JPS61257478A - 薄膜の形成法 - Google Patents
薄膜の形成法Info
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- JPS61257478A JPS61257478A JP9794685A JP9794685A JPS61257478A JP S61257478 A JPS61257478 A JP S61257478A JP 9794685 A JP9794685 A JP 9794685A JP 9794685 A JP9794685 A JP 9794685A JP S61257478 A JPS61257478 A JP S61257478A
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- Japan
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- thin film
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- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はグロー放電により基体上に薄膜を形成する方法
に関し、特に大面積基体への高速、均質形成方法に関す
る。
に関し、特に大面積基体への高速、均質形成方法に関す
る。
半導体や絶縁体の薄膜は太陽電池、光センサー、感光ド
ラム等の光電素子やｒｃ、ｒ、ｓｒ等の半導体装置に多
用されている。これらの薄膜の形成方法としては、原料
ガスをグロー放電分解して薄膜とするいわゆるプラズマ
ＣＶＤ法（以下ＰＣＶＤ法と略称する）が主に採用され
ている。
ラム等の光電素子やｒｃ、ｒ、ｓｒ等の半導体装置に多
用されている。これらの薄膜の形成方法としては、原料
ガスをグロー放電分解して薄膜とするいわゆるプラズマ
ＣＶＤ法（以下ＰＣＶＤ法と略称する）が主に採用され
ている。
ＰＣＶＤ法はすでに実用に供されているものであるが、
半導体装置の活性領域となるべき薄膜、たとえばアモル
ファスシリコン太陽電池の光活性層たるべき薄膜の形成
速度は高々１〜２Ｘ／ｓｅｃと低いものである。
半導体装置の活性領域となるべき薄膜、たとえばアモル
ファスシリコン太陽電池の光活性層たるべき薄膜の形成
速度は高々１〜２Ｘ／ｓｅｃと低いものである。
従来技術においてはこの形成速度を増加させると得られ
る半導体装置の性能が低下するばかりか大面積の基体に
均質に薄膜を形成することすら困難であった。さらに従
来は形成速度を増加させるためには、薄膜形成面により
多くの原料種を供給してやる必要があり、必然的にグロ
ー放電分解時の反応室内圧力（反応圧力）が上昇するか
らと考えられていた。それ故に、相当する反応圧力の計
測制御のみにより薄膜形成条件を最適化することにより
、高速、均質形成を達成しようとする試みがあるもその
達成は困難をきわめている。
る半導体装置の性能が低下するばかりか大面積の基体に
均質に薄膜を形成することすら困難であった。さらに従
来は形成速度を増加させるためには、薄膜形成面により
多くの原料種を供給してやる必要があり、必然的にグロ
ー放電分解時の反応室内圧力（反応圧力）が上昇するか
らと考えられていた。それ故に、相当する反応圧力の計
測制御のみにより薄膜形成条件を最適化することにより
、高速、均質形成を達成しようとする試みがあるもその
達成は困難をきわめている。
本発明者らは上記問題の解明にとり組み、従来技術にお
いて実施されている圧力制御だけでは不充分であり、こ
のような高速膜形成条件においては原料種数そのものを
制御せねばならないことを見出して本発明の完成に到っ
た。
いて実施されている圧力制御だけでは不充分であり、こ
のような高速膜形成条件においては原料種数そのものを
制御せねばならないことを見出して本発明の完成に到っ
た。
本発明はグロー放電により原料ガスを分解して薄膜を形
成する方法において基体の薄膜形成主面近傍の原料種数
を少くとも計測し、この数を制御する工程を含むことを
特徴とする薄膜の形成法、である。
成する方法において基体の薄膜形成主面近傍の原料種数
を少くとも計測し、この数を制御する工程を含むことを
特徴とする薄膜の形成法、である。
さらに具体的には、薄膜形成面から約１０７１１ｍ以内
の原料種数を計測する工程を含むことに特徴がある。
の原料種数を計測する工程を含むことに特徴がある。
本発明において原料種数の計測には、コヒーレントアン
チストークスラマン分光法（ＣｏｈｅｒｅｎｔＡｎｉｉ
ｓｔｏｋｅｓ Ｒａｍａｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ
；以後ＣＡＲ８と略称する）を用いることが便利であ
る。というのはＣａＢ６光は、反応系を乱さずに非接触
で測定でき空間分解能が高し・からである。
チストークスラマン分光法（ＣｏｈｅｒｅｎｔＡｎｉｉ
ｓｔｏｋｅｓ Ｒａｍａｎ ５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ
；以後ＣＡＲ８と略称する）を用いることが便利であ
る。というのはＣａＢ６光は、反応系を乱さずに非接触
で測定でき空間分解能が高し・からである。
第１図及び第２図にはＣＡＲＳシステムを原料種数の計
測に用いる例を模式的に示した。以下図面にもとづいて
説明する。励起用のレーザー光２３および原料種のスト
ークス光の振動数に等しし・レーザー光２４を二色性ミ
ラー２６でコリニアへ（ｃｏ＄１ｎｅａｒ ）に重ね合
わせてレンズ２８によりグロー放電反応室中に焦点を結
ばせる。この時ＣａＨ２光はこの焦点の極く近傍からの
み発生ずる。たとえばＣａＢ６光は、焦点でのスポノト
ザイズ径φ、コーンフォーカル長をｌとすれば焦点近傍
の径φ、長さ６１の空間からその７５％が発生ずる。具
体的示例としては励起用のレーザー光の波長を５３２ｎ
ｍとしてレンズ２８の焦点距離をｆ二３０ｃｍ、レーザ
ービームの径をｄ ＝ １．３ ｍｍとずればφ＝４λ
ｆ／πｄであられされるから、これらの数値を代入して
φ＝ ４ ｘ ５３２ ｘ １．０−９ｘ ３０ ｘ
１０−２／π×１３×１．０−３（＋ｎ） φ’：１．．５６Ｘ］Ｏ’［ｍ、１ （＝１５．６μ
ｍ）またｌ−πφ２／２λであるから ｌ＝πｘ（１，５６Ｘ］Ｏ’）２／２ｘ５３２ｘ１０−
”＝；７１８ｘｌＯ’［ｍ）であり、６１＝６ｘ７．１
８Ｘ１０−’：４．３Ｘ］Ｏ−” 〔ｍ）を得る。即ち
具体的には焦点近傍の径１５．６μｍ、長さ４．３罷の
空間からＣａＢ６光の殆んどが得られて、空間分解能が
非常にすぐれていることがわかる。この焦点を移動させ
ることにより、各々の位置における原料種数を求めるこ
とができる。さらに便利なことはＣａＢ６光は励起用の
レーザー光強度■１の２乗に比例し、原料種のストーク
ス光に等しいレーザー光強度工、に比例し、原料種数０
２乗に比例する非常に強度の高い光である。この結果、
放電中においても、非発光種であるところの原料種の計
測が可能となる。
測に用いる例を模式的に示した。以下図面にもとづいて
説明する。励起用のレーザー光２３および原料種のスト
ークス光の振動数に等しし・レーザー光２４を二色性ミ
ラー２６でコリニアへ（ｃｏ＄１ｎｅａｒ ）に重ね合
わせてレンズ２８によりグロー放電反応室中に焦点を結
ばせる。この時ＣａＨ２光はこの焦点の極く近傍からの
み発生ずる。たとえばＣａＢ６光は、焦点でのスポノト
ザイズ径φ、コーンフォーカル長をｌとすれば焦点近傍
の径φ、長さ６１の空間からその７５％が発生ずる。具
体的示例としては励起用のレーザー光の波長を５３２ｎ
ｍとしてレンズ２８の焦点距離をｆ二３０ｃｍ、レーザ
ービームの径をｄ ＝ １．３ ｍｍとずればφ＝４λ
ｆ／πｄであられされるから、これらの数値を代入して
φ＝ ４ ｘ ５３２ ｘ １．０−９ｘ ３０ ｘ
１０−２／π×１３×１．０−３（＋ｎ） φ’：１．．５６Ｘ］Ｏ’［ｍ、１ （＝１５．６μ
ｍ）またｌ−πφ２／２λであるから ｌ＝πｘ（１，５６Ｘ］Ｏ’）２／２ｘ５３２ｘ１０−
”＝；７１８ｘｌＯ’［ｍ）であり、６１＝６ｘ７．１
８Ｘ１０−’：４．３Ｘ］Ｏ−” 〔ｍ）を得る。即ち
具体的には焦点近傍の径１５．６μｍ、長さ４．３罷の
空間からＣａＢ６光の殆んどが得られて、空間分解能が
非常にすぐれていることがわかる。この焦点を移動させ
ることにより、各々の位置における原料種数を求めるこ
とができる。さらに便利なことはＣａＢ６光は励起用の
レーザー光強度■１の２乗に比例し、原料種のストーク
ス光に等しいレーザー光強度工、に比例し、原料種数０
２乗に比例する非常に強度の高い光である。この結果、
放電中においても、非発光種であるところの原料種の計
測が可能となる。
さらにＣａＢ８に用いる励起用およびストークス光用の
レーザー光は、原料ガスを分解しないので系を乱さずに
ＣａＢ６光のみ外部へとり出すことができる。またＣａ
Ｂ６光は１．／１．０００〜１／１０秒オーダの短時間
に得られるので時間分解能にもすぐれている。さらに、
微弱な光強度でもこれを積算することもできるので極く
微量の原料種も測定することができる。また波長に対す
るＣａＢ６光の強度から原料種の温度を測定することが
できる。このように、ＣａＢ６光を計測の手段として用
いることにより原料種数と温度を同時に計測することが
でき、薄膜の形成条件の制御に対し太いに有効である。
レーザー光は、原料ガスを分解しないので系を乱さずに
ＣａＢ６光のみ外部へとり出すことができる。またＣａ
Ｂ６光は１．／１．０００〜１／１０秒オーダの短時間
に得られるので時間分解能にもすぐれている。さらに、
微弱な光強度でもこれを積算することもできるので極く
微量の原料種も測定することができる。また波長に対す
るＣａＢ６光の強度から原料種の温度を測定することが
できる。このように、ＣａＢ６光を計測の手段として用
いることにより原料種数と温度を同時に計測することが
でき、薄膜の形成条件の制御に対し太いに有効である。
というのは薄膜の形成速度や均質性は原料種の数に支配
されるが薄膜の性質は形成温度に支配されると考えられ
るからである。それ故にＣＡＲ８光強度が同一になるよ
うに条件を制御することにより原料種数及び温度の均一
性が得られ、大面積基体への高速、均質形成が可能とな
る。
されるが薄膜の性質は形成温度に支配されると考えられ
るからである。それ故にＣＡＲ８光強度が同一になるよ
うに条件を制御することにより原料種数及び温度の均一
性が得られ、大面積基体への高速、均質形成が可能とな
る。
ＣａＢ６光の発生位置はガス相であり、薄膜が形成され
る基体主面から１０ｍｍ以内の領域である。
る基体主面から１０ｍｍ以内の領域である。
この発生位置は反応圧力とともに変化するものである。
圧力が低い時には原料ガス種は反応室中に比較的均一に
分布するので発生位置は必ずしも主面から１０龍以内に
ある必要はない。しかしながら反応圧力が高くなると原
料種の分布が大きく乱れてくるのでこの発生位置は基板
主面から１０ｍｍ以内にあることが好ましく、さらに好
ましくは５ｍｍ以内である。またこの発生最適位置は薄
膜形成装置形状によっても変化する。発生位置の目安と
して反応圧力が低（０，４，Ｔｏｒｒ未満においては、
必ずしも１０ｍｍ以内にある必要はない。たとえば０．
４〜１．．ＯＴｏｒｒでは１０ｍｍ以内、］、、０ＴＯ
ｒｒ以」二では５ ｍｍ以内に発生位置をおくことが好
ましい。
分布するので発生位置は必ずしも主面から１０龍以内に
ある必要はない。しかしながら反応圧力が高くなると原
料種の分布が大きく乱れてくるのでこの発生位置は基板
主面から１０ｍｍ以内にあることが好ましく、さらに好
ましくは５ｍｍ以内である。またこの発生最適位置は薄
膜形成装置形状によっても変化する。発生位置の目安と
して反応圧力が低（０，４，Ｔｏｒｒ未満においては、
必ずしも１０ｍｍ以内にある必要はない。たとえば０．
４〜１．．ＯＴｏｒｒでは１０ｍｍ以内、］、、０ＴＯ
ｒｒ以」二では５ ｍｍ以内に発生位置をおくことが好
ましい。
本発明において有効に用いることのできる原料ガスはモ
ノシラン、ジシラン、トリシラン等のシリコン水素（Ｉ
Ｊ７１ヤモノフロロシラン、ジフロロシラン、）−’）
フロロシラン、ヘキザフロロジシラン等のフッ素化シラ
ンである。また、ゲルマンやフッ素化ゲルマン等の５ｉ
Ｇｅ合金用のガスやジボランやフォスフイン等の不純物
ガス（ドーピングガス）も原料として有効である。これ
らの中でも高速成膜に適し、ラマン共鳴の感受率の高い
ジシランが、本発明にお℃・では特に好ましい原料とし
て用いられる。勿論、とれもの原料は単独あるいは混合
した形態のいずれで用（・てもよく、水素やヘリウム等
のガスで希釈した状態においても有効に用いられる。
ノシラン、ジシラン、トリシラン等のシリコン水素（Ｉ
Ｊ７１ヤモノフロロシラン、ジフロロシラン、）−’）
フロロシラン、ヘキザフロロジシラン等のフッ素化シラ
ンである。また、ゲルマンやフッ素化ゲルマン等の５ｉ
Ｇｅ合金用のガスやジボランやフォスフイン等の不純物
ガス（ドーピングガス）も原料として有効である。これ
らの中でも高速成膜に適し、ラマン共鳴の感受率の高い
ジシランが、本発明にお℃・では特に好ましい原料とし
て用いられる。勿論、とれもの原料は単独あるいは混合
した形態のいずれで用（・てもよく、水素やヘリウム等
のガスで希釈した状態においても有効に用いられる。
また基体としては導電制料や絶縁材料が用いられる。金
属板、金属箔、ガラス、セラミックス、高分子フィルム
、半導体材料は勿論これらの板や箔やフィルムにあらか
じめ薄膜が形成されたものなども有効に用いられる。
属板、金属箔、ガラス、セラミックス、高分子フィルム
、半導体材料は勿論これらの板や箔やフィルムにあらか
じめ薄膜が形成されたものなども有効に用いられる。
薄膜の形成条件は特に限定されるものではない。
ＣＡＲ３光を有効に得るためには圧力は］、ｍＴｏｒｒ
以上であることが好ましい。高速成膜条件における原料
ガスの圧力は成膜装置によっても異るが、１、ＯＯｍＴ
ｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒであり、充分前述の圧力条件を満足
するものである。
以上であることが好ましい。高速成膜条件における原料
ガスの圧力は成膜装置によっても異るが、１、ＯＯｍＴ
ｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒであり、充分前述の圧力条件を満足
するものである。
〔発明を実施するだめの好ましい形態〕レーザへ光の入
射及びＣＡＲ８光の取出しの為の可視光に透明な材料た
とえばガラスや石英などで形成した窓を有するグロー放
電装置を成膜装置として用いる。
射及びＣＡＲ８光の取出しの為の可視光に透明な材料た
とえばガラスや石英などで形成した窓を有するグロー放
電装置を成膜装置として用いる。
原料ガスを導入し、ＣＡＲ８ｓｙｓｔｅｍを作動させ基
体の薄膜形成面近傍の原料種数を計測する。この原料種
数が等しくなるように原料ガス流量、反応ガス排気量を
制御する。また該計測を二次元的あるいは三次元的に実
施したときに原料種数が大きく変動する時には原料ガス
導入方法及び排気方法あるし・は成膜装置の形状等を変
更する。しかしながら実施例のような場合は数点の計測
で流量、゛排気量及びガス導入孔に対する排気孔の位置
を変更するだけで充分であった。
体の薄膜形成面近傍の原料種数を計測する。この原料種
数が等しくなるように原料ガス流量、反応ガス排気量を
制御する。また該計測を二次元的あるいは三次元的に実
施したときに原料種数が大きく変動する時には原料ガス
導入方法及び排気方法あるし・は成膜装置の形状等を変
更する。しかしながら実施例のような場合は数点の計測
で流量、゛排気量及びガス導入孔に対する排気孔の位置
を変更するだけで充分であった。
また加熱後にＣＡＲ８光を計測するととによりガス温度
の計測ができる。ＣＡＲ８光強度のスペクトルは原料種
温度により一義的に決まるので温度の絶対値を求める必
要はなく、制御のためには波長に対するＣＡＲ８光強度
を計測するだけでよい。このＣ，Ａ、ＲＳ光強度のスペ
クトルが一定になるように基体加熱ヒータを制御する。
の計測ができる。ＣＡＲ８光強度のスペクトルは原料種
温度により一義的に決まるので温度の絶対値を求める必
要はなく、制御のためには波長に対するＣＡＲ８光強度
を計測するだけでよい。このＣ，Ａ、ＲＳ光強度のスペ
クトルが一定になるように基体加熱ヒータを制御する。
本発明は、実施例に示すように従来方法で用いられてい
る圧力計測によるグロー放電制御よりも、より精緻な制
御を可能とし、大面積基体への薄膜の形成、特に高速で
均質な形成技術に有用である。
る圧力計測によるグロー放電制御よりも、より精緻な制
御を可能とし、大面積基体への薄膜の形成、特に高速で
均質な形成技術に有用である。
次に実施例をあげて不法をさらに具体的に説明する。
容量結合型のグロー放電装置は膜厚の均一性がよいので
工業的にもよく使用されている。この装置によく用いら
れる成膜室の一例を模式的に第１図に示す。グロー放電
反応室１は電力印加電極４、基体保持電極２、ガス導入
手段に接続されたガス導入孔５、この導入孔に接続し該
反応室内にガスを送り込むための多数の小孔を有する多
孔板７、真空排気手段に接続された真空排気孔６，６′
及びレーザー光やＣＡＲ８光を通すための可視光に透明
な窓を少くとも有するものである。第１図には示してい
ないが基体加熱手段もまた有している。
工業的にもよく使用されている。この装置によく用いら
れる成膜室の一例を模式的に第１図に示す。グロー放電
反応室１は電力印加電極４、基体保持電極２、ガス導入
手段に接続されたガス導入孔５、この導入孔に接続し該
反応室内にガスを送り込むための多数の小孔を有する多
孔板７、真空排気手段に接続された真空排気孔６，６′
及びレーザー光やＣＡＲ８光を通すための可視光に透明
な窓を少くとも有するものである。第１図には示してい
ないが基体加熱手段もまた有している。
のＹＡＧレーザー光は変換器で５３２ ｎｍであるとこ
ろの第２高調波に変化されＹＡＧレーザーを出ていく。
ろの第２高調波に変化されＹＡＧレーザーを出ていく。
この２倍の周波数を有するＹＡＧレーザー光２３は色素
レーザーに導入される。ＹＡＧ第２高調波のうち一部は
色素レーザーの発振及び増巾に使用され残りはそのまＮ
２３′として色素レーザーを通過する。色素レーザー光
２４はＣＡＲＳシステムのストークス光に相当するもの
である。これらのレーザー光２３′及び２４は二色性ミ
ラー２６を通してコリニア−に重ね合わせレンズ２８で
グロー放電反応室１中に焦点を結ばせる。コリニア−の
レーザー光８は透明窓９を通り反応室１中に導入すると
焦点５０のごく近傍において原料種数に応じた強度のＣ
ＡＲ８Ａｌ５Ｏ１２ずる。このＣＡＲ８光】１はレーザ
ー光２３’、２４とともに透明窓９′を通って反応室外
へ混合光１０として取り出される。ついでこの混合光１
０を二色性ミラー３２で分離し、ＣＡＲ８Ａｌ５Ｏ１２
リンドリカルレンズ３４を通して分光器３６に導入する
。分光器で分光された光はダイオードアレイ３７で電気
信号に変換され、制御信号として制御系に導入される。
レーザーに導入される。ＹＡＧ第２高調波のうち一部は
色素レーザーの発振及び増巾に使用され残りはそのまＮ
２３′として色素レーザーを通過する。色素レーザー光
２４はＣＡＲＳシステムのストークス光に相当するもの
である。これらのレーザー光２３′及び２４は二色性ミ
ラー２６を通してコリニア−に重ね合わせレンズ２８で
グロー放電反応室１中に焦点を結ばせる。コリニア−の
レーザー光８は透明窓９を通り反応室１中に導入すると
焦点５０のごく近傍において原料種数に応じた強度のＣ
ＡＲ８Ａｌ５Ｏ１２ずる。このＣＡＲ８光】１はレーザ
ー光２３’、２４とともに透明窓９′を通って反応室外
へ混合光１０として取り出される。ついでこの混合光１
０を二色性ミラー３２で分離し、ＣＡＲ８Ａｌ５Ｏ１２
リンドリカルレンズ３４を通して分光器３６に導入する
。分光器で分光された光はダイオードアレイ３７で電気
信号に変換され、制御信号として制御系に導入される。
第３図は各測定位置におけるＣＡ、Ｒ８光の強度を任意
目盛でプロットしたものである。なお、排気管は６′の
みを使用した。図中０．８Ｔｏｒｒおよび０．４Ｔｏｒ
ｒは隔膜式圧力計１３で測定したグロー放電室の圧力で
ある。本図における測定位置は基体３から３ｍｍ離れて
いる気相において−Ｆ部電極の中心点をｘ ＝ Ｏとす
ると電極外縁がｘ ＝ ５０ ｍｍで表わされる。本図
にお℃・てａおよびｌ）はそれぞれ電極中心点および電
極外縁を表わす。Ｏ，ＪＴｏｒｒと圧力の低い場合にお
いてはＣＡＲ８光強度ｙが中心から１０ ｍｍ程の間で
強いがそれ以外においては原料種は基体近傍の空間に比
較的均一に分配されていることがわかった。しかるに高
速成膜の条件であるところの圧力が０．８Ｔｏｒｒと高
い場合にはＣＡＲ８光強度ｙは中心で０．５であり、外
縁で０．９４であった。このように圧力によって原料種
の分布は逆転した。いまＣＡＲ８光強度ｙは原料種数ｎ
の２乗に比例するのでｙ＝ｋｎ２で表わされる。中心と
外縁の原料種数をそれぞれ”Ｃ５ｎｅとずればその比の
値（ｎｏ／ｎｏ）＝（ｙ８／ｙｃ）Ｉ７２で表わされ第
１表のごとくなる。
目盛でプロットしたものである。なお、排気管は６′の
みを使用した。図中０．８Ｔｏｒｒおよび０．４Ｔｏｒ
ｒは隔膜式圧力計１３で測定したグロー放電室の圧力で
ある。本図における測定位置は基体３から３ｍｍ離れて
いる気相において−Ｆ部電極の中心点をｘ ＝ Ｏとす
ると電極外縁がｘ ＝ ５０ ｍｍで表わされる。本図
にお℃・てａおよびｌ）はそれぞれ電極中心点および電
極外縁を表わす。Ｏ，ＪＴｏｒｒと圧力の低い場合にお
いてはＣＡＲ８光強度ｙが中心から１０ ｍｍ程の間で
強いがそれ以外においては原料種は基体近傍の空間に比
較的均一に分配されていることがわかった。しかるに高
速成膜の条件であるところの圧力が０．８Ｔｏｒｒと高
い場合にはＣＡＲ８光強度ｙは中心で０．５であり、外
縁で０．９４であった。このように圧力によって原料種
の分布は逆転した。いまＣＡＲ８光強度ｙは原料種数ｎ
の２乗に比例するのでｙ＝ｋｎ２で表わされる。中心と
外縁の原料種数をそれぞれ”Ｃ５ｎｅとずればその比の
値（ｎｏ／ｎｏ）＝（ｙ８／ｙｃ）Ｉ７２で表わされ第
１表のごとくなる。
第１表
いずれにせよ圧力の高低にかかわらず反応室内では原料
種は不均一に分布していることがわかる。
種は不均一に分布していることがわかる。
従来は圧力を検出することでのみ反応条件を制御してい
たので、本実施例で示すような原料種が不均一に分布す
ることを把握することができず高速での均一膜形成が困
難になっていた。本発明によりこの不均一性を検出し、
流量、排気量およびガス導入孔に対する気孔の位置を変
更すること等によりこれを制御することにより（すなわ
ちＣＡＲ８光強度を一定にすることにより）大面積基体
への高速均質形成が可能になった。
たので、本実施例で示すような原料種が不均一に分布す
ることを把握することができず高速での均一膜形成が困
難になっていた。本発明によりこの不均一性を検出し、
流量、排気量およびガス導入孔に対する気孔の位置を変
更すること等によりこれを制御することにより（すなわ
ちＣＡＲ８光強度を一定にすることにより）大面積基体
への高速均質形成が可能になった。
すなわち、２０Ｘ／ｓｅｃを越える高製膜速度条件（た
とえば０．４ Ｔｏｒｒ以上）で光導重度１０−５ｓ／
儂を越える均質な薄膜を電極直径の８“割の大きさの基
本面に形成することが可能となった。
とえば０．４ Ｔｏｒｒ以上）で光導重度１０−５ｓ／
儂を越える均質な薄膜を電極直径の８“割の大きさの基
本面に形成することが可能となった。
第１図は本発明に用いられるグロー放電装置の一例を示
す断面図である。 第２図は本発明の原料種数検出システムの一例を示すブ
ロック図でありＣＡＲＳシステムを用いるものである。 第３図はＣＡＲＳシステムにより検出されたＣＡＲ８光
強度の反応器内位置依存性を示すグラフである。 第１図及び第２図において１・・・・グロー放電反応室
、２・・・・基体保持電極、３・・・・基体、４・・・
・放電電力印加電極、５・・・・原料ガス導入部、６，
６′・・・・真空排気孔、８・・・・レーザー光、９，
９′・・・・透明窓、１０・・・・ＣＡＲ８光を示す。
す断面図である。 第２図は本発明の原料種数検出システムの一例を示すブ
ロック図でありＣＡＲＳシステムを用いるものである。 第３図はＣＡＲＳシステムにより検出されたＣＡＲ８光
強度の反応器内位置依存性を示すグラフである。 第１図及び第２図において１・・・・グロー放電反応室
、２・・・・基体保持電極、３・・・・基体、４・・・
・放電電力印加電極、５・・・・原料ガス導入部、６，
６′・・・・真空排気孔、８・・・・レーザー光、９，
９′・・・・透明窓、１０・・・・ＣＡＲ８光を示す。
Claims (3)
- （１）グロー放電により原料ガスを分解して薄膜を形成
する方法において、基体の薄膜形成主面近傍の原料種数
を少くとも計測し、この数を制御する工程を含むことを
特徴とする薄膜の形成法。 - （２）薄膜形成面から約１０ｍｍ以内の原料種数を計測
する工程を含む特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （３）薄膜を高速で形成する特許請求の範囲第１項記載
の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9794685A JPS61257478A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 薄膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9794685A JPS61257478A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 薄膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61257478A true JPS61257478A (ja) | 1986-11-14 |
| JPS6254870B2 JPS6254870B2 (ja) | 1987-11-17 |
Family
ID=14205835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9794685A Granted JPS61257478A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | 薄膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61257478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2473886C1 (ru) * | 2011-09-01 | 2013-01-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана" | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518783A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-09 | Sharp Corp | Electronic apparatus with function of counting number of issued slip |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9794685A patent/JPS61257478A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518783A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-09 | Sharp Corp | Electronic apparatus with function of counting number of issued slip |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2473886C1 (ru) * | 2011-09-01 | 2013-01-27 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана" | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик |
| WO2013032359A1 (ru) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н . Э . Баумана" (Мгту Им. Н.Э. Баумана) | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик |
| EA023105B1 (ru) * | 2011-09-01 | 2016-04-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и их оптических характеристик |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6254870B2 (ja) | 1987-11-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |