TW201907142A - 用於透射式高溫量測的脈衝輻射源 - Google Patents

用於透射式高溫量測的脈衝輻射源 Download PDF

Info

Publication number
TW201907142A
TW201907142A TW107116413A TW107116413A TW201907142A TW 201907142 A TW201907142 A TW 201907142A TW 107116413 A TW107116413 A TW 107116413A TW 107116413 A TW107116413 A TW 107116413A TW 201907142 A TW201907142 A TW 201907142A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
radiation
source
radiation source
wavelength
Prior art date
Application number
TW107116413A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI749226B (zh
Inventor
山謬Ｃ 赫威爾斯
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201907142A publication Critical patent/TW201907142A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI749226B publication Critical patent/TWI749226B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/08—Optical arrangements
    • G01J5/0818—Waveguides
    • G01J5/0821—Optical fibres
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
    • G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/08—Optical arrangements
    • G01J5/0896—Optical arrangements using a light source, e.g. for illuminating a surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
    • G01J5/602—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature using selective, monochromatic or bandpass filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
    • G01J2005/607—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature on two separate detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0045—Devices characterised by their operation the devices being superluminescent diodes

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

本文所述的實例大致上關於用於基板之快速熱處理(RTP)的設備及方法。本揭示案揭示脈衝輻射源，用以量測RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍。在一個實例中，使用兩個或更多個雷射，該等雷射中之一個雷射發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等雷射中之一個雷射發射1080 nm的輻射脈衝，此舉量測低於約200°C的溫度。在另一個實例中，使用兩個或更多個LED，該等LED中之一個LED發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等LED中之一個LED發射1080 nm的輻射脈衝。在又另一個實例中，使用寬帶輻射源來發射至少為1030 nm及1080 nm的輻射脈衝。這些輻射源對於在RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍之偵測為有用的。

Description

用於透射式高溫量測的脈衝輻射源
本文所述的實施例關於退火基板之設備及方法。更具體而言，本文所述的設備及方法關於藉由輻射透射的基板之溫度量測。
透射式高溫量測(transmission pyrometry)為評估基板（例如，矽基板）之熱狀態的常見模式。熱處理腔室通常將基板暴露於強烈的非同調(non-coherent)或同調(coherent)輻射以提高基板之溫度，無論是整個基板或是基板之表面區域之部分。用於加熱基板的輻射可在腔室中產生強烈的背景輻射環境。
輻射用於透射式高溫量測應用中以評估基板之熱狀態，因為具有不同波長的輻射可從腔室中的背景輻射區分出。通常使用雷射，因為雷射提供選擇最適合於基板的特定波長的機會。雷射產生同調輻射，當透射經過基板時，雷射可指示基板之熱狀態，此可被記錄為溫度。透射輻射可由高溫計偵測，與源輻射相比，並且相關聯的結果用以推斷基板熱狀態。迄今為止，源輻射通常不被脈衝化並且經選擇為處於少量的（例如，一個或兩個）特定的窄波長帶。同樣，僅在少量的（例如，一個或兩個）特定的窄波長帶處分析透射輻射。
然而，從電子的隨機熱運動、從腔室熱源及基板發射引起的熱雜訊(thermal noise)或電性波動可能減少使用高電阻率基板的習知透射式高溫量測方法之準確度及精確度，因為熱雜訊接近矽(Si)的最佳透射帶(transmission band)。另外，當前透射式高溫量測設備及方法不能測量低溫至高溫之寬範圍。
因此，需要改進的用於低溫至高溫的可靠透射式高溫量測的設備。
本文所述的實例大致上關於用於基板之快速熱處理(RTP)的設備及方法。本揭示案揭示用以量測RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍的脈衝輻射源。在一個實例中，使用兩個或更多個雷射，該等雷射中之一個雷射發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等雷射中之一個雷射發射1080 nm的輻射脈衝，此舉量測低於約200°C的溫度。在另一個實例中，使用兩個或更多個LED，該等LED中之一個LED發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等LED中之一個LED發射1080 nm的輻射脈衝。在又另一個實例中，使用寬帶輻射源來發射至少為1030 nm及1080 nm的輻射脈衝。這些輻射源對於在RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍之偵測為有用的。
在一個實例中，揭示一種熱處理腔室。該熱處理腔室包含：腔室主體；耦接至該腔室主體的燈具組件；於與該燈具組件相反側耦接至該腔室主體的基板支撐組件，該基板支撐組件界定處理平面；耦接至該燈具組件的脈衝輻射源，該脈衝輻射源包括第一雷射及第二雷射，第一雷射經操作以發射在第一波長的輻射，第二雷射經操作以發射在第二波長的輻射；源分歧管，該源分歧管將該輻射源耦接至該燈具組件；以及光學耦合至該脈衝輻射源並且設置於跨處理平面與該脈衝輻射源相反側的輻射偵測器。
在另一個實例中，揭示一種熱處理腔室。該熱處理腔室包含：腔室主體；耦接至該腔室主體的燈具組件；於與該燈具組件相反側耦接至該腔室主體的基板支撐組件，該基板支撐組件界定處理平面；耦接至該燈具組件的脈衝輻射源，該脈衝輻射源包括第一超發光二極體(superluminescent diode)及第二超發光二極體，第一超發光二極體經操作以發射在第一波長的輻射，第二超發光二極體經操作以發射在第二波長的輻射；源分歧管，該源分歧管將該輻射源耦接至該燈具組件；以及光學耦合至該脈衝輻射源並且設置於跨處理平面與該脈衝輻射源相反側的輻射偵測器。
在又另一個實例中，揭示一種熱處理腔室。該熱處理腔室包含：腔室主體；耦接至該腔室主體的燈具組件；於與該燈具組件相反側耦接至該腔室主體的基板支撐組件，該基板支撐組件界定處理平面；耦接至該燈具組件的脈衝輻射源，該脈衝輻射源包括至少一個寬帶源，該寬帶源經操作以發射至少在第一波長及第二波長的輻射；源分歧管，該源分歧管將該脈衝輻射源耦接至該燈具組件；以及光學耦合至該脈衝輻射源並且設置於跨處理平面與該脈衝輻射源相反側的輻射偵測器。
在又另一個實例中，揭示一種方法。該方法包含：將來自輻射源具有第一波長的第一光束脈衝化至設置於製程腔室中的基板上；將來自輻射源具有第二波長的第二光束脈衝化至基板上；從複數個燈具發射輻射至基板上；及藉由使用一或更多個偵測器偵測於第一波長及第二波長下由基板透射的輻射，來量測基板之溫度。
本文所述的實例大致上關於用於基板之快速熱處理(RTP)的設備及方法。本揭示案揭示用以量測RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍的脈衝輻射源。在一個實例中，使用兩個或更多個雷射，該等雷射中之一個雷射發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等雷射中之一個雷射發射1080 nm的輻射脈衝，此舉量測低於約200°C的溫度。在另一個實例中，使用兩個或更多個LED，該等LED中之一個LED發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等LED中之一個LED發射1080 nm的輻射脈衝。在又另一個實例中，使用寬帶輻射源來發射至少為1030 nm及1080 nm的輻射脈衝。這些輻射源對於在RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍之偵測為有用的。
第1圖為根據本揭示案之實例的快速熱處理(RTP)腔室100之局部透視圖。腔室100大致上由燈具組件110、腔室主體120及基板支撐組件130所組成。為了清楚起見，繪示腔室100的剖面，並且在第1圖中僅繪示腔室主體120之上部分。
燈具組件110包含複數個燈具111，每一個燈具位於反射管112的內部。燈具111可為白熾燈（如鎢鹵素燈）或其他高輸出燈具（如放電燈）。反射管112一起在水冷式外殼114的內部形成蜂巢狀陣列113。在一個實例中，非常薄的窗口115形成燈具組件110之底表面，從而將燈具組件110與通常存在於腔室100中的真空分隔。在另一個實例中，窗口115為單獨的元件。窗口115通常由耐處理環境且對所選輻射為透射的任何材料製成。例如，石英通常用於窗口115，因為石英對紅外光為透明的。另一種適合的材料包含但不限於藍寶石。在進一步實例中，窗口115任選地在窗口115之一側或兩側上塗佈有抗反射塗層或任何其他適合的濾波器。例如，任選的紫外(UV)濾波器用於若燈具111具有顯著的UV輸出，則避免在腔室中產生離子及自由基或對基板上的UV敏感結構的損傷。作為另一個實例，任選的陷波濾波器(notch filter)用於限制窄帶輻射。燈具組件110以真空密封的方式附接至腔室主體120之上表面。
腔室主體120包含腔室100之壁及底板以及基板開口121及排氣開口122。基板經由基板開口121傳遞至腔室100中或從腔室100移除，並且真空泵（未示出）經由排氣開口122排空腔室100。當需要時，可使用狹縫或閘閥（未示出）來密封基板開口121及排氣開口122。
界定處理平面的基板支撐組件130被容納於腔室主體120的內部並且包含邊緣支撐件131、設置成與邊緣支撐件131接觸的可旋轉構件132、反射板133及光學探針134（例如，光纖）之陣列。邊緣支撐件131擱置於可旋轉構件132上。可旋轉構件132通常具任何適合的尺寸及形狀，並且由耐熱材料製成。在一個實例中，可旋轉構件132為石英圓柱體。在基板處理期間，邊緣支撐件131在窗口115下方一段距離處支撐基板（為清楚起見未示出）。可旋轉構件132在基板處理期間以每分鐘約50轉(rpm)與約300 rpm之間旋轉，以在處理期間藉由使腔室100中的熱非對稱性對基板的影響最小化來使基板溫度均勻度最大化。反射板133位於基板下方某距離處。光學探針134部分地或完全地穿透反射板133並且在熱處理期間導向基板之背側。光學探針134將從基板接收到的輻射能量傳輸至一或更多個偵測器137，偵測器137可為高溫計，用於決定基板溫度。當燈具111為白熾燈時，高溫計通常適於在選定的波長範圍（例如，在約200 nm至約5000 nm的波長之間）中量測來自基板之背側的寬帶發射。一或更多個偵測器137可偵測由基板發射的輻射及/或由基板透射的輻射。
一或更多個偵測器137中之每一者皆可為任何適合的光偵測器。在一個實例中，偵測器137包含濾波器，該濾波器提供在約100°C與約350°C之間的基板溫度下對吸收間隙之波長敏感的光譜響應。其中使用的特定光偵測器可為用於溫度低於約350°C的矽光偵測器，因為對於從室溫至350°C的溫度，矽之吸收間隙從約1000 nm變化至約1200 nm。矽光偵測器可能對具有大於約1100 nm的波長的輻射不敏感。對於高於約350°C的溫度，吸收邊緣可能超出矽光偵測器之偵測極限，所以可能不容易偵測到吸收邊緣波長的任何進一步增加。
腔室100亦包含與一或更多個偵測器137中之至少一者相反設置的輻射源150。輻射源150通常為脈衝輻射源，在以下描述脈衝輻射源之實例。
如第1圖所示，在一個實例中，腔室100任選地包含分光器(beam splitter)141，分光器141與藉由脈衝輻射源150發射的輻射光通訊。在操作中，分光器141將來自脈衝輻射源150的輻射導向至取樣偵測器139，取樣偵測器139用於偵測直接來自脈衝輻射源150的源調變。取樣偵測器139可幫助補償任何脈衝至脈衝調變或其他振幅調變。分光器141通常具有低反射率，例如小於或等於約30%，如約20%，以避免過度衰減來自輻射源150的輻射。在一個實例中，分光器141為光纖耦接分光器，其經由光纖連接至取樣偵測器139。在第1圖中，分光器141圖示為在腔室主體120的外部；然而，分光器141亦可位於腔室100的內部並且不是光纖耦接至輻射源150，例如，在處理區域內部，以偵測從輻射源150發射的輻射。
第2A圖為根據本揭示案之一個實例的RTP腔室200之局部透視圖。腔室200與腔室100類似；然而，腔室200包含脈衝雷射輻射源250。腔室200大致上包含燈具組件110、腔室主體120及基板支撐組件130。
如所繪示，輻射源250耦接至腔室主體120。為了清楚起見，輻射源250圖示為位於腔室主體120的外部；然而，亦可預期，輻射源250可位於腔室主體120的內部。在一個實例中，輻射源250包括耦接至燈具組件110或直接安裝在燈具組件110上的複數個安裝件。在本揭示案預期的其他實例中，輻射源250位於燈具組件110的內部、附接至燈具組件110、緊靠燈具組件110的外部，或位於另一個適合的位置處。輻射源250產生用於輸入至源分歧管252的輻射。藉由輻射源250發射的輻射大致上行進穿過源分歧管252或分光器至腔室200中的基板之接收表面之入射區域。
在一個實例中，如第2B圖所示，源分歧管252包含複數個光束導件254或光纖，該複數個光束導件254或光纖穿過燈具組件110中的燈具111之間的間隙空間穿過開口290設置。如上所討論，位於管112的內部的燈具111形成蜂巢狀陣列113。蜂巢狀陣列113配置允許位於管112的內部的燈具111被更緊密地封裝並且更靠近在一起。管112的內部的燈具111豎直地延伸或與水冷式外殼114之上表面垂直地延伸。豎直間隙空間形成在蜂巢狀陣列113內在管112之間。開口290在水冷式外殼114之上表面中鑽出並且豎直地延伸穿過與管112（於其中具有燈具111）平行的間隙空間。在一個實例中，開口290進一步豎直地延伸穿過窗口115。每一個開口290之直徑大於或等於複數個光束導件254中之每一者之直徑，使得光束導件254可穿過開口290以發射輻射至基板之入射表面。在進一步實例中，複數個光束導件254中之每一者包含準直端表面或透鏡256。準直端表面或透鏡256大致上將輻射導引至基板之接收表面之入射區域上。
輻射源250通常包含兩個或更多個脈衝雷射262。兩個或更多個脈衝雷射262通常為以用於透射式高溫量測的各種波長發射的高功率雷射。在一個實例中，兩個或更多個雷射262為超連續光譜(supercontinuum)雷射，其具有低發散度(divergence)，並且為非偏振的、轉鑰(turn-key)及脈衝源。
如第2A圖所示，輻射源250包含兩個雷射262，第一雷射262a及第二雷射262b。在一個實例中，第一雷射262a及第二雷射262b中之一者發射分別以1030奈米(nm)為中心的波帶中的輻射脈衝，並且第一雷射262a及第二雷射262b中之另一者發射分別以1080 nm為中心的波帶中的輻射脈衝。1030 nm雷射以約250毫瓦(mW)的標稱輸出操作，1080 nm雷射以約450 mW的標稱輸出操作。從第一雷射262a及第二雷射262b發射的脈衝大致上耦合至至少一個光纖251中，該光纖251將脈衝傳遞至源分歧管或分光器（如2x4分光器）中，該源分歧管或分光器將脈衝分成複數個光束導件或光纖254，該複數個光束導件或光纖254中之每一者在準直端表面或透鏡256中之一者之遠端（從單一光纖251）處告終。該至少一個光纖251將輻射源250耦接至該複數個光束導件254。在其中來自雷射262的脈衝在四個光束導件或光纖254之間分光的實例中，來自光學元件的損耗總共約60%，因此，每一個光纖在雷射262之各自波長帶中以脈衝輸出每一個雷射之總標稱輸出的約10%。
儘管第2A圖繪示兩個雷射262，但輻射源250通常包含任何適合數量的雷射262，例如，三個或更多個雷射262。在一個實例中，輻射源250包含第三雷射，該第三雷射發射以更高的波長（例如，1120 nm）為中心的波帶中的輻射脈衝。如上所述，藉由使用兩個或更多個超連續光譜雷射，該等雷射中之兩個雷射在1030 nm及1080 nm的波長下，可量測及繪製低溫至高溫，因為1080 nm雷射可量測低於約攝氏200度(°C)的溫度。另外，超連續光譜雷射具有低時間同調性及高空間同調性。
腔室200亦包含與一或更多個光束導件或光纖254對準的一或更多個光學探針134，以偵測從輻射源250傳輸的輻射。腔室200亦包含光學耦合至輻射源250的一或更多個偵測器137，該一或更多個偵測器137設置於跨處理平面與輻射源相反側，偵測器137通常為用於量測作為方向或波長之函數的輻射的任何適合的偵測器。除了該一或更多個偵測器137之外，或者替代地，在一些實例中，腔室200包含用於偵測於較高功率（例如，高於約1100 nm的功率）下作為波長之函數的功率的砷化銦鎵(InGaAs)光譜儀或具有近紅外(NIR)透射光柵的InGaAs線性陣列。
第3圖為根據本揭示案之一個實例的RTP腔室300之局部透視圖。腔室300與腔室200類似；然而，腔室300還包含具有兩個或更多個發光二極體(LED) 372的輻射源350。腔室300大致上包含燈具組件110、腔室主體120及基板支撐組件130。
如同輻射源250，輻射源350大致上耦接至腔室主體120。為了清楚起見，輻射源350圖示為位於腔室主體120的外部；然而，亦可預期，輻射源350可位於腔室主體120的內部。在本揭示案預期的其他實例中，輻射源350位於燈具組件110的內部、附接至燈具組件110、緊靠燈具組件110的外部，或位於另一個適合的位置處。亦如同輻射源250，輻射源350產生用於輸入至源分歧管252的輻射。藉由輻射源350發射的輻射大致上行進穿過源分歧管252或分光器至腔室300中的基板之接收表面之入射區域。在一個實例中，源分歧管252包含穿過燈具組件110中的燈具111之間的開口290散佈的複數個光束導件254或光纖，如第2B圖所示。在進一步實例中，複數個光束導件254中之每一者包含準直端表面或透鏡256。準直端表面或透鏡256大致上將輻射導引至基板之接收表面之入射區域上。
輻射源350通常包含兩個或更多個LED 372，如超發光二極體(superluminescent diode)（SLED或SLD）。SLED與雷射類似，但不包含前鏡及後鏡。如第3圖所示，輻射源350包含三個SLED 372，第一SLED 372a、第二SLED 372b及第三SLED 372c。第一SLED 372a發射以第一波長（例如，1030 nm）或任何其他適合的波長為中心的波帶中的輻射脈衝。第二SLED 372b發射以第二波長（例如，1080 nm）或任何其他適合的波長為中心的波帶中的輻射脈衝。第三SLED 372c發射以第三波長（通常為用於透射式高溫量測的任何適合的波長）為中心的波帶中的輻射脈衝。
如上所述，藉由使用兩個或更多個SLED 372，該等SLED中之兩個SLED在1030 nm及1080 nm的波長下，可量測及繪製低溫至高溫，因為1080 nm SLED可量測低於約攝氏200度(°C)的溫度。相對較少數量的SLED可覆蓋寬波長範圍，這在透射式高溫量測中為有用的。另外，SLED 372在空間上為同調的並且具有相對低的成本。
腔室300亦包含與一或更多個光束導件或光纖254對準的一或更多個光學探針134，以偵測從輻射源350傳輸的輻射。腔室300亦包含光學耦合至輻射源250的一或更多個偵測器137，該一或更多個偵測器137設置於跨處理平面與輻射源相反側，偵測器137通常為用於量測作為方向或波長之函數的輻射的任何適合的偵測器。除了該一或更多個偵測器137之外，或替代地，在一些實例中，特別是當SLED具有寬帶寬時，腔室300包含砷化銦鎵(InGaAs)光譜儀。
第4圖為根據本揭示案之一個實例的RTP腔室400之局部透視圖。腔室400與腔室200及腔室300類似；然而，腔室400包含具有單一寬帶源480的輻射源450。腔室400大致上包含燈具組件110、腔室主體120及基板支撐組件130。
如同輻射源350及350，輻射源450耦接至腔室主體120。為了清楚起見，輻射源250圖示為位於腔室主體120的外部；然而，亦可預期，輻射源250可位於腔室主體120的內部。在一個實例中，輻射源450包括耦接至燈具組件110或直接安裝在燈具組件110上的雷射或LED安裝件。在本揭示案預期的其他實例中，輻射源450位於燈具組件110的內部、附接至燈具組件110、緊靠燈具組件110的外部，或位於另一個適合的位置處。輻射源450產生用於輸入至源分歧管452的輻射。藉由輻射源450發射的輻射大致上行進穿過源分歧管452至腔室400中的基板之接收表面之入射區域。在一個實例中，源分歧管452包含穿過燈具組件110中的燈具111之間的開口290散佈的光束導件454或光纖，如第2B圖所示。在進一步實例中，光束導件454包含準直端表面或透鏡256。準直端表面或透鏡256大致上將輻射導引至基板之接收表面之入射區域上。
在一個實例中，輻射源450包含單一寬帶源480。在一個實例中，單一寬帶源480為能夠在透射式高溫量測中有用的寬連續波長下發射輻射脈衝的超連續光譜雷射。在另一個實例中，寬帶源480為寬帶LED，例如，白光LED，其能夠在透射式高溫量測中有用的寬連續波長下發射輻射脈衝。
在進一步實例中，輻射源450為另一種連續光源，包含但不限於白熾源、白熾鹵素源及放電燈，其通常被截波並且任選地被濾波以提供脈衝源。
如上所述，藉由使用能夠發射具有寬譜波長的輻射脈衝的寬帶源，該等波長中之兩個波長在1030 nm及1080 nm的波長下，可量測及繪製低溫至高溫，因為1080 nm輻射可用以量測低於約攝氏200度(°C)的溫度。
輻射源250、輻射源350及輻射源450之進一步實例包含但不限於任何固態脈衝源、截波白熾源、白熾鹵素源及放電燈，其在介於約1020 nm與約1090 nm之間的各種頻率（例如1030 nm及1080 nm）下發射輻射脈衝。
在操作中，輻射源150、250、350及/或450及該一或更多個偵測器137通常用於熱感測方法以使用脈衝輻射來量測溫度。如上所討論，輻射源150、250、350及450中之每一個實例皆可操作以至少在兩個波長1030 nm及1080 nm發射輻射。
第5圖繪示根據本揭示案之實例的溫度量測方法500之流程圖。方法500於操作510開始，藉由將具有第一波長的第一光束脈衝化至設置於製程腔室中的基板上。於操作520，將具有第二波長的第二光束脈衝化至基板上。第一波長及第二波長通常從1000 nm至1500 nm。在一個實例中，第一波長為1030 nm，第二波長為1080 nm。在另一個實例中，第一波長為1080 nm，第二波長為1030 nm。在一個實例中，1030 nm雷射以約250 mW的標稱輸出操作，1080 nm雷射以約450 mW的標稱輸出操作。
第一光束的脈衝化及第二光束的脈衝化可藉由任何適合的脈衝化方法完成。在一個實例中，可使用波產生器及/或計時電路將來自電源的功率脈衝化至輻射源150、250、350及/或450。在另一個實例中，波產生器用於對至輻射源150、250、350及/或450的功率進行振幅調變脈衝化。在另一個實例中，光閘(shutter)用於將脈衝下降至某個脈衝長度。在另一個實例中，將一或更多個光學開關併入輻射源150、250、350及/或450之雷射或LED以及光束導件254中。在另一個實例中，用於當施加電壓時轉向不透光的一或更多個結構可用於脈衝化。在另一個實例中，例如，一或更多個泡克耳斯盒(Pockels cell)與偏振片濾波器配對，以實現快速（例如，在單奈秒範圍中）接通與斷開。在又另一個實例中，Q開關用於固有脈衝雷射，該Q開關允許產生具毫焦耳或更高的能量、通常在奈秒範圍的持續時間及介於幾赫茲與幾千赫茲之間的重複率的高能脈衝。
於操作530，輻射從複數個燈具111發射至基板上。來自該複數個燈具111的輻射之發射通常在脈衝化操作510及520期間、與脈衝化操作510及520間歇地、在脈衝化操作510及520之前或之後發生。在一個實例中，來自該複數個燈具111的輻射之發射與具有第一波長的第一光束的脈衝化及具有第二波長的第二光束的脈衝化同時發生。於操作540，藉由一或更多個偵測器137量測基板之溫度。
一或更多個偵測器137經配置以量測藉由輻射源150、250、350及/或450中之一或更多者所傳輸的輻射。該一或更多個偵測器137任選地藉由對在已知的溫度下穿過基板的輻射脈衝化並且記錄經由基板透射的光譜來校準。在校準之後，在一個實例中，在一個脈衝之後從腔室100內的目標獲得讀數以取得溫度。在另一個實例中，在複數個脈衝中之每一者之後獲得讀數；然後將讀數進行平均並且根據平均讀數決定溫度。在又另一個實例中，在複數個脈衝中之每一者之後獲得讀數及溫度，然後將溫度進行平均以決定基板溫度。在進一步實例中，該方法包含預記錄在一或更多個偵測器137中的腔室雜訊，例如，藉由以各種位準供應功率至燈具111並且記錄該一或更多個偵測器137之對應的讀數。然後可從任何燈具功率位準內插得到雜訊成分，並且可從該一或更多個偵測器137之讀數中減去該雜訊成分，以實現更準確的溫度量測。在一個實例中，使用輻射源150、250、350及/或450中之一或更多者的全開/全關(full-on/full-off)脈衝化。在另一個實例中，使用輻射源150、250、350及/或450中之一或更多者的振幅調變脈衝化。藉由多個輻射源，可使用全開/全關與振幅調變的混合。輻射源150、250、350及/或450中之一或更多者的脈衝化可與晶圓旋轉同步以從基板上的相同位置讀取，或可使用各種脈衝化模式來獲得來自基板上的各種位置的讀數。在一個實例中，選擇脈衝頻率以增強對由加熱源傳輸的輻射的辨別。
在使用脈衝輻射源的一些實例中，在雷射或其他脈衝輻射源關閉時量測背景輻射，並且當雷射開啟時從偵測到的輻射中減去背景訊號(background signature)以取得真實傳輸訊號，因為從複數個燈具發射的輻射亦可具有從約1020 nm至約1090 nm的波長，該輻射可為當藉由一或更多個偵測器偵測時從一或更多個輻射源發射的輻射的背景輻射。為了改善基板從低溫至高溫之量測準確度，當一或更多個輻射源開啟時以及當一或更多個輻射源關閉時，該一或更多個偵測器記錄輻射。當一或更多個輻射源關閉時由該一或更多個偵測器獲得的訊號從當該一或更多個輻射源開啟時由該一或更多個偵測器獲得的訊號中減去，並且所得到的訊號（即，溫度）為基板之溫度之更準確量測。因為來自一或更多個輻射源的輻射為脈衝化的，所以可記錄背景輻射並且從當一或更多個輻射源開啟時的量測中減去背景輻射。
在另一個實例中，使用如快速傅立葉轉換(FFT)的積分轉換技術減少或消除腔室中的背景雜訊，以移除與雜訊相關聯的頻率貢獻。可消除的雜訊類型包含但不限於光子雜訊、電子雜訊及/或電磁雜訊。
以上分別討論了輻射源250、輻射源350及輻射源450；然而，本揭示案還考量用於透射式高溫量測的各種輻射源（包含雷射、LED及寬帶源）之任何組合，以量測及繪製低溫至高溫。
本揭示案之益處包含沿著從低至高的寬溫度範圍的溫度量測。一旦經量測，溫度通常被繪製以繪示隨著時間基板表面上的溫度，此有利於基板製造製程。
儘管前述是針對本揭示案之實例，但在不脫離本揭示案之基本範疇下，可設計其他及進一步實例，且本揭示案之範疇由以下申請專利範圍所決定。
100‧‧‧腔室
110‧‧‧燈具組件
111‧‧‧燈具
112‧‧‧管
113‧‧‧蜂巢狀陣列
114‧‧‧水冷式外殼
115‧‧‧窗口
120‧‧‧腔室主體
121‧‧‧基板開口
122‧‧‧排氣開口
130‧‧‧基板支撐組件
131‧‧‧邊緣支撐件
132‧‧‧可旋轉構件
133‧‧‧反射板
134‧‧‧光學探針
137‧‧‧偵測器
139‧‧‧取樣偵測器
141‧‧‧分光器
150‧‧‧輻射源
200‧‧‧腔室
250‧‧‧輻射源
251‧‧‧單一光纖
252‧‧‧源分歧管
254‧‧‧光束導件
256‧‧‧透鏡
262‧‧‧雷射
262a‧‧‧第一雷射
262b‧‧‧第二雷射
290‧‧‧開口
300‧‧‧腔室
350‧‧‧輻射源
372‧‧‧LED/SLED
400‧‧‧腔室
450‧‧‧輻射源
452‧‧‧源分歧管
454‧‧‧光束導件
480‧‧‧寬帶源
500‧‧‧方法
510‧‧‧操作
520‧‧‧操作
530‧‧‧操作
540‧‧‧操作
為了可得到詳細地瞭解本揭示案之上述特徵的方式，可藉由參照實例來得到以上簡要總結的本揭示案之更特定敘述，該等實例中之一些實例繪示於附圖中。然而，應注意到，附圖僅繪示此揭示案之典型實例，且因此不應被視為限制本揭示案之範疇，因為本揭示案可容許其他等效實例。
第1圖為根據本揭示案之實例的快速熱處理(RTP)腔室之局部透視圖。
第2A圖為根據本揭示案之一個實例的具有包含兩個或更多個雷射的輻射源的RTP腔室之局部透視圖。
第2B圖為第2A圖之RTP腔室之燈具外殼內部的蜂巢狀(honeycomb)陣列之一部分之俯視圖。
第3圖為根據本揭示案之另一個實例的具有包含兩個或更多個SLED的輻射源的RTP腔室之局部透視圖。
第4圖為根據本揭示案之又另一個實例的具有包含至少一個寬帶源的輻射源的RTP腔室之局部透視圖。
第5圖繪示根據本揭示案之實例的溫度量測方法之流程圖。
為了促進瞭解，已儘可能使用相同的元件符號來指稱圖式中共用的相同元件。此外，一個實例之元件可有利地適用於本文所述的其他實例。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (20)

  1. 一種熱處理腔室，包括： 一腔室主體；一燈具組件，該燈具組件耦接至該腔室主體；一基板支撐組件，該基板支撐組件於與該燈具組件相反側耦接至該腔室主體，該基板支撐組件界定一處理平面；一脈衝輻射源，該脈衝輻射源耦接至該燈具組件，該脈衝輻射源包括：一第一雷射，經操作以發射在一第一波長的輻射；及一第二雷射，經操作以發射在一第二波長的輻射；一源分歧管，該源分歧管將該脈衝輻射源耦接至該燈具組件；以及一輻射偵測器，該輻射偵測器光學耦合至該脈衝輻射源並且設置於跨該處理平面與該脈衝輻射源相反側。
  2. 如請求項1所述之腔室，其中該第一波長為1030奈米，並且其中該第二波長為1080奈米。
  3. 如請求項1所述之腔室，其中該脈衝輻射源進一步包括一第三雷射，該第三雷射可操作以發射一第三波長，其中該第三波長為1120奈米。
  4. 如請求項1所述之腔室，其中該源分歧管包括： 至少一個光纖；及 複數個光束導件，該至少一個光纖將該脈衝輻射源耦接至該一或更多個光束導件，每一個光束導件在該光束導件之一遠端處具有一準直端表面。
  5. 如請求項4所述之腔室，其中該燈具組件包括以一蜂巢狀陣列佈置的複數個燈具。
  6. 如請求項5所述之腔室，其中該複數個燈具中之每一個燈具設置在複數個管中之一個管中，該複數個管之間具有複數個間隙空間，以及複數個開口，其中該複數個開口中之每一個開口設置在該等間隙空間中之一個間隙空間上方，該等開口中之每一個開口之直徑大於或等於該複數個光束導件中之每一個光束導件之直徑。
  7. 如請求項1所述之腔室，其中該偵測器包括一砷化銦鎵光譜儀及一矽偵測器中之至少一者。
  8. 如請求項7所述之腔室，其中該砷化銦鎵光譜儀包括一具有近紅外(NIR)透射光柵的砷化銦鎵線性陣列。
  9. 如請求項1所述之腔室，其中該第一雷射以約250毫瓦的一標稱輸出操作。
  10. 如請求項1所述之腔室，其中該第二雷射以約450毫瓦的一標稱輸出操作。
  11. 一種熱處理腔室，包括： 一腔室主體； 一燈具組件，該燈具組件耦接至該腔室主體； 一基板支撐組件，該基板支撐組件於與該燈具組件相反側耦接至該腔室主體，該基板支撐組件界定一處理平面； 一脈衝輻射源，該脈衝輻射源耦接至該燈具組件，該脈衝輻射源包括： 一第一超發光二極體，經操作以發射在一第一波長的輻射；及 一第二超發光二極體，經操作以發射在一第二波長的輻射； 一源分歧管，該源分歧管將該脈衝輻射源耦接至該燈具組件；以及 一輻射偵測器，該輻射偵測器光學耦合至該脈衝輻射源並且設置於跨該處理平面與該脈衝輻射源相反側。
  12. 如請求項11所述之腔室，其中該第一波長為1030奈米，並且其中該第二波長為1080奈米。
  13. 如請求項11所述之腔室，其中該脈衝輻射源進一步包括一第三超發光二極體，該第三超發光二極體可操作以發射一波長為1120奈米的輻射。
  14. 如請求項11所述之腔室，其中該偵測器進一步包括一砷化銦鎵光譜儀。
  15. 如請求項14所述之腔室，其中該砷化銦鎵光譜儀包括一具有近紅外(NIR)透射光柵的砷化銦鎵線性陣列。
  16. 如請求項11所述之腔室，其中該源分歧管進一步包括： 至少一個光纖；及 複數個光束導件，該至少一個光纖將該脈衝輻射源耦接至該一或更多個光束導件，每一個光束導件在該光束導件之一遠端處具有一準直端表面。
  17. 如請求項15所述之腔室，其中該燈具組件進一步包括複數個燈具，該複數個燈具中之每一個燈具設置在複數個管中之一個管中，該複數個管之間具有複數個間隙空間，以及複數個開口，其中該複數個開口中之每一個開口設置在該等間隙空間中之一個間隙空間上方，該等開口中之每一個開口之直徑大於或等於該複數個光束導件中之每一個光束導件之直徑。
  18. 一種熱處理腔室，包括： 一腔室主體； 一燈具組件，該燈具組件耦接至該腔室主體； 一基板支撐組件，該基板支撐組件於與該燈具組件相反側耦接至該腔室主體，該基板支撐組件界定一處理平面； 一脈衝輻射源，該脈衝輻射源耦接至該燈具組件，該脈衝輻射源包括： 至少一個寬帶源，經操作以發射在至少一第一波長及一第二波長的輻射； 一源分歧管，該源分歧管將該脈衝輻射源耦接至該燈具組件；以及 一輻射偵測器，該輻射偵測器光學耦合至該脈衝輻射源並且設置於跨該處理平面與該脈衝輻射源相反側。
  19. 如請求項18所述之腔室，其中該至少一個寬帶源為一單一超連續光譜雷射。
  20. 如請求項18所述之腔室，其中該至少一個寬帶源選自由以下所組成的群組：白光發光二極體、白熾源、白熾鹵素源及放電燈。
TW107116413A 2017-05-26 2018-05-15 熱處理腔室 TWI749226B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762511631P 2017-05-26 2017-05-26
US62/511,631 2017-05-26
US15/656,662 US10281335B2 (en) 2017-05-26 2017-07-21 Pulsed radiation sources for transmission pyrometry
US15/656,662 2017-07-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201907142A true TW201907142A (zh) 2019-02-16
TWI749226B TWI749226B (zh) 2021-12-11

Family

ID=64396824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107116413A TWI749226B (zh) 2017-05-26 2018-05-15 熱處理腔室

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10281335B2 (zh)
TW (1) TWI749226B (zh)
WO (1) WO2018217408A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI825668B (zh) * 2021-04-20 2023-12-11 南韓商Ｎｐｓ股份有限公司 熱源裝置、基板支撐裝置以及基板處理設施

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116487287A (zh) * 2022-01-17 2023-07-25 长鑫存储技术有限公司 热处理设备、方法及装置
WO2024091455A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Low temperature measurement of semiconductor substrates

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4879723A (en) * 1987-07-27 1989-11-07 Amoco Corporation Intracavity generation of coherent optical radiation of optical mixing
US4891499A (en) 1988-09-09 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature uniformity control and slip-free heating in lamp heated single-wafer rapid thermal processing systems
US6805466B1 (en) 2000-06-16 2004-10-19 Applied Materials, Inc. Lamphead for a rapid thermal processing chamber
US7015422B2 (en) * 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
JP4194568B2 (ja) 2004-02-10 2008-12-10 株式会社東芝 半導体装置およびアンチフューズ半導体素子の製造方法
US7112763B2 (en) 2004-10-26 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low temperature pyrometry useful for thermally processing silicon wafers
US7398693B2 (en) 2006-03-30 2008-07-15 Applied Materials, Inc. Adaptive control method for rapid thermal processing of a substrate
US8513626B2 (en) 2007-01-12 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing patterning effects on a substrate during radiation-based heating
US7860379B2 (en) 2007-01-15 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US8222574B2 (en) 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US20090120924A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Stephen Moffatt Pulse train annealing method and apparatus
US8283607B2 (en) 2008-04-09 2012-10-09 Applied Materials, Inc. Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry
US8548311B2 (en) 2008-04-09 2013-10-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improved control of heating and cooling of substrates
US8367983B2 (en) 2008-04-09 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Apparatus including heating source reflective filter for pyrometry
US8990812B2 (en) * 2008-07-07 2015-03-24 Infosys Limited Task decomposition with throttled message processing in a heterogeneous environment
US8254767B2 (en) * 2008-08-29 2012-08-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for extended temperature pyrometry
US8294068B2 (en) 2008-09-10 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing lamphead with improved cooling
US20100068898A1 (en) 2008-09-17 2010-03-18 Stephen Moffatt Managing thermal budget in annealing of substrates
FR2958817B1 (fr) * 2010-04-08 2012-12-07 Univ Limoges Source supercontinuum impulsionnelle a duree d'impulsion variable
JP5725584B2 (ja) 2011-08-02 2015-05-27 有限会社ワイ・システムズ 半導体層の温度測定方法および温度測定装置
US9543172B2 (en) * 2012-10-17 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing and directing heat energy in a process chamber
US9406653B2 (en) * 2013-02-27 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Integrated solution for solid state light sources in a process chamber
US10409306B2 (en) 2013-05-01 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for low temperature measurement in a wafer processing system
WO2017019384A1 (en) 2015-07-29 2017-02-02 Applied Materials, Inc. Rotating substrate laser anneal

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI825668B (zh) * 2021-04-20 2023-12-11 南韓商Ｎｐｓ股份有限公司 熱源裝置、基板支撐裝置以及基板處理設施

Also Published As

Publication number Publication date
TWI749226B (zh) 2021-12-11
WO2018217408A1 (en) 2018-11-29
US10281335B2 (en) 2019-05-07
US20180340835A1 (en) 2018-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3192161B2 (ja) 放射による被加熱物体温度の非接触測定方法およびシステム
US10948353B2 (en) Thermal processing chamber with low temperature control
JP5436428B2 (ja) 較正基板および較正方法
KR100523786B1 (ko) 다중 광원을 이용한 고온계 교정
TWI749226B (zh) 熱處理腔室
TW201300746A (zh) 在基板溫度量測中的雜散光干涉的補償
US11490466B2 (en) Melt depth determination using infrared interferometric technique in pulsed laser annealing
US10072986B1 (en) Detector for low temperature transmission pyrometry
KR102086692B1 (ko) 투과 검온에서의 레이저 잡음 제거
JPH03216526A (ja) 光の透過率による半導体物質の温度の測定法
JP5752454B2 (ja) プラズマ処理装置及び温度測定方法
US11703391B2 (en) Continuous spectra transmission pyrometry
KR20130007447A (ko) 온도 계측 장치, 기판 처리 장치 및 온도 계측 방법
JP6479465B2 (ja) 基板処理装置及び基板温度測定装置
US20240145274A1 (en) Low temperature measurement of semiconductor substrates
KR100777570B1 (ko) 급속열처리공정챔버의 오염측정장치
JP2000114195A (ja) 基板処理装置、基板処理装置の放射温度計のキャリブレーションに使用する治具および放射温度計のキャリブレーション方法