JP2011238957A - パルス広帯域光源を用いてプラズマエッチングおよび堆積プロセスをその場モニタリングするための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプ35を用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器40との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。
【選択図】図2
Description
図2は、全体的に30で指定された、複数の波長の照射を利用するシステムの複数の構成要素を示している。システム30は、フラッシュランプ35とトリガ付き電源37とを有する照射モジュール33を備える。システム30は、さらに、マルチチャネル分光器40と、アナログ−デジタル変換器43と、シンクロナイザ&バスインタフェース45と、第1および第2のデータファイル47,49と、データ処理&アルゴリズム展開ブロック50と、を備える。光ファイバ60は、フラッシュランプ35および分光器40を、プラズマチャンバの外部に配置された光線形成モジュール70に光学的に結合する。このシステム30は、以下で説明するように、プラズマチャンバ内に配置されたウエハ上の膜の厚さを計算するために使用される。
Claims (31)
- ウエハのプラズマエッチングプロセス中にプロセスパラメータを決定するためのプロセスモニタであって、
広帯域の光を射出するフラッシュランプと、
前記ウエハで反射された光に応答する分光器と、
前記分光器からの第1の信号であって、前記ウエハで反射された射出光量を表す前記第1の信号を処理し、プロセスパラメータを決定するためのデータ処理要素と、
を備えるプロセスモニタ。 - 請求項1記載のプロセスモニタであって、さらに、
前記射出光をコリメート可能な光線形成モジュールを備える、プロセスモニタ。 - 請求項2記載のプロセスモニタであって、
前記コリメート光は、前記ウエハに垂直に入射する、プロセスモニタ。 - 請求項1記載のプロセスモニタであって、
分光器の積分期間は、前記フラッシュランプと同期する、プロセスモニタ。 - 請求項1記載のプロセスモニタであって、
前記フラッシュランプが広帯域の光を射出していない期間中に前記ウエハで反射された光量を表す第2の信号は、前記データ処理要素によって処理され、プロセスパラメータを決定するために前記第1の信号から減算される、プロセスモニタ。 - 請求項1記載のプロセスモニタであって、
前記射出光の強度を表す第3の信号は、前記第1の信号を正規化するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。 - 請求項6記載のプロセスモニタであって、
前記正規化された第1の信号は、前記プロセスパラメータを決定するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。 - 請求項1記載のプロセスモニタであって、
前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の厚さを含む、プロセスモニタ。 - 請求項1記載のプロセスモニタであって、
前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層のエッチング速度を含む、プロセスモニタ。 - 請求項1記載のプロセスモニタであって、
前記プロセスパラメータは、さらに、プロセスの終点を含む、プロセスモニタ。 - ウエハのプラズマ堆積プロセス中にプロセスパラメータを決定するためのプロセスモニタであって、
広帯域の光を射出するフラッシュランプと、
前記ウエハで反射された光に応答する分光器と、
前記分光器からの第1の信号であって、前記ウエハで反射された射出光量を表す前記第1の信号を処理し、プロセスパラメータを決定するためのデータ処理要素と、
を備えるプロセスモニタ。 - 請求項11記載のプロセスモニタであって、さらに、
前記射出光をコリメート可能な光線形成モジュールを備える、プロセスモニタ。 - 請求項12記載のプロセスモニタであって、
前記コリメート光は、前記ウエハに垂直に入射する、プロセスモニタ。 - 請求項11記載のプロセスモニタであって、
分光器の積分期間は、前記フラッシュランプと同期する、プロセスモニタ。 - 請求項11記載のプロセスモニタであって、
前記フラッシュランプが広帯域の光を射出していない期間中に前記ウエハで反射された光量を表す第2の信号は、前記データ処理要素によって処理され、プロセスパラメータを決定するために前記第1の信号から減算される、プロセスモニタ。 - 請求項11記載のプロセスモニタであって、
前記射出光の強度を表す第3の信号は、前記第1の信号を正規化するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。 - 請求項16記載のプロセスモニタであって、
前記正規化された第1の信号は、前記プロセスパラメータを決定するために前記データ処理要素によって処理される、プロセスモニタ。 - 請求項11記載のプロセスモニタであって、
前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の厚さを含む、プロセスモニタ。 - 請求項11記載のプロセスモニタであって、
前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の堆積速度を含む、プロセスモニタ。 - 請求項11記載のプロセスモニタであって、
前記プロセスパラメータは、さらに、プロセスの終点を含む、プロセスモニタ。 - ウエハのプラズマプロセス中にプロセスをモニタリングし、プロセスパラメータを決定するための方法であって、
広帯域の光を射出するフラッシュランプを準備する工程と、
前記ウエハで反射された光に応答する分光器を準備する工程と、
前記分光器からの第1の信号であって、前記ウエハで反射された射出光量を表す前記第1の信号を処理し、プロセスパラメータを決定するためのデータ処理要素を準備する工程と、
を含む方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、
前記射出光をコリメート可能な光線形成モジュールを準備する工程を含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項22記載のプロセスモニタリング方法であって、
前記コリメート光は、前記ウエハに垂直に入射する、プロセスモニタリング方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、
分光器の積分期間を前記フラッシュランプに同期させる工程を含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、
前記フラッシュランプが広帯域の光を射出していない期間中に前記ウエハで反射された光量を表す第2の信号を処理する工程と、
プロセスパラメータを決定するために前記処理済みの第2の信号を減算する工程と、
を含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、
前記第1の信号を正規化するために、前記射出光の強度を表す第3の信号を処理する工程を含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項26記載のプロセスモニタリング方法であって、さらに、
前記プロセスパラメータを決定するために、前記正規化された第1の信号を処理する工程を含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、
前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の厚さを含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、
前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層のエッチング速度を含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、
前記プロセスパラメータは、さらに、前記ウエハ上の層の堆積速度を含む、プロセスモニタリング方法。 - 請求項21記載のプロセスモニタリング方法であって、
前記プロセスパラメータは、さらに、プロセスの終点を含む、プロセスモニタリング方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/409,842 | 1999-09-30 | ||
US09/409,842 US6160621A (en) | 1999-09-30 | 1999-09-30 | Method and apparatus for in-situ monitoring of plasma etch and deposition processes using a pulsed broadband light source |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001527169A Division JP4938948B2 (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-27 | プラズマプロセス中のプロセスパラメータを決定するためのプロセスモニタおよびその方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011238957A true JP2011238957A (ja) | 2011-11-24 |
Family
ID=23622206
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001527169A Expired - Lifetime JP4938948B2 (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-27 | プラズマプロセス中のプロセスパラメータを決定するためのプロセスモニタおよびその方法 |
JP2011156942A Pending JP2011238958A (ja) | 1999-09-30 | 2011-07-15 | パルス広帯域光源を用いてプラズマエッチングおよび堆積プロセスをその場モニタリングするための方法および装置 |
JP2011156941A Pending JP2011238957A (ja) | 1999-09-30 | 2011-07-15 | パルス広帯域光源を用いてプラズマエッチングおよび堆積プロセスをその場モニタリングするための方法および装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001527169A Expired - Lifetime JP4938948B2 (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-27 | プラズマプロセス中のプロセスパラメータを決定するためのプロセスモニタおよびその方法 |
JP2011156942A Pending JP2011238958A (ja) | 1999-09-30 | 2011-07-15 | パルス広帯域光源を用いてプラズマエッチングおよび堆積プロセスをその場モニタリングするための方法および装置 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6160621A (ja) |
EP (1) | EP1218689B1 (ja) |
JP (3) | JP4938948B2 (ja) |
KR (2) | KR100782315B1 (ja) |
CN (1) | CN1148563C (ja) |
AU (1) | AU7619800A (ja) |
DE (1) | DE60024291T2 (ja) |
ES (1) | ES2250191T3 (ja) |
WO (1) | WO2001023830A1 (ja) |
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- 2000-09-27 WO PCT/US2000/026613 patent/WO2001023830A1/en active IP Right Grant
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JP2011238958A (ja) | 2011-11-24 |
CN1377457A (zh) | 2002-10-30 |
EP1218689A1 (en) | 2002-07-03 |
AU7619800A (en) | 2001-04-30 |
EP1218689B1 (en) | 2005-11-23 |
KR20020035159A (ko) | 2002-05-09 |
JP4938948B2 (ja) | 2012-05-23 |
ES2250191T3 (es) | 2006-04-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110812 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110812 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130426 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130502 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131029 |