JP3482441B2 - 赤外減衰全反射薄膜測定装置 - Google Patents
赤外減衰全反射薄膜測定装置Info
- Publication number
- JP3482441B2 JP3482441B2 JP2001073036A JP2001073036A JP3482441B2 JP 3482441 B2 JP3482441 B2 JP 3482441B2 JP 2001073036 A JP2001073036 A JP 2001073036A JP 2001073036 A JP2001073036 A JP 2001073036A JP 3482441 B2 JP3482441 B2 JP 3482441B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- total reflection
- infrared light
- infrared
- attenuated total
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水素アモルファス
シリコン等の薄膜の特性評価を行う赤外減衰全反射薄膜
測定装置（以下、「減衰全反射」を「ＡＴＲ」と略
す。）に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の赤外ＡＴＲ薄膜測定装置は、図５
に示すように、基板ホルダー２１上に赤外領域に吸収を
持たず、透明な高屈折率の台形などの形状をしたＡＴＲ
プリズム６を設け、このＡＴＲプリズム６上に試料２２
を成長薄膜として密着裁置しておく。ＡＴＲプリズム６
の端面２０から赤外光３０を入射させると、入射した赤
外光３０は光ファイバと同様にＡＴＲプリズム６の表面
３１および裏面３２で多重反射を繰り返し、最終的に透
過赤外光として外部に取り出される。ＡＴＲプリズム６
上に赤外域に吸収を持つ化学結合種（Ｓｉ−Ｈ、Ｃ−
Ｈ、Ｃ＝Ｏなど）が存在すると、赤外光の吸収が起こ
り、赤外透過光の透過率から化学種の濃度などの定量評
価が可能である。赤外ＡＴＲ測定の最大の利点は、ＡＴ
Ｒプリズム内での赤外光の内部多重反射を利用すること
により表面上の微量の化学種の分析が可能であることで
ある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法によると、ＡＴＲプリズム６上に試料２２を成
長薄膜として密着させる過程で、成長薄膜がＡＴＲプリ
ズム６の端面も含む全面にわたって均一に堆積してしま
い、その結果、ＡＴＲプリズム６の端面の成長薄膜によ
り薄膜２２およびＡＴＲプリズム６の界面において赤外
光の干渉が起こり、赤外光の吸収が薄膜の膜厚に対して
直線にならず、データ解析が複雑になるという問題があ
った。さらに、ＡＴＲプリズム６の端面が平坦でない場
合には、データ解析が不可能になるという問題もあっ
た。 【０００４】本発明は、ＡＴＲプリズムの端面に薄膜が
成長しなようにすることにより、ＡＴＲにより測定され
る赤外光の吸光度を薄膜の成長膜厚に対して直線的に増
加することを可能とし、正確な結果を得ることができる
赤外ＡＴＲ薄膜測定装置を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明による赤外減衰全
反射薄膜測定装置は、赤外領域に吸収を持たない減衰全
反射プリズム上に被測定物である成長薄膜を密着裁置
し、前記減衰全反射プリズムの端面に成長薄膜側から赤
外光を入射させることにより前記成長薄膜の化学分析を
行う測定装置において、前記減衰全反射プリズムの端面
を、ヒーター上の基板ホルダーに減衰全反射プリズムと
ともに設置された赤外光通過用穴を形成した薄膜測定用
ホルダーで覆うことを特徴とする。 【０００６】 【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態を
図面に基づき説明する。図１、図２および図３は、プラ
ズマ化学気相成長用装置により薄膜を作成し、その薄膜
作成時に赤外ＡＴＲ薄膜測定を行う場合の例を示したも
のであり、図１は赤外ＡＴＲ薄膜測定装置の全体概略
図、図２は、図１のＡＴＲプリズム６、成長薄膜２２お
よび薄膜測定用ホルダー７部分の詳細を示した正面断面
図、図３は、図２のＡ−Ａ断面図である。なお、従来装
置における部材と同一部材については同一の符号を付し
ている。 【０００７】まず、成長薄膜２２の作成に当たっては、
原料ガス導入口１２から導入された原料ガスを、高周波
を印加されたカソード電極１１およびアノード電極１６
の間に生成されたプラズマにより分解する。分解された
原料ガスは、基板ヒーター１５により一定の温度に加熱
されたＡＴＲプリズム６上で成長して薄膜２２を生成す
る。また、アノード電極１６は絶縁層１４により電気的
に遮断されていることから、導入された原料ガスのうち
余分なものは、排気口１３から排出される。 【０００８】次に、赤外ＡＴＲ薄膜測定に当たっては、
コンピューター２制御の赤外分光装置１により赤外光３
の制御を行う。入射赤外光は、反射ミラー１７および楕
円反射鏡１８により、偏光子４，赤外光窓５および薄膜
測定用ホルダー７に設けられた赤外光通過用穴１９（図
２，図３参照）を通り、ＡＴＲプリズム端面２０に集光
される。その後、赤外光はＡＴＲプリズム６内で多重反
射を繰り返し、最終的に赤外光検出器９により検出さ
れ、その透過赤外光強度から成長薄膜の吸光度を測定す
る。 【０００９】上記したＡＴＲプリズム６は、図２に示す
ように基板ホルダー２１の中央部に裁置され、薄膜測定
用ホルダー７によりその端面２０が覆われている。薄膜
測定用ホルダー７は、ＡＴＲプリズム６の端面２０に入
射する赤外光の入射位置および出射位置に対応して２つ
の赤外光通過用穴１９，１９が設けられるとともに、そ
の内周部２３が、図２に示すようにＡＴＲプリズム６の
端面２０を少なくとも覆うように形成されている。 【００１０】したがって、成長薄膜の生成時には原料ガ
スがＡＴＲプリズム６表面にしか堆積せず、端面２０は
成長開始前とほぼ同じ状態に保たれる。また、薄膜測定
用ホルダー７は、赤外光が赤外光通過用穴１９から入射
し、その入射した赤外光が反射して的確に成長薄膜２２
に入射するようにするとともに、それ以外の赤外光を遮
光する役割を果たすものである。その結果、赤外ＡＴＲ
薄膜測定は、赤外光通過用穴１９を通過する赤外光のみ
により正確に行われることになる。 薄膜測定用ホルダ
ー７は、図３に示すネジ固定用穴２４にネジを通すこと
によりＡＴＲプリズム６とともにアノード電極１６に固
定される。 【００１１】上記のように構成することにより、ＡＴＲ
プリズム端面２０での赤外光の干渉は起こらず、赤外光
の吸収は成長薄膜２２の増加に対し直線的となる。ま
た、ＡＴＲプリズム端面２０が平坦でない場合でも、端
面における成長薄膜２２の成長が起こらないためデータ
解析が不可能になるといった事態が生じることもない。 【００１２】 【実施例】図４は、プラズマ化学気相成長により水素化
アモルファスシリコン薄膜を作成し、薄膜成長中に赤外
ＡＴＲ薄膜測定装置により測定を行ったときに得られた
結果を示したものである。この図では、薄膜内に存在す
るＳｉ−Ｈ化学結合の吸光度を薄膜成長時間に対して示
している。この場合、成長時間の増加と共に薄膜の膜厚
は直線的に増加している。そのため、薄膜内のＳｉ−Ｈ
結合による吸光度は成長時間と共に直線的に増加するこ
とが予想される。 【００１３】図４に示されるように、薄膜測定用ホルダ
ー７を用いた場合には、Ｓｉ−Ｈ結合の吸光度は直線的
に増加しているが、薄膜測定用ホルダーを用いない場合
には成長時間の増加と共に、吸光度は非線形に変化して
いるのがわかる。これは、薄膜測定用ホルダー７を用い
ない場合には、ＡＴＲプリズム６の端面２０に膜堆積が
起こり、そのためにＡＴＲプリズム６と成長薄膜２２と
の間に光学干渉が起こっていることを示している。この
結果は、成長薄膜２２内の化学種の吸光度を正確に見積
もるためには、ＡＴＲプリズム６の膜堆積を抑制しなけ
ればならないことを示している。 【００１４】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ａ
ＴＲ端面での赤外光の干渉は起こらず、赤外光の吸収は
薄膜の膜厚の増加に対して直線的となる。また、ＡＴＲ
プリズム端面が平坦でない場合でも、薄膜の成長が起こ
らないため影響がない。
シリコン等の薄膜の特性評価を行う赤外減衰全反射薄膜
測定装置（以下、「減衰全反射」を「ＡＴＲ」と略
す。）に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の赤外ＡＴＲ薄膜測定装置は、図５
に示すように、基板ホルダー２１上に赤外領域に吸収を
持たず、透明な高屈折率の台形などの形状をしたＡＴＲ
プリズム６を設け、このＡＴＲプリズム６上に試料２２
を成長薄膜として密着裁置しておく。ＡＴＲプリズム６
の端面２０から赤外光３０を入射させると、入射した赤
外光３０は光ファイバと同様にＡＴＲプリズム６の表面
３１および裏面３２で多重反射を繰り返し、最終的に透
過赤外光として外部に取り出される。ＡＴＲプリズム６
上に赤外域に吸収を持つ化学結合種（Ｓｉ−Ｈ、Ｃ−
Ｈ、Ｃ＝Ｏなど）が存在すると、赤外光の吸収が起こ
り、赤外透過光の透過率から化学種の濃度などの定量評
価が可能である。赤外ＡＴＲ測定の最大の利点は、ＡＴ
Ｒプリズム内での赤外光の内部多重反射を利用すること
により表面上の微量の化学種の分析が可能であることで
ある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法によると、ＡＴＲプリズム６上に試料２２を成
長薄膜として密着させる過程で、成長薄膜がＡＴＲプリ
ズム６の端面も含む全面にわたって均一に堆積してしま
い、その結果、ＡＴＲプリズム６の端面の成長薄膜によ
り薄膜２２およびＡＴＲプリズム６の界面において赤外
光の干渉が起こり、赤外光の吸収が薄膜の膜厚に対して
直線にならず、データ解析が複雑になるという問題があ
った。さらに、ＡＴＲプリズム６の端面が平坦でない場
合には、データ解析が不可能になるという問題もあっ
た。 【０００４】本発明は、ＡＴＲプリズムの端面に薄膜が
成長しなようにすることにより、ＡＴＲにより測定され
る赤外光の吸光度を薄膜の成長膜厚に対して直線的に増
加することを可能とし、正確な結果を得ることができる
赤外ＡＴＲ薄膜測定装置を提供することを目的とする。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明による赤外減衰全
反射薄膜測定装置は、赤外領域に吸収を持たない減衰全
反射プリズム上に被測定物である成長薄膜を密着裁置
し、前記減衰全反射プリズムの端面に成長薄膜側から赤
外光を入射させることにより前記成長薄膜の化学分析を
行う測定装置において、前記減衰全反射プリズムの端面
を、ヒーター上の基板ホルダーに減衰全反射プリズムと
ともに設置された赤外光通過用穴を形成した薄膜測定用
ホルダーで覆うことを特徴とする。 【０００６】 【発明の実施の形態】以下、本発明による実施の形態を
図面に基づき説明する。図１、図２および図３は、プラ
ズマ化学気相成長用装置により薄膜を作成し、その薄膜
作成時に赤外ＡＴＲ薄膜測定を行う場合の例を示したも
のであり、図１は赤外ＡＴＲ薄膜測定装置の全体概略
図、図２は、図１のＡＴＲプリズム６、成長薄膜２２お
よび薄膜測定用ホルダー７部分の詳細を示した正面断面
図、図３は、図２のＡ−Ａ断面図である。なお、従来装
置における部材と同一部材については同一の符号を付し
ている。 【０００７】まず、成長薄膜２２の作成に当たっては、
原料ガス導入口１２から導入された原料ガスを、高周波
を印加されたカソード電極１１およびアノード電極１６
の間に生成されたプラズマにより分解する。分解された
原料ガスは、基板ヒーター１５により一定の温度に加熱
されたＡＴＲプリズム６上で成長して薄膜２２を生成す
る。また、アノード電極１６は絶縁層１４により電気的
に遮断されていることから、導入された原料ガスのうち
余分なものは、排気口１３から排出される。 【０００８】次に、赤外ＡＴＲ薄膜測定に当たっては、
コンピューター２制御の赤外分光装置１により赤外光３
の制御を行う。入射赤外光は、反射ミラー１７および楕
円反射鏡１８により、偏光子４，赤外光窓５および薄膜
測定用ホルダー７に設けられた赤外光通過用穴１９（図
２，図３参照）を通り、ＡＴＲプリズム端面２０に集光
される。その後、赤外光はＡＴＲプリズム６内で多重反
射を繰り返し、最終的に赤外光検出器９により検出さ
れ、その透過赤外光強度から成長薄膜の吸光度を測定す
る。 【０００９】上記したＡＴＲプリズム６は、図２に示す
ように基板ホルダー２１の中央部に裁置され、薄膜測定
用ホルダー７によりその端面２０が覆われている。薄膜
測定用ホルダー７は、ＡＴＲプリズム６の端面２０に入
射する赤外光の入射位置および出射位置に対応して２つ
の赤外光通過用穴１９，１９が設けられるとともに、そ
の内周部２３が、図２に示すようにＡＴＲプリズム６の
端面２０を少なくとも覆うように形成されている。 【００１０】したがって、成長薄膜の生成時には原料ガ
スがＡＴＲプリズム６表面にしか堆積せず、端面２０は
成長開始前とほぼ同じ状態に保たれる。また、薄膜測定
用ホルダー７は、赤外光が赤外光通過用穴１９から入射
し、その入射した赤外光が反射して的確に成長薄膜２２
に入射するようにするとともに、それ以外の赤外光を遮
光する役割を果たすものである。その結果、赤外ＡＴＲ
薄膜測定は、赤外光通過用穴１９を通過する赤外光のみ
により正確に行われることになる。 薄膜測定用ホルダ
ー７は、図３に示すネジ固定用穴２４にネジを通すこと
によりＡＴＲプリズム６とともにアノード電極１６に固
定される。 【００１１】上記のように構成することにより、ＡＴＲ
プリズム端面２０での赤外光の干渉は起こらず、赤外光
の吸収は成長薄膜２２の増加に対し直線的となる。ま
た、ＡＴＲプリズム端面２０が平坦でない場合でも、端
面における成長薄膜２２の成長が起こらないためデータ
解析が不可能になるといった事態が生じることもない。 【００１２】 【実施例】図４は、プラズマ化学気相成長により水素化
アモルファスシリコン薄膜を作成し、薄膜成長中に赤外
ＡＴＲ薄膜測定装置により測定を行ったときに得られた
結果を示したものである。この図では、薄膜内に存在す
るＳｉ−Ｈ化学結合の吸光度を薄膜成長時間に対して示
している。この場合、成長時間の増加と共に薄膜の膜厚
は直線的に増加している。そのため、薄膜内のＳｉ−Ｈ
結合による吸光度は成長時間と共に直線的に増加するこ
とが予想される。 【００１３】図４に示されるように、薄膜測定用ホルダ
ー７を用いた場合には、Ｓｉ−Ｈ結合の吸光度は直線的
に増加しているが、薄膜測定用ホルダーを用いない場合
には成長時間の増加と共に、吸光度は非線形に変化して
いるのがわかる。これは、薄膜測定用ホルダー７を用い
ない場合には、ＡＴＲプリズム６の端面２０に膜堆積が
起こり、そのためにＡＴＲプリズム６と成長薄膜２２と
の間に光学干渉が起こっていることを示している。この
結果は、成長薄膜２２内の化学種の吸光度を正確に見積
もるためには、ＡＴＲプリズム６の膜堆積を抑制しなけ
ればならないことを示している。 【００１４】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ａ
ＴＲ端面での赤外光の干渉は起こらず、赤外光の吸収は
薄膜の膜厚の増加に対して直線的となる。また、ＡＴＲ
プリズム端面が平坦でない場合でも、薄膜の成長が起こ
らないため影響がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る赤外ＡＴＲ薄膜測定
装置の全体概略図図である。 【図２】図１に示したＡＴＲプリズム、成長薄膜および
薄膜測定用ホルダー部分の詳細を示した正面断面図であ
り、 【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。 【図４】プラズマ化学気相成長により水素化アモルファ
スシリコン薄膜を作成し、薄膜成長中に赤外ＡＴＲ薄膜
測定装置により測定を行ったときに得られた結果を示し
た図である。 【図５】従来の赤外ＡＴＲ薄膜測定装置を示した図であ
る。 【符号の説明】 １ 赤外分光装置 ２ コンピュータ ３ 赤外光 ４ 偏光子 ５ 赤外光窓 ６ ＡＴＲプリズム ７ 薄膜測定用ホルダー ８ プラズマ化学気相成長用装置 ９ 赤外光検出器 １０ 高周波 １１ カソード電極 １２ 原料ガス導入口 １３ 排気口 １４ 絶縁層 １５ 基板ヒーター １６ アノード電極 １７ 反射ミラー １８ 楕円反射鏡 １９ 赤外光通過用穴 ２０ ＡＴＲプリズム端面 ２１ 基板ホルダー ２２ 成長薄膜 ２３ 内周部 ２４ ネジ固定用穴
装置の全体概略図図である。 【図２】図１に示したＡＴＲプリズム、成長薄膜および
薄膜測定用ホルダー部分の詳細を示した正面断面図であ
り、 【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。 【図４】プラズマ化学気相成長により水素化アモルファ
スシリコン薄膜を作成し、薄膜成長中に赤外ＡＴＲ薄膜
測定装置により測定を行ったときに得られた結果を示し
た図である。 【図５】従来の赤外ＡＴＲ薄膜測定装置を示した図であ
る。 【符号の説明】 １ 赤外分光装置 ２ コンピュータ ３ 赤外光 ４ 偏光子 ５ 赤外光窓 ６ ＡＴＲプリズム ７ 薄膜測定用ホルダー ８ プラズマ化学気相成長用装置 ９ 赤外光検出器 １０ 高周波 １１ カソード電極 １２ 原料ガス導入口 １３ 排気口 １４ 絶縁層 １５ 基板ヒーター １６ アノード電極 １７ 反射ミラー １８ 楕円反射鏡 １９ 赤外光通過用穴 ２０ ＡＴＲプリズム端面 ２１ 基板ホルダー ２２ 成長薄膜 ２３ 内周部 ２４ ネジ固定用穴
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 赤外領域に吸収を持たない減衰全反射プ
リズム上に被測定物である成長薄膜を密着裁置し、前記
減衰全反射プリズムの端面に成長薄膜側から赤外光を入
射させることにより前記成長薄膜の化学分析を行う測定
装置において、前記減衰全反射プリズムの端面を、ヒー
ター上の基板ホルダーに減衰全反射プリズムとともに設
置された赤外光通過用穴を形成した薄膜測定用ホルダー
で覆うことを特徴とする赤外減衰全反射薄膜測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001073036A JP3482441B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 赤外減衰全反射薄膜測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001073036A JP3482441B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 赤外減衰全反射薄膜測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002277388A JP2002277388A (ja) | 2002-09-25 |
| JP3482441B2 true JP3482441B2 (ja) | 2003-12-22 |
Family
ID=18930521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001073036A Expired - Lifetime JP3482441B2 (ja) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | 赤外減衰全反射薄膜測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3482441B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103383344A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-11-06 | 西安近代化学研究所 | 一种多晶体整合型红外光谱衰减全反射附件 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1943500A4 (en) * | 2005-09-30 | 2013-01-16 | Fujifilm Corp | DETECTION SYSTEM |
| CN104359412B (zh) * | 2014-10-01 | 2017-05-24 | 上海光刻电子科技有限公司 | 光刻掩模版铬膜厚度测量方法 |
| CN105806798B (zh) * | 2016-05-18 | 2018-10-02 | 成都慧成科技有限责任公司 | 一种利用红外光谱法快速测定聚乙烯醇不同等规度的方法 |
-
2001
- 2001-03-14 JP JP2001073036A patent/JP3482441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103383344A (zh) * | 2013-06-24 | 2013-11-06 | 西安近代化学研究所 | 一种多晶体整合型红外光谱衰减全反射附件 |
| CN103383344B (zh) * | 2013-06-24 | 2015-10-28 | 西安近代化学研究所 | 一种多晶体整合型红外光谱衰减全反射附件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002277388A (ja) | 2002-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1482300A1 (en) | Concentration measurement device | |
| JP2011238957A (ja) | パルス広帯域光源を用いてプラズマエッチングおよび堆積プロセスをその場モニタリングするための方法および装置 | |
| JP3482441B2 (ja) | 赤外減衰全反射薄膜測定装置 | |
| JP4360265B2 (ja) | 生化学測定チップおよび測定装置 | |
| JPH0815133A (ja) | 分析素子 | |
| JP4792267B2 (ja) | 表面状態測定方法及び装置 | |
| JP3676183B2 (ja) | 複合型光学的温度測定システムを用いたシリコンワークピースを処理するための方法 | |
| JP4693554B2 (ja) | 温度測定装置及び温度測定方法 | |
| JP3866933B2 (ja) | 膜厚測定装置 | |
| JP2000146836A (ja) | エバネセント波の透過現象を利用する屈折率測定法およびその測定装置 | |
| Takeichi et al. | Anisotropic propagation of surface plasmon polaritons induced by para-sexiphenyl nanowire films | |
| JP3604425B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| US6903340B1 (en) | Thin film analyzer | |
| WO1994025850A1 (en) | Analytical device | |
| EP0652304A1 (en) | Film forming method and apparatus for carrying out the same | |
| JP3555833B2 (ja) | 光学定数の評価方法及び評価装置 | |
| JP2002340794A (ja) | 半導体ウェーハの赤外吸収測定法 | |
| JP2000097642A (ja) | 膜厚モニター | |
| JP3040311B2 (ja) | レーザ光反射変位測定による成膜観察法 | |
| JPH0296639A (ja) | 赤外吸収スペクトル測定法及び測定用治具 | |
| JP2023039330A (ja) | 分光分析装置 | |
| JPH02212726A (ja) | 基板温度の測定方法およびそれを利用した半導体薄膜の結晶成長法と結晶成長装置 | |
| WO2023229669A1 (en) | Epi self-heating sensor tube as in-situ growth rate sensor | |
| JPS6287829A (ja) | 赤外吸収分析試料 | |
| JPH06283589A (ja) | 基板表面の温度測定方法およびそれを利用した半導体成膜方法とその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3482441 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |