JPS6252926B2 - - Google Patents
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- JPS6252926B2 JPS6252926B2 JP18206681A JP18206681A JPS6252926B2 JP S6252926 B2 JPS6252926 B2 JP S6252926B2 JP 18206681 A JP18206681 A JP 18206681A JP 18206681 A JP18206681 A JP 18206681A JP S6252926 B2 JPS6252926 B2 JP S6252926B2
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- film thermistor
- thermistor chip
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度を検出すべき対象物と機械的に
接触して温度を検出するサーミスタ、たとえば鍋
物調理をする際、鍋底を通して鍋内部の調理物の
温度を検出するサーミスタに関するものである。
接触して温度を検出するサーミスタ、たとえば鍋
物調理をする際、鍋底を通して鍋内部の調理物の
温度を検出するサーミスタに関するものである。
従来、この種温度検出は第１図に示す如く鍋底
１に高速応答性薄膜サーミスタを機械的に接触さ
せることによつてなされてきた。この高速応答性
薄膜サーミスタは平板状セラミツク絶縁基板２の
一方の表面に電極膜３と感温抵抗体膜４とを形成
して成る薄膜サーミスタチツプと支持容器５とを
チタニウム（Ti）箔６もしくはジルコニウム
（Zr）箔６を介してロウ材層７で接続し、さらに
絶縁性被覆剤８で薄膜サーミスタチツプを被覆し
て構成される。なお、リード線１１は電極膜３と
接続されている。また、支持容器５と薄膜サーミ
スタチツプとの間に介在させるTi箔６またはZr
箔６は、ロウ付けを助成するものである。すなわ
ち、支持容器５としては、Ti、Zrまたはステン
レス鋼（SUS―430）が、薄膜サーミスタチツプ
の絶縁基板としてアルミナ基板を用いた場合、両
者の熱膨張係数の関係上望しいのであるが、支持
容器５として、SUS―430を用いた場合、薄膜サ
ーミスタチツプの絶縁基板をロウ付けすることが
困難であるからであり、この場合支持容器５と薄
膜サーミスタチツプとの間に、その両者のSUS―
430、アルミナとロウ付けが可能なTi箔６または
Zr箔６を介在させる必要がある。
１に高速応答性薄膜サーミスタを機械的に接触さ
せることによつてなされてきた。この高速応答性
薄膜サーミスタは平板状セラミツク絶縁基板２の
一方の表面に電極膜３と感温抵抗体膜４とを形成
して成る薄膜サーミスタチツプと支持容器５とを
チタニウム（Ti）箔６もしくはジルコニウム
（Zr）箔６を介してロウ材層７で接続し、さらに
絶縁性被覆剤８で薄膜サーミスタチツプを被覆し
て構成される。なお、リード線１１は電極膜３と
接続されている。また、支持容器５と薄膜サーミ
スタチツプとの間に介在させるTi箔６またはZr
箔６は、ロウ付けを助成するものである。すなわ
ち、支持容器５としては、Ti、Zrまたはステン
レス鋼（SUS―430）が、薄膜サーミスタチツプ
の絶縁基板としてアルミナ基板を用いた場合、両
者の熱膨張係数の関係上望しいのであるが、支持
容器５として、SUS―430を用いた場合、薄膜サ
ーミスタチツプの絶縁基板をロウ付けすることが
困難であるからであり、この場合支持容器５と薄
膜サーミスタチツプとの間に、その両者のSUS―
430、アルミナとロウ付けが可能なTi箔６または
Zr箔６を介在させる必要がある。
ここで、この高速応答性薄膜サーミスタは、熱
容量の小さな薄膜サーミスタチツプと支持容器５
とをロウ付接続しているので、鍋底１から感温抵
抗体膜４に至る熱抵抗が小さい。この結果、高速
応答性が得られる。通常、鍋物調理の際に求めら
れる応答性は、90％応答時間（室温T1℃に保た
れたサーミスタに温度T2℃の鍋底１が突然機械
的に接触したときを起点にして、サーミスタ温度
がT1＋0.9（T2−T1）℃に到達するに必要な時
間）にして約８秒以下であることが要求される。
この高速応答性薄膜サーミスタの90％応答時間
は、絶縁性被覆剤８がない場合３〜５秒であつ
た。しかし、絶縁性被覆剤８を形成した場合、90
％応答時間は相対的に遅く、かつそのばらつきも
大きくなり、４〜10秒になるという欠点があつ
た。90％応答時間が相対的に遅くなることは絶縁
性被覆剤８の熱容量に起因するので、技術的に避
けられない。他方90％応答時間の大小は絶縁性被
覆剤８の塗布量の大小、すなわち、熱容量の大小
に対応するので、絶縁性被覆剤８の塗布量を一定
量に制御することにより、そのばらつきを小さく
することが可能である。しかし、従来の高速応答
性薄膜サーミスタでは、構造上絶縁性被覆剤８の
塗布量を一定量に制御することは困難であつた。
すなわち、この種絶縁性被覆剤８は、通常、一定
粘度の流動体、たとえば硝子粉末と有機バインダ
ーを混合したスラリーを塗布したのち硬化すると
いう過程を経て形成されるが、流動体が流れるた
めに薄膜サーミスタチツプを完全に被覆し、かつ
その塗布量を一定量に制御することは困難であつ
た。
容量の小さな薄膜サーミスタチツプと支持容器５
とをロウ付接続しているので、鍋底１から感温抵
抗体膜４に至る熱抵抗が小さい。この結果、高速
応答性が得られる。通常、鍋物調理の際に求めら
れる応答性は、90％応答時間（室温T1℃に保た
れたサーミスタに温度T2℃の鍋底１が突然機械
的に接触したときを起点にして、サーミスタ温度
がT1＋0.9（T2−T1）℃に到達するに必要な時
間）にして約８秒以下であることが要求される。
この高速応答性薄膜サーミスタの90％応答時間
は、絶縁性被覆剤８がない場合３〜５秒であつ
た。しかし、絶縁性被覆剤８を形成した場合、90
％応答時間は相対的に遅く、かつそのばらつきも
大きくなり、４〜10秒になるという欠点があつ
た。90％応答時間が相対的に遅くなることは絶縁
性被覆剤８の熱容量に起因するので、技術的に避
けられない。他方90％応答時間の大小は絶縁性被
覆剤８の塗布量の大小、すなわち、熱容量の大小
に対応するので、絶縁性被覆剤８の塗布量を一定
量に制御することにより、そのばらつきを小さく
することが可能である。しかし、従来の高速応答
性薄膜サーミスタでは、構造上絶縁性被覆剤８の
塗布量を一定量に制御することは困難であつた。
すなわち、この種絶縁性被覆剤８は、通常、一定
粘度の流動体、たとえば硝子粉末と有機バインダ
ーを混合したスラリーを塗布したのち硬化すると
いう過程を経て形成されるが、流動体が流れるた
めに薄膜サーミスタチツプを完全に被覆し、かつ
その塗布量を一定量に制御することは困難であつ
た。
90％応答時間が８秒以上になると鍋物調理の温
度制御には使用できないので、絶縁性被覆剤８の
塗布量の大きいものは歩留りの低下、価格の上昇
などの欠点も派生した。
度制御には使用できないので、絶縁性被覆剤８の
塗布量の大きいものは歩留りの低下、価格の上昇
などの欠点も派生した。
本発明はこれら従来の欠点を解消するもので、
温度応答性のバラツキの低減化を図ることを目的
とする。
温度応答性のバラツキの低減化を図ることを目的
とする。
本発明は、この目的を達成するために、平板状
セラミツク絶縁基板の一方の表面に電極膜と感温
抵抗体膜とを形成して成る薄膜サーミスタチツプ
を支持容器にロウ付接続し、前記薄膜サーミスタ
チツプの周辺を取り囲む如く遮へい板を前記支持
容器に設けるとともに、この取り囲まれた領域内
において前記薄膜サーミスタを絶縁性被覆剤で被
覆したものである。このように構成しているの
で、絶縁性被覆剤を形成する際、一定粘度の流動
体を塗布しても遮へい板に妨げられて、流動体が
遮へい板を越えて流れないようにでき、塗布量を
一定量に制御できるようにしたものである。
セラミツク絶縁基板の一方の表面に電極膜と感温
抵抗体膜とを形成して成る薄膜サーミスタチツプ
を支持容器にロウ付接続し、前記薄膜サーミスタ
チツプの周辺を取り囲む如く遮へい板を前記支持
容器に設けるとともに、この取り囲まれた領域内
において前記薄膜サーミスタを絶縁性被覆剤で被
覆したものである。このように構成しているの
で、絶縁性被覆剤を形成する際、一定粘度の流動
体を塗布しても遮へい板に妨げられて、流動体が
遮へい板を越えて流れないようにでき、塗布量を
一定量に制御できるようにしたものである。
以下本発明の一実施例について第２図により説
明する。第２図において前述と同番号は同部材を
示し、９は遮へい板で、この遮へい板９は薄膜サ
ーミスタチツプの周辺を取り囲む如く支持容器５
に設けられ、かつ、この取り囲まれた領域内にお
いて薄膜サーミスタチツプが絶縁性被覆剤８で被
覆されている。
明する。第２図において前述と同番号は同部材を
示し、９は遮へい板で、この遮へい板９は薄膜サ
ーミスタチツプの周辺を取り囲む如く支持容器５
に設けられ、かつ、この取り囲まれた領域内にお
いて薄膜サーミスタチツプが絶縁性被覆剤８で被
覆されている。
この構成による温度応答性について説明すると
応答時間の大小は絶縁性被覆剤８の塗布量の大小
に対応してほぼ決まり、薄膜サーミスタチツプの
表面上より約１mmの厚さに絶縁性被覆剤８を形成
したとき、90％応答時間にして約４〜７秒であつ
た。このとき薄膜サーミスタチツプには、アルミ
ナ基板２（1.8mmＷ×6.5mmＬ×0.5mmｔ）の一方の
表面にAu―Pt厚膜電極膜３とSiC感温抵抗体膜４
を形成したものが用いられ、また支持容器５と遮
へい板９の材質はSUS―430板（厚さ0.4mm）で、
遮へい板９は支持容器５にスポツト溶接で固定さ
れている。薄膜サーミスタチツプと支持容器５と
はTi箔７を介して銀ロウ材層７によりロウ付接
続されている。絶縁性被覆剤８には、低融点硝
子、たとえば軟化点635℃のZnO―B2O3―SiO2系
硝子、あるいはアルミナ質系被覆剤、たとえば液
性加熱硬化型のアルミナを主成分とするペースト
などが用いられる。このようにして構成したサー
ミスタは、前述の如く４〜７秒の90％応答時間が
得られるとともに優れた安定性が得られた。すな
わち、空気中350℃で1000時間放置後、あるいは
空気中350℃、15←→室温、15分のヒートサイクル
を3000サイクル印加後、空気中70℃で相対湿度90
％以上の雰囲気中に1000時間放置後、抵抗値変化
率は±３％以下であつた。
応答時間の大小は絶縁性被覆剤８の塗布量の大小
に対応してほぼ決まり、薄膜サーミスタチツプの
表面上より約１mmの厚さに絶縁性被覆剤８を形成
したとき、90％応答時間にして約４〜７秒であつ
た。このとき薄膜サーミスタチツプには、アルミ
ナ基板２（1.8mmＷ×6.5mmＬ×0.5mmｔ）の一方の
表面にAu―Pt厚膜電極膜３とSiC感温抵抗体膜４
を形成したものが用いられ、また支持容器５と遮
へい板９の材質はSUS―430板（厚さ0.4mm）で、
遮へい板９は支持容器５にスポツト溶接で固定さ
れている。薄膜サーミスタチツプと支持容器５と
はTi箔７を介して銀ロウ材層７によりロウ付接
続されている。絶縁性被覆剤８には、低融点硝
子、たとえば軟化点635℃のZnO―B2O3―SiO2系
硝子、あるいはアルミナ質系被覆剤、たとえば液
性加熱硬化型のアルミナを主成分とするペースト
などが用いられる。このようにして構成したサー
ミスタは、前述の如く４〜７秒の90％応答時間が
得られるとともに優れた安定性が得られた。すな
わち、空気中350℃で1000時間放置後、あるいは
空気中350℃、15←→室温、15分のヒートサイクル
を3000サイクル印加後、空気中70℃で相対湿度90
％以上の雰囲気中に1000時間放置後、抵抗値変化
率は±３％以下であつた。
なお、遮へい板９と支持容器５とは同一材質で
Ti、Zr、SUS―430の群から選ばれた一種である
ことが望ましい。この理由は、遮へい板９は薄膜
サーミスタチツプの周辺を取り囲む如く支持容器
５に固定されるとき、溶接法で固定されることが
最も容易であるが、溶接には両者とも同一材質で
あることが溶接性の点で優れているからである。
また薄膜サーミスタチツプの平板状セラミツク基
板２には、アルミナ基板がよく用いられる。支持
容器５の熱膨張係数は、平板状セラミツク基板
２、すなわちアルミナ基板の熱膨張係数と類似の
値であることが望ましく、この点で支持容器５の
材質はTi、Zr、SUS―430の群から選ばれた１種
が望ましい。
Ti、Zr、SUS―430の群から選ばれた一種である
ことが望ましい。この理由は、遮へい板９は薄膜
サーミスタチツプの周辺を取り囲む如く支持容器
５に固定されるとき、溶接法で固定されることが
最も容易であるが、溶接には両者とも同一材質で
あることが溶接性の点で優れているからである。
また薄膜サーミスタチツプの平板状セラミツク基
板２には、アルミナ基板がよく用いられる。支持
容器５の熱膨張係数は、平板状セラミツク基板
２、すなわちアルミナ基板の熱膨張係数と類似の
値であることが望ましく、この点で支持容器５の
材質はTi、Zr、SUS―430の群から選ばれた１種
が望ましい。
以上の説明から明らかなように本発明の薄膜サ
ーミスタによれば次の効果が得られる。
ーミスタによれば次の効果が得られる。
(1) 薄膜サーミスタチツプの周辺を取り囲む如く
遮へい板を支持容器に設け、この取り囲まれた
領域内において薄膜サーミスタチツプを絶縁性
被覆剤で被覆しているので、絶縁性被覆剤の塗
布量を一定に維持することが容易であり、温度
応答性のバラツキの低減化が容易となる。
遮へい板を支持容器に設け、この取り囲まれた
領域内において薄膜サーミスタチツプを絶縁性
被覆剤で被覆しているので、絶縁性被覆剤の塗
布量を一定に維持することが容易であり、温度
応答性のバラツキの低減化が容易となる。
(2) 少量の絶縁性被覆剤でもつて薄膜サーミスタ
チツプの水、ほこりに対して、また外部応力に
対する保護の役目を十分に果す。
チツプの水、ほこりに対して、また外部応力に
対する保護の役目を十分に果す。
第１図は従来の高速応答性薄膜サーミスタを模
式的に示した断面図、第２図は本発明の高速応答
性薄膜サーミスタの一実施例を模式的に示す断面
図である。 １……鍋底、２……平板状セラミツク絶縁基
板、３……電極膜、４……感温抵抗体膜、５……
子持容器、６……Ti箔もしくはZr箔、７……ロ
ウ材層、８……絶縁性被覆材、９……遮へい板、
１１……リード線。
式的に示した断面図、第２図は本発明の高速応答
性薄膜サーミスタの一実施例を模式的に示す断面
図である。 １……鍋底、２……平板状セラミツク絶縁基
板、３……電極膜、４……感温抵抗体膜、５……
子持容器、６……Ti箔もしくはZr箔、７……ロ
ウ材層、８……絶縁性被覆材、９……遮へい板、
１１……リード線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平板状セラミツク絶縁基板の一方の表面に電
極膜と感温抵抗体膜とを形成して成る薄膜サーミ
スタチツプを支持容器にロウ付接続し、前記薄膜
サーミスタチツプの周辺を取り囲む如く遮へい板
を前記支持容器に設けるとともに、この取り囲ま
れた領域内において前記薄膜サーミスタチツプを
絶縁性被覆剤で被覆した薄膜サーミスタ。 ２ 遮へい板と支持容器とは同一材質で、Ti、
Zr、SUS―430の群から選ばれた一種である特許
請求の範囲第１項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18206681A JPS5884404A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18206681A JPS5884404A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884404A JPS5884404A (ja) | 1983-05-20 |
| JPS6252926B2 true JPS6252926B2 (ja) | 1987-11-07 |
Family
ID=16111747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18206681A Granted JPS5884404A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5884404A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129411A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | ウェーハ処理装置 |
| US11107705B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution production systems and methods, and plasma reaction tanks |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202501A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
| JPH0638363B2 (ja) * | 1986-03-19 | 1994-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜サ−ミスタ |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP18206681A patent/JPS5884404A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01129411A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | ウェーハ処理装置 |
| US11107705B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution production systems and methods, and plasma reaction tanks |
| US11664242B2 (en) | 2018-07-30 | 2023-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution production systems and methods, and plasma reaction tanks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5884404A (ja) | 1983-05-20 |
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