WO2013032359A1 - Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик - Google Patents
Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик Download PDFInfo
- Publication number
- WO2013032359A1 WO2013032359A1 PCT/RU2011/001045 RU2011001045W WO2013032359A1 WO 2013032359 A1 WO2013032359 A1 WO 2013032359A1 RU 2011001045 W RU2011001045 W RU 2011001045W WO 2013032359 A1 WO2013032359 A1 WO 2013032359A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- sample
- temperature
- kinetics
- formation
- change
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/8422—Investigating thin films, e.g. matrix isolation method
Definitions
- the invention relates to a method for evaluating the kinetics of the formation and change in the optical characteristics of nanoscale films formed by the condensation of gas evolution products of heated non-metallic materials in vacuum.
- the methods of the first group are aimed at reducing the growth or removal of existing contaminating films on optical surfaces.
- the methods of the second group are aimed at reducing the density of CBA by reducing gas evolution and sublimation of materials.
- the methods of this group include the method of assessment and selection of non-metallic materials according to the parameters of polluting films formed by their gas evolution products.
- a known method of degassing products (RF patent ⁇ ° 2061950, 1992).
- the method consists in the fact that the test product is placed in a vacuum chamber and vacuum under continuous heating and feeding into the chamber of make-up gas.
- Make-up gas is supplied continuously from the beginning of the process of degassing the product into the area of the surface to be protected, and the amount of gas supplied is proportional to the gas evolution flow of the product being degassed.
- the method is recommended for the degassing of products containing non-metallic materials (plastics, rubbers, sealants, varnishes, paints, insulating materials, etc.), as well as elements (components, parts, assemblies) to be protected against gas evolution products (glasses, mirrors, lenses, electronic circuits, etc.) .
- the main disadvantage of this method is the narrowness of its functionality, namely, that in the process of gas evolution only absorption spectra and chemical composition are controlled, while the physical and chemical parameters of the deposited film are not controlled.
- the main objective of the method is to increase the number of controlled parameters of condensing films, which can significantly expand the functionality of the method.
- a method for assessing the kinetics of the formation of nanoscale films and changing their optical characteristics consists in a thermal vacuum effect at a certain temperature on samples of materials placed in special isothermal containers, and in capturing easily condensing substances from samples on condensing plates.
- the mass loss is determined by the difference in mass of the sample before and after exposure, in the same way the content of volatile condensing substances is determined in the same way.
- the condensing plates of quartz glass are placed in a special holder, cooled to temperatures in the range from minus 30 to plus 50 ° C; in the lower window of the vacuum chamber have a source monochromatic radiation with wavelengths in the range from 140 to 3300 nm, and the radiation receiver in the upper window.
- the windows of the chamber are located coaxially on opposite sides of the test sample so that the axis passing through the center of the window coincides with the center of the sample; the test sample is heated to a temperature 0.1% below the minimum temperature threshold at which the destruction of non-metallic material begins, while the glass sample is continuously irradiated with a monochromatic flow and the energy and frequency characteristics of the monochromatic flow are recorded.
- the kinetics of film formation and changes in optical characteristics are determined by the change in transmittance, as well as the frequency characteristics of radiation transmitted through a condensation plate with a contaminating film.
- Sample 9 of the test material is placed in a vacuum chamber 1 on a heating table 8.
- the chamber 1 is pumped out.
- a sample of material 9 is heated to a temperature of 120 ° C.
- a sample of quartz glass 5 is located in chamber 1, which is cooled in the temperature range from minus 10 to plus 30 C on special cooling holders 7.
- In chamber 1 there are two windows 2 located coaxially on opposite sides of the quartz glass test sample 5. In this case, the axis passing through the windows coincides with the center of sample 5.
- the lower window of 2 chambers 1 is a source 3 of monochromatic radiation with the wavelength range overlapping the infrared (IR) (1 ... 33 m), ultraviolet (UV) and visible light range (140-1000 nm) and in the upper window 2 is located radiation receiver 4.
- Sample 9 of the test material is heated to a temperature of 0.1% below the minimum temperature threshold at which the destruction of non-metallic material begins.
- the quartz glass sample 5 is continuously irradiated with a monochromatic radiation flux and the energy and frequency characteristics of the monochromatic radiation flux are recorded.
- the kinetics of the formation of contaminating films 6 on glass 5 is determined by the change in the energy and frequency characteristics of the radiation.
- the processes of gas evolution, film formation and the study of the physicochemical and optical parameters of film 6 are combined in a single process, i.e. The parameters of film 6 are studied during its growth (in situ).
- the gas evolution of the test sample 9, deposition and formation of its nanoscale film 6 on quartz glass 5 is achieved, and simultaneously with these processes, the physicochemical parameters of the deposited film 6 are determined to assess the kinetics of its formation, as well as its optical characteristics.
- Atomic force microscopy determination of surface topography, film thickness and continuity
- IR-SE IR spectroellipsometry
- the parameters of the forecasting model for changes in the optical characteristics of quartz photosensitive elements are determined.
- the forecasting model is based on the optical model of the structure under study, with the help of which the dependence of the spectral transmittance T on time t and wavelength ⁇ is obtained.
- the input data for the model are the thicknesses, surface topography (roughness, continuity) and the refractive and absorption coefficients (n and k) of the films. Thicknesses, "surface topography, refractive index and absorption coefficient, chemical composition are obtained on the basis of changes in the energy and frequency characteristics of the radiation transmitted through the film.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик заключается в термовакуумном воздействии при определенной температуре на образцы материалов, помещенные в изотермические контейнеры, и в улавливании выделившихся из образцов легко конденсирующихся веществ на конденсирующих пластинах. Потерю массы определяют по разности масс образца до и после воздействия, таким же образом аналогично определяют и содержание летучих конденсирующихся веществ. Конденсирующие пластины из кварцевого стекла помещают в специальный держатель, охлаждаемый до температур в диапазоне от минус 30 до плюс 50°С. Испытуемый образец нагревают до температуры на 0,1% ниже минимального порога температуры, при которой начинается деструкция неметаллического материала, при этом происходит непрерывное облучение образца стекла монохроматическим потоком и регистрация энергетических и частотных характеристик монохроматического потока. Кинетику образования пленок и изменений оптических характеристик определяют по изменению коэффициента пропускания, а также частотных характеристик излучения, прошедшего через конденсационную пластину с загрязняющей пленкой.
Description
СПОСОБ ОЦЕНКИ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ПЛЕНОК И ИЗМЕНЕНИЯ ИХ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
Область техники
Изобретение относится к способу оценки кинетики образования и изменения оптических характеристик наноразмерных пленок, образующихся при конденсации продуктов газовыделения нагретых неметаллических материалов в вакууме.
Уровень техники
В настоящее время, исходя из технико-экономических соображений, большинство вновь разрабатываемых космических аппаратов конструируются в бескорпусном исполнении. При этом воздействию космических факторов, таких как высокий вакуум, циклически меняющаяся температура, высокоэнергетические излучения, поток микрометеоритов и др., подвергаются все блоки космического аппарата, расположенные вне гермоотсеков. Это приводит к увеличению количества продуктов газовыделения и сублимации различных материалов, т.е. к увеличению плотности собственной внешней атмосферы (СВА). Осаждение частиц СВА приводит к ряду негативных последствий, но прежде всего, к снижению светопропускания и появлению ложных срабатываний оптических приборов. Наиболее актуальна эта проблема для космических аппаратов, снабженных оптическими приборами с охлаждаемыми светочувствительными элементами. В этом случае возникают более благоприятные условия осаждения на поверхности светочувствительных элементов паразитных пленок, обладающих более плотной структурой и состоящих из большого числа органических частиц и радикалов.
Существует несколько методов решения данной проблемы. Их можно разделить на две основные группы. Методы первой группы преследуют цель снижения роста либо удаления существующих загрязняющих пленок на оптических поверхностях. Методы второй группы направлены на снижение плотности СВА за счет уменьшения газовыделения и сублимации материалов. К методам этой группы относят метод оценки и отбора неметаллических материалов по параметрам загрязняющих плёнок, образованных продуктами их газовыделения.
Известен способ обезгаживания изделий (патент РФ Ν° 2061950, 1992 г.). Способ заключается в том, что испытуемое изделие помещают в вакуумную камеру и вакуумируют при непрерывном нагреве и подаче в камеру подпиточного газ. Подпиточный газ подается непрерывно с начала процесса обезгаживания изделия в зону защищаемой поверхности, а количество подаваемого газа пропорционально потоку газовыделения изделия, подвергаемого обезгаживанию. Способ рекомендуется применять для обезгаживания изделий, содержащих в своем составе неметаллические
материалы (пластмассы, резины, герметики, лаки, краски, изоляционные материалы и т.п.), а также элементы (узлы, детали, сборки), подлежащие защите о продуктов газовыделения (стекла, зеркала, линзы, электронные схемы и др.).
Основным недостатком способа является то, что в ходе обезгаживания не контролируются параметры процессов газовыделения, не применяются конденсационные экраны, на которых осаждались бы продукты газовыделения. Отсутствие информации о процессах газовыделения и образовании загрязняющих плёнок не позволяет сделать обоснованный отбор материалов для космических аппаратов.
Наиболее близким к предлагаемому способу является способ моделирования влияния молекулярных загрязняющих пленок на свойства оптических систем. Данный способ описан в патенте США N° 7,514,275 (2009 г.). В патенте описаны способ и установка, предназначенные для активации процессов газовыделения и пленкообразования, при этом контроль продуктов газовыделения ведется методами спектрометрии. Контроль оптических свойств системы производится методом измерения спектров поглощения оптического излучения. Установка предусматривает проведение испытаний при изменении температуры и давления.
Основным недостатком способа является узость его функциональных возможностей, а именно то, что в процессе газовыделения контролируют только спектры поглощения и химический состав, при этом не производят контроль физико- химических параметров осаждаемой пленки.
Раскрытие изобретения
Основная задача способа заключается в увеличении количества контролируемых параметров конденсирующихся пленок, позволяющих значительно расширить функциональные возможности способа.
Технический результат достигается тем, что способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик заключается в термовакуумном воздействии при определенной температуре на образцы материалов, помещенные в специальные изотермические контейнеры, и в улавливании вьщелившихся из образцов легко конденсирующихся веществ на конденсирующих пластинах. Потерю массы определяют по разности масс образца до и после воздействия, таким же образом аналогично определяют и содержание летучих конденсирующихся веществ. Причем конденсирующие пластины из кварцевого стекла помещают в специальный держатель, охлаждаемый до температур в диапазоне от минус 30 до плюс 50°С; в нижнем окне вакуумной камеры располагают источник
монохроматического излучения с длинами волн в диапазоне от 140 до 3300 нм, а в верхнем окне - приемник излучения. Окна камеры расположены соосно с противоположных сторон испытуемого образца так, что ось, проходящая через центр окна, совпадает с центром образца; испытуемый образец нагревают до температуры на 0,1% ниже минимального порога температуры, при которой начинается деструкция неметаллического материала, при этом происходит непрерьшное облучение образца стекла монохроматическим потоком и регистрация энергетических и частотных характеристик монохроматического потока. Кинетику образования плёнок и изменений оптических характеристик определяют по изменению коэффициента пропускания, а также частотных характеристик излучения, прошедшего через конденсационную пластину с загрязняющей плёнкой.
Перечень фигур
Фиг.1 - Схема установки для реализации предлагаемого способа.
Осуществление изобретения
На фиг.1 номерами позиций обозначены: 1 - камера; 2 - окна; 3 - источник излучения; 4 - приемник излучения; 5 - образец кварцевого стекла; 6 - загрязняющая пленка; 7 - охлаждающие держатели; 8 - нагревательные столики; 9 - газящие образцы испытуемого материала.
Образец 9 испытуемого материала помещают в вакуумную камеру 1 на нагревательный столик 8. Производят откачку камеры 1. Затем производят разогрев образца материала 9 до температуры 120 С. В камере 1 расположен образец из кварцевого стекла 5, который охлаждается в диапазоне температур от минус 10 до плюс 30 С на специальных охлаждающих держателях 7. В камере 1 имеются два окна 2, расположенные соосно с противоположных сторон испытуемого образца кварцевого стекла 5. При этом ось, проходящая через окна, совпадает с центром образца 5. В нижнем окне 2 камеры 1 расположен источник монохроматического излучения 3 с диапазоном длин волн, перекрывающим инфракрасный (ИК) (1...33 мкм), ультрафиолетовый (УФ) и диапазон видимого света (140-1000 нм), а в верхнем окне 2 расположен приемник излучения 4.
Образец 9 испытуемого материала нагревают до температуры на 0,1% ниже минимального порога температуры, при котором начинается деструкция неметаллического материала. При этом происходит непрерывное облучение образца кварцевого стекла 5 монохроматическим потоком излучения и регистрация энергетических и частотных характеристик монохроматического потока излучения. После окончания процесса газовыделения кинетику образования загрязняющих плёнок
6 на стекле 5 определяют по изменению энергетических и частотных характеристик излучения. При этом происходит совмещение процессов газовыделения- пленкообразования и исследования физико-химических и оптических параметров пленки 6 в едином процессе, т.е. происходит исследование параметров пленки 6 в процессе ее роста (in situ).
Таким образом, достигается протекание процессов газовыделения испытуемого образца 9, осаждения и образования на кварцевом стекле 5 его наноразмерной пленки 6 и одновременно с этими процессами определение физико-химических параметров осажденной пленки 6 для оценки кинетики ее образования, а также ее оптических характеристик.
Достижение протекания процессов газовыделения испытуемого образца 9, осаждения и образования на кварцевом стекле 5 его наноразмерной пленки 6 и одновременно с этими процессами определение физико-химических параметров осажденной пленки 6 для оценки кинетики ее образования, а также ее оптических характеристик при моделировании воздействия факторов космического пространства приводит к повышению достоверности оценки пригодности материалов для использования в условиях открытого космоса.
Исследуемыми параметрами сконденсировавшихся пленок, характеризующими изменение оптических свойств кварцевых светочувствительных элементов в результате газовыделения и пленкообразования конструкционных материалов, являются следующие:
• толщина пленки (h);
• сплошность пленки (s);
• шероховатость поверхности ;
• химический состав;
• коэффициенты преломления (п) и поглощения (к);
• оптические коэффициенты пропускания (7) и отражения (R) пленки.
Исследование физико-химических параметров пленки производят различными методами:
• Атомно-силовая микроскопия (АСМ) (определение рельефа поверхности, толщины и сплошности пленки);
• ИК-спектроэллипсометрия (ИК-СЭ) (определение толщины пленки, химического состава, оптических констант);
• Спектрометрия комбинационного рассеяния (КРС) (определение химического состава пленки);
• Оптический микроскопия (определение сплошности пленки).
Исследование оптических характеристик (коэффициентов пропускания Т и отражения К) производят методами спектрофотометрии и спектральной эллипсометрии в следующих диапазонах длин волн:
• ИК-диапазон (1 - 33 мкм);
• УФ-диапазон и диапазон видимого света (140 - 1000 нм).
По результатам проводимых исследований определяют параметры модели прогнозирования изменения оптических характеристик кварцевых светочувствительных элементов. В основе модели прогнозирования лежит оптическая модель исследуемой структуры, с помощью которой получают зависимость спектрального коэффициента пропускания Т от времени t и длины волны λ. Варьируя значения параметров времени и длины волны получают зависимость оптических характеристик пленки от толщины и сплошности пленки. Входными данными для модели являются толщины, рельеф поверхности (шероховатость, сплошность) и коэффициенты преломления и поглощения (п и к) пленок. Толщины, " рельеф поверхности, коэффициенты преломления и поглощения, химический состав получают исходя из изменения энергетических и частотных характеристик излучения, прошедшего через пленку.
Claims
ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик, заключающийся в термовакуумном воздействии при определенной температуре на образцы материалов, помещенные в специальные изотермические контейнеры, и в улавливании выделившихся из образцов легко конденсирующихся веществ на конденсирующих пластинах, потерю массы определяют по разности масс образца до и после воздействия, таким же образом определяют и содержание летучих конденсирующихся веществ, отличающийся тем, что конденсирующие пластины из кварцевого стекла помещают в специальный держатель, охлаждаемый до температур в диапазоне от минус 30 до плюс 50°С; в нижнем окне вакуумной камеры располагают источник монохроматического излучения с длинами волн в диапазоне от 140 до 3300 нм, а в верхнем окне - приемник излучения, причём окна камеры расположены соосно с противоположных сторон испытуемого образца так, что ось, проходящая через центр окна, совпадает с центром образца; испытуемый образец нагревают до температуры на 0,1% ниже минимального порога температуры, при которой начинается деструкция неметаллического материала, при этом происходит непрерывное облучение образца стекла монохроматическим потоком и регистрация энергетических и частотных характеристик монохроматического потока; кинетику образования плёнок и изменений оптических характеристик определяют по изменению коэффициента пропускания, а также частотных характеристик излучения, прошедшего через конденсационную пластину с загрязняющей плёнкой.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EA201400085A EA023105B1 (ru) | 2011-09-01 | 2011-12-29 | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и их оптических характеристик |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011136384 | 2011-09-01 | ||
| RU2011136384/28A RU2473886C1 (ru) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2013032359A1 true WO2013032359A1 (ru) | 2013-03-07 |
Family
ID=47756617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/RU2011/001045 WO2013032359A1 (ru) | 2011-09-01 | 2011-12-29 | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA023105B1 (ru) |
| RU (1) | RU2473886C1 (ru) |
| WO (1) | WO2013032359A1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61257478A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜の形成法 |
| US7161677B2 (en) * | 2002-05-14 | 2007-01-09 | Airex Co., Ltd. | Condensation sensor and method of controlling condensate film in sealed space with condensation sensor |
| US7514275B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-04-07 | Raytheon Company | Molecular contaminant film modeling tool |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2061950C1 (ru) * | 1992-12-08 | 1996-06-10 | Акционерное общество открытого типа "ЛОМО" | Способ обезгаживания изделий |
| RU2330350C2 (ru) * | 2004-12-17 | 2008-07-27 | ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" | Способ получения эпитаксиальных пленок |
| FR2924723B1 (fr) * | 2007-12-11 | 2010-12-17 | Centre Nat Rech Scient | Support solide revetu d'au moins un film de metal et d'au moins une couche d'oxyde transparent et conducteur pour la detection par spr et/ou par une methode electrochimique |
-
2011
- 2011-09-01 RU RU2011136384/28A patent/RU2473886C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-12-29 EA EA201400085A patent/EA023105B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-12-29 WO PCT/RU2011/001045 patent/WO2013032359A1/ru active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61257478A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜の形成法 |
| US7161677B2 (en) * | 2002-05-14 | 2007-01-09 | Airex Co., Ltd. | Condensation sensor and method of controlling condensate film in sealed space with condensation sensor |
| US7514275B2 (en) * | 2003-11-26 | 2009-04-07 | Raytheon Company | Molecular contaminant film modeling tool |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2473886C1 (ru) | 2013-01-27 |
| EA023105B1 (ru) | 2016-04-29 |
| EA201400085A1 (ru) | 2014-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shi et al. | Structural and optical properties of amorphous Al2O3 thin film deposited by atomic layer deposition | |
| Musgraves et al. | Comparison of the optical, thermal and structural properties of Ge–Sb–S thin films deposited using thermal evaporation and pulsed laser deposition techniques | |
| Sharp et al. | Dielectric and ellipsometric studies of the dynamics in thin films of isotactic poly (methylmethacrylate) with one free surface | |
| Nazabal et al. | Optical waveguide based on amorphous Er3+-doped Ga–Ge–Sb–S (Se) pulsed laser deposited thin films | |
| Gudipati et al. | Photochemical activity of Titan’s low-altitude condensed haze | |
| Marsik et al. | Porogen residues detection in optical properties of low-k dielectrics cured by ultraviolet radiation | |
| KR20040096654A (ko) | 진공 자외선에서 고투명도를 갖는 불소 함유 화합물 | |
| Emeleus et al. | Effect of light on the ignition of monosilane-oxygen mixtures | |
| Sciamma-O’Brien et al. | Optical constants from 370 nm to 900 nm of Titan tholins produced in a low pressure RF plasma discharge | |
| TW201441406A (zh) | 類鑽碳與氮氧化矽薄膜之結晶與漂白 | |
| Slang et al. | Structure and properties of spin-coated Ge 25 S 75 chalcogenide thin films | |
| Loghina et al. | Selective wet etching of amorphous As2Se3 thin films | |
| Constantinescu et al. | Thermal, morphological and optical investigations of Cu (DAB) 2 thin films produced by matrix-assisted pulsed laser evaporation and laser-induced forward transfer for sensor development | |
| Karmakar et al. | IR spectra and their application for evaluating physical properties of fluorophosphate glasses | |
| RU2473886C1 (ru) | Способ оценки кинетики образования наноразмерных пленок и изменения их оптических характеристик | |
| Novak et al. | Evolution of the structure and properties of solution-based Ge23Sb7S70 thin films during heat treatment | |
| Costacurta et al. | Deep X‐ray Lithography for Direct Patterning of PECVD Films | |
| Ibrahim et al. | Condensation phenomenon detection through surface plasmon resonance | |
| JP2002195962A (ja) | 結晶の照射安定性を測定する改良された方法 | |
| Behrens et al. | Proton conduction in glass–an impedance and infrared spectroscopic study on hydrous BaSi2O5 glass | |
| Fan et al. | Infrared laser wavelength dependence of particles ablated from glycerol | |
| Zhang | Manipulating glass structure and properties through surface mediated equilibrium | |
| Kitai et al. | Determination of the boundary transition temperatures in polypropylene on the basis of measurements in the terahertz band | |
| Subedi et al. | Effect of UV-treatment on the wettability of polycarbonate | |
| Sato et al. | Diffusion of hydroxyl groups in silica glass through the binding interface |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11871764 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201400085 Country of ref document: EA |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11871764 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |