JPS622683B2 - - Google Patents
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- JPS622683B2 JPS622683B2 JP9423381A JP9423381A JPS622683B2 JP S622683 B2 JPS622683 B2 JP S622683B2 JP 9423381 A JP9423381 A JP 9423381A JP 9423381 A JP9423381 A JP 9423381A JP S622683 B2 JPS622683 B2 JP S622683B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高耐熱性薄膜サーミスタのリード線接
続に関するものである。
続に関するものである。
薄膜サーミスタは第１図に示すようにサーミス
タチツプとリード線とから構成される。サーミス
タチツプは平板状絶縁性基板１の一方の表面に電
極膜２と感温抵抗体膜３とを形成して構成され
る。平板状絶縁性基板１には、アルミナ，ムライ
ト，ベリリアなどのセラミツクあるいは硼硅酸素
硝子などの硝子がよく用いられる。電極膜２に
は、Ag，Au，Pt，Ag―Pd，Au―Pt，Au―Pdな
どの厚膜電極膜あるいはCr，Ni，Ni―Crなどを
下地にしたCu，Ag，Auなどの薄膜電極膜がよく
用いられる。感温抵抗体膜３には、Fe，Ni，
Co，Mnなどの複合酸化物膜、Si，Ge，SiCなど
の半導体膜がよく用いられる。このようなサーミ
スタチツプの電極膜２にリード線を接続すると
き、半田付接続もしくは溶接接続でなされてき
た。しかし、半田付接続は耐熱性が高々150〜200
℃以下であり、300℃以上の高耐熱性を要求され
る場合、半田付接続は不適である。たとえば電気
オーブン，ガスオーブンの庫内温度検出には300
〜400℃の耐熱性が要求される。他方、溶接接続
の場合、電極膜２の膜厚が最大でも15〜20μｍ以
下であるので、その熱容量が極めて小さいことの
理由により、微少な金属細線４、たとえば直径に
して0.02〜0.2μｍφのAu，Ptなどの金属細線４
しか溶接接続できない。このため金属細線４をさ
らに大きな金属リード線５、たとえば直径にして
0.4〜1.0mmφのコバール合金線、ステンレス線な
どに溶接して、実用強度を確保していた。また電
極膜２と金属細線４との溶接強度は、溶接面積が
微少であるので、引張強度にして５〜20ｇしか得
られない。このため電極膜２と金属細線４との溶
接部を低融点硝子６などで機械的に補強して実用
強度を確保していた。このように従来のリード線
接続は複雑な構成であり、生産性も低く、また高
価格であるという欠点があつた。
タチツプとリード線とから構成される。サーミス
タチツプは平板状絶縁性基板１の一方の表面に電
極膜２と感温抵抗体膜３とを形成して構成され
る。平板状絶縁性基板１には、アルミナ，ムライ
ト，ベリリアなどのセラミツクあるいは硼硅酸素
硝子などの硝子がよく用いられる。電極膜２に
は、Ag，Au，Pt，Ag―Pd，Au―Pt，Au―Pdな
どの厚膜電極膜あるいはCr，Ni，Ni―Crなどを
下地にしたCu，Ag，Auなどの薄膜電極膜がよく
用いられる。感温抵抗体膜３には、Fe，Ni，
Co，Mnなどの複合酸化物膜、Si，Ge，SiCなど
の半導体膜がよく用いられる。このようなサーミ
スタチツプの電極膜２にリード線を接続すると
き、半田付接続もしくは溶接接続でなされてき
た。しかし、半田付接続は耐熱性が高々150〜200
℃以下であり、300℃以上の高耐熱性を要求され
る場合、半田付接続は不適である。たとえば電気
オーブン，ガスオーブンの庫内温度検出には300
〜400℃の耐熱性が要求される。他方、溶接接続
の場合、電極膜２の膜厚が最大でも15〜20μｍ以
下であるので、その熱容量が極めて小さいことの
理由により、微少な金属細線４、たとえば直径に
して0.02〜0.2μｍφのAu，Ptなどの金属細線４
しか溶接接続できない。このため金属細線４をさ
らに大きな金属リード線５、たとえば直径にして
0.4〜1.0mmφのコバール合金線、ステンレス線な
どに溶接して、実用強度を確保していた。また電
極膜２と金属細線４との溶接強度は、溶接面積が
微少であるので、引張強度にして５〜20ｇしか得
られない。このため電極膜２と金属細線４との溶
接部を低融点硝子６などで機械的に補強して実用
強度を確保していた。このように従来のリード線
接続は複雑な構成であり、生産性も低く、また高
価格であるという欠点があつた。
本発明はこれら従来の欠点を解消した新規なリ
ード線接続を提供するもので、リード線接続構成
を簡素化することを目的としている。
ード線接続を提供するもので、リード線接続構成
を簡素化することを目的としている。
本発明の要旨は、第２図に示すように平板状絶
縁性基板１の一方の表面に電極膜２の感温抵抗体
膜３とを形成し、さらに電極膜２にリード線を接
続して成る薄膜サーミスタにおいて、少なくと
も、電極膜２と感温抵抗体膜３とが形成された基
板表面と異なる基板表面７にTi８もしくはZr８
をロウ付接続してリード線を構成した点にある。
Ti８もしくはZr８はロウ材層９を介して基板表
面７にロウ付接続される。このロウ付接続は、銀
ロウ，銅ロウなどのロウ材を基板表面７とTi８
もしくはZr８との間に位置せしめて、真空中もし
くは不活性ガス中で加熱することにより容易に実
施できる。電極膜２とTi８もしくはZr８との電
気的接続は、Au，Ptなどの金属細線を両者に溶
接して構成しても良いが、Ag，Ag―Pd，Au，
Au―Ptなどの厚膜導電性ペーストの焼結体１０
を用いて構成しても良い。このようにTi８もし
くはZr８は基板表面７にロウ付され、基板表面７
には電極膜２、感温抵抗体膜３が形成されていな
いので、ロウ付面積は電極膜２の面積に比べ２倍
以上大きくすることができる。従つて、ロウ付部
の機械的接着強度は引張強度にして１Kg以上（ロ
ウ付面積〜５mm2）を容易に得ることができる。
Ti８もしくはZr８が絶縁性基板１に機械的に強
固に接続される結果、電極膜２とTi８もしくは
Zr８とを電気的に接続する導電性焼結体１０には
外部からの機械的応力が殆んど印加されないの
で、従来例における低融点硝子６などのような特
別な機械的補強部を設ける必要がない。従つて製
造工程が簡素化され、価格も安くなる利点があ
る。
縁性基板１の一方の表面に電極膜２の感温抵抗体
膜３とを形成し、さらに電極膜２にリード線を接
続して成る薄膜サーミスタにおいて、少なくと
も、電極膜２と感温抵抗体膜３とが形成された基
板表面と異なる基板表面７にTi８もしくはZr８
をロウ付接続してリード線を構成した点にある。
Ti８もしくはZr８はロウ材層９を介して基板表
面７にロウ付接続される。このロウ付接続は、銀
ロウ，銅ロウなどのロウ材を基板表面７とTi８
もしくはZr８との間に位置せしめて、真空中もし
くは不活性ガス中で加熱することにより容易に実
施できる。電極膜２とTi８もしくはZr８との電
気的接続は、Au，Ptなどの金属細線を両者に溶
接して構成しても良いが、Ag，Ag―Pd，Au，
Au―Ptなどの厚膜導電性ペーストの焼結体１０
を用いて構成しても良い。このようにTi８もし
くはZr８は基板表面７にロウ付され、基板表面７
には電極膜２、感温抵抗体膜３が形成されていな
いので、ロウ付面積は電極膜２の面積に比べ２倍
以上大きくすることができる。従つて、ロウ付部
の機械的接着強度は引張強度にして１Kg以上（ロ
ウ付面積〜５mm2）を容易に得ることができる。
Ti８もしくはZr８が絶縁性基板１に機械的に強
固に接続される結果、電極膜２とTi８もしくは
Zr８とを電気的に接続する導電性焼結体１０には
外部からの機械的応力が殆んど印加されないの
で、従来例における低融点硝子６などのような特
別な機械的補強部を設ける必要がない。従つて製
造工程が簡素化され、価格も安くなる利点があ
る。
本発明の薄膜サーミスタは、Ti８もしくはZr
８の一部を電極膜２にロウ付することにより、一
層の効果を有する。すなわち、第３図に示すよう
にTi８もしくはZr８のうちの一部のTi８′もしく
はZr８′と電極膜２とをロウ材層９′を介してロウ
付する際、このロウ付はロウ材層９を形成すると
きに同時に形成できるので、製造工程を大巾に簡
素化できる。
８の一部を電極膜２にロウ付することにより、一
層の効果を有する。すなわち、第３図に示すよう
にTi８もしくはZr８のうちの一部のTi８′もしく
はZr８′と電極膜２とをロウ材層９′を介してロウ
付する際、このロウ付はロウ材層９を形成すると
きに同時に形成できるので、製造工程を大巾に簡
素化できる。
また本発明の薄膜サーミスタは、ロウ付工程を
必要不可欠とするので、感温抵抗体膜３は耐熱性
に優れたものでなければならない。このため、
種々の感温抵抗体膜３のなかでもSiC膜が最つと
も優れている。すなわち、SiC膜の抵抗温度特性
は真空中もしくは不活性ガス中で600〜850℃に加
熱するロウ付工程により殆んど影響を受けず、ま
たSiC膜は空気中300〜400℃に2000時間以上放置
しても抵抗値変化率は±３％以下であり、本発明
の高耐熱性リード線接続に最適である。
必要不可欠とするので、感温抵抗体膜３は耐熱性
に優れたものでなければならない。このため、
種々の感温抵抗体膜３のなかでもSiC膜が最つと
も優れている。すなわち、SiC膜の抵抗温度特性
は真空中もしくは不活性ガス中で600〜850℃に加
熱するロウ付工程により殆んど影響を受けず、ま
たSiC膜は空気中300〜400℃に2000時間以上放置
しても抵抗値変化率は±３％以下であり、本発明
の高耐熱性リード線接続に最適である。
第１図は従来の薄膜サーミスタの構成を示す断
面図、第２図、第３図は本発明の薄膜サーミスタ
の構成を示す断面図である。 １……絶縁性基板、２……電極膜、３……感温
抵抗体膜、７……絶縁基板１の一方の表面、８…
…TiもしくはZr、８′……Ti８もしくはZr８の一
部、９……ロウ材層、９′……電極膜２上のロウ
材層、１０……導電性焼結体。
面図、第２図、第３図は本発明の薄膜サーミスタ
の構成を示す断面図である。 １……絶縁性基板、２……電極膜、３……感温
抵抗体膜、７……絶縁基板１の一方の表面、８…
…TiもしくはZr、８′……Ti８もしくはZr８の一
部、９……ロウ材層、９′……電極膜２上のロウ
材層、１０……導電性焼結体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 平板状絶縁性基板の一方の表面に電極膜と感
温抵抗体膜とを形成し、さらに電極膜にリード線
を接続して成る薄膜サーミスタにおいて、少なく
とも、電極膜と感温抵抗体膜とが形成された基板
表面と異なる基板表面にTiもしくはZrをロウ付
接続してリード線を構成したことを特徴とする薄
膜サーミスタ。 ２ TiもしくはZrの一部を電極膜にロウ付した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄
膜サーミスタ。 ３ 感温抵抗体膜がSiC膜であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9423381A JPS57208110A (en) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Thin film thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9423381A JPS57208110A (en) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Thin film thermistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57208110A JPS57208110A (en) | 1982-12-21 |
| JPS622683B2 true JPS622683B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=14104584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9423381A Granted JPS57208110A (en) | 1981-06-17 | 1981-06-17 | Thin film thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57208110A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270301A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Koa Corp | 小型感温低抗器およびその製造方法 |
| JPH11241941A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Oizumi Seisakusho:Kk | 液面検知センサ |
-
1981
- 1981-06-17 JP JP9423381A patent/JPS57208110A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57208110A (en) | 1982-12-21 |
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