JPS646536B2 - - Google Patents
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- JPS646536B2 JPS646536B2 JP1422679A JP1422679A JPS646536B2 JP S646536 B2 JPS646536 B2 JP S646536B2 JP 1422679 A JP1422679 A JP 1422679A JP 1422679 A JP1422679 A JP 1422679A JP S646536 B2 JPS646536 B2 JP S646536B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置形成のためのデポジシヨ
ン膜の膜質を、デポジシヨンを行いながらモニタ
ーし、それにより膜質の制御を行う方法に関する
ものである。
ン膜の膜質を、デポジシヨンを行いながらモニタ
ーし、それにより膜質の制御を行う方法に関する
ものである。
一般に半導体装置に使用するデポジシヨン膜の
形成はCVD（Chemical Vapor Deposition）法や
プラズマデポジシヨン法が現在主として使用され
ている。この技術をシリコン・ナイトライド
（Si3N4）膜のプラズマデポジシヨンについて説
明すると次のようなものである。すなわち、第１
図は一般的なプラズマナイトライドのデポジシヨ
ン装置の構成と動作を説明するための図で、真空
容器１中に２，３なる対向の高周波の放電電極
（Ｃ結合）を位置せしめ、真空排気孔４より排気
したのち、放電ガス導入孔５より放電に適当な圧
力（0.1〜1Torr）を保つように放電ガスを導入
する。接地電位の電極３にはデポジシヨンを行う
目的の基板６がおかれ、加熱ヒーター７にて約
300℃に加熱される。いま上方の電極２に８より
図示せざる高周波発振回路より高周波電力を供給
すれば２，３の電極間にて高周波放電が生起し、
プラズマ９を生じ放電ガスを窒素とモノシランガ
ス、またはこれにアンモニアガスを加えたものを
導入すれば基板６の上にシリコンナイトライドが
デポジシヨンする。
形成はCVD（Chemical Vapor Deposition）法や
プラズマデポジシヨン法が現在主として使用され
ている。この技術をシリコン・ナイトライド
（Si3N4）膜のプラズマデポジシヨンについて説
明すると次のようなものである。すなわち、第１
図は一般的なプラズマナイトライドのデポジシヨ
ン装置の構成と動作を説明するための図で、真空
容器１中に２，３なる対向の高周波の放電電極
（Ｃ結合）を位置せしめ、真空排気孔４より排気
したのち、放電ガス導入孔５より放電に適当な圧
力（0.1〜1Torr）を保つように放電ガスを導入
する。接地電位の電極３にはデポジシヨンを行う
目的の基板６がおかれ、加熱ヒーター７にて約
300℃に加熱される。いま上方の電極２に８より
図示せざる高周波発振回路より高周波電力を供給
すれば２，３の電極間にて高周波放電が生起し、
プラズマ９を生じ放電ガスを窒素とモノシランガ
ス、またはこれにアンモニアガスを加えたものを
導入すれば基板６の上にシリコンナイトライドが
デポジシヨンする。
近時代の方式であるプラズマ流輸送方法を用い
たものが開発されており、これを次に説明する。
第２図Ａ，Ｂ，Ｃはその構成と動作を説明するた
めの図である。
たものが開発されており、これを次に説明する。
第２図Ａ，Ｂ，Ｃはその構成と動作を説明するた
めの図である。
第２図Ａはプラズマ流輸送方法の基本的な構成
を動作を説明するための図である。同図におい
て、１０は真空容器で真空排気孔１１より排気さ
れており、プラズマ源１２がこの中心に位置し同
軸電磁石１４にて周囲が取巻かれている。いま放
電ガス導入孔１３より窒素、アンモニア、モノシ
ランガスを混合して導入し、プラズマ源１２内の
圧力を10-3〜10-2Torr程度にし、図示せざる電
力供給源よる放電電力を供給すると、プラズマ源
１２内にプラズマが発生する。いま同軸電磁石１
４を励磁すればプラズマ流出孔１５よりナイトラ
イドのプラズマがプラズマ流１６として流出しコ
レクタ１７上に位置せしめた基板上にナイトライ
ドがデポジシヨンする。
を動作を説明するための図である。同図におい
て、１０は真空容器で真空排気孔１１より排気さ
れており、プラズマ源１２がこの中心に位置し同
軸電磁石１４にて周囲が取巻かれている。いま放
電ガス導入孔１３より窒素、アンモニア、モノシ
ランガスを混合して導入し、プラズマ源１２内の
圧力を10-3〜10-2Torr程度にし、図示せざる電
力供給源よる放電電力を供給すると、プラズマ源
１２内にプラズマが発生する。いま同軸電磁石１
４を励磁すればプラズマ流出孔１５よりナイトラ
イドのプラズマがプラズマ流１６として流出しコ
レクタ１７上に位置せしめた基板上にナイトライ
ドがデポジシヨンする。
第２図Ｂは、同図Ａに示すものを改良したもの
を示す図で、プラズマ源１２にプラズマドリフト
管１８を介して、荷電交換室１９を接続し、放電
ガス導入孔１３より窒素、アンモニアを導入して
プラズマ源１２にプラズマを発生し、１次プラズ
マ流２０としてプラズマドリフト管１８を通じて
荷電交換室１９に導入する。一方中性ガス導入孔
２１を通じてモノシランガスを荷電交換室１９に
導入すると、１次プラズマ流２０と、中性ガスと
の間に荷電交換が起り、新しい２次プラズマを生
じ、プラズマ流出孔２２より２次プラズマ２３と
して流出し、コレクタ１７に到着し、ナイトライ
ドをデポジシヨンする。
を示す図で、プラズマ源１２にプラズマドリフト
管１８を介して、荷電交換室１９を接続し、放電
ガス導入孔１３より窒素、アンモニアを導入して
プラズマ源１２にプラズマを発生し、１次プラズ
マ流２０としてプラズマドリフト管１８を通じて
荷電交換室１９に導入する。一方中性ガス導入孔
２１を通じてモノシランガスを荷電交換室１９に
導入すると、１次プラズマ流２０と、中性ガスと
の間に荷電交換が起り、新しい２次プラズマを生
じ、プラズマ流出孔２２より２次プラズマ２３と
して流出し、コレクタ１７に到着し、ナイトライ
ドをデポジシヨンする。
第２図Ｃは、同図Ａに示すものの変更型に属
し、プラズマ源１２に１３より窒素、アンモニア
の放電ガスを導入してプラズマを作り、１次プラ
ズマ流２４をプラズマ流出孔１５より流出せしめ
る。一方中性ガス導入孔２５よりモノシランガス
を導入し、真空容器１０中に２６のように均一に
分布せしめると、プラズマ流出孔１５よりコレク
タまでに荷電交換を行い、プラズマ流の成分とな
つたものと、コレクタ１７上に中性ガスとして到
着したモノシランガスと、プラズマ流２４により
反応を生起した成分との和のプラズマナイトライ
ドのが基板上にデポジシヨンする。
し、プラズマ源１２に１３より窒素、アンモニア
の放電ガスを導入してプラズマを作り、１次プラ
ズマ流２４をプラズマ流出孔１５より流出せしめ
る。一方中性ガス導入孔２５よりモノシランガス
を導入し、真空容器１０中に２６のように均一に
分布せしめると、プラズマ流出孔１５よりコレク
タまでに荷電交換を行い、プラズマ流の成分とな
つたものと、コレクタ１７上に中性ガスとして到
着したモノシランガスと、プラズマ流２４により
反応を生起した成分との和のプラズマナイトライ
ドのが基板上にデポジシヨンする。
以上のプラズマナイトライドのデポジシヨン方
法において、得られるナイトライドの膜質は半導
体素子製造に使用するため極めて重要なるもので
例えば、耐水性、耐クラツク性、適当なエツチン
グの速度、つきまわりの性質などである。また物
理常数的なものとしては屈折率、密度、水素含有
量などであるこれらはすべてデポジシヨンされた
膜について測定されていたが、測定に必要な時間
も長くデポジシヨン膜質を制御する上で一つの難
点とされていた。
法において、得られるナイトライドの膜質は半導
体素子製造に使用するため極めて重要なるもので
例えば、耐水性、耐クラツク性、適当なエツチン
グの速度、つきまわりの性質などである。また物
理常数的なものとしては屈折率、密度、水素含有
量などであるこれらはすべてデポジシヨンされた
膜について測定されていたが、測定に必要な時間
も長くデポジシヨン膜質を制御する上で一つの難
点とされていた。
近時デポジシヨンされた膜の赤外吸収を精密に
測定することによりこれの吸光度と、上記膜質と
が対応することが見出された。そうしてこの赤外
吸光度を管理することにより上記膜の諸性質が簡
単に算定できるようになり膜質の制御がいちじる
しく簡単化されるようになつた。第３図はデポジ
シヨンされた厚さ700nmのプラズマナイトライド
膜の赤外透過度の測定の１例で、これよりNH，
SiH，SiNの吸光度を計算し、上記膜質の制御に
使用することができる。
測定することによりこれの吸光度と、上記膜質と
が対応することが見出された。そうしてこの赤外
吸光度を管理することにより上記膜の諸性質が簡
単に算定できるようになり膜質の制御がいちじる
しく簡単化されるようになつた。第３図はデポジ
シヨンされた厚さ700nmのプラズマナイトライド
膜の赤外透過度の測定の１例で、これよりNH，
SiH，SiNの吸光度を計算し、上記膜質の制御に
使用することができる。
しかし以上のような簡便な方式が考案されたの
にもかかわらず、いずれも“デポジシヨンを終了
して後の膜質の解析”であるため、最適条件の設
定に時間がかかり、また条件の経時変化などがあ
つて、“デポジシヨンしながらの膜質の解析と制
御”が強く要求されている。
にもかかわらず、いずれも“デポジシヨンを終了
して後の膜質の解析”であるため、最適条件の設
定に時間がかかり、また条件の経時変化などがあ
つて、“デポジシヨンしながらの膜質の解析と制
御”が強く要求されている。
それゆえ、本発明の目的はこの“デポジシヨン
しながらの膜質の解折と制御”を行なう新規なデ
ポジシヨン膜質の制御方法を提供することにあ
る。
しながらの膜質の解折と制御”を行なう新規なデ
ポジシヨン膜質の制御方法を提供することにあ
る。
このような目的を達成するために、本発明は、
所望の性質の薄膜を、材料ガスの少なくとも一部
をプラズマ化して基板上にデポジシヨンして形成
する際、プラズマおよびプラズマにより励起され
た物質の発光による幅射光のスペクトルより放射
比を求め、この放射比と赤外吸光度との関係を用
いてデポジシヨンされる膜の膜質を検出し、この
検出結果を基にデポジシヨン膜の膜質の制御をデ
ポジシヨンをしながら行うことを特徴とするデポ
ジシヨン膜質の制御方法とするものである。
所望の性質の薄膜を、材料ガスの少なくとも一部
をプラズマ化して基板上にデポジシヨンして形成
する際、プラズマおよびプラズマにより励起され
た物質の発光による幅射光のスペクトルより放射
比を求め、この放射比と赤外吸光度との関係を用
いてデポジシヨンされる膜の膜質を検出し、この
検出結果を基にデポジシヨン膜の膜質の制御をデ
ポジシヨンをしながら行うことを特徴とするデポ
ジシヨン膜質の制御方法とするものである。
第２図にみられるように、特に第２図Ａおよび
Ｂは、コレクタ上にデポジシヨンするため輸送さ
れる物質はすべて“プラズマの状態”である。し
たがつてこのプラズマより発生する光輻射を測定
すればプラズマ流の物質構成を知ることができ
る。第４図はこのようにして測定したプラズマ流
よりの光スペクトル図であつて、ナイトライドの
主要成分であるSiのピークが２個、NHのピーク
が１個、N2のピークが４個極めて強く観測され
る（他にも小さいピークは多くある）。このスペ
クトルパターンは、プラズマナイイトライド形成
のための条件として、ガスの流量比やデポジシヨ
ン基板の温度を変えても同じでただ各々のピーク
の高さの比が異つてくるだけであることを本願発
明者が始めて見出した。特にコレクタ上の基板の
近傍のスペクトルを測定すると、これらのピーク
の高さの比は、そのままデポジシヨンしたナイト
ライドの膜質（組成比）と関係する。又、このピ
ークの高さの比は、第３図より計算される赤外吸
収の吸光度とも関係することが本願発明者によつ
て見出された。
Ｂは、コレクタ上にデポジシヨンするため輸送さ
れる物質はすべて“プラズマの状態”である。し
たがつてこのプラズマより発生する光輻射を測定
すればプラズマ流の物質構成を知ることができ
る。第４図はこのようにして測定したプラズマ流
よりの光スペクトル図であつて、ナイトライドの
主要成分であるSiのピークが２個、NHのピーク
が１個、N2のピークが４個極めて強く観測され
る（他にも小さいピークは多くある）。このスペ
クトルパターンは、プラズマナイイトライド形成
のための条件として、ガスの流量比やデポジシヨ
ン基板の温度を変えても同じでただ各々のピーク
の高さの比が異つてくるだけであることを本願発
明者が始めて見出した。特にコレクタ上の基板の
近傍のスペクトルを測定すると、これらのピーク
の高さの比は、そのままデポジシヨンしたナイト
ライドの膜質（組成比）と関係する。又、このピ
ークの高さの比は、第３図より計算される赤外吸
収の吸光度とも関係することが本願発明者によつ
て見出された。
いま第４図の成分を表示する方法として、Siの
ピークの高さとN2とNHのピークの高さの比、
つまりSi／（N2＋NH）を計算し、これを放射比
と名付けると、この放射比にてデポジシヨンされ
たシリコン・ナイトライド膜（プラズマナイトラ
イド膜）の赤外吸光度が前記放射比と第５図のよ
うに対応することを見出した。第５図は、シリコ
ンナイトライドをプラズマ流輸送方法の第２図Ｂ
の方式でデポジシヨンした時、窒素（N2）とモ
ノシラン（SiH4）の流量を変化させて作つたサ
ンプル番号No.１よりNo.４のデポジシヨン時の放射
比と、このNo.１よりNo.４のサンプルの赤外吸光度
とをグラフにて示したものである。これより第３
図にて示されたNHの吸光度は放射比の増加と共
に減少し、SiHは増加、SiNはやゝ減少すること
がわかり、これらの吸光度は放射比と対応するこ
とがわかる。またこの放射比と赤外吸光度の関係
は第２図Ａ，Ｂ，Ｃいづれのデポジシヨンの方式
を用いても一定であることが見出されている。こ
れよりある膜質に対応する赤外吸光度を示すよう
なデポジシヨン膜を得るため、第５図よりその赤
外吸光度に対応する放射比を求め、プラズマより
のスペクトルがこの放射比を示すようにここでは
流量を調整すれば、“デポジシヨンをしながら膜
質の制御”をすることができる。
ピークの高さとN2とNHのピークの高さの比、
つまりSi／（N2＋NH）を計算し、これを放射比
と名付けると、この放射比にてデポジシヨンされ
たシリコン・ナイトライド膜（プラズマナイトラ
イド膜）の赤外吸光度が前記放射比と第５図のよ
うに対応することを見出した。第５図は、シリコ
ンナイトライドをプラズマ流輸送方法の第２図Ｂ
の方式でデポジシヨンした時、窒素（N2）とモ
ノシラン（SiH4）の流量を変化させて作つたサ
ンプル番号No.１よりNo.４のデポジシヨン時の放射
比と、このNo.１よりNo.４のサンプルの赤外吸光度
とをグラフにて示したものである。これより第３
図にて示されたNHの吸光度は放射比の増加と共
に減少し、SiHは増加、SiNはやゝ減少すること
がわかり、これらの吸光度は放射比と対応するこ
とがわかる。またこの放射比と赤外吸光度の関係
は第２図Ａ，Ｂ，Ｃいづれのデポジシヨンの方式
を用いても一定であることが見出されている。こ
れよりある膜質に対応する赤外吸光度を示すよう
なデポジシヨン膜を得るため、第５図よりその赤
外吸光度に対応する放射比を求め、プラズマより
のスペクトルがこの放射比を示すようにここでは
流量を調整すれば、“デポジシヨンをしながら膜
質の制御”をすることができる。
この場合プラズマよりの輻射スペクトルは、普
通光のスペクトロメーターを用いて測定する。つ
まり、第４図において、Siのスペクトル波長は２
個あり短波長側より251.6，288.1nmでありN2と
NHのスペクトルは５個あり、それぞれ296.2，
313.6，337.0，353.6，389.4nmである。この他に
も多くのスペクトル線が出ているが主たるものは
ナイトライドの場合この７個である。したがつて
スペクトルの位置が決まつているため、測定のた
びに光のスペクトロメーターを用いて全波長にわ
たつて測定を行わずとも各波長のみを通過させる
光学フイルターを７個用意し、この光出力を、Si
についてと（N2＋NH）について和を求めて、
Si／（N2＋NH）の比、つまり放射比を極めて短
時間に計算することができる。またこの放射比を
適当な表示方法（メーター表示、デジタル数字表
示）にて表わすと、またはこの放射比を赤外吸光
度、または直接膜質に変換して表示すると、“デ
ポジシヨンをしながら膜質の制御”を行うことが
できる。
通光のスペクトロメーターを用いて測定する。つ
まり、第４図において、Siのスペクトル波長は２
個あり短波長側より251.6，288.1nmでありN2と
NHのスペクトルは５個あり、それぞれ296.2，
313.6，337.0，353.6，389.4nmである。この他に
も多くのスペクトル線が出ているが主たるものは
ナイトライドの場合この７個である。したがつて
スペクトルの位置が決まつているため、測定のた
びに光のスペクトロメーターを用いて全波長にわ
たつて測定を行わずとも各波長のみを通過させる
光学フイルターを７個用意し、この光出力を、Si
についてと（N2＋NH）について和を求めて、
Si／（N2＋NH）の比、つまり放射比を極めて短
時間に計算することができる。またこの放射比を
適当な表示方法（メーター表示、デジタル数字表
示）にて表わすと、またはこの放射比を赤外吸光
度、または直接膜質に変換して表示すると、“デ
ポジシヨンをしながら膜質の制御”を行うことが
できる。
以上第２図に説明したプラズマ流輸送方法のモ
ニターについてのべたがこの方法は第１図に示さ
れるような一般の装置について適用可能であるこ
とは当然でありまたナイトライド膜のデポジシヨ
ンのみでなくシリコン酸化膜や、またシリコン酸
化膜にドーピングする場合や、またシリコン膜に
ドーピングする場合、酸化チタニウムや酸化タリ
ウムをデポジシヨンする場合等広くプラズマによ
るデポジシヨン一般の膜質モニターとして使用で
きる。またこの説明例を紫外と可視光の波長内で
行つたが赤外の波長領域ではデポジシヨンする分
子の回転や振動の要素が測定され、更に精密な膜
質のモニターとして使用することができる。
ニターについてのべたがこの方法は第１図に示さ
れるような一般の装置について適用可能であるこ
とは当然でありまたナイトライド膜のデポジシヨ
ンのみでなくシリコン酸化膜や、またシリコン酸
化膜にドーピングする場合や、またシリコン膜に
ドーピングする場合、酸化チタニウムや酸化タリ
ウムをデポジシヨンする場合等広くプラズマによ
るデポジシヨン一般の膜質モニターとして使用で
きる。またこの説明例を紫外と可視光の波長内で
行つたが赤外の波長領域ではデポジシヨンする分
子の回転や振動の要素が測定され、更に精密な膜
質のモニターとして使用することができる。
第１図は現在広く使用されている一般のプラズ
マナイトライドのデポジシヨン装置の構成および
説明図、第２図Ａ，Ｂ，Ｃはプラズマ流輸送方法
の説明図、第３図はデポジシヨンしたプラズマナ
イトライド膜の赤外吸収曲線の１例を示す図、第
４図はプラズマ流輸送装置のプラズマ流より得ら
れたナイトライドデポジシヨンの場合の光スペク
トルの１例を示す図、第５図は放射比と赤外吸光
度の関係を示す図で放射比は窒素とモノシランガ
スの流量比を変えてサンプル番号No.１〜No.４につ
いて求めてあるものの図である。 １……真空槽外壁、２……放電々極、３……放
電々極、４……真空排気孔、５……放電ガス導入
孔、６……基板、７……加熱ヒーター、８……高
周波電力導入線、９……放電プラズマ、１０……
真空容器、１１……真空排気孔、１２……プラズ
マ源、１３……放電ガス導入孔、１４……同軸電
磁石コイル、１５……プラズマ流出孔、１６……
プラズマ流、１７……コレクター、１８……プラ
ズマドリフト管、１９……荷電交換室、２０……
１次プラズマ流、２１……中性ガス導入孔、２２
……プラズマ流出孔、２３……２次プラズマ流、
２４……プラズマ流、２５……中性ガス導入孔、
２６……分布した中性ガス。
マナイトライドのデポジシヨン装置の構成および
説明図、第２図Ａ，Ｂ，Ｃはプラズマ流輸送方法
の説明図、第３図はデポジシヨンしたプラズマナ
イトライド膜の赤外吸収曲線の１例を示す図、第
４図はプラズマ流輸送装置のプラズマ流より得ら
れたナイトライドデポジシヨンの場合の光スペク
トルの１例を示す図、第５図は放射比と赤外吸光
度の関係を示す図で放射比は窒素とモノシランガ
スの流量比を変えてサンプル番号No.１〜No.４につ
いて求めてあるものの図である。 １……真空槽外壁、２……放電々極、３……放
電々極、４……真空排気孔、５……放電ガス導入
孔、６……基板、７……加熱ヒーター、８……高
周波電力導入線、９……放電プラズマ、１０……
真空容器、１１……真空排気孔、１２……プラズ
マ源、１３……放電ガス導入孔、１４……同軸電
磁石コイル、１５……プラズマ流出孔、１６……
プラズマ流、１７……コレクター、１８……プラ
ズマドリフト管、１９……荷電交換室、２０……
１次プラズマ流、２１……中性ガス導入孔、２２
……プラズマ流出孔、２３……２次プラズマ流、
２４……プラズマ流、２５……中性ガス導入孔、
２６……分布した中性ガス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所望の性質の薄膜を、材料ガスの少なくとも
一部をプラズマ化して基板上にデポジシヨンして
形成する際、プラズマおよびプラズマにより励起
された物質の発光による幅射光のスペクトルより
放射比を求め、この放射比と赤外吸光度との関係
を用いてデポジシヨンされる膜の膜質を検出し、
この検出結果を基にデポジシヨン膜の膜質の制御
をデポジシヨンをしながら行うことを特徴とする
デポジシヨン膜質の制御方法。 ２ 放電ガスの流量、プラズマへの供給電力、基
板温度等を変化せしめ、デポジシヨン膜質を所望
の膜質に制御する特許請求の範囲第１項記載のデ
ポジシヨン膜質の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1422679A JPS55107234A (en) | 1979-02-13 | 1979-02-13 | Method of monitoring deposition film quality |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1422679A JPS55107234A (en) | 1979-02-13 | 1979-02-13 | Method of monitoring deposition film quality |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55107234A JPS55107234A (en) | 1980-08-16 |
| JPS646536B2 true JPS646536B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=11855143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1422679A Granted JPS55107234A (en) | 1979-02-13 | 1979-02-13 | Method of monitoring deposition film quality |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55107234A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5989768A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-24 | Fujitsu Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPS59115561A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-04 | Stanley Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1979
- 1979-02-13 JP JP1422679A patent/JPS55107234A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55107234A (en) | 1980-08-16 |
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