10和下本体11，并且，上本体10的下表面与下本体11的上表面相互叠置，且在上本体10的下表面上形成有凸部101，并对应地在下本体11的上表面上形成有凹部111，凸部101和凹部111彼此嵌套，且凸部101的端面与凹部111的底面相接触。优选地，在上本体10的下表面与下本体11的上表面之间设置有密封件（图中未示出），用以密封二者之间的间隙；并且，在凸部101的端面与凹部111的底面之间设置有密封件，用以密封二者之间的间隙。

在本实施例中，凹部111的内周壁与凸部101的外周壁之间具有预定间距，以在二者之间形成环形空间102。而且，第一通道21为设置在上本体10的上表面上，且依次贯穿凸部101和凹部111的厚度的第一通孔；第二通道22为设置在凹部111的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；单向通道23设置在凸部101中，并且单向通道23的输出端与第一通孔连通，单向通道23的进气端经由环形空间102与第二通孔连通。在进行清洗工艺的过程中，清洗气体可以经由第一通孔进入反应腔室内；在进行加工工艺的过程中，工艺气体可以经由第二通孔、环形空间102、单向通道23和第一通孔进入反应腔室内。

而且，单向通道23的具体结构与上述第一实施例中的单向通道23的结构相类似，同样可以通过使单向通道23的进气端高于出气端、使单向通道23的内径小于第二通道22的内径、单向通道23的内径由进气端自出气端逐渐减小，和/或将单向通道23分割为相互串接的至少两段子通道，并且至少两段子通道在其轴向截面上组成的形状可以包括折线、曲线或折线与曲线串接的形状，均可以实现使单向通道23仅能够自第二通道22朝向第一通道21的单一方向输送工艺气体，从而可以使经由第一通道21向反应腔室的内部流动的清洗气体不会经由单向通道23流入第二通道22内，进而可以减少甚至避免发生工艺气体因与清洗气体相互混合而被污染的问题，从而可以提高等离子体加工设备的工艺质量。例如，单向通道23可以采用如图4所示的四种结构，当然，在实际应用中，单向通道23的结构并不局限于此，只要其能够自第二通道22朝向第一通道21的单一方向输送工艺气体即可。

在本实施例中，单向通道23的数量为多个，且沿凸部101的外周壁间隔设置。但是，本发明并不局限于此，在实际应用中，还可以将多个单向通道23划分为沿第一通孔的轴向间隔设置的至少一层单向通道组，每层单向通道组中的多个单向通道23沿凸部101的外周壁间隔设置。而且，第二通孔的数量可以为一个或多个，且多个第二通孔沿凹部111的内周壁间隔设置；并且工艺气体源的数量与第二通孔的数量相对应，且一一对应地与第二通孔连通。当设置多个第二通孔时，可以使多个不同种类的工艺气体源一一对应地与第二通孔连通，从而可以在进行工艺加工的过程中同时或分别输送不同种类的工艺气体，而无需拆卸和更换工艺气体源，进而可以提高工艺效率。而且，由于不同种类的工艺气体由相应的第二通孔单独输送至第一通孔之后才进行混合，这可以减少甚至避免不同种类的工艺气体在进入反应腔室之前发生反应，从而不仅可以减少工艺气体的损耗，而且还有利于提高工艺质量。容易理解，借助环形空间102，可以自由设定单向通道23设置在凸部101上的数量、位置以及分布方式，而不必与第二通孔对应设置。

需要说明的是，在实际应用中，清洗气体源可以采用下述方式与上本体10固定连接。具体地，如图3A所示，在上本体10的上表面上设置有第一连接件24，清洗气体源借助第一连接件24与上本体10固定连接，并且在第一连接件24内形成有第一进气口241，第一进气口241的进气端与清洗气体源连通，出气端与第一通孔的进气端连通，第一通孔的出气端与反应腔室的内部连通。在进行清洗工艺的过程中，清洗气体依次经由第一进气口241和第一通孔流入反应腔室内。此外，工艺气体源可以采用下述方式与下本体11固定连接。具体地，如图3D所示，在凹部111的外周壁上形成有固定凹槽113，且第二通孔位于固定凹槽113内；工艺气体源可以在固定凹槽113中采用螺纹连接的方式与下本体11固定连接，同时工艺气体源的输出端与第二通孔的进气端连通。此外，为了便于固定凹槽113的加工，可以在加工固定凹槽113之前，沿竖直方向切割一定厚度的凹部111的外周壁，以使在该外周壁上形成一个平行于竖直方向的切割平面112；然后，在该切割平面112上加工固定凹槽113。

图5A为本发明第三实施例提供的进气装置的立体图。图5B为本发明第三实施例提供的进气装置的剖视图。图5C为图5B中进气装置的上本体的立体图。图5D为图5B中进气装置的下本体的立体图。请一并参阅图5A、图5B、图5C和图5D，本实施例与上述第一、第二实施例相比，进气装置同样包括装置本体20，且在装置本体20内形成有第一通道21、第二通道22和单向通道23；并且，装置本体20同样包括上本体10和下本体11，由于第一通道21、第二通道22、单向通道23、上本体10和下本体11的结构和功能在上述第一、第二实施例中已有了详细的描述，在此不再赘述。

下面仅针对本实施例和上述第一和第二实施例的不同点进行描述，具体地，在上本体10的下表面上形成有凹部111’，并对应地在下本体11的上表面上形成有凸部101’，凸部101’和凹部111’彼此嵌套，且凸部101’的端面与凹部111’的底面相接触。而且，第一通道21为设置在上本体10的上表面上，且依次贯穿凹部111’和凸部101’的厚度的第一通孔；第二通道22为设置在凹部111’的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；单向通道23设置在凸部101’中，并且单向通道23的输出端与第一通孔连通；单向通道23的进气端与第二通孔连通。

图6为本发明第四实施例提供的进气装置的剖视图。请参阅图6，本实施例与上述第二实施例相比，进气装置同样包括装置本体20，且在装置本体20内形成有第一通道21、第二通道22和单向通道23；并且，装置本体20同样包括上本体10和下本体11，由于第一通道21、第二通道22、单向通道23、上本体10和下本体11的结构和功能在上述第二实施例中已有了详细的描述，在此不再赘述。

下面仅针对本实施例和上述第二实施例的不同点进行描述，具体地，在本实施例中，凹部111的内周壁与凸部101的外周壁相接触，即，凹部111的内周壁与凸部101的外周壁之间不存在环形空间。在这种情况下，单向通道23的数量应与第二通孔的数量相对应，且单向通道23的进气端与第二通孔一一对应地连通，换言之，第二通孔和单向通道23的数量、位置和排列方式相同。

作为另外一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，其包括反应腔室和进气装置，在反应腔室的顶部设置有进气口，进气装置用于经由进气口分别将由清洗气体源和工艺气体源提供的气体输送至反应腔室内，进气装置采用了上述实施例提供的进气装置。

本发明提供的等离子体加工设备，其通过采用本实施例提供的进气装置，可以减少甚至避免发生工艺气体因与清洗气体相互混合而被污染的问题，从而可以提高工艺质量。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (13)

1.一种进气装置，其用于在进行加工工艺时单独将由工艺气体源提供的工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内，其特征在于，包括装置本体，在所述装置本体内形成有第一通道、第二通道和单向通道，其中

所述第一通道分别与所述清洗气体源和所述反应腔室的内部连通，用以将由所述清洗气体源提供的清洗气体输送至所述反应腔室内；

所述第二通道的进气端与所述工艺气体源连通，所述第二通道的出气端经由所述单向通道与所述第一通道连通，所述第二通道用于将所述工艺气体输送至所述第一通道内，并经由所述第一通道流入所述反应腔室内；并且

所述单向通道被设置为仅能够自所述第二通道朝向所述第一通道的单一方向输送所述工艺气体。

2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述单向通道的进气端高于所述单向通道的出气端。

3.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述单向通道由至少两段子通道串接形成，并且所述至少两段子通道在所述单向通道的轴向截面上组成的形状包括折线、曲线或折线与曲线串接的形状。

4.根据权利要求3所述的进气装置，其特征在于，最靠近所述第二通道的所述子通道的内径自所述单向通道的进气端朝向出气端的方向逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述装置本体包括上本体和下本体，所述上本体的下表面与所述下本体的上表面相互叠置，且在所述上本体的下表面上形成有凸部，并对应地在所述下本体的上表面上形成有凹部，所述凸部和凹部彼此嵌套，且所述凸部的端面与所述凹部的底面相接触，其中

所述第一通道为设置在所述上本体的上表面上，且依次贯穿所述凸部和凹部的厚度的第一通孔；

所述第二通道为设置在所述凹部的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；

所述单向通道设置在所述凸部中，并且所述单向通道的输出端与所述第一通孔连通；所述单向通道的进气端与所述第二通孔连通。

6.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述装置本体包括上本体和下本体，所述上本体的下表面与所述下本体的上表面相互叠置，且在所述上本体的下表面上形成有凹部，并对应地在所述下本体的上表面上形成有凸部，所述凸部和凹部彼此嵌套，且所述凸部的端面与所述凹部的底面相接触，其中

所述第一通道为设置在所述上本体的上表面上，且依次贯穿所述凹部和凸部的厚度的第一通孔；

所述第二通道为设置在所述凹部的内周壁上，且贯穿其厚度的第二通孔；

所述单向通道设置在所述凸部中，并且所述单向通道的输出端与所述第一通孔连通；所述单向通道的进气端与所述第二通孔连通。

7.根据权利要求5或6所述的进气装置，其特征在于，所述凹部的内周壁与所述凸部的外周壁具有预定间距，以在二者之间形成环形空间。

8.根据权利要求7所述的进气装置，其特征在于，所述单向通道的数量为多个，且多个所述单向通道被划分为沿所述第一通孔的轴向间隔设置的至少一层单向通道组，并且

每层所述单向通道组中的多个所述单向通道沿所述凸部的外周壁间隔设置。

9.根据权利要求8所述的进气装置，其特征在于，所述第二通孔的数量为一个或多个，且多个所述第二通孔沿所述凹部的内周壁间隔设置；并且

所述工艺气体源的数量与所述第二通孔的数量相对应，且一一对应地与所述第二通孔连通。

10.根据权利要求5或6所述的进气装置，其特征在于，所述凹部的内周壁与所述凸部的外周壁相接触。

11.根据权利要求10所述的进气装置，其特征在于，所述第二通孔的数量为多个，且多个所述第二通孔沿所述凹部的内周壁间隔设置；并且

所述单向通道的数量与所述第二通孔的数量相对应，且多个所述单向通道沿所述凸部的外周壁间隔设置，并且所述单向通道的进气端与所述第二通孔一一对应地连通。

12.根据权利要求5或6所述的进气装置，其特征在于，在所述上本体的下表面与所述下本体的上表面之间设置有密封件，用以密封二者之间的间隙；并且

在所述凸部的端面与所述凹部的底面之间设置有密封件，用以密封二者之间的间隙。

13.一种等离子体加工设备，包括反应腔室和进气装置，在所述反应腔室的顶部设置有进气口；所述进气装置用于在进行加工工艺时单独将由工艺气体源提供的工艺气体输送至反应腔室内，以及在进行清洗工艺时单独将由清洗气体源提供的清洗气体输送至反应腔室内，其特征在于，所述进气装置采用了权利要求1-12任意一项权利要求所述的进气装置。