JPS5951323A - サ−ミスタ - Google Patents

サ−ミスタ

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Publication number
JPS5951323A
JPS5951323A JP13642983A JP13642983A JPS5951323A JP S5951323 A JPS5951323 A JP S5951323A JP 13642983 A JP13642983 A JP 13642983A JP 13642983 A JP13642983 A JP 13642983A JP S5951323 A JPS5951323 A JP S5951323A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode film
thermistor
lead wire
brazing material
support container
Prior art date
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Granted
Application number
JP13642983A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6155055B2 (ja
Inventor
Kazushi Yamamoto
一志 山本
Takeshi Nagai
彪 長井
Ikuo Kobayashi
郁夫 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13642983A priority Critical patent/JPS5951323A/ja
Publication of JPS5951323A publication Critical patent/JPS5951323A/ja
Publication of JPS6155055B2 publication Critical patent/JPS6155055B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • G01K7/223Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor characterised by the shape of the resistive element

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は鍋物調理をする際鍋底を通して鍋内部の調理物
の温度検出をするサーばスタに関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来この種温度検出は第1図に示す如く鍋底1に熱電対
2を機械的に接触せしめ、前記熱電対2の熱起電力を検
出することによってなされていた。
この時熱電対2を鍋底1に機械的に強固に接触せしめる
為に熱電対2は支持容器3に固定されていた。しかし熱
起電力は通常小さな値しか得られないという欠点があっ
た。たとえばアルメル−クロメル熱電対は耐熱性(空気
中500〜1000℃)に優れまた安価であるが、〜4
oμv/′Cの起電力しか発生しない0銅−コンスタン
熱電対・白金−白金・ロジウム熱電対もその熱起電力は
(30〜6o)μv/℃しか得られないのみならず、耐
熱性が小さい(銅−コンスタン熱電対)・高価である3
1′−シ゛ (白金−白金・ロジウム熱電対)などの欠点があった。
その他種々熱電対が存在するが、いずれも上記の如き欠
点を有していた。上記の如く小さな熱起電力を電気的に
検出して、熱源の発熱量を制御する場合電気的に大きな
増巾をしなければならないので価格が高くなる、複雑な
電気回路が必要になるどの欠点も派生した。
他方上記熱電対に代ってサーミスタを用いて温度検出を
する場合、抵抗値の温度に対する変化率は(1〜7%/
’C)の大きな値を得られる。従って複雑な電気回路を
必要とせず、また低価格になるなどの長所を有する。こ
の場合サーミスタ素子はできるだけ小さくして、熱容量
を小さくしたものが選ばれる。これは小型化により熱応
答性を速くできるからである。この様な小型のサーミス
タ素子、たとえば薄膜サーミスタチ・ツブから内部リー
ド線を取り出す場合、通常耐熱、耐食性の細い金属線、
たとえば50〜200μφの金線、白金などが選ばれる
。この内部リード線は細いのでその取扱いが困難である
こと、価格が高いことなど理由により、この内部リード
線に更に外部リード線を接続して、この外部リード線を
通じてサーミスタ素子の抵抗値が、従って温度が検出さ
れる。
外部リード線には内部リード線との接続の容易性。
信頼性あるいは耐熱性、耐食性などを考慮してステンレ
ス線、ニッケル線、鉄−クロム線などが選ばれる。しか
しこの場合内部リード線とサーミスタ素子との接続強度
は垂直方向の引張強度にして数十〜数百gと小さいので
、使用時に僅かの応力が印加されたり、あるいは極端な
場合内部リード線と外部リード線の自重によシ数100
〜数1oo。
時間後、前記接続部から断線し易いという欠点があった
発明の目的 本発明はこの種従来の欠点を解消すると共に薄膜サーミ
スタチップを支持容器に機械的、熱的に強固に接続する
構造を提供するものである。
発明の構成 本発明は少なくとも平板状絶縁性基板の一方の表面にろ
う付できる電極膜と感温抵抗体膜とを形6・”−ン 成し、他方の表面にろう付できる接続層を設けてなるサ
ーミスタチップと支持容器とを前記接続層とろう材層人
を介して接続し、更に前記電極膜上にろう材層Bを介し
て耐熱性金属板を接続する構成である。
実施例の説明 本発明による一実施例のサーミスタの断面図を第2図に
示す。
3は支持容器、4は平板状絶縁基板、5はろう付できる
電極膜、6は感温抵抗体膜、7はろう材層ム、8は接続
層、9はろう材層B、1oは耐熱性金属板である。
サーミスタチップは平板形絶縁性基板4の一方の表面に
前述の電極膜5と感温抵抗体膜6とを形成し、他方の表
面に前述の接続層8を設けて構成される。平板状絶縁性
基板4には、アルミナ、ステアタイト、ムライト、ベリ
リアなどのセラミックあるいは石英、硼珪酸硝子などの
硝子が選ばれる。ろう付できる電極膜6にはムq、ムq
−Pd、ムU。
ムu−Pd、ムu−Pt、Ptなどの厚膜電極、ムu+
 Aqs6ページ Cu、Ni、Orなどの単層あるいは積層蒸着電極、W
、Mo、Ti、Ni、Mn などの一種あるいは二種以
上の金属粉をメタライズしたメタライズ電極などがある
が、これ等のなかでメタライズ電極膜が最っとも優れて
いる。これはろう何時にメタライズ電極膜の材料がろう
材中に拡散せず、またろう材に対して良好な濡れ状態を
示すのに反して厚膜あるいは蒸着電極膜の材料はろう材
中によく拡散し、ろう付困難であるという理由による。
またろう付できる接続層8は前述の電極膜5と同一でよ
い0支持容器3とサーミスタチップとは接続層8とろう
材層人とを介して接続され、また電極膜6上にろう材層
B9を介して耐熱性金属板10を接続する。ろう材には
、ムg−Ou共晶ろう(m 、 p 、779℃)。
ムqろう(m、p、960℃)、ムu−Ni合金ろう(
m、p。
950’C) 、ムu−Ou合金ろう(m、p、990
℃)、Cuろう(m、p 、1083℃)、更にはムg
−Ou合金ろう(m 、p 、600〜770’C)な
どが用いられる。また耐熱性金属板1oは絶縁性基板4
、特にセラミック基板、との熱膨張係数の相異に基づく
熱的歪みを7・・−ン゛ 極力小さく押えるだめに(30〜110)X10 ’/
’C(25〜700℃)のもの、たとえばコバール合金
Fe−Ni合金、ステンレス鋼、Ti、Ta、W、Mo
Zr、Ptなどが適する。但しW、Mo、Taなどは酸
化性雰囲中の耐熱性は小さいので、酸化防止の為の保護
膜を必要とする。
本発明のサーミスタは以上の如く電極膜5上に耐熱性金
属板1oがろう付接続されているので、内部リード線を
取り出す場合、前述の如く細い金属線を用いる必要がな
く、実用的大きさの耐熱性金属線、たとえば0.2〜0
.6φのステンレス線、Fe−Cjr線、Ni−0r 
線などを用いることができる。
これは耐熱性金属板10に前述の如き耐熱性金属線を接
続する際、適切なる材料の選択により充分な機械的強度
(1kg以上)を有する溶接接続を極めて容易に実現で
きるからである。
またサーミスタチップは支持容器3にろう付接続される
ので機械的、熱的に強固に接続される。
このときろう材層A7とろう材層B9の融点を相互に相
異させることにより以下に示す如き利点が生じる。すな
わちろう材層A了の融点をろう材層B9の融点より低く
選ぶことにより、耐熱性金属板1oを電極膜5上にろう
付接続する処理を先行して行うことができる。これはこ
の処理の後にろう材層人7を形成しても、ろう材層A7
の融点がろう材層B9のそれより低いので、ろう材層B
9に閂等影響を及ぼすことなく処理できるからである。
この結果耐熱性金属板1oの接続を多数個同時処理でき
るのみならず個々の接続の検査も容易にできる。また内
部リード線を接続したのちろう材層人7を形成すること
もできる。これは電極膜5の面積が微少々場合特に有効
である。すなわち支持容器3にサーミスタチップを接続
した後に内部リード線を接続する場合、支持容器3が接
続作業を行い難くするからである。
次に本発明の代表的実施例を示す。
純度95チのアルεす基板4の一方の表面にWメタライ
ズ電極膜5とSiC感温抵抗体膜6を形成し、他方の表
面にWメタライズ接続層8を設けて成るサーばスタチッ
プとステンレス鋼(sus−430)9・・−ン 支持容器3とを前記接続層8とAg−Cu共晶ろう材層
ム7を介して接続し、更に前記電極膜5上にムu−Ou
合金ろう材層B9を介してステンレス鋼(sus−43
0)耐熱性金属板1oを接続した。これを空気中600
℃の雰囲気中に1000〜2000時間放置試験し、ま
だ室温16分→空気中600℃。
15分を1サイクルとして1000〜30oOサイクル
のヒートサイクル試験を行った結果、サーミスタチップ
の剥離9割れなど異常は認められなかった。
発明の効果 本発明のサーミスタは少なくとも平板状絶縁性基板の一
方の表面にろう付できる電極膜と感温抵抗体膜とを形成
し、他方の表面にろう付できる接続層を設けてなるサー
ミスタチップと支持容器とを前記接続層と第1のろう材
層を介して接続し、更に前記電極膜上に第2のろう材層
を介して耐熱性金属板を接続した構成であるので、従来
の欠点を解消すると共に薄膜サーばスタチップを支持容
器に機械的、熱的に強固に接続することができる。
10/、−ヮ
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の熱電対の正面図、第2図は本祭t17の
一実施例におけるサーミスタの断面図である。 3・・・・・・支持容器、4・・・・・・平板状絶縁性
基板、5・・・・・・電極膜、6・・・・・・感温抵抗
体、7・・・・・・ろう材層ム、8・・・・・・接続層
、9・・・・・・ろう材層B、1o・・・・・・耐熱性
金属板。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも平板状絶縁性基板の一方の表面にろう
    付できる電極膜と感温抵抗体膜とを形成し、他方の表面
    にろう付できる接続層を設けてなるサーミスタチップと
    支持容器とを前記接続層と第1のろう材層を介して接続
    し、更に前記電極膜上に第2のろう材層を介して耐熱性
    金属板を接続したサーミスタ。
  2. (2)ろう付できる電極膜とろう付できる接続層と求の
    範囲第1項記載のサーミスタ。
  3. (3)耐熱性金属板がコバール合金、Fe−Ni合金。
  4. (4)第1のろう材層の融点を第2のろう材層の融点よ
    り低く選んだ特許請求の範囲第1項記載の2ページ サーミスタ。
JP13642983A 1983-07-25 1983-07-25 サ−ミスタ Granted JPS5951323A (ja)

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JP13642983A JPS5951323A (ja) 1983-07-25 1983-07-25 サ−ミスタ

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JP13642983A JPS5951323A (ja) 1983-07-25 1983-07-25 サ−ミスタ

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JPS5951323A true JPS5951323A (ja) 1984-03-24
JPS6155055B2 JPS6155055B2 (ja) 1986-11-26

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ID=15174933

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JP13642983A Granted JPS5951323A (ja) 1983-07-25 1983-07-25 サ−ミスタ

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JP (1) JPS5951323A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62142800U (ja) * 1986-03-04 1987-09-09
JPH01224020A (ja) * 1988-01-25 1989-09-07 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 繊維質エレクトレットフィルター

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62142800U (ja) * 1986-03-04 1987-09-09
JPH01224020A (ja) * 1988-01-25 1989-09-07 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 繊維質エレクトレットフィルター

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JPS6155055B2 (ja) 1986-11-26

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