JP2011510176A - 真空コーティング装置及び方法 - Google Patents

Abstract

本発明のストリップコーティングシステム１は、第１のプーリ２に巻回された柔軟性のある、金属又はアルミの基板３を備えるプーリ２を含む。更に、本ストリップコーティングシステム１は、コーティングされた基板３を巻き取る第２のプーリ４（巻き取りプーリ）を有する。本ストリップコーティングシステム１において行われるコーティングプロセスは、連続的なコーティングプロセスである。このコーティングプロセスの間、第１のプーリ２及び第２のプーリ４は回動し、基板３の表面３’上にコーティングパーティクル６を堆積するためのコーティング装置５を、基板３が連続的に通過するように、基板３を動かす。速度ｖによりコーティング部を通過した後、表面３’の上にコーティングフィルムを載せた基板３は、コーティングフィルム７の層の厚さを計測するためのＩＲ分光計測装置８を通過する。矢印９はＩＲ分光計測装置８とコーティング装置５との間のフィードバック制御を示している。フィードバック制御９は計測装置８により検出されたコーティングフィルム７の厚さの計測値に応じて、コーティング装置５の、１つ、又は、複数のプロセスパラメータを制御する。このようにして、コーティングフィルム７の厚さを、インシチュにより、オンラインで測定し得る。

Description

本発明は、コーティングチャンバと、このコーティングチャンバのコーティング部にある基板上にコーティング層を堆積する為のコーティング装置と、この基板上に堆積したコーティング層の物理的な特性、特に厚さ、を決定する為の決定手段を含む真空コーティング装置に関する。更に、本発明は、ａ）コーティングチャンバ内を連続的に移動する基板を設け、ｂ）基板の表面の第１の部分がコーティング部を通過する間、コーティングチャンバ内の基板の表面の第１の部分の物理的特性、特に厚さ、を有するコーティングフィルムを堆積し、ｃ）赤外線（ＩＲ）分光計測法を用いることによりコーティングチャンバ内のコーティング部の下流の基板の表面の第１の部分上に堆積したコーティングフィルムの物理的特性、特に厚さ、を決定することを含む、基板上にコーティングフィルムを形成する方法に関する。更に、本発明は基板上に堆積したシリコン層の厚さを計測する方法に関する。

技術水準

複数の技術分野において、薄膜の堆積、若しくは、幾層もの薄膜の堆積が求められる。１つの層若しくは複数層の堆積後、その層の特定の物理的な特性がその堆積システムの許容可能な一定の品質を確認するために、計測されなくてはならないことは明白である。計測されるべきパラメータの１つは、基板上に堆積した１つの層の厚さである。１つの層の厚さが、その層を含むシステムの、いくつかの物理的特性に影響を及ぼすという事実により、その層の厚さの計測は特に重要である。

１つの層の厚さを決定するために用いられる適宜な計測及び検出システムは、その層を含むシステム内の層の配置と同様に、コーティングフィルムの材質、及び、基板の特性次第で選択される。事実、多くの計測及び検出方法が知られている。例えば、１つの層の厚さは、反射及び／又は透過効果を計測することにより、例えば、基板に堆積したフィルムの表面から反射する第１の波と、その基板の表面から反射する第２の波との干渉を計測することに決定される。この方法は、単一の波長の計測、及び、例えば、可視及び紫外線（ＵＶ）の範囲での、スペクトラム波長帯の計測を含む。

しかしながら、ある特定の材質からなる１つの層の厚さを決定するためには、その通常用いられる方法は、適当ではない。例えば、真空コーティング装置内で作られたシリコン層の厚さを計測するのは困難である。更に、それらの層の表面は構造化／パターン化されているので、その光学的計測結果は、しばしば、劣化しており、ソーラー応用分野に用いられるシリコン層の厚さを決定することはできない。この構造化／パターン化された表面により、光の散乱及び不要波による干渉という問題が引き起こされる。他の問題は、シリコン層における比較的高い光の吸収率である。

更に、多くの計測方法は、１つの膜が堆積され、別個のプロセスにおいてコーティングチャンバから基板が取り除かれた後に行われるのみである。従って、その層の厚さが所定の範囲から逸脱したときに直ぐに対応することは不可能である。

発明の目的

本発明の目的は、たとえ、層の表面が構造化されているものであっても、その層の生産プロセスにおいて、その層の特性、特にその層の厚さ、に対し、信頼性ある計測が可能となる、基板上にコーティング層を形成する真空コーティング装置及び方法を提供することである。更に、他の目的は、本システム及び方法により層の厚さが所定範囲から逸脱したときに、そのコーティングプロセス内で迅速な対応を可能とすることである。

技術的解決

この目的は請求項１による真空コーティング装置を提供することにより、及び、請求項７による基板上のコーティング層の形成方法を提供することにより達成される。

本発明による真空コーティング装置は、コーティングチャンバと、コーティングチャンバのコーティング部において、基板上にコーティング層を堆積するためのコーティング装置と、基板上に堆積したコーティング層の物理的特性、特に厚さ、を決定するための決定手段とを含む。更に、本真空コーティング装置は、その基板上に堆積したコーティングフィルムの物理的特性、特に厚さ、を決定するための決定手段を含む。この決定手段は、その基板上に堆積したコーティングフィルムの物理的特性、特に厚さ、を計測するための、コーティング部の下流に配置された赤外線（ＩＲ）分光計測手段を含む。この真空コーティング装置は、決定手段により決定された物理的特性に応じて、真空コーティング装置の複数のパラメータの内の１つを制御し、コーティング部に堆積したコーティングフィルムの厚さを制御するフィードバック制御ユニットを含む。この決定手段は真空コーティング装置内に含まれる。

従来のシステムにおいては、別個のプロセス、即ち、エクスシチュー（ex-situ）により、１つの層の厚さが決定されていたが、本発明では、決定手段は、コーティング装置の一部分であり、１つの層の厚さをインシチュ（in-situ）による計測することが可能となる。

本発明は、ストリップコーティング装置内で、金属基板、若しくは、金属層によりコーティングされた、例えば、プラスティック基板など基板の上に堆積したシリコン層の厚さの計測について、特に、説明している。シリコン層は、例えば、ソーラーセルの応用分野などの多くの技術的応用分野において必要とされており、パターン化された/構造化された表面を有するかもしれない。しかしながら、一般に、他の特性、例えば、いくつかの層の、あるいは、シリコン層と基板との間に配置された中間層の上面上に堆積されているシリコン層の特性が決定されるかもしれない。

本コーティング装置は、基板上に、例えば、シリコンコーティングフィルム／シリコン層を堆積するためのコーティング装置である。「シリコンコーティングフィルム」という用語は、少なくとも少量のシリコンを含む、いかなる層も含む。コーティングプロセスは、真空の雰囲気中において実行される。例えば、蒸着コーティングプロセス、ＰＶＤコーティングプロセス、スパッターコーティングプロセス、プラズマ支援コーティングプロセスなど、適宜なコーティングプロセスが用いられ得る。

シリコン層の厚さをインシチュにより計測する為に、真空の雰囲気中において、層の物理的特性、特に厚さ、の計測を可能にする適宜な計測装置が提供される。物理的特性を決定することは、物理的特性（例えば、厚さ）、若しくは、その物理的特性の変化を決定することを含む。また、この計測装置により、１つのパターン若しくは構造がその層の表面上に形成されている場合でも、その特性の正確で信頼性のある計測が可能となる。更に、決定された特性が所定の値（範囲）から逸脱してときに、迅速な対応が可能となる迅速な計測手段が提供される。コーティングプロセスのパラメータは、その偏差を補償するように制御されるかもしれない。

制御ユニットは、コーティングプロセスの間に、コーティングフィルムの厚さに影響を及ぼすプロセスパラメータを制御するために、制御パラメータとしてコーティング層の厚さを用いるフィードバック制御を含む。従って、層の特性は、コーティング装置内の適宜な部位に配置された１つ、若しくは、複数のセンサーを用いて、製造プロセスの間、インシチュにより、及び、オンラインでモニターされ得る。反射したピークの振幅若しくは形状における変化は、シリコン層の特性、特に、厚さ、の変化を示すかもしれない。

特に、決定手段は基板上に堆積したコーティングフィルムの物理的特性、特に厚さ、を計測するための計測手段を含む。

コーティングフィルムが、第１の基板、若しくは、引き延ばされた基板の第１の部分に堆積した直後に、真空雰囲気内において、コーティングフィルムの厚さが真空コーティングチャンバ内で計測され得る。それと同時に、コーティングプロセスは、第２の基板、若しくは、引き延ばされた基板の第２の部分上に、コーティングフィルム堆積するために、継続されるかもしれない。インシチュによる計測を含む、特に、ストリップコーティング装置において、本発明のシステム及び方法を用いれば、特性（例えば、基板上に堆積したシリコン層の厚さ）の変化は、真空コーティングチャンバ内において決定されるので、迅速な対応が可能となる。他方、コーティングチャンバの外での計測、即ち、エクスシチューによる測定では、コーティングフィルムの欠陥及び良好でない特性は決定され得るが、迅速には修正され得ない。

基板上に堆積されるコーティングフィルムの特性をインシチュにより計測するための計測手段は、コーティングチャンバ内に配置されることが好ましい。インシチュによる計測とは、その計測が実質的にコーティングプロセスと同じ場所で、即ち、真空チャンバ内で行われることを意味する。

真空雰囲気内でのインシチュによる計測は、真空条件下で機能する計測装置を必要とする。このように、シリコン層の厚さのオンラインによる計測は、コーティングパラメータ及びその物理的特性が所定値の範囲から逸脱したときに直ぐに反応することを可能とするために行われる。

従って、この計測手段は赤外線（ＩＲ）分光計測手段を含むことが好ましい。ＩＲ分光計測手段は、コーティングフィルムを非接触で非破壊によって計測することを可能とする光学的計測手段である。インシチュによる計測を可能とするほか、赤外線（ＩＲ）分光計測手段は、その層の物理的特性が変化するときかなりの効果を示す。たとえば、典型的なソーラーの応用分野において、２００ナノメートルより厚いシリコン層は、そのスペクトルの位置に基づき容易に評価されるかもしれない、ＩＲスペクトラムの範囲における、反射の最大値を生成する。この屈折率は、およそ３．５である。

本発明のより好ましい実施形態において、赤外線（ＩＲ）分光計測手段は、基板、及び／又は、その基板上に堆積したコーティングフィルムから反射されるべきＩＲ放射を放出するためのＩＲ放出ソースを含む。このＩＲ放出ソースは、１つ、若しくは、複数の分離した波長、若しくは、ＩＲ放射のスペクトラム範囲を有する放射を放出するかもしれない。

特に、本赤外線（ＩＲ）分光計測手段は、基板及び／又はその基板上に堆積したコーティングフィルムから反射したＩＲ放射を、そのIR放射の波長の関数として検出するIR検出器を含む。

反射したIR放射のスペクトラムの分散（例えば、強度）は、基板、及び／又は、コーティングフィルムの物理的特性に依存する。従って、例えば、コーティングフィルムの厚さの特性の変化は、変化したＩＲ反射のスペクトラムによってもたらされる。このＩＲ反射スペクトラムの変化により、特定の物理的特性の変化についてのある結論がもたらされる。例えば、厚さが減少すると、ＩＲ反射のスペクトラムに第１の変化が現れ、コーティングフィルムの厚さが増加すると、ＩＲ反射のスペクトラムに第２の変化が現れる。コーティングフィルムの厚さの減少及び増加の量は、それぞれ、ＩＲ反射スペクトラムにおける変化から決定され得る。本発明のより好ましい実施形態において、真空コーティング装置は真空ストリップコーティング装置である。

本発明のインシチュによる計測は、特に、連続的コーティングプロセスにおいて用いられるのに好適である。真空ストリップ（バンド／ダブ）コーティング装置において、第１のプーリはその上に巻回された柔軟性ある基板（例えば、金属、及び／又は、Ａｌ／Ｍｏから造られた基板、及び／又は、例えば、金属／Ａｌ／Ｍｏ層によりコーティングされたプラスティック基板）を保持する。第１のプーリは、連続的に基板部材のストリップを供給し、第２のプーリ（巻き上げプーリ）は、基板部材のコーティングされたストリップを受け、それを巻き上げる。例えば、蒸着プロセス、ＣＶＤコーティングプロセス、ＰＶＤコーティングプロセス、スパッターコーティングプロセス、プラズマ支援プロセスなどにおいて、第１のプーリと第２のプーリとの間に、コーティング装置が配置され、コーティング装置を通過する基板上にシリコン層が堆積される。

計測手段、例えば、センサー素子は、シリコン層が基板ストリップの一部分に堆積されるところであるコーティング部と、そのコーティング部の下流にある第２のプーリとの間に配置される。このセンサーはシリコン層の厚さを決定するための測定を実施する。このインシチュによる計測は、コーティングされたストリップがセンサー素子を連続的に通過ときに、オンラインで実施されるかもしれない。これにより、連続的な制御、例えば、シリコン層の厚さ、コーティングプロセスのパラメータ、特に、層の厚さに影響をもたらし得るパラメータに対し、フィードバック制御が可能となる。

また、この目的は、ａ）コーティングチャンバ内に連続して移動する基板を提供し、ｂ）基板表面の第１の部分がコーティング部を通過する間に、コーティングチャンバ内の基板の表面の第１の部分の上に、物理的特徴、特に厚さ、を有するコーティングフィルムを堆積し、ｃ）赤外線（ＩＲ）分光計測方法を用いることによりコーティングチャンバ内において、コーティング部の下流で基板の表面の第１の部分上に堆積したコーティングフィルムの物理的特性、特に厚さ、を決定するステップを含む、基板上にコーティングフィルムを形成する方法を提供することにより達せられる。この方法は更に、ｄ）前記基板の表面の第２の部分がコーティング部を通過する間に、コーティングチャンバのコーティング部内で基板の表面の第２の部分上に堆積したコーティングフィルムの厚さを制御するために物理的特性に反応してコーティングプロセスのパラメータの１つ又は複数をフィードバック制御することを含む。この方法のステップｄ）は、方法のステップｃ）において計測された物理的特性に応じて、方法のステップｂ）において基板の表面上に堆積したコーティングフィルムの物理的特性に影響を及ぼすフィードバックパラメータを提供することを含む。

物理的特性を決定する本方法のステップｃ）はコーティングチャンバ内で物理的特性を計測するステップを含む。

コーティングフィルムを堆積する本方法のステップｂ）は、例えば、ＰＶＤプロセス、ＣＶＤプロセス、スパッタープロセス、蒸着プロセス、プラズマ支援プロセスなどコーティングプロセスなどを用いることを含む。連続するコーティングプロセスにおいて、基板の第１の部分がコーティングされている間に、コーティングフィルムが既に形成されている基板の第２の部分が本発明のステップｃ）の対象となる。

本発明のより好ましい実施形態において、物理的特性を計測する本方法のステップｃ）は、赤外線（ＩＲ）分光計測方法を含む。この光学的計測方法は非接触で非破壊的な方法である。

この赤外線（ＩＲ）分光計測方法は、基板、及び／又は、その基板の表面上に堆積したコーティングフィルムからの反射するＩＲ反射スペクトラムを計測することを含む。ＩＲ反射分光計測方法は、真空の雰囲気において、即ち、インシチュにより基板に堆積したシリコン層の特性及び／又は厚さを計測するのに好適である。入射する放射波は、１つ、若しくは、複数の分離した波長を有するか、若しくは、一定のスペクトラム範囲の連続する波長スペクトラムを有するかもしれない。

特に、ＩＲ放射の反射スペクトラムの強度は、放射の波長の関数として計測される。１つの例として、反射したＩＲ放射の波長の関数としての強度が計測されるかもしれない。また、計測のサイクルの間に、入射する放射波の波長を変化させることも可能であるかもしれない。分光方法は、金属基板、あるいは、例えば、金属層によりコーティングされたプラスティック基板などの基板の上に堆積したシリコン層（例えば、α―Ｓｉ，ｎ−Ｓｉ）のＩＲ反射のスペクトラムを決定するのに用いられるかもしれない。このスペクトラムの波長の範囲は、約１０００ｎｍから、およそ１７００ｎｍまでの間であるかもしれない。そのＩＲ波長の範囲において、金属ホイル上に堆積したシリコン層の反射スペクトラムの計測の効果は、シリコンは約１０００ｎｍより大きい電磁波に対して透過性を示すということである。従って、薄膜は、（放射の波長に比べ）比較的厚い層と同様に計測され得る。更に、ソーラーの技術において用いられる構造若しくは構成組織の影響がかなり低減される。光学的な測定を大きく邪魔する散乱光はない。

特定の厚さに対応する期待されるスペクトラムは、標準のスペクトラムを計算することにより、又は、計測することにより取得され得る。厚さを計測する間、ＩＲ放射のスペクトラムは、標準からの偏差を決定するために、これらのスペクトラムと比較される。

より好ましい実施形態において、本方法のステップｂ）は、真空ストリップコーティングプロセスを用いる、基板の表面上にコーティングフィルムを堆積することを含む。

本発明のより好ましい実施形態において、本方法のステップｂ）は、基板の表面上にシリコン層を堆積することを含む。この基板は、金属基板、及び／又は、アルミニウム（Ａｌ）若しくはモリブデン（Ｍｏ）層によりコーティングされた金属基板であるかもしれない。

また、本発明の目的は、基板の表面上に堆積したシリコンコーティングフィルムの厚さを決定するステップを含み、真空コーティングチャンバ内でＩＲ分光計測方法を用いて厚さを計測するステップを含む、基板上に堆積したシリコンコーティングフィルムの厚さを計測する方法を提供することにより達成される。特に、本方法は、基板上にコーティングフィルムを形成するための方法と関連した、上述されたようなステップｃ）及び／又はステップｄ）による方法である。

説明された方法及び装置の特徴及びそれらの組合せに対しての保護が要求される。

本発明の更なる構成及び効果は以下のより好ましい実施形態及び添付図面により明白になる。

本発明による真空ストリップコーティングの概略図である。 本発明による厚さ決定手段の概略図である。

好ましい実施形態の説明

図１は本発明によるストリップコーティングシステム１の概略図である。

ストリップコーティングシステム１は、第１のプーリ２に巻回された、引き伸ばされた柔軟性のある、金属若しくはＡｌ／Ｍｏでコーティングされた金属基板３を保持する第１のプーリ２に含む。更に、ストリップコーティングシステム１は、そのコーティングされた基板３を巻き上げる第２のプーリ４（巻き上げプーリ）を有する。

ストリップコーティング１において実行されるコーティングプロセスは連続的なコーティングプロセスである。このコーティングプロセスの間、第１のプーリ及び第２のプーリ４は回転し、基板３がコーティングツール５を連続的に通過するように基板３を移動せしめ、基板３の表面３’上にコーティングパーティクル６が堆積する。

表面３’上にコーティングフィルム７を有する基板は、速度vによりコーティング部を通過した後、コーティングフィルム７の厚さを決定するために、コーティングフィルム７のＩＲ反射のスペクトラムを計測するためのＩＲ分光計測装置８を通過する。

コーティングツール５は、例えば、スパッタコーティング装置、ＣＶＤコーティング装置、ＣＶＤコーティング装置、蒸着装置、プラズ支援プロセスのための装置等の、基板上に、シリコン（又はＩＲ分光計測の可能性に関し同等の特性を有する層）を堆積するための適宜なコーティング装置であってもよい。

図１における矢印９は、ＩＲ計測装置８とコーティング装置５との間のフィードバック制御を示す。このフィードバック制御９は、計測装置８により検出されたコーティングフィルム７の厚さの計測値に応じて、コーティング装置５の１つ又は複数のプロセスパラメータを制御する。このように、コーティングフィルム７の厚さをインシチュによりオンライン計測することが可能となり得る。

基板３上にシリコン層７を形成するコーティングパーティクル６と同様に、説明されたコンポーネント２、４、５、及び８は、真空コーティングチャンバ（図示せず）内に、特に、真空ストリップコーティング装置（図示せず）の真空コーティングチャンバ内に配置され、収容される。

図２は図１のＩＲ計測の構成８の特定の実施形態を図示する。

ＩＲ計測装置８は、単一の波長、若しくは、所定のスペクトラムの範囲のＩＲ放射１１を放出するＩＲ放射放出器１０を含む。ＩＲ放射の束１１は、１つ又は複数の分離した波長、若しくは、一束のスペクトラムの波長の範囲のものであるかもしれない。

送出される放射波１１は、例えば、シリコンコーティングフィルム７の表面７’、及び／又は、基板３の前面表面３’の上の境界層において反射される。この反射したビーム１２は、ＩＲ検出器１３により検出される。ＩＲ計測装置１３は、例えば、反射されたＩＲ放射の１つ又は複数の波長の関数として、あるいは、入射ビームの入射角の関数として、ＩＲ放射の強度スペクトラムを測定するかもしれない。

計測の間，ＩＲ検出器１３は、基板３の表面３’に対して所定の角度により配置されるかもしれない。この角度は、一回の計測の間、若しくは、２回の計測の間で変化されるかもしれない。反射したＩＲ放射１２は、所定の波長のところで、及び／又は、いくつかの異なる波長の強度スペクトラムとして検出される。

シリコン層７の厚さを決定するこの方法は、シリコン層７の表面７’が構造化され/パターン化されている場合でも、真空雰囲気内でのオンライン計測に好適であり、良好な結果をもたらすものである。

Claims (11)

1. コーティングチャンバと、
   前記コーティングチャンバのコーティング部において、前記基板（３）上のコーティング層（７）を堆積するためのコーティング装置（５）と、
   前記（３）上に堆積した前記コーティング層（７）の物理的特性、特に厚さ、を決定するための決定手段（８）とを含み、
   前記決定手段（８）は、前記基板（３）上に堆積した前記コーティングフィルム（７）の前記物理的特性、特に厚さ、を計測するための、前記コーティング部の下流に配置された赤外線（ＩＲ）分光計測手段（１０、１３）を含み、
   前記真空コーティング装置（１）は、前記決定手段（８）により決定された前記物理的特性に応じて、前記真空コーティング装置の１つ又は複数のパラメータを制御し、前記コーティング部において堆積したコーティングフィルムの厚さを制御するためのフィードバック制御を含むことを特徴とする、連続コーティングプロセスにおいて基板をコーティングするための真空コーティング装置（１）。
2. 前記計測手段（１０、１３）は、前記基板（３）の上に堆積した前記コーティングフィルム（７）の特性をインシチュにより計測するために、前記コーティングチャンバ内に配置されていることを特徴とする請求項１記載の真空コーティング装置（１）。
3. 前記赤外線（ＩＲ）分光計測手段（１０、１３）は、前記基板（３）及び／又は前記基板（３）上に堆積した前記コーティングフィルム（７）から反射されるＩＲ放射を送出するためのＩＲ放出ソース（１０）を含むことを特徴とする請求項２記載の真空コーティング装置（１）。
4. 前記赤外線（ＩＲ）分光計測手段（１０、１３）は、ＩＲ放射の波長の関数として、前記基板（３）及び／又は前記基板（３）上に堆積した前記コーティングフィルム（７）から反射されるＩＲ放射を検出するためのＩＲ検出器（１３）を含むことを特徴とする請求項３記載の真空コーティング装置（１）。
5. 前記真空コーティング装置（１）は、真空ストリップコーティング装置であることを特徴とする前記請求項のうちのいずれか１項記載の真空コーティング装置（１）。
6. 前記真空コーティング装置（１）は、前記決定手段により決定された前記物理的特性に応じて、前記真空コーティング装置の１つ又は複数のパラメータを制御する制御ユニット（９）を含むことを特徴とする前記請求項のうちのいずれか１項記載の真空コーティング装置（１）。
7. （ａ）コーティングチャンバ内において連続して移動する基板（３）を設け、
   （ｂ）前記基板（３）の表面の（３’）の前記第１の部分が前記コーティング部を通過する間に，前記コーティングチャンバのコーティング部内において，前記基板（３）の表面（３’）の第１の部分の上に，物理的特性，特に厚さ、を有するコーティングフィルム（７）を堆積し、
   （ｃ）赤外線（ＩＲ）分光計測方法を用いることにより、前記コーティングチャンバ内の前記コーティング部の下流で前記基板（３）の前記表面（３’）の前記第１の部分の上に堆積した前記コーティングフィルム（７）の前記物理的特性、特に前記厚さ、を決定するステップを含み、
   前記方法は、更に、
   （ｄ）前記基板（３）の前記表面（３’）の前記第２の部分が前記コーティング部を通過する間に、前記コーティングチャンバの前記コーティング部において、前記基板（３）の前記表面（３’）の第２の部分上に堆積したコーティングフィルムの厚さを制御するために、前記物理的特性に応じて前記コーティングプロセスの１つ又は複数のパラメータをフィードバック制御するステップを更に含むことを特徴とする、基板（３）の上にコーティングフィルム（７）を形成するためのコーティング方法。
8. 前記赤外線（ＩＲ）分光計測方法は、前記基板（３）及び／又は前記基板（３）の前記表面（３’）上に堆積したコーティングフィルム（７）から反射されるＩＲ放射の反射スペクトラムを計測することを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
9. 前記ＩＲ放射の反射スペクトラムの前記強度は、前記放射の波長の関数として計測されることを特徴とする請求項８記載の方法。
10. 前記方法のステップｂ）は、真空ストリップコーティングプロセスを用いて前記基板（３）の前記表面（３’）上に前記コーティングフィルム（７）を堆積することを含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項記載の方法。
11. 前記方法のステップｂ）は前記基板（３）の前記表面（３’）上にシリコン層を堆積することを含むことを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項記載の方法。

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