ES2250191T3 - Procedimiento y aparato para supervisar in situ procedimietos de deposicion y grabado por plasma usando una fuente de luz de banda ancha pulsada. - Google Patents
Procedimiento y aparato para supervisar in situ procedimietos de deposicion y grabado por plasma usando una fuente de luz de banda ancha pulsada.Info
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Abstract
Un monitor de proceso para determinar parámetros de proceso durante un proceso de grabado por plasma de una oblea, comprendiendo el monitor de proceso: una lámpara (35) de destellos que emite radiación óptica de banda ancha; un módulo (70) de formación de haces operable para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos sobre el oblea (74) y para enfocar la radiación óptica reflejada por el oblea; un espectrógrafo (40) que responde a la radiación óptica reflejada por el oblea; y un elemento (50) de procesado de datos para procesar una primera señal y una segunda señal procedente del espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de destellos está emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda señal representativa de radiación óptica reflejada por el oblea durante un período cuando la lámpara de destellos no está emitiendo radiación óptica de banda ancha, y para determinar un parámetro de proceso restando la segunda señal de la primera señal.
Description
Procedimiento y aparato para supervisar in
situ procedimientos de deposición y grabado por plasma usando
una fuente de luz de banda ancha pulsada.
La presente invención se refiere al campo de
procesado de sustrato de semiconductores y, más particularmente, a
la monitorización de grosor de material y velocidades de grabado y
de deposición durante procesos de grabado y de deposición de plasma
de sustratos de semiconductor.
El fabricante de un dispositivo de circuito
integrado requiere la formación de varias capas (tanto conductoras,
semiconductoras y no conductoras) encima de un sustrato base para
formar componentes e interconexiones necesarios. Durante el proceso
de fabricación, se debe conseguir la retirada de una cierta capa o
partes de capas con el fin de formar los diversos componentes e
interconexiones. Esto se realiza comúnmente por medio de un proceso
de grabado. Técnicas de grabado en uso incluyen grabado húmedo o
químico, y grabado seco o de plasma. La última técnica depende
típicamente de la generación de especies reactivas a partir de gases
de proceso que inciden sobre la superficie del material a lixiviar.
Una reacción química tiene lugar entre el material y estas especies
y el producto de la reacción gaseosa se retira, entonces, de la
superficie.
Haciendo referencia a la figura 1, la creación de
plasma para usar en los procesos de manufactura o fabricación
comienza típicamente introduciendo gases de diversos procesos en una
cámara 10 de plasma de un reactor de plasma indicado generalmente
con 12. Estos gases se introducen en la cámara 10 a través de una
entrada 13 y salen a través de una salida 15. Una pieza 14 de
trabajo, tal como un oblea de circuito integrado se dispone en la
cámara 10 mantenida sobre un soporte 16 de oblea. El reactor 12
incluye, además, un mecanismo 18 de producción de densidad de plasma
(por ejemplo, una bobina inductiva). Una señal de inducción de
plasma, alimentada por una fuente 20 de alimentación inductora de
plasma se aplica al mecanismo 18 de producción de densidad de
plasma, siendo, preferiblemente, la señal de inducción de plasma una
señal de RF. Una parte 22 superior, construida de un material
transmisor de radiación de RF tal como cerámica o cuarzo, se
incorpora en la superficie superior de la cámara 10. La parte 22
superior, permite una transmisión eficaz de radiación de RF desde
la bobina 18 al interior de la cámara 10. Esta radiación de RF, a
su vez, excita las moléculas de gas dentro de la cámara generando un
plasma 24. El plasma 24 generado es útil en lixiviar capas de un
oblea o para depositar capas sobre un oblea como es bien conocido en
la técnica.
Una consideración importante en todos los
procesos de lixiviación y deposición es la monitorización de
parámetros de procesos tales como la velocidad de lixiviación y
deposición, grosor de película y determinación de un tiempo, al que
se hace referencia como punto final, en el cual finaliza el proceso.
Procedimientos comunes para monitorizar procesos de lixiviación y
deposición de plasma incluyen la espectroscopia y la
interferometría. Los procedimientos de espectroscopia incluyen la
monitorización de las especies químicas en la cámara de plasma y
detectar un cambio en la concentración de especies emisoras en el
plasma cuando una capa pelicular se limpia durante un proceso de
lixiviación y la película subyacente está expuesta. Este
procedimiento no es útil, sin embargo, en algunos procesos de
lixiviación donde una película subyacente no está expuesta. Por
ejemplo, en un proceso de lixiviación de puerta, una capa de
silicio policristalino o silicio amorfo yace sobre una capa fina de
óxido. La capa de polisilicio se debe lixiviar lejos dejando la fina
capa de óxido sin que cree picadura o perforación a través de la
capa de oxido. Para conseguir esto, la química de grabado se debe
cambiar en un punto antes de limpiar la capa de polisilicio. La
espectroscopia, además, no es útil en aislar zanjas poco profundas y
procesos de lixiviación de oquedades.
En la patente de los de los Estados Unidos
5.450.205 de Sawin y col. se describen procedimientos
interferométricos que incluyen interferometría láser e
interferometría por emisión óptica. En la interferometría láser, un
rayo láser incidente choca contra una interfaz entre un oblea y un
entorno de cámara tal como un plasma de la cámara de plasma. Un rayo
reflejado se dirige a través de un filtro de banda pasante hasta un
fotodiodo donde una señal de interferometría se registra como una
función de tiempo. El filtro de banda pasante impide que la emisión
de plasma se introduzca en el fotodiodo mientras se permite que el
rayo láser reflejado golpee el fotodiodo.
En la interferometría de emisión óptica, la luz
generada por el plasma se usa como la fuente luminosa para
interferometría. La luz es recogida por la cámara de plasma con una
lente y pasa a través de un filtro de banda pasante y al interior
de un fotodiodo. El filtro de banda pasante define una longitud de
onda de luz que se usa como la señal interferométrica y bloquea la
luz a longitudes de onda no deseadas para impedir que el fondo del
plasma alcance el fotodiodo. Tanto en la interferometría láser como
en la interferometría por emisión óptica, la velocidad de grabado y
el grosor de película se calculan fácilmente detectando el tiempo
entre máximos contiguos o mínimos contiguos en la señal
interferométrica.
El uso de fuentes luminosas de banda ancha en
procedimientos interferométricos también es bien conocido en la
técnica. La patente de los Estados Unidos 5.291,269 de Ledger
describe un aparato para medir el grosor de una capa pelicular fina
incluyendo una fuente de luz extendida que forma un rayo luminoso
difuso policromático. El rayo ilumina la superficie entera de un
oblea y se refleja fuera del oblea y pasa a través de filtros para
formar un rayo monocromático de luz que se proyecta sobre un
conjunto ordenado detector. El rayo de luz monocromático muestra un
patrón de imagen de franjas de interferencia en el conjunto ordenado
detector. Este patrón se procesa para crear un mapa de datos medidos
de reflectancia que se compara con los datos de reflectancia
reflejados para generar un mapa del grosor de la capa pelicular fina
sobre una abertura completa del oblea.
El documento
EP-A-0881040 describe un monitor de
proceso y un procedimiento correspondiente para determinar
parámetros del proceso durante un proceso de pulido de un oblea. El
documento US-A-5748296 mide in
situ el grosor en el grabado de plasma analizando espectralmente
la luz reflejada por el oblea.
Para realizar medidas interferométricas a través
de plasma, es necesario retirar la contribución de la emisión del
plasma de la señal del interferómetro, y reducir, de este modo el
efecto de esta contribución sobre los algoritmos empleados para
modelar las estructuras peliculares finas sobre el oblea.
Fluctuaciones en la emisión de plasma también pueden confundir
modelos usados para determinar la velocidad de grabado de películas
sobre el oblea. El uso de interferometría de láser reduce en gran
medida la sensibilidad de la emisión de plasma pero limita la medida
a una única longitud de onda. Técnicas de interferometría por
emisión óptica dependen de la propia emisión de plasma y son, por lo
tanto, sensibles a fluctuaciones en la emisión y el intervalo de
longitudes de onda disponibles para el análisis varía con los
elementos químicos del proceso. Los procedimientos que usan fuentes
luminosas extendidas de banda ancha proporcionan un intervalo de
longitudes de onda útil para el análisis pero, generalmente, padecen
problemas de baja relación señal/ruido y de señales
interferométricas de baja intensidad.
Sería por lo tanto deseable proporcionar un
procedimiento y un aparato para monitorizar un proceso grabado o
deposición de plasma que reduzca la sensibilidad del detector a la
emisión de plasma pero que permita medidas sobre un intervalo amplio
de longitudes de onda y, en particular, la medida en la región
ultravioleta del espectro. Los materiales usados en la fabricación
de circuitos integrados son generalmente más lustrosos en el
intervalo ultravioleta y el uso de longitudes de onda más cortas
permite una resolución mayor de la señal interferométrica
proporcionando una precisión mejorada en la medida del grosor de
película.
Fuentes luminosas ultravioletas de la técnica
anterior son, típicamente, fuentes extendidas y el acoplamiento de
luces, eficazmente, a partir de estas fuentes es ópticamente
difícil. Además, estas fuentes tienden a ser fuentes monocromáticas.
Por último, están fuentes típicamente tienen intensidades
relativamente bajas haciendo, por lo tanto, que la señal
interferométrica sea más difícil de detectar por encima del fondo
de emisión del plasma.
Sería deseable, por lo tanto, proporcionar un
procedimiento y un aparato para monitorizar un proceso de grabado y
de deposición de plasma que proporcione una fuente luminosa no
extendida para generar luz que esté eficazmente acoplada a un
sistema óptico.
Sería deseable, además, proporcionar un
procedimiento y un aparato para monitorizar un proceso de grabado y
de deposición de plasma que proporcione una señal interferométrica
que tenga un intervalo espectral amplio, gran intensidad y gran
señal de relación de ruido.
Por último, será deseable proporcionar un aparato
para monitorizar un proceso de grabado y de deposición de plasma que
incluya una fuente luminosa que tenga una vida útil mayor que la de
las fuentes luminosas extendidas de banda ancha de la técnica
anterior.
La presente invención proporciona un
procedimiento interferométrico y un aparato para monitorizar in
situ un grosor de película fina y velocidades de grabado y de
deposición usando una lámpara de destellos pulsada que proporcione
impulsos instantáneos de alta potencia, teniendo una anchura
espectral ancha. La trayectoria óptica entre la lámpara de destellos
y el espectrógrafo empleado para detectar luz reflejada a partir de
un oblea se transmite sustancialmente al rango ultravioleta del
espectro, estando disponible para los algoritmos de programas
informáticos operativos para calcular el grosor de película y las
velocidades de grabado y de deposición a las longitudes de onda
deseables.
De acuerdo con la presente invención se
proporciona un monitor de proceso para determinar parámetros del
proceso durante un proceso de grabado de plasma de un oblea,
comprendiendo el monitor del proceso:
una lámpara de destellos que emite radiación
óptica de banda ancha;
un módulo de formación de rayos operable para
colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos en
el oblea y para enfocar la radiación óptica reflejada por el
oblea;
un espectrógrafo que actúa ante radiación óptica
reflejada por el oblea; y
un elemento de procesado de datos para procesar
una primera señal y una segunda señal procedente del espectrógrafo,
siendo representativa la primera señal de radiación óptica reflejada
por el oblea cuando la lámpara de destellos está emitiendo radiación
óptica de banda ancha, la segunda señal representativa de radiación
óptica reflejada por el oblea durante un período cuando la lámpara
de destellos no está emitiendo radiación óptica de banda ancha, y
para determinar un parámetro de proceso restando la segunda señal de
la primera señal.
Además, de acuerdo con la presente invención, se
proporciona un monitor de proceso para determinar parámetros de
proceso durante un proceso de deposición de plasma de un oblea,
comprendiendo el monitor de proceso:
una lámpara de destellos que emite radiación
óptica de banda ancha;
un módulo de formación de rayo operable para
colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos
sobre el oblea y para enfocar la radiación óptica reflejada por el
oblea;
un espectrógrafo que actúa ante radiación óptica
reflejada por el oblea;
y
un elemento de procesado de datos para procesar
una primera señal y una segunda señal procedente del espectrógrafo,
siendo representativa la primera señal de radiación óptica reflejada
por el oblea cuando la lámpara de destellos está emitiendo radiación
óptica de banda ancha, la segunda señal representativa de radiación
óptica reflejada por el oblea durante un período cuando la lámpara
de destellos no está emitiendo radiación óptica de banda ancha, y
para determinar un parámetro de proceso restando la segunda señal de
la primera señal.
Además, de acuerdo con la presente invención se
proporciona un procedimiento de monitorización de un proceso y para
determinar parámetros de proceso durante un proceso de plasma de un
oblea, comprendiendo el procedimiento:
proporcionar una lámpara de destellos que emite
radiación óptica de banda ancha;
proporcionar un módulo de formación de rayo
operable para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de
destellos en oblea y para enfocar la radiación óptica reflejada por
el oblea;
proporcionar un espectrógrafo que actúa ante
radiación óptica reflejada por el oblea; y
proporcionar un elemento de procesado de datos
para procesar una primera señal y una segunda señal procedente del
espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación
óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de destellos está
emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda señal
representativa de radiación óptica reflejada por el oblea durante un
período cuando la lámpara de destellos no está emitiendo radiación
óptica de banda ancha, y para determinar un parámetro de proceso
restando la segunda señal de la primera señal.
Estas y otras ventajas de la presente invención
se harán evidentes para aquellos expertos en la técnica tras la
lectura de la siguiente descripción de la invención y un estudio de
algunas figuras de los dibujos.
La presente invención se comprenderá fácilmente
por la siguiente descripción detallada conjuntamente con los dibujos
que se acompañan, en la que números de referencia semejantes indican
elementos semejantes.
La figura 1 es una vista esquemática de un
reactor de plasma de la técnica anterior.
La figura 2 es un diagrama de bloques del sistema
de monitorización de la presente invención.
La figura 3 es un diagrama óptico de la presente
invención.
La figura 2 muestra los componentes de un sistema
indicado generalmente con 30, que usa iluminación de múltiple
longitud de onda. El sistema 30 comprende un módulo 33 de
iluminación que comprende una lámpara 35 de destellos y una fuente
de alimentación con disparador 37. El sistema 30 también comprende
un espectrógrafo 40 multicanal, un convertidor 43 analógico a
digital, un sincronizador e interfaz 45 de barra ómnibus, un primer
archivo 47 y 49 de datos y un bloque 50 de desarrollo de procesado
de datos y algoritmo. Una fibra 60 óptica conecta ópticamente la
lámpara 35 de destellos y el espectrógrafo 40 a un módulo 70 de
formación de rayo dispuesto fuera de una cámara de plasma. Este
sistema 30 se usa para calcular el grosor de una película sobre un
oblea situado dentro de la cámara de plasma, como se describe a
continuación.
La lámpara 35 de destellos genera luz de banda
ancha en el intervalo de aproximadamente 200 nm hasta 2 micrómetros.
La fibra 60 óptica lleva la luz de banda ancha desde la lámpara 35
de destellos hasta el módulo 70 de formación de rayo dispuesto fuera
de la cámara de plasma. El módulo 70 de formación de rayo incluye un
colimador 72 (figura 3) que cambia el diámetro de la luz de banda
ancha para colimar un rayo sustancialmente paralelo sobre un oblea
74 sustancialmente normal a la superficie del oblea 74. El colimador
72 incluye una lente simple o múltiple u objetivo microscópico. El
colimador 72 enfoca, además, la luz reflejada de nuevo sobre la
fibra 60 óptica.
Cuando el rayo luminoso de banda ancha ilumina el
oblea 74, el oblea 74 refleja parte del rayo luminoso de banda
ancha. El espectrógrafo 40 mide el espectro de la luz reflejada y
genera una señal analógica que representa el espectro de la
reflectancia. El convertidor 43 analógico a digital convierte la
señal analógica en una señal digital y envía la señal digital al
sincronizador y a la interfaz 45 de barra ómnibus.
El sincronizador y la interfaz 45 de barra
ómnibus se operan para disparar la fuente 35 luminosa para generar
el rayo de luz y hacer que el espectrógrafo 40 detecte el espectro
del rayo reflejado del oblea 74 a intervalos de tiempo
predeterminados. El sincronizador y la interfaz 45 de barra ómnibus
también son operativos para hacer que el espectrógrafo detecte el
espectro de la emisión de plasma reflejada por el oblea 74 cuando no
se está iluminando por la lámpara 35 de destellos.
El sincronizador y la interfaz 45 de barra
ómnibus coordinan tres funciones. Primero, envía un disparador
periódico a la fuente 37 de alimentación, haciendo que la lámpara 35
de destellos genere impulso de luz de banda ancha para iluminar el
oblea 74 síncrono con un ciclo de adquisición de datos del
espectrógrafo 40. Segundo, el sincronizador y la interfaz 45 de bus,
registran la señal digital del convertidor 43 analógico a digital
en el primer archivo 47 de datos. Tercero, el sincronizador y la
interfaz 45 de barra ómnibus registran una segunda señal digital
procedente del convertidor 43 analógico a digital en el segundo
archivo 49 de datos cuando el oblea 74 no se ilumina.
La información almacenada en los archivos 47 y 49
primero y segundo se usan en un procesado de datos y bloque 50 de
desarrollo de algoritmo. De acuerdo con un primer aspecto de la
invención el bloque 50 usa la información almacenada en el primer
archivo 47 de datos para calcular el grosor de la película sobre el
oblea 74 y la velocidad de grabado o de deposición. El análisis de
cálculo de la función de reflexión espectral detectada,
especialmente sus mínimos y máximos, proporciona el grosor de la
película, así como la velocidad de grabado o deposición. A partir de
estos datos, también es fácilmente calculable un proceso de punto
final.
De acuerdo con un segundo aspecto de la invención
el bloque 50 usa la información almacenada en el segundo archivo 49
de datos para restar la señal de emisión de plasma de la señal
interferométrica iluminada. El bloque 50 usa, entonces, esta
información y la información almacenada en el primer archivo 47 de
datos para calcular el grosor de la película sobre el oblea 74 y la
velocidad de grabado o deposición.
De acuerdo con un tercer aspecto de la invención,
la intensidad del impulso generado por la lámpara 35 de destellos se
detecta por el espectrógrafo 40 por medio de fibra 62 óptica. La
información relativa a variaciones en la intensidad de impulso
causada por, por ejemplo, el envejecimiento de la lámpara 35 de
destellos, se almacena en un tercer archivo de datos (no mostrado).
El bloque 50 usa la información almacenada en el tercer archivo de
datos para normalizar la información del primer archivo 47 de datos
para variaciones en la intensidad de impulso. El bloque 50 usa, a
continuación, esta información normalizada y la información guardada
en el primer archivo 47 de datos para calcular el grosor de la
película sobre el oblea 74 y la velocidad de grabado o
deposición.
La lámpara 35 de destellos de la realización
preferida es preferiblemente, una lámpara de destellos de xenón que
tiene un tamaño pequeño de arco para aproximar más netamente una
fuente puntual para acoplar eficazmente al sistema óptico de la
invención. Ventajosamente, la lámpara de destellos de xenón
proporciona un impulso de alta energía de pequeña duración (del
orden de un microsegundo). Por ello, el tiempo de integración del
espectrógrafo 40 se puede reducir y el efecto de la emisión de
plasma sobre la señal interferométrica se elimina con tiempo.
Además, la energía media entregada al oblea 74 es baja. Además, al
usar fuente de luz pulsada, la vida útil de la fuente se puede
ampliar.
El procedimiento y el aparato de la invención se
usan preferiblemente con un sistema que es sustancialmente de
transmisión de radiación ultravioleta. La ventana de visualización
óptica y colimadores de transmisión de radiación ultravioleta son
bien conocidos en la técnica y sus propiedades y disposición en una
cámara de plasma no se describirán más.
Aunque únicamente unas pocas realizaciones de la
presente invención se han descrito al detalle en la presente
memoria, se deberá entender que la presente invención se puede
realizar en muchas otras formas específicas en tanto en cuanto estas
realizaciones no abandonen el ámbito de la invención como se define
por las reivindicaciones anexas. Por lo tanto, los presentes
ejemplos y realizaciones se han de considerar como ilustrativos y no
restrictivos, y la invención no se ha de limitar a los detalles
dados en la presente memoria, sino que se pueden modificar dentro
del alcance de las reivindicaciones anexadas.
Claims (25)
1. Un monitor de proceso para determinar
parámetros de proceso durante un proceso de grabado por plasma de
una oblea, comprendiendo el monitor de proceso:
una lámpara (35) de destellos que emite radiación
óptica de banda ancha;
un módulo (70) de formación de haces operable
para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos
sobre el oblea (74) y para enfocar la radiación óptica reflejada
por el oblea;
un espectrógrafo (40) que responde a la radiación
óptica reflejada por el oblea; y
un elemento (50) de procesado de datos para
procesar una primera señal y una segunda señal procedente del
espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación
óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de destellos está
emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda señal
representativa de radiación óptica reflejada por el oblea durante un
período cuando la lámpara de destellos no está emitiendo radiación
óptica de banda ancha, y para determinar un parámetro de proceso
restando la segunda señal de la primera señal.
2. Un monitor de proceso según la reivindicación
1, en el cual la radiación óptica colimada es normalmente incidente
al oblea (74).
3. Un monitor de proceso según la reivindicación
1, en el cual un periodo de integración espectrográfica se
sincroniza con la lámpara (35) de destellos.
4. Un monitor de proceso según la reivindicación
1, en el cual una tercera señal representativa de la intensidad de
la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos es procesada
por el elemento (50) de procesado de datos para normalizar la
primera señal.
5. Un monitor de proceso según la reivindicación
4, en el cual la primera señal normalizada es procesada por el
elemento (50) de procesado de datos para determinar el parámetro del
proceso.
6. Un monitor de proceso según la reivindicación
1, en el cual el parámetro del proceso comprende, además, un grosor
de una capa portada por el oblea (74).
7. Un monitor de proceso según la reivindicación
1, en el cual el parámetro del proceso comprende, además, una
velocidad de grabado de una capa portada por el oblea (74).
8. Un monitor de proceso según la reivindicación
1, en el cual el parámetro del proceso comprende, además, un punto
final de proceso.
9. Un monitor de proceso para determinar
parámetros de proceso durante un proceso de deposición de plasma de
un oblea, comprendiendo el monitor de proceso:
una lámpara (35) de destellos que emite radiación
óptica de banda ancha;
un módulo (70) de formación de rayos operable
para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos
sobre el oblea (74) y para enfocar la radiación óptica reflejada
por el oblea;
un espectrógrafo (40) que actúa ante radiación
óptica reflejada por el oblea; y
un elemento (50) de procesado de datos para
procesar una primera señal y una segunda señal procedente del
espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación
óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de destellos está
emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda señal
representativa de radiación óptica reflejada por el oblea durante un
período cuando la lámpara de destellos no está emitiendo radiación
óptica de banda ancha, y para determinar un parámetro de proceso
restando la segunda señal de la primera señal.
10. Un monitor de proceso según la reivindicación
9, en el cual la radiación óptica colimada es normalmente incidente
al oblea (74).
11. Un monitor de proceso según la reivindicación
9, en el cual un periodo de integración espectrográfica se
sincroniza con la lámpara (35) de destellos.
12. Un monitor de proceso según la reivindicación
9, en el cual una tercera señal representativa de la intensidad de
la radiación emitida es procesada por el elemento (50) de procesado
de datos para normalizar la primera señal.
13. Un monitor de proceso según la reivindicación
12, en el cual la primera señal normalizada es procesada por el
elemento (50) de procesado de datos para determinar el parámetro del
proceso.
14. Un monitor de proceso según la reivindicación
9, en el cual el parámetro del proceso comprende, además, un grosor
de una capa portada por el oblea (74).
15. Un monitor de proceso según la reivindicación
9, en el cual el parámetro del proceso comprende, además, una
velocidad de deposición de una capa portada por el oblea (74).
16. Un monitor de proceso según la reivindicación
9, en el cual el parámetro del proceso comprende, además, un punto
final de proceso.
17. Un procedimiento de monitorización de un
proceso para determinar parámetros de proceso durante un proceso de
plasma de un oblea, comprendiendo el procedimiento:
proporcionar una lámpara (35) de destellos que
emite radiación óptica de banda ancha;
proporcionar un módulo (70) de formación de rayos
operable para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de
destellos sobre el oblea (74) y para enfocar la radiación óptica
reflejada por el oblea;
proporcionar un espectrógrafo (40) que actúa ante
radiación óptica reflejada por el oblea;
y
proporcionar un elemento (50) de procesado de
datos para procesar una primera señal y una segunda señal procedente
del espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de
radiación óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de
destellos está emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda
señal representativa de radiación óptica reflejada por el oblea
durante un período cuando la lámpara de destellos no está emitiendo
radiación óptica de banda ancha, y para determinar un parámetro de
proceso restando la segunda señal de la primera señal.
18. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 17, en el cual la radiación óptica
colimada es normalmente incidente al oblea (74).
19. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 17, que comprende, además, un
periodo de integración espectrográfica con la lámpara (35) de
destellos.
20. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 17, que comprende, además, procesar
una tercera señal representativa de la intensidad de la radiación
emitida para normalizar la primera señal.
21. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 20, que comprende, además, procesar
la primera señal normalizada para determinar el parámetro del
proceso.
22. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 17, en el cual el parámetro del
proceso comprende, además, un grosor de una capa portada por el
oblea (74).
23. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 17, en el cual el parámetro del
proceso comprende, además, una velocidad de grabado de una capa
portada por el oblea (74).
24. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 17, en el cual el parámetro del
proceso comprende, además, una velocidad de deposición de una capa
portada por el oblea (74).
25. Un procedimiento de monitorización de un
proceso según la reivindicación 17, en el cual el parámetro del
proceso comprende, además, un punto final de proceso.
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