JPH0750007B2 - 圧力センサ及び圧力センサの製法 - Google Patents

圧力センサ及び圧力センサの製法

Info

Publication number
JPH0750007B2
JPH0750007B2 JP3004482A JP448291A JPH0750007B2 JP H0750007 B2 JPH0750007 B2 JP H0750007B2 JP 3004482 A JP3004482 A JP 3004482A JP 448291 A JP448291 A JP 448291A JP H0750007 B2 JPH0750007 B2 JP H0750007B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
pressure sensor
substrate
active
capacitor electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3004482A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0749277A (ja
Inventor
ヘグナー フランク
フランク マンフレート
クレーン トーマス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Endress and Hauser SE and Co KG
Original Assignee
Endress and Hauser SE and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Endress and Hauser SE and Co KG filed Critical Endress and Hauser SE and Co KG
Publication of JPH0749277A publication Critical patent/JPH0749277A/ja
Publication of JPH0750007B2 publication Critical patent/JPH0750007B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0072Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
    • G01L9/0075Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a ceramic diaphragm, e.g. alumina, fused quartz, glass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/43Electric condenser making
    • Y10T29/435Solid dielectric type

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基体及びダイアフラム
を有する圧力センサであって、基体とダイアフラムと
が、少なくとも縁部の閉鎖された室を形成しながら特に
所定の間隔を置いて互いに平行に結合されている形式の
もの及びこの圧力センサの製法に関する。
【0002】
【従来の技術】同出願人による実験によれば、圧力セン
サのコンデンサ電極用の通常の被覆材料、例えば銅又は
金又は銀又は白金は、電極によって被覆された基体及び
ダイアフラムの活性ろう接時に生じる、一連の不利な欠
点を有している。これらの欠点とは、まず第一に、ろう
が良好な潤滑性のために接合箇所から電極面上へ広がっ
てしまい、それによって、基体とダイアフラムとの電極
範囲がろう接されてしまうことである。また第二に、例
えば100nm〜500nmの厚さしかないダイアフラ
ムの電極材料が、ろうと配合されてしまい、それによっ
て、ろうと電極材料との電気的接触が遮断されてしまう
ことである。
【0003】さらに、通常の純粋な酸化アルミニウムセ
ラミックスと、チタン含有量1〜5%の市販の活性ろう
とは、熱膨張係数が大きく異なっている。それにより、
圧力センサの0点又は感度の温度係数が場合によっては
不利な影響を受ける。
【0004】圧力センサが基準圧力センサとして使用さ
れる場合には、この圧力センサの室が基準圧力媒体例え
ば外気と接続される。そして、外気に含まれる湿分は、
室内ひいてはコンデンサ電極まで流入し、場合によって
はそこで沈着する。その結果、電極は圧力に基づく容量
変化のための測定スイッチから電圧を印加されると、析
出した湿分によって腐食してしまう。また、基体内の活
性ろう挿入体を介した、上記両電極の接触接続のために
は、段階式ろう接、即ち少なくとも2段階のろう接作業
が必要である。
【0005】また、ダイアフラムの機械的特性が、厚す
ぎる電極層によって支障を及ぼされてはならない。従っ
て、上述したように、ダイアフラムの電極材料の厚さは
100nm〜500nmでなければならない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、適当
な材料を選択することによって上述した欠点を排除する
ことにある。即ち、特にコンデンサ電極及びコンデンサ
電極の接触箇所及びダイアフラムと基体との接合箇所の
ために適当な材料で、上述した欠点を持たず、かつろう
接作業のパラメータの選択を大きく狭めない材料を、見
出すことにある。また、高温時における圧力センサを、
ガラスフリット接合部を備えた圧力センサとして使用で
きるようにする。さらに、ダイアフラムの最大圧力負荷
能力を、接合箇所の強度によってではなく、ダイアフラ
ムを成す材料の強度だけによって得る。そして、圧力セ
ンサの製作費用をできるだけ消滅する。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明によ
ればはじめに述べた形式の圧力センサにおいて、基体及
び/又はダイアフラムが、セラミックス又はガラス又は
単結晶材料から製作されており、ダイアフラムの、基体
に向いた面が、炭化珪素又はニオビウム又はタンタルか
ら成る層によって被覆されており、この層が第1のコン
デンサ電極として作用しており、この層の自由な表面が
保護層によって被覆されており、室内部における基体
の、ダイアフラムに向いた面が、炭化珪素又はニオビウ
ム又はタンタルから成る少なくとも1つの層によって被
覆されており、この層が第2のコンデンサ電極として作
用しており、この層の自由な表面が別の保護層によって
被覆されており、基体とダイアフラムとが、スペーサと
しても作用する、活性ろうから成る成形部材によってろ
う接されていることによって解決されている。
【0008】さらに上記課題は、本発明によればはじめ
に述べた形式の圧力センサの製法において、ダイアフラ
ムと基体とにコンデンサ電極を被覆し、コンデンサ電極
上に保護層を形成し、基体の孔内へ活性ろう挿入体を挿
入し、保護層により被覆されて活性ろう挿入体を取付け
られた基体と、保護層により被覆されたダイアフラム
と、これら2つの部材間に設けられた、活性ろうから成
る成形部材とを、完全に溶融するまで加熱し、上記基
体、ダイアフラム及び成形部材を冷却することによって
解決されている。
【0009】
【発明の効果】高融点の金属、つまりニオビウム又はタ
ンタル又は炭化珪素が広いろう接温度範囲内で電極材料
として使用される場合には、このような材料と活性ろう
との配合が実際には完全に回避される。即ち、例えば1
00nmの厚さしかないタンタル層が、活性ろうによる
1000℃のろう接作業時にも問題のない状態に保たれ
る。
【0010】さらに、電極上への活性ろうの広がり及び
電極の腐食が、電極保護層によって阻止される。この層
は、電極を成す上記材料の酸化物によって形成される。
従って、電極がタンタルから製作されている場合、保護
層が五酸化タンタルから形成されていると有利である。
このような酸化層は、熱酸化又は陽極酸化によって公知
形式で形成される。ところで、材料の特性をすべて組合
わせてみると、タンタルが最適な電極材料と考えられ
る。タンタルは比較的大きな比体積電気抵抗を有してい
るが、タンタル製の電極を備えて、電極の厚さが100
nmで容量が50pFの圧力センサは、100kHzの
測定周波数において3×104〜4×104の感度を与え
られる。
【0011】上述した材料が電極用に使用されるため、
ろう接作業はただ1回しか必要ではない。このろう接作
業によって基体及びダイアフラムは接合され、電極は高
真空密に接触接続される。後者、つまり電極の高真空密
な接触接続は、有利には、基体の、ダイアフラムとは反
対側から第2のコンデンサ電極まで延びる、又は活性ろ
うまで延びる活性ろう挿入体によって行われる。この場
合、基体の複数の第2のコンデンサ電極は、活性ろう挿
入体を挿入された孔の拡張部として構成された毛管作用
ストッパを接触箇所に有している。
【0012】上述したただ1回のろう接作業の採用は、
上記毛管作用ストッパによって可能となる。基体の孔は
室側ではこの毛管作用ストッパで終わっている。従っ
て、毛管作用によっても、液体状の活性ろうが対向する
両コンデンサ電極間のわずかなギャップ内へ流入しな
い。なぜなら、活性ろうは基体電極の平面まで到達して
いないからである。
【0013】
【実施例】次に図示の実施例につき本発明を説明する。
【0014】図1及び図2に示された圧力センサ10
は、平行平面を備えた円形ディスク状のダイアフラム1
1を有している。そして、このダイアフラム11は、所
定間隔dを置きながら円形の基体12と外周部で環状に
結合されている。その結果、基体12の平らな表面とこ
の表面に対向する、ダイアフラム11の面との間に、室
13が形成される。また、ダイアフラム11はセラミッ
クス又はガラス又は単結晶材料かに製作されていてもよ
い。同様に、基体12もセラミックス又はガラス又は単
結晶材料から製作されていてもよい。しかし、ダイアフ
ラム11と基体12とを成す材料は、互いに異なってい
てもよい。いずれにせよ、ダイアフラム11は弾性的に
形成されているので、及ぼされた圧力によって変形させ
られる。これに対して、基体12は中実かつ剛性に形成
されていてもよいが、必要ならば、ダイアフラム11と
同様に平らで弾性的なディスクとして形成されていても
よい。
【0015】ダイアフラム11と基体12との互いに向
かい合う面には、それぞれ円形で金属製のコンデンサ電
極14,15が取付けられており、しかも室13内で互
いに間隔を置きながら対向して位置している。この場
合、電極14はダイアフラム11を完全に被覆している
が、室13の範囲だけに取付けられていてもよい。さら
に、上記両電極14,15はそれぞれ室側の自由表面を
保護層21,22によって被覆されている。これらの保
護層21,22は、例えば上記両電極14,15を成す
材料の酸化物から製作されている。
【0016】また、上記2つの電極のうちで一方の電極
14は接続導体16に、他方の電極15は接続導体17
に接続されており、これら2つの接続導体16,17は
基体12内を気密に貫通して外側へ通している。ところ
で、上記両電極14,15は、上記2つの保護層21,
22間の間隔に基づいた容量を有するコンデンサを形成
している。従って、ダイアフラム11が圧力をかけられ
て変形させられると、上記両電極14,15間の間隔ひ
いては圧力センサの容量が変化させられる。そして、こ
の容量は上記両接続導体16,17に接続された電子ス
イッチによって測定され、その結果、ダイアフラム11
に及ぼされた圧力を示す基準値として検出される。
【0017】室13が排気されている場合、ダイアフラ
ム11に及ぼされる圧力は、例えば外側から圧力センサ
だけに及ぼされる圧力であってもよい。しかし、例えば
基体12に孔が形成されているために室13が外側へ向
かって開放されている場合、圧力センサは基準圧力セン
サとして使用することができる。
【0018】図3に概略的に示された、圧力センサの第
2実施例では、活性ろう挿入体19の活性ろうがダイア
フラム11のコンデンサ電極14へ向かって流出しない
ように、活性ろう挿入体19を挿入された孔の室側端部
が、拡張部23を有している。その結果、活性ろう挿入
体19の活性ろうの溶融時に、この活性ろうを基体12
の電極15の面より上方へ放出させる毛管作用が、阻止
されるのである。つまり、拡張部23は毛管作用ストッ
パとして作用している。
【0019】図4に概略的に示された、圧力センサの第
3実施例では、基体12が、互いに同軸的で別れた2つ
のコンデンサ電極15,15′を有している。この場
合、円形面として中心に設けられた一方の電極15は、
他方の電極15′によって円形に取囲まれている。ま
た、一方の電極15が一方の保護層22によって被覆さ
れているように、他方の電極15′も他方の保護層2
2′によって被覆されている。さらに、他方の電極1
5′は他方の活性ろう挿入体19′を介して接触接続さ
れている。このように、共通の1つの電極、つまりダイ
アフラム11の電極14を備えた2つのコンデンサの構
成は、当然ながら1図及び2図による実施例においても
使用され得る。
【0020】図4ではさらに、他方の活性ろう挿入体1
9′を挿入された孔の室側端部が、拡張部24を有して
おり、この拡張部24は、上記拡張部23と同様に有利
に作用する。また、図3及び図4においては、容易な構
成とするために、活性ろう挿入体18,19における接
続導体が省略されている。
【0021】完成された圧力センサでは、ダイアフラム
11の電極14が、接合箇所の活性ろう20と接続導体
16とを介して接触接続される。この場合、接続導体1
6及び接続導体17は、それぞれ活性ろう挿入体18,
19に接続されている。また、これら活性ろう挿入体1
9,18はそれぞれ、基体12の電極15まで、かつ接
合箇所の活性ろう20を介してダイアフラム11の電極
14まで、延びている。図1によれば、接合箇所の電極
14は破線によって示されている。
【0022】本発明の有利な構成によれば、上記コンデ
ンサ電極14,15,15′はタンタルから、上記保護
層21,21′,22は五酸化タンタルから製作されて
いる。
【0023】図示された圧力センサの特徴は、ダイアフ
ラム11と基体12との結合形式にある。つまり、これ
ら2つの部材は活性ろう20から成る環状の成形部材に
よって結合されている。また、この成形部材は、基体1
2に対してダイアフラム11に所定間隔dを維持させる
ためのスペーサとしても役立っている。さて、結合のた
めに温度による方法が使用されると、ダイアフラム11
と基体12とは活性ろう20によって直接に結合され
る。しかし、従来とは異なり、基体12の接合箇所の金
属被覆されていない部分が金属被覆される必要はなく、
融剤が使用される必要もない。従って、ダイアフラム1
1と基体12とは、活性ろう20から成る成形部材によ
り、機械的に極めて剛性で完全に気密に結合される。そ
の結果、室13が例えば完全な気密状態で外側に対して
閉鎖される。
【0024】上述した活性ろうは、少なくとも強い反応
性元素、例えばチタン又はジルコニウム又はベリリウム
又はハフニウム又はタンタルを含有している。このよう
な反応性元素は、ろう接されるべき部分の表面をろう接
時に湿らせる。そして、この部分がオキサイドセラミッ
クスから製作されている場合には、酸素に対する反応性
元素の高い親和性がこの反応性元素とセラミックスとの
反応を引起こし、混合酸化物及び自由化学原子価を形成
する。ろうの反応性元素は、別の合金成分、例えば銀/
銅合金のマトリックス内に埋込まれており、かつ本来の
ろう材料を成している。
【0025】延性の活性ろう合金は、チタン含量1〜5
%であり、このチタンは例えば銀/銅合金のマトリック
ス内に均質に含まれている。また、この活性ろう合金は
通常の硬ろうと同様に任意の成形部材に成形されるの
で、図2に示されたように、スペーサとして役立つ環状
の成形部材にも成形される。
【0026】市販されている典型的な活性ろうは、銀/
チタン合金又は銀/銅/チタン合金又は銀/銅/インジ
ウム/チタン合金であり、これら合金のろう接温度は7
50℃〜1050℃である。従って、段階式ろう接(融
点ごとの段付け)も活性ろうにおいては可能である。ま
た、活性ろうの強度は、比較可能な、チタン不含の硬ろ
うの強度と等しい。さらに、セラミックスへの活性ろう
の付着力は、セラミックス自身の強度よりも大きい。従
って、引張り試験によれば、セラミックスとろうとの境
界層ではなくてセラミックスに、破損が生じる。
【0027】セラミックスから成る材料(ダイアフラム
11及び基体12)の、活性ろうによるろう接は、有利
には少なくとも10-5mbar、より有利には10-6
barの真空状態で行われる。なぜなら、チタンと残留
ガスとの反応を避けてセラミックスを充分に湿らすため
には、極めて良好な真空状態が必要となるからである。
【0028】所期のろう接結果を得るために、例えばろ
うの蒸発を減少させるか又は表面酸化物を還元するため
に、不活性ガス及び/又は反応性ガスから成る所定のガ
ス雰囲気内で加熱又はろう接作業を行うと、有利であ
る。また、このようなガスの分圧は有利には10mba
rよりも低くなっている。
【0029】通常のろう接時と同様に、活性ろう接時に
おいてもろうは完全に溶融する。しかし、活性ろうにお
けるろう接温度は、有利には液相線温度より30℃〜1
00℃高くなっていなければならない。この温度になっ
ていないと、チタンとセラミックスが最適に反応しない
からである。そして、活性ろうが上述した温度に保たれ
ていることにより、大きな強度と真空密性とが得られ
る。
【0030】本発明の圧力センサには、上述した延性の
活性ろうの他にも、脆性の活性ろうが使用される。即
ち、温度衝撃周期において、ダイアフラム11及び基体
12を成す材料の膨張係数と脆性の活性ろうの膨張係数
とが異なるにもかかわらず、本発明による圧力センサの
特性は変化しない。さて、脆性の活性ろうは例えば銅3
0〜60%/残留分ジルコニウムから成る合金、又はニ
ッケル24%/ジルコニウム76%から成る合金、又は
銅36〜75%/チタン64〜25%から成る合金であ
る。このような活性ろうは、焼結されたリング形状又は
ろうペースト状で基体12とダイアフラム11との間に
被着されている。
【0031】有利には、活性ろうから成るリングはいわ
ゆる溶融紡糸によって製作される。この方法では、ま
ず、ろうが延性のフィルムとして非晶質形状を与えられ
る。そして次に、機械的に加工可能で任意な形状に成形
される。次いでろう接作業後には、結晶質特性を与えら
れる。
【0032】測定結果によれば、上述した脆性の活性ろ
うによって接合された圧力センサの特性は、−20℃〜
+140℃での数千回の温度衝撃周期においても変化し
ない。特に、真空密性が所望される場合に室13を非気
密状態としてしまうヘアクラックは、形成されない。
【0033】接合箇所に関する実験によれば、活性ろう
の種類の変化に伴ってこの接合箇所の構造が変化するこ
とはない。従って、脆性の活性ろうも使用できることに
より、ダイアフラム及び基体の材料とこの材料にとって
適当な、活性ろうを成す元素との種類の選択範囲が、従
来の圧力センサにおいてよりも大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による第1実施例の圧力センサの平面図
である。
【図2】図1による線分A−Bに沿った、圧力センサの
側面図である。
【図3】本発明による第2実施例の圧力センサの側面図
である。
【図4】本発明による第3実施例の圧力センサの側面図
である。
【符号の説明】
10 圧力センサ 11 ダイアフラム 12 基体 13 室 14,15,15′ コンデンサ電極 16,17 接続導体 18,19,19′ 活性ろう挿入体 20 活性ろう 21,21′,22 保護層 23,24 拡張部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マンフレート フランク ドイツ連邦共和国 マウルブルク ハウプ トシュトラーセ 43 (72)発明者 トーマス クレーン ドイツ連邦共和国 フライブルク−オプフ ィンゲン アム シュポルトプラッツ 3

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基体(12)及びダイアフラム(11)
    を有する圧力センサ(10)であって、基体(12)と
    ダイアフラム(11)とが、少なくとも縁部の閉鎖され
    た室(13)を形成しながら結合されている形式のもの
    において、 基体(12)及び/又はダイアフラム(11)が、セラ
    ミックス又はガラス又は単結晶材料から製作されてお
    り、 ダイアフラム(11)の、基体(12)に向いた面が、
    炭化珪素又はニオビウム又はタンタルから成る層によっ
    て被覆されており、この層が第1のコンデンサ電極(1
    4)として作用しており、この層の自由な表面が保護層
    (21)によって被覆されており、 室(13)内部における基体(12)の、ダイアフラム
    (11)に向いた面が、炭化珪素又はニオビウム又はタ
    ンタルから成る少なくとも1つの層によって被覆されて
    おり、この層が第2のコンデンサ電極(15)として作
    用しており、この層の自由な表面が別の保護層(22)
    によって被覆されており、 基体(12)とダイアフラム(11)とが、スペーサと
    しても作用する、活性ろう(20)から成る成形部材に
    よってろう接されていることを特徴とする圧力センサ。
  2. 【請求項2】 ダイアフラム(11)がコンデンサ電極
    (14)によって完全に被覆されている、請求項1記載
    の圧力センサ。
  3. 【請求項3】 上記2つのコンデンサ電極(14,1
    5)がタンタルから製作されており、上記2つの保護層
    (21,22)が熱酸化又は陽極酸化によって形成され
    ている、請求項1又は2記載の圧力センサ。
  4. 【請求項4】 上記2つのコンデンサ電極(14,1
    5)が、基体(12)の、ダイアフラム(11)とは反
    対側から第2のコンデンサ電極(15)まで延びる、場
    合によっては活性ろう(20)まで延びる活性ろう挿入
    体(18,19)を介して電気的に接触接続されてお
    り、基体(12)の複数の第2のコンデンサ電極(1
    5,15′)が、活性ろう挿入体(18,19)を挿入
    された孔の拡張部(23,24)として構成された毛管
    作用ストッパを接触箇所に有している、請求項1から3
    までのいずれか1項記載の圧力センサ。
  5. 【請求項5】 反応性元素を含む銀/銅合金に基づいた
    延性の活性ろうを使用されている、請求項1から4まで
    のいずれか1項記載の圧力センサ。
  6. 【請求項6】 銅/ジルコニウム合金又はニッケル/ジ
    ルコニウム合金又は銅/チタン合金に基づいた脆性の活
    性ろうを使用されている、請求項1から4までのいずれ
    か1項記載の圧力センサ。
  7. 【請求項7】 ダイアフラムと、適当な孔及び場合によ
    ってはこの孔に付属した拡張部を備えた基体とから成
    る、請求項4から6までのいずれか1項記載の圧力セン
    サの製法であって、 ダイアフラムと基体とにコンデンサ電極を被覆し、 コンデンサ電極上に保護層を形成し、 基体の孔内へ活性ろう挿入体を挿入し、 保護層により被覆されて活性ろう挿入体を取付けられた
    基体と、保護層により被覆されたダイアフラムと、これ
    ら2つの部材間に設けられた、活性ろうから成る成形部
    材とを、完全に溶融するまで加熱し、 上記基体、ダイアフラム及び成形部材を冷却することを
    特徴とする、圧力センサの製法。
JP3004482A 1990-01-22 1991-01-18 圧力センサ及び圧力センサの製法 Expired - Fee Related JPH0750007B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE90810045.6 1990-01-22
EP90810045 1990-01-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0749277A JPH0749277A (ja) 1995-02-21
JPH0750007B2 true JPH0750007B2 (ja) 1995-05-31

Family

ID=8205901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3004482A Expired - Fee Related JPH0750007B2 (ja) 1990-01-22 1991-01-18 圧力センサ及び圧力センサの製法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5050034A (ja)
EP (1) EP0445382B1 (ja)
JP (1) JPH0750007B2 (ja)
CA (1) CA2031427C (ja)
DE (1) DE59001567D1 (ja)
DK (1) DK0445382T3 (ja)
ES (1) ES2041106T3 (ja)
IE (1) IE904277A1 (ja)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4031791A1 (de) * 1990-10-08 1992-04-09 Leybold Ag Sensor fuer ein kapazitaetsmanometer
US5150759A (en) * 1990-10-29 1992-09-29 Borchard John S Capacitor-sensor
EP0516579B1 (de) * 1991-05-26 1994-06-22 Endress + Hauser Gmbh + Co. Durchkontaktierung eines Isolierstoffteils
DE59108247D1 (de) * 1991-11-30 1996-11-07 Endress Hauser Gmbh Co Verfahren zum Stabilisieren der Oberflächeneigenschaften von in Vakuum temperaturzubehandelnden Gegenständen
KR950004637Y1 (ko) * 1992-09-09 1995-06-12 구자홍 전자레인지의 조리물 중량 검출장치
EP0657718B1 (en) * 1993-12-07 1998-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capacitance sensor and method of manufacturing the same
CN1041260C (zh) * 1995-01-28 1998-12-16 克罗内有限公司 确定浪涌电压抑制器中最高电压的空气火花隙
US5637802A (en) 1995-02-28 1997-06-10 Rosemount Inc. Capacitive pressure sensor for a pressure transmitted where electric field emanates substantially from back sides of plates
US6484585B1 (en) 1995-02-28 2002-11-26 Rosemount Inc. Pressure sensor for a pressure transmitter
DK0780674T3 (da) * 1995-12-22 2000-04-03 Envec Mess Und Regeltechn Gmbh Trykmåleindretning med skærmelektrode
US5954900A (en) * 1996-10-04 1999-09-21 Envec Mess- Und Regeltechnik Gmbh + Co. Process for joining alumina ceramic bodies
US6165623A (en) 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US5880371A (en) * 1997-01-27 1999-03-09 Texas Instruments Incorporated Pressure transducer apparatus and method for making
US5965821A (en) * 1997-07-03 1999-10-12 Mks Instruments, Inc. Pressure sensor
DE19729785C2 (de) * 1997-07-11 1999-08-19 Micronas Semiconductor Holding Kondensatoranordnung und ihr Herstellungsverfahren
US20040099061A1 (en) 1997-12-22 2004-05-27 Mks Instruments Pressure sensor for detecting small pressure differences and low pressures
US6051044A (en) 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US6267009B1 (en) 1998-12-14 2001-07-31 Endress + Hauser Gmbh + Co. Capacitive pressure sensor cells or differential pressure sensor cells and methods for manufacturing the same
ATE203326T1 (de) * 1998-12-14 2001-08-15 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitive druck- oder differenzdruckmesszellen und verfahren zu deren herstellung
US6374680B1 (en) 1999-03-24 2002-04-23 Endress + Hauser Gmbh + Co. Capacitive pressure sensor or capacitive differential pressure sensor
US6578427B1 (en) * 1999-06-15 2003-06-17 Envec Mess- Und Regeltechnik Gmbh + Co. Capacitive ceramic relative-pressure sensor
DK1061351T3 (da) * 1999-06-15 2003-11-03 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Kapacitiv keramisk relativtryksensor
EP1077368B1 (de) * 1999-08-07 2002-11-20 Endress + Hauser GmbH + Co. KG Kapazitiver keramischer Drucksensor
US6516671B2 (en) 2000-01-06 2003-02-11 Rosemount Inc. Grain growth of electrical interconnection for microelectromechanical systems (MEMS)
US6561038B2 (en) 2000-01-06 2003-05-13 Rosemount Inc. Sensor with fluid isolation barrier
US6505516B1 (en) 2000-01-06 2003-01-14 Rosemount Inc. Capacitive pressure sensing with moving dielectric
US6520020B1 (en) 2000-01-06 2003-02-18 Rosemount Inc. Method and apparatus for a direct bonded isolated pressure sensor
US6508129B1 (en) 2000-01-06 2003-01-21 Rosemount Inc. Pressure sensor capsule with improved isolation
US6612175B1 (en) 2000-07-20 2003-09-02 Nt International, Inc. Sensor usable in ultra pure and highly corrosive environments
US7152478B2 (en) * 2000-07-20 2006-12-26 Entegris, Inc. Sensor usable in ultra pure and highly corrosive environments
DE10052053A1 (de) * 2000-10-19 2002-04-25 Endress Hauser Gmbh Co Druckmeßzelle
JP4557405B2 (ja) * 2000-10-26 2010-10-06 京セラ株式会社 圧力検出装置用パッケージ
JP4557406B2 (ja) * 2000-10-27 2010-10-06 京セラ株式会社 圧力検出装置用パッケージ
DE10163567A1 (de) * 2001-12-21 2003-07-17 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Drucksensor mit hydrophober Beschichtung
US6490148B1 (en) 2002-01-02 2002-12-03 Greatbatch-Hittman, Incorporated Installation of filter capacitors into feedthroughs for implantable medical devices
US6958446B2 (en) * 2002-04-17 2005-10-25 Agilent Technologies, Inc. Compliant and hermetic solder seal
EP1439380B8 (en) * 2002-08-07 2012-05-09 Panasonic Corporation Load sensor and method of manufacturing the load sensor, paste used for the method, and method of manufacturing the paste
EP1429357A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-16 IEE INTERNATIONAL ELECTRONICS & ENGINEERING S.A. Foil-type switching element with multi-layered carrier foil
US6993973B2 (en) * 2003-05-16 2006-02-07 Mks Instruments, Inc. Contaminant deposition control baffle for a capacitive pressure transducer
JP2006047279A (ja) * 2004-07-02 2006-02-16 Alps Electric Co Ltd ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ
US7201057B2 (en) 2004-09-30 2007-04-10 Mks Instruments, Inc. High-temperature reduced size manometer
US7137301B2 (en) 2004-10-07 2006-11-21 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for forming a reference pressure within a chamber of a capacitance sensor
US7141447B2 (en) 2004-10-07 2006-11-28 Mks Instruments, Inc. Method of forming a seal between a housing and a diaphragm of a capacitance sensor
US7089798B2 (en) * 2004-10-18 2006-08-15 Silverbrook Research Pty Ltd Pressure sensor with thin membrane
JP2006170893A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Alps Electric Co Ltd 静電容量型圧力センサ
US7204150B2 (en) 2005-01-14 2007-04-17 Mks Instruments, Inc. Turbo sump for use with capacitive pressure sensor
DE102005027365A1 (de) * 2005-06-14 2006-12-21 Robert Bosch Gmbh Hochdrucksensoreinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
TWI288652B (en) * 2006-05-29 2007-10-21 Advanced Int Multitech Co Ltd Joining method of golf club head
TW200831166A (en) * 2007-01-26 2008-08-01 Advanced Int Multitech Co Ltd Jointing method for a gold club head
EP2145162A1 (de) * 2007-05-04 2010-01-20 Carag AG Waage
DE102008064654A1 (de) 2008-08-05 2010-04-15 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elastischen Körpers aus Al2O3- Keramik
EP2229967B1 (en) * 2009-03-17 2020-04-15 F.Hoffmann-La Roche Ag Cannula assembly and ambulatory infusion system with a pressure sensor made of stacked coplanar layers
GB2469823B (en) * 2009-04-28 2011-07-06 Illinois Tool Works Weighing method and apparatus
KR101051348B1 (ko) * 2009-07-13 2011-07-22 한국표준과학연구원 정전용량형 압력센서 및 그 제조방법
DE102009027742A1 (de) * 2009-07-15 2011-01-27 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitive keramische Druckmesszelle und Drucksensor mit einer solchen Druckmesszelle
DE102009046844A1 (de) 2009-11-18 2011-05-19 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitive keramische Druckmesszelle
DE102009054909A1 (de) 2009-12-17 2011-06-22 Endress + Hauser GmbH + Co. KG, 79689 Keramisches Produkt und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012103166A1 (de) * 2012-04-12 2013-10-17 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmesszelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102012106236A1 (de) * 2012-07-11 2014-01-16 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Verfahren zum Fügen von Keramikkörpern mittels eines Aktivhartlots, Baugruppe mit mindestens zwei miteinander gefügten Keramikkörpern, insbesondere Druckmesszelle
DE102014114882A1 (de) * 2014-10-14 2016-04-14 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Drucksensor
DE102015105057A1 (de) * 2015-04-01 2016-10-06 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Kapazitiver Drucksensor
DE102015108949A1 (de) * 2015-06-08 2016-12-08 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Aktivhartlot zum Aktivhartlöten von Keramik
DE102015122220A1 (de) * 2015-12-18 2017-06-22 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Keramische Druckmesszelle mit mindestens einem Temperaturmesswandler und Druckmessaufnehmer mit einer solchen Druckmesszelle
DE102016102775A1 (de) 2016-02-17 2017-08-17 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Kapazitiver Drucksensor
US10640374B2 (en) * 2017-05-18 2020-05-05 Dunan Microstaq, Inc. Method and structure of attachment layer for reducing stress transmission to attached MEMS die
US10921943B2 (en) * 2019-04-30 2021-02-16 Apple Inc. Compliant material for protecting capacitive force sensors and increasing capacitive sensitivity
US11300442B2 (en) 2020-02-07 2022-04-12 Illinois Tool Works Inc. Weighing apparatus with alignment of accelerometer coordinate system and load cell coordinate system and related method
US11592946B1 (en) 2021-09-21 2023-02-28 Apple Inc. Capacitive gap force sensor with multi-layer fill

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4064550A (en) * 1976-03-22 1977-12-20 Hewlett-Packard Company High fidelity pressure transducer
US4198670A (en) * 1978-11-20 1980-04-15 General Motors Corporation Capacitive pressure transducer
US4740429A (en) * 1985-07-22 1988-04-26 Ngk Insulators, Ltd. Metal-ceramic joined articles
SE459887B (sv) * 1987-02-12 1989-08-14 Hydrolab Ab Tryckgivare
DE3901492A1 (de) * 1988-07-22 1990-01-25 Endress Hauser Gmbh Co Drucksensor und verfahren zu seiner herstellung
DE3910646A1 (de) * 1989-04-01 1990-10-04 Endress Hauser Gmbh Co Kapazitiver drucksensor und verfahren zu seiner herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0445382A3 (en) 1991-12-04
DK0445382T3 (da) 1993-06-21
DE59001567D1 (de) 1993-07-01
CA2031427C (en) 1996-07-30
JPH0749277A (ja) 1995-02-21
IE904277A1 (en) 1991-07-31
EP0445382B1 (de) 1993-05-26
CA2031427A1 (en) 1991-07-23
EP0445382A2 (de) 1991-09-11
ES2041106T3 (es) 1993-11-01
US5050034A (en) 1991-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0750007B2 (ja) 圧力センサ及び圧力センサの製法
JP2548487B2 (ja) 耐高熱性かつ耐真空性の絶縁部品の孔の貫通接続部および該貫通接続部を形成する方法
US5005421A (en) Pressure sensor and method for the manufacture thereof
JP4033331B2 (ja) サーミスタおよびその製造方法
US5194697A (en) Electrically conductive feedthrough connection and methods of manufacturing same
JP2002500351A (ja) 容量式の真空測定セル
JP2002500352A (ja) 容量式の真空測定セルのためのダイヤフラム
KR20160065864A (ko) 금속-세라믹 땜납 연결을 생성하는 방법
JPS5846059B2 (ja) 半導体装置
JP3652647B2 (ja) 高温検出器及びその製造方法
CN107743578B (zh) 具有活性钎焊的压力传感器
JPH1183641A (ja) ガラス封止型サーミスタ
JPH02124456A (ja) 固体電解質素子の接続構造
JPH10208906A (ja) 温度センサ
JPH06337229A (ja) 温度検出素子及びその応用素子
JP3176250B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2750248B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2750237B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JPH0245721A (ja) 絶対圧型半導体圧力センサ
JP3388617B2 (ja) サイリスタ容器の製造方法
JPS622683B2 (ja)
JPS62281218A (ja) 真空遮断器の封着方法
JP2764340B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JPH0566537B2 (ja)
JPS5932041B2 (ja) 薄膜サ−ミスタ

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080531

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees