JPS5974636A - 膜厚測定装置 - Google Patents

膜厚測定装置

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Publication number
JPS5974636A
JPS5974636A JP18456082A JP18456082A JPS5974636A JP S5974636 A JPS5974636 A JP S5974636A JP 18456082 A JP18456082 A JP 18456082A JP 18456082 A JP18456082 A JP 18456082A JP S5974636 A JPS5974636 A JP S5974636A
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JP
Japan
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film
thickness
infrared rays
reaction tank
substrate
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Pending
Application number
JP18456082A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Takamatsu
朗 高松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5974636A publication Critical patent/JPS5974636A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、プラズマ析出法により成長させた膜（以下、
Ｐ−ＣＶＤ膜と称する。）の厚みを測定する装置に関す
るっ Ｐ−ＣＶＤ膜の膜厚を析出処理中にモニターすることは
これまで行なわれていないつ従って、析出処理後にプラ
ズマ反応槽から取出し、エツチングによりＰ−ＣＶＤ膜
に段差な形成してこの段差の高さを測定するか、或いは
プラズマ析出処理時間によって膜厚を推測することに頼
っていた。これでは、Ｐ−ＣＶＩ）膜の膜厚制御が困難
であり。
析出榮件に変動があれば膜厚にばらつきが生じてしまう
し、また膜厚の測定自体が面倒なものである。
従って１本発明は、Ｐ−ＣＶＩ）膜の簡便で膜厚制御の
容易な測定装置を提供することにある。
以下１本発明の実施例を図面について詳細に説明する。
第１図はＰ　−ＣＶ　Ｉ）膜の形成、及びその膜厚測定
を兼用した装置を示す。これによれば２反応槽１内には
、高周波電源２により高周波電圧の印加される一対の対
向電極３及び４が設ゆられ、これら両電極間に基板５と
６が配されている。基板５は目的とするＰ−ＣＶＤ膜７
を形成するのに用いられ、基板６は膜厚測定用のＰ−Ｃ
ＶＤ膜８を形成するのに用いられ、共に実質的に同一条
件下に置かれている。
そして、ガス導入管９から例えばＳｉｎ、膜な成長させ
るときはＳ　ｉ　Ｈ４＋　Ｈ２０＋　Ｓ　ｌ　ｓ　Ｎ４
　膜を成長させるとぎはＳ　ｉ　Ｈ，＋Ｎ　ｔ−ｉ３の
反応ガスＩＪＩＩ−導入して高周波電圧の印加下に反応
させ、基板５及び６上に夫々の膜７及び８な成長させな
がら、基板６の真上から透明窓１２を介して赤外線ラン
プ１３からの赤外＠１４を導入して照射せしめる。赤外
＠１４は反応槽１内のＣＶＤ膜８及び基板６を透過して
、基板６下の透明窓１５から槽ｌ外へ導出され、光度計
１６（又はＩＲスペクトル分析′Ｊ３）に入射する。
ここで、光度計１６への赤外線の入射強度■。
と透過光の強度■の比に対するＣＶＤ膜８の膜厚■。
ｔは、　　４ｏｇ−ｉ−（Ｘ：　ｔ　　　で表わされる
から、上記両強度の比（吸光度）からＣＶＤ膜（例えば
５ｉｎ２膜）の膜厚ｔを求めることができる。しかも、
この膜厚測定は、基板５上への本来のＣＶＤ膜７の成長
操作中に行なえるから、Ｐ−ＣＶＤ膜の膜厚を容易かつ
正確に制御できると共に、他の成長条件に変動があった
場合には膜厚の測定値をフィードバックして成長条件な
コントロールすれば、膜厚のばらつきを少なくすること
ができる。従って。
Ｐ　−ＣＶ　１）の歩留が向上する。
なお、使用する赤外線は、Ｐ−ＣＶＤ膜の種類に応じて
選択する。例えば、Ｐ−ＣＶＤ膜として８ｉ０．膜を成
長させるときには、８ｉ０２膜が。
Ｓ　ｉ　−０１０８０６−１（Ｓｔｒｅｃｈｉｎｇ）（
９，２５μｍ）のところに強い吸収波長を有するから、
こうした波長の光を基板６に照射し、透過光の強度を測
定すればよいつそしてその吸光度から膜厚のモニターが
可能である。第２図には、赤外線の吸収スペクトルを示
した。
光度計１５では、赤外線の上記吸光度が求められるが、
この吸光度とＣＶＤ膜の膜厚とを上記しＣＶ’　Ｄ膜の
膜厚を容易に求めることができる。
なお、Ｐ−ＣＶＤ膜は上記の８ｉ０２に限らず。
５１０２膜、Ｓｉ３Ｎ、膜でもよいつＳｉ３Ｎ、膜の場
舘ｔＬ　Ｓ　ｉ　−Ｎ　　８３０ｏｅ　　’　（１２μ
ｍ）のところに強い吸収波長を有するから、この波長の
赤外光を照射すればよい。
また、第１図に一点鎖線で示す如（に、Ｐ−ＣＶＤ膜８
に対する赤外線１４０反射光の強度（これは膜厚に従っ
て反射経路又は光度計への入射量が鎚わる）に；’Ｊｉ
いで、ＣＶＩ）膜８の膜厚測定が可能である。上記ラン
プ１３及び光度計１６は槽１内に配することも可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例によるプラズマ析出装置の断面
図、 第２図は５ｉＱ２のＩＲスペクトル図である。 １・・・反応槽、２・・・高周波電源、３及び４・・・
高周波電極、５及び６・・・基板（牛導体つエノ・）、
７及び８・・・Ｐ−ＣＶＤ膜、９・・・反応ガス、１１
・・・排気。 １２及び１５・・・透明窓、１３・・・赤外ランプ、１
４・・・赤外線、１６・・・光度計、′１７・・・ヒー
ター。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、プラズマ析出法により成長させた膜の厚みを測定す
    る装置においで、プラズマ反応槽内にある前記膜に対し
    赤外線を照射する照射手段が設けられ、この赤外線の透
    過又は反射光の強度を測定して前記膜の膜厚を求めるの
    に用いる測定手段を有することを特徴とする膜厚測定装
    置。
JP18456082A 1982-10-22 1982-10-22 膜厚測定装置 Pending JPS5974636A (ja)

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JP18456082A JPS5974636A (ja) 1982-10-22 1982-10-22 膜厚測定装置

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JP18456082A JPS5974636A (ja) 1982-10-22 1982-10-22 膜厚測定装置

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JPS5974636A true JPS5974636A (ja) 1984-04-27

Family

ID=16155338

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JP18456082A Pending JPS5974636A (ja) 1982-10-22 1982-10-22 膜厚測定装置

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JP (1) JPS5974636A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6364329A (ja) * 1986-09-04 1988-03-22 Nec Corp 薄膜形成装置
WO2009092459A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Applied Materials Inc. Vacuum coating apparatus and method

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JP2011510176A (ja) * 2008-01-25 2011-03-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 真空コーティング装置及び方法

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