JPH01129411A - ウェーハ処理装置 - Google Patents
ウェーハ処理装置Info
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- JPH01129411A JPH01129411A JP28890287A JP28890287A JPH01129411A JP H01129411 A JPH01129411 A JP H01129411A JP 28890287 A JP28890287 A JP 28890287A JP 28890287 A JP28890287 A JP 28890287A JP H01129411 A JPH01129411 A JP H01129411A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 19
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010978 in-process monitoring Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
容器内にウェーハを配置し反応ガスを導入してウェーハ
の表面で反応を起こさせ、且つその際に、ウェーハ表面
に光を照射しその反射光を検知して上記反応のモニタリ
ングが可能なウェーハ処理装置に関し、 モニタリング機能の劣化を防止することを目的とし、 容器内に連通して容器から突出し且つその先端に窓を有
してその窓から上記照射光を入射させる第１の筒と、第
１の筒と同様な構成で上記反射光を出射させる第２の筒
とを具え、第１および第２の筒内に非反応性ガスが導入
されるように構成する。
の表面で反応を起こさせ、且つその際に、ウェーハ表面
に光を照射しその反射光を検知して上記反応のモニタリ
ングが可能なウェーハ処理装置に関し、 モニタリング機能の劣化を防止することを目的とし、 容器内に連通して容器から突出し且つその先端に窓を有
してその窓から上記照射光を入射させる第１の筒と、第
１の筒と同様な構成で上記反射光を出射させる第２の筒
とを具え、第１および第２の筒内に非反応性ガスが導入
されるように構成する。
本発明は、容器内にウェーハを配置し反応ガスを導入し
てウェーハの表面で反応を起こさせ、且つその際に、ウ
ェーハ表面に光を照射しその反射光を検知して上記反応
のモニタリングが可能なつ工−ハ処理装置に関す。
てウェーハの表面で反応を起こさせ、且つその際に、ウ
ェーハ表面に光を照射しその反射光を検知して上記反応
のモニタリングが可能なつ工−ハ処理装置に関す。
上記反応は、ウェーハ表面に堆積膜を生成する化学気相
成長（ＣＶ Ｄ）や、ウェーハ表面を蝕刻するドライエ
ツチングなどを含み、半導体装置などの製造におけるウ
ェーハプロセスに多用されている。
成長（ＣＶ Ｄ）や、ウェーハ表面を蝕刻するドライエ
ツチングなどを含み、半導体装置などの製造におけるウ
ェーハプロセスに多用されている。
この反応処理を行う装置では、上記の如く反射光を検知
して反応による膜厚や膜質のインプロセスモニタリング
を行うことができるようにしたものがある。その場合、
そ−６タリングが的確に行われることが重要である。
して反応による膜厚や膜質のインプロセスモニタリング
を行うことができるようにしたものがある。その場合、
そ−６タリングが的確に行われることが重要である。
第２図は、上述したモニタリングの可能なウェーハ処理
装置の従来例の要部側断面図である。
装置の従来例の要部側断面図である。
第２図において、この従来例はＣＶＤ装置の場合であり
、容器１内にウェーハＷを配置し、ヒータ２によりその
ウェーハＷを加熱し、反応ガス供給機構３を通して反応
ガスＧｒをそのウェーハＷ表面上に供給することにより
、反応ガスＧｒがウェーハＷの表面で反応し堆積膜を生
成させる。その際、容器１に設けた排気口１ａは、反応
済みのガスおよび余分なガスを排出して、容器１内を所
定の圧力に保つ。
、容器１内にウェーハＷを配置し、ヒータ２によりその
ウェーハＷを加熱し、反応ガス供給機構３を通して反応
ガスＧｒをそのウェーハＷ表面上に供給することにより
、反応ガスＧｒがウェーハＷの表面で反応し堆積膜を生
成させる。その際、容器１に設けた排気口１ａは、反応
済みのガスおよび余分なガスを排出して、容器１内を所
定の圧力に保つ。
また、上述したモニタリングは、ウェーハＷ表面に光４
ａを照射しその反射光４ｂを検知することによって行い
、そのため、容器１の外側に照射光４ａを出射する光源
５ａと反射光４ｂを受光する光検知器５ｂが配設され、
容器１におけるそれぞれの光路に当たる部分にガラス板
などの透光性板からなる窓６ａおよび６ｂが設けられて
いる。
ａを照射しその反射光４ｂを検知することによって行い
、そのため、容器１の外側に照射光４ａを出射する光源
５ａと反射光４ｂを受光する光検知器５ｂが配設され、
容器１におけるそれぞれの光路に当たる部分にガラス板
などの透光性板からなる窓６ａおよび６ｂが設けられて
いる。
しかしながら、モニタリングのための構成を上記のよう
にしだウェーハ反応装置では、反応ガスＧｒによる反応
生成物が容器１の内壁と共に窓６ａｓ６ｂの内面に付着
するため、照射光４ａ、反射光４ｂの窓６ａ、６ｂの透
過が阻害されて、モニタリングの機能が劣化し的確なモ
ニタリングが困難になる問題がある。
にしだウェーハ反応装置では、反応ガスＧｒによる反応
生成物が容器１の内壁と共に窓６ａｓ６ｂの内面に付着
するため、照射光４ａ、反射光４ｂの窓６ａ、６ｂの透
過が阻害されて、モニタリングの機能が劣化し的確なモ
ニタリングが困難になる問題がある。
上記問題点は、容器内にウェーハを配置し反応ガスを導
入してウェーハの表面で反応を起こさせ、且つその際に
、ウェーハ表面に光を照射しその反射光を検知して上記
反応のモニタリングが可能な装置であって、容器内に連
通して容器から突出し且つその先端に窓を有してその窓
から上記照射光を容器内へ入射させる第１の筒と、第１
の筒と同様な構成で上記反射光を出射させる第２の筒と
を具え、第１および第２の筒内に非反応性ガスが導入さ
れる本発明のウェーハ反応装置によって解決される。
入してウェーハの表面で反応を起こさせ、且つその際に
、ウェーハ表面に光を照射しその反射光を検知して上記
反応のモニタリングが可能な装置であって、容器内に連
通して容器から突出し且つその先端に窓を有してその窓
から上記照射光を容器内へ入射させる第１の筒と、第１
の筒と同様な構成で上記反射光を出射させる第２の筒と
を具え、第１および第２の筒内に非反応性ガスが導入さ
れる本発明のウェーハ反応装置によって解決される。
従来例では、反応ガスによる反応生成物が上記入射光ま
たは反射光を透過させる窓に付着してモニタリング機能
が劣化した。
たは反射光を透過させる窓に付着してモニタリング機能
が劣化した。
本発明の装置では、上記第１および第２の筒内に導入さ
れたガスが、入射光または反射光を透過させる窓と反応
ガスとの間に介在して反応ガスを容器側に押しやるので
、反応ガスによる反応生成物が該窓に付着することがな
くなる。そして、筒内に導入されたガスは、非反応性で
あることから反応生成物を発生することがなく該窓を？
〃浄に保つ。このことから、モニタリング機能の劣化が
なくなり、長期に渡り的確なモニタリングが可能になる
。
れたガスが、入射光または反射光を透過させる窓と反応
ガスとの間に介在して反応ガスを容器側に押しやるので
、反応ガスによる反応生成物が該窓に付着することがな
くなる。そして、筒内に導入されたガスは、非反応性で
あることから反応生成物を発生することがなく該窓を？
〃浄に保つ。このことから、モニタリング機能の劣化が
なくなり、長期に渡り的確なモニタリングが可能になる
。
以下本発明の実施例について第１図の要部側断面図を用
いて説明する。企図を通じ同一符号は同一対象物を示す
。
いて説明する。企図を通じ同一符号は同一対象物を示す
。
第１図において、この実施例は、第２図図示の従来例に
本発明を適用したものである。即ち、ＣＶＤ装置として
の堆積膜生成のための構成は従来例のままであり、モニ
タリングのための構成が変わっている。
本発明を適用したものである。即ち、ＣＶＤ装置として
の堆積膜生成のための構成は従来例のままであり、モニ
タリングのための構成が変わっている。
その変わった構成は、容器１において、窓６ａおよび６
ｂを除去し、その位置から容器１内に連通して外側に突
出した筒７ａオよび７ｂを設け、窓６ａおよび６ｂと同
様でちりそれに相当する窓８ａおよび８ｂをそれぞれ筒
７ａｂよび７ｂの先端に設け、更に、筒７ａおよび７ｂ
のそれぞれに設けたガス導入口９ａおよび９ｂから窒素
などの非反応性ガスＧｉを導入するようにしたものであ
る。光源５ａおよび光検知器５ｂは、それぞれ窓８ａお
よび８ｂの前方に配設されて、モニタリングの機構は従
来例と同様である。なお、非反応性ガスＧｉは、アルゴ
ンなどであっても良い。
ｂを除去し、その位置から容器１内に連通して外側に突
出した筒７ａオよび７ｂを設け、窓６ａおよび６ｂと同
様でちりそれに相当する窓８ａおよび８ｂをそれぞれ筒
７ａｂよび７ｂの先端に設け、更に、筒７ａおよび７ｂ
のそれぞれに設けたガス導入口９ａおよび９ｂから窒素
などの非反応性ガスＧｉを導入するようにしたものであ
る。光源５ａおよび光検知器５ｂは、それぞれ窓８ａお
よび８ｂの前方に配設されて、モニタリングの機構は従
来例と同様である。なお、非反応性ガスＧｉは、アルゴ
ンなどであっても良い。
この構成の装置では、筒７ａまたは７ｂに導入されたガ
スＧｉが、容器１側の反応ガスＧｒと窓８ａまたは８ｂ
との間に介在して反応ガスＧｒを容器１側に押しやるの
で、反応ガスＧｒ＆ごよる反応生成物が窓８ａおよび８
ｂに付着することがない。そして、ガスＧｉは、非反応
性であることから反応生成物を発生することがなく窓８
ａおよび８ｂを清浄に保つ。かくして、モニタリング機
能は従来例のように劣化するということがな（なり、長
期に渡り的確なモニタリングが可能になる。
スＧｉが、容器１側の反応ガスＧｒと窓８ａまたは８ｂ
との間に介在して反応ガスＧｒを容器１側に押しやるの
で、反応ガスＧｒ＆ごよる反応生成物が窓８ａおよび８
ｂに付着することがない。そして、ガスＧｉは、非反応
性であることから反応生成物を発生することがなく窓８
ａおよび８ｂを清浄に保つ。かくして、モニタリング機
能は従来例のように劣化するということがな（なり、長
期に渡り的確なモニタリングが可能になる。
なお、上述はＣＶＤ装置を実施例にして説明したが、本
発明の適用が他のウェーハ処理装置例えばドライエツチ
ング装置に対しても有効であることは、容易に理解され
よう。
発明の適用が他のウェーハ処理装置例えばドライエツチ
ング装置に対しても有効であることは、容易に理解され
よう。
以上説明したように本発明の構成によれば、容器内にウ
ェーハを配置し反応ガスを導入してつ工−ハの表面で反
応を起こさせ、且つその際に、つ工−ハ表面に光を照射
しその反射光を検知して上記反応のモニタリングが可能
なウェーハ処理装置において、モニタリング機能の劣化
を防止することができて、長期にわたる的確なモニタリ
ングを可能にさせる効果がある。
ェーハを配置し反応ガスを導入してつ工−ハの表面で反
応を起こさせ、且つその際に、つ工−ハ表面に光を照射
しその反射光を検知して上記反応のモニタリングが可能
なウェーハ処理装置において、モニタリング機能の劣化
を防止することができて、長期にわたる的確なモニタリ
ングを可能にさせる効果がある。
第１図は実施例の要部側断面図、
第２図は従来例の要部側断面図、
である。
図において、
１は容器、
２はヒータ、
３は反応ガス供給機構、
４ａは照射光、
４ｂは反射光、
５ａは光源、
５ｂは光検知器、
６ａ、 ６ｂ、８ａ、８ｂは窓、
７ａ、７ｂは筒、
９ａ、９ｂはガス導入口、
Ｇｒは反応ガス、
Ｇｉは非反応性ガス、
Ｗはウェーハ、
である。
Claims (1)
- 容器内にウェーハを配置し反応ガスを導入してウェー
ハの表面で反応を起こさせ、且つその際に、ウェーハ表
面に光を照射しその反射光を検知して上記反応のモニタ
リングが可能な装置であって、容器内に連通して容器か
ら突出し且つその先端に窓を有してその窓から上記照射
光を容器内へ入射させる第１の筒と、第１の筒と同様な
構成で上記反射光を出射させる第２の筒とを具え、第１
および第２の筒内に非反応性ガスが導入されることを特
徴とするウェーハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28890287A JPH01129411A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ウェーハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28890287A JPH01129411A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ウェーハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129411A true JPH01129411A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17736262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28890287A Pending JPH01129411A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ウェーハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129411A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011108220A1 (ja) | 2010-03-01 | 2011-09-09 | 日本化薬株式会社 | 有害生物防除組成物 |
| CN104103483A (zh) * | 2013-04-10 | 2014-10-15 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及等离子体加工设备 |
| JP2018117005A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 国立大学法人名古屋大学 | 気相成長装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252926B2 (ja) * | 1981-11-12 | 1987-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28890287A patent/JPH01129411A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252926B2 (ja) * | 1981-11-12 | 1987-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011108220A1 (ja) | 2010-03-01 | 2011-09-09 | 日本化薬株式会社 | 有害生物防除組成物 |
| CN104103483A (zh) * | 2013-04-10 | 2014-10-15 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及等离子体加工设备 |
| JP2018117005A (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 国立大学法人名古屋大学 | 気相成長装置 |
| WO2018135422A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2018-07-26 | 国立大学法人名古屋大学 | 気相成長装置 |
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