KR20200041778A - 매니폴드를 갖는 기판 처리 장치 - Google Patents

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나오토 츠지
마사키 히라야마
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에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
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Abstract

기판 처리 장치의 예시들은 챔버; 상기 챔버 위에 제공된 관형 부분, 상기 관형 부분의 측면 상에 제공된 제1 도입관, 상기 관형 부분의 측면 상에 제공된 제2 도입관, 및 상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관으로부터 상기 관형 부분으로 도입된 가스들을 상기 챔버와 반대 방향으로 일단 안내하고 이어서 상기 가스들을 상기 챔버로 도입하도록 구성된 가스 가이드 부분을 포함하는 매니폴드; 상기 제1 도입관으로 가스를 공급하도록 구성된 제1 가스 소스; 및 상기 제2 도입관으로 가스를 공급하도록 구성된 제2 가스 소스;를 포함한다.

Description

매니폴드를 갖는 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING MANIFOLD}
기판 처리 장치에 관한 예시들이 기재되어 있다.
챔버의 내부 공간과 상호 통신하도록 매니폴드(manifold)가 챔버 상에 제공되는 경우가 있다. 매니폴드는 복수의 도입관들로부터 도입된 가스들을 혼합한 후 혼합 가스를 상기 챔버에 공급하도록 구성된다. 상기 혼합 가스는, 예를 들어, 챔버에서 기판상의 막 형성, 막 식각, 막 개질 등에 사용된다.
매니폴드 내부에서 가스들의 혼합이 불충분할 경우 다양한 부작용들이 발생할 수 있다. 예를 들어, 플라즈마를 발생시키기 위해 가스가 전구체로서 공급될 때, 플라즈마 공간으로 도입된 전구체의 농도는 불균일해진다. 불균일한 전구체 농도는 기판 상에 형성된 막의 막 두께 분포를 악화시키거나 가스 상으로 파티클들의 발생을 야기한다.
본 명세서에 설명된 일부 예시들은 전술한 문제점들을 해결할 수 있다. 본 명세서에 설명된 일부 예시들은 가스들을 충분히 혼합할 수 있는 매니폴드를 갖는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
일부 예시들에서, 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버 위에 제공된 관형 부분, 상기 관형 부분의 측면 상에 제공된 제1 도입관, 상기 관형 부분의 측면 상에 제공된 제2 도입관, 및 상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관으로부터 상기 관형 부분으로 도입된 가스들을 상기 챔버와 반대 방향으로 일단 안내하고 이어서 상기 가스들을 상기 챔버로 도입하도록 구성된 가스 가이드 부분을 포함하는 매니폴드; 상기 제1 도입관으로 가스를 공급하도록 구성된 제1 가스 소스; 및 상기 제2 도입관으로 가스를 공급하도록 구성된 제2 가스 소스;를 포함한다.
도 1은 기판 처리 장치의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 2는 매니폴드의 일 예를 나타내는 사시도이다.
도 3은 매니폴드의 일 예를 나타내는 저면도이다.
도 4는 매니폴드의 일 예를 나타내는 사시도이다.
도 5는 가스들의 흐름을 예시하는 단면도이다.
도 6은 매니폴드의 일 예를 나타내는 사시도이다.
도 7은 매니폴드 내부의 가스들의 흐름을 나타낸다.
도 8은 매니폴드의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 9는 매니폴드의 다른 예의 사시도이다.
도 10은 매니폴드의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 11은 매니폴드의 다른 예의 사시도이다.
도 12는 각 매니폴드로부터 제공된 가스의 균일성을 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 기판 처리 장치에 대하여 설명한다. 동일 또는 대응하는 구성 요소들은 동일한 참조 부호들로 나타내며, 그들에 대한 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성 예를 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치(10)는, 예를 들어 기판에 PEALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)를 적용하기 위한 성막 장치로서 구성된다. 상기 기판 처리 장치(10)에서는 ALD 뿐만 아니라 CVD 처리, 막 식각 및 막 개질도 수행할 수 있다. 상기 기판 처리 장치(10)는 챔버(반응기 챔버)(12)를 포함한다. 상기 챔버(12)에는 RF 전력이 인가되는 샤워 헤드(14)가 제공된다. 상기 샤워 헤드(14)는 그 상부측 상에 하나의 개구부, 및 그 하부측 상에 복수의 슬릿들(14a)을 갖는다.
상기 샤워 헤드(14)를 대면하는 스테이지(16)가 상기 챔버(12) 내에 제공된다. 상기 스테이지(16)는, 예를 들어 슬라이딩 샤프트(18)에 의해 지지되는 서셉터이다. 상기 샤워 헤드(14)와 상기 스테이지(16)에 의해 평행판 구조가 형성된다. 상기 스테이지(16) 위의 공간은 상기 스테이지(16) 상에 배치된 기판 상에서 성막과 같은 처리가 수행되는 공간이므로, 상기 공간을 처리 공간(17)이라 지칭된다.
매니폴드(50)는 절연부(20)를 통해 상기 샤워 헤드(14)에 연결된다. 상기 매니폴드(50)는 샤워 헤드(14)와 스테이지(16) 사이에 공급되는 가스들을 혼합하기 위한 부분이다. 일 예에 따르면, 매니폴드(50)는 관형 부분(51), 가스 가이드 부분(52), 제1 도입관(54) 및 제2 도입관(56)을 포함한다. 관형 부분(51)은 챔버(12) 위에 제공되고, 예를 들어 절연부(20)에 고정되는 부분이다. 관형 부분(51)은, 예를 들어 O-링을 통하거나 O-링을 통하지 않고 절연부(20) 상에 나사로 고정될 수 있다. 관형 부분(51)의 측면 상에 제1 도입관(54) 및 제2 도입관(56)이 제공된다. 제1 도입관(54) 및 제2 도입관(56)은 관형 부분(51)의 내부와 상호 통신하는 관들이다.
가스 가이드 부분(52)은 관형 부분(51) 내부에 제공된다. 가스 가이드 부분(52)은 챔버(12)와 반대 방향으로, 제1 도입관(54) 및 제2 도입관(56)으로부터 관형 부분(51)으로 도입된 가스를 일단 안내하고, 이어서 상기 가스를 챔버(12)로 도입시킨다. 도 1에서, 챔버(12)의 반대 방향은 z 양의 방향에 대응한다. 즉, 가스 가이드 부분(52)은 일단 z 양의 방향으로 상기 가스를 안내하고, 이어서 z 음의 방향으로 가스를 안내함으로써, 챔버(12) 내에 상기 가스를 제공한다.
도 2는 매니폴드(50)의 구성 예를 나타내는 사시도이다. 일 예에 따르면, 가스 가이드 부분(52)은 바닥판 부분(52A) 및 내부 튜브(52B)를 포함한다. 상기 바닥판 부분(52A)은 그 중앙에 개구부(52a)와 상기 관형 부분(51)과 접촉하는 외부 모서리를 갖는 판이다. 상기 내부 튜브(52B)는 바닥면이 상기 바닥판 부분(52A)과 접촉하는 실린더일 수 있다. 상기 내부 튜브(52B)를 원통 형상으로 형성함으로써, 내부 튜브(52B)의 측면이 곡선 면으로 된다. 전술한 바와 같이 가스 가이드 부분(52)을 제공함으로써, 관형 부분(51)의 내부 공간과 챔버(12)의 내측은 개구부(52a)만을 통해서 서로 상호 통신한다.
도 3은 매니폴드(50)의 구성 예를 나타내는 저면도이다. 내부 튜브(52B)의 직경(x1)은, 예를 들어 50mm와 같고, 관형 부분(51)의 직경(x2)은, 예를 들어 100mm와 같다. 다른 수치들이 채택될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 도입관(54)은 가스 가이드 부분(52)의 중심을 향해 가스를 도입하고, 제2 도입관(56)은 제1 도입관(54)의 가스 도입 방향과 정반대인 방향으로 가스 가이드 부분(52)의 중심을 향해 가스를 도입한다. 즉, 제1 도입관(54)은 x 양의 방향으로 관형 부분(51)으로 가스를 도입하고, 제2 도입관(56)은 x 음의 방향으로 관형 부분(51)으로 가스를 도입한다. 본 예에서, 제1 도입관(54)과 제2 도입관(56)은 평면에서 볼 때 직선으로 서로 정렬된다. "평면에서 보다(plan view)"는 물체가 z 양의 방향 또는 z 음의 방향으로 보여지는 것을 의미한다.
도 4는 매니폴드(50)의 구성 예를 나타내는 사시도이다. 상기 내부 튜브(52B)의 높이(z1)는 예를 들어, 70mm로 설정된다. 관형 부분(51)의 높이(z2)는 예를 들어, 100mm로 설정된다. 내부 튜브(52B)와 관형 부분(51) 사이의 거리(x3)는 예를 들어, 25mm로 설정된다. 이 경우, 내부 튜브(52B)의 높이(70mm)는 내부 튜브(52B)와 관형 부분(51) 사이의 거리(25mm)의 2.8 배와 동일하다. 즉, z1/x3은 2.8과 같다. 다른 예에 따르면, z1/x3은 전술한 값들(z1 및 x3)과 다른 값들을 가지고 2.8 이상으로 설정될 수 있다.
상기 내부 튜브(52B)의 높이(z1)는 60mm로 설정될 수 있는 반면, 내부 튜브(52B)와 관형 부분(51) 사이의 거리(x3)는 25mm로 설정된다. 이 경우, 내부 튜브(52B)의 높이(60 mm)는 내부 튜브(52B)와 관형 부분(51) 사이의 거리(25 mm)의 2.4 배와 동일하다. 즉, z1/x3은 2.4와 같다. 다른 예에 따르면, z1/x3은 전술한 값들(z1 및 x3)과 다른 값들을 가지고 2.4 이상으로 설정될 수 있다. 다른 예에서, 다른 수치 값들이 취해질 수 있다.
도 1에 대한 설명으로 돌아간다. 상기 매니폴드(50) 상에는 게이트 밸브(58)가 제공된다. 리모트 플라즈마 유닛(59)이 게이트 밸브(58) 위에 제공된다. 리모트 플라즈마 유닛(59)은 주로 챔버(12)를 세정하기 위해 사용되는 플라즈마를 생성한다. 게이트 밸브(58)가 개방된 동안 매니폴드(50) 및 샤워 헤드(14)를 통해 리모트 플라즈마 유닛(59)으로부터 챔버(12)로 플라즈마를 제공함으로써 챔버(12)의 세정이 수행될 수 있다. 게이트 밸브(58)는 세정 기간 동안을 제외하고 폐쇄된다.
제1 가스 소스(40)는 밸브(V3)를 통해 제1 도입관(54)에 연결된다. 제1 도입관(54)에 가스를 공급하기 위한 임의의 가스 소스는 제1 가스 소스(40)에 대응한다. 캐리어 가스 소스(32)는 밸브(Va)를 통해 제2 도입관(56)에 연결되고, 제2 가스 소스(22)는 복수의 밸브들(V1)을 통해 제2 도입관(56)에 연결된다. 예를 들어, 액체 재료는 제2 가스 소스(22)에 저장되고, 액체 재료의 증기는 캐리어 가스 소스(32)로부터 제공된 캐리어 가스에 의해 제2 도입관(56)으로 제공된다. 제2 도입관(56)에 가스를 공급하기 위한 임의의 가스 소스는 제2 가스 소스(22)에 대응한다. 제1 가스 소스(40) 및 제2 가스 소스(22)는 기판을 처리하는데 필요한 임의의 가스를 위한 가스 소스로서 기능하도록 허용된다. 예를 들어, 이들은 BDEAS (Bis(diethylamino)silane), 02, SiI4, DCS (dichlorosilane), NH3, TEOS 등의 가스 소스들로 사용될 수 있다. 제1 가스 소스(40) 및 제2 가스 소스(22)는 SiN과 같은 질화막을 형성하는데 필요한 가스를 제공할 수 있다. 제1 가스 소스(40) 및 제2 가스 소스(22)는 상이한 가스들을 제공하는 임의의 가스 소스들로서 사용될 수 있다.
샤워 헤드(14)와 챔버(12) 사이에 배기 덕트(30)가 제공된다. 상기 배기 덕트(30)는 예를 들어, 세라믹 재료로 형성된다. 적절하게 압축된 O-링(31)이 배기 덕트(30)와 샤워 헤드(14) 사이에 제공될 수 있다. 배기 덕트(30)와 챔버(12) 사이에 적절하게 압축된 O-링(34)이 제공될 수 있다.
배기 덕트(30)는 스테이지(16)를 둘러싸도록 평면에서 환형 형상으로 형성된다. 상기 스테이지(16) 위의 상기 처리 공간(17)을 둘러싸는 환형 채널(30b)이 배기 덕트(30)에 의해 제공된다. 상기 배기 덕트(30)에서는, 처리 공간(17)에 공급된 가스가 환형 채널(30b)로 안내되는 환형 슬릿(30a) 및 환형 채널(30b)의 가스를 외부로 배출하기 위한 배기 포트(30c)가 제공된다.
배기 포트(30c)는 챔버(12)의 측면에 제공된 가스 배출부(41)에 연결된다. 사용된 가스를 배출하기 위해 가스 배출부(41)가 제공된다. 밸브(42)와 진공 펌프(44)가 가스 배출부(41)에 연결된다. 챔버(12) 내의 압력은 밸브(42) 및 진공 펌프(44)를 가지고 배출량을 조정함으로써 자유롭게 제어될 수 있다.
다음에, 기판 처리 장치(10)의 동작 예에 대하여 설명한다. 도 5는 매니폴드(50)에서의 가스들의 흐름을 예시하는 단면도이다. 제1 도입관(54)으로부터 관형 부분(51)으로 제공되는 제1 가스는 내부 튜브(52B)에 충돌하고, 화살표 a1으로 지시되는 바와 같이 챔버에 대한 방향과 반대인 z 양의 방향으로 안내된다. 이후, z 양의 방향으로의 제1 가스의 흐름이 약해지고, 화살표 a2로 지시된 바와 같이 제1 가스는 내부 튜브(52B)를 통해 z 음의 방향으로 진행된다. 한편, 제2 도입관(56)으로부터 관형 부분(51)으로 제공되는 제2 가스는 내부 튜브(52B)에 충돌하고, 화살표 a3으로 지시되는 바와 같이 챔버에 대한 방향과 반대인 z 양의 방향으로 안내된다. 이후, z 양의 방향으로의 제2 가스의 흐름이 약해지고, 화살표 a4로 지시된 바와 같이 제2 가스는 내부 튜브(52B)를 통해 z 음의 방향으로 진행된다. 화살표들(a1, a2, a3 및 a4)로 지시된 바와 같이 제1 가스 및 제2 가스가 진행함에 따라, 제1 가스 및 제2 가스는 xy 평면 상에서 넓게 확산되고, 서로 충분히 혼합된다.
전술한 바와 같이 매니폴드(50)로부터 공급된 가스는 도 1에 도시된 샤워 헤드(14)의 슬릿들(14a)을 통해 처리 공간(17)으로 공급된다. 즉, 매니폴드(50)로부터 제공된 가스는 샤워 헤드(14)에 의해 기판 상으로 안내된다. 가스의 플라즈마는 전력이 인가되는 샤워 헤드(14)와 스테이지(16) 사이의 전계에 의해 생성되고, 스테이지(16) 상의 기판은 플라즈마 처리에 당면한다. 플라즈마 처리에 사용된 가스는 평면에서 볼 때 방사상으로 퍼지며, 배기 덕트(30)의 슬릿들(30a)을 통과하여 환형 채널(30b)으로 들어가고, 배기 포트(30c)로부터 외부로 배출된다.
본 동작 예에 따르면, 예를 들어 제1 가스와 제2 가스가 매니폴드(50) 내에서 서로 충분히 혼합되기 때문에, 전구체 농도는 보다 균일하게 될 수 있다. 결과적으로, 예를 들어 기판 상에 형성된 막의 막 두께의 분포가 개선될 수 있다.
도 6은 매니폴드의 다른 구성 예를 나타내는 사시도이다. 제1 도입관(54A) 및 제2 도입관(56A)은 가스 가이드 부분(52)의 중심으로부터 벗어난 방향들로 가스들을 도입한다. 일 예에 따르면, z 음의 방향에서 바라볼 때, 제1 도입관(54A)은 y-좌표의 값이 가스 가이드 부분(52)의 중심에서의 값보다 작은 위치로 상기 가스를 제공하며, 제2 도입관(56A)은 y-좌표의 값이 가스 가이드 부분(52)의 중심에서의 값보다 큰 위치로 가스를 제공한다. 예를 들어, 제1 도입관(54A) 및 제2 도입관((56A)은 평면에서 볼 때 가스 가이드 부분(52)의 중심을 그들 사이에 두고 서로 평행하게 제공될 수 있다.
도 7은 도 6의 매니폴드 내부의 가스들의 흐름을 나타내는 사시도이다. 전술한 바와 같이 제1 도입관(54A) 및 제2 도입관(56A)을 제공함으로써, 가스 가이드 부분(52)과 관형 부분(51) 사이에 화살표로 표시된 소용돌이를 생성할 수 있다. 이 소용돌이는 제1 가스와 제2 가스의 혼합을 촉진한다.
도 8은 매니폴드의 다른 구성 예를 나타내는 사시도이다. 도 8의 매니폴드는 도 6의 매니폴드와 유사하지만, 제1 도입관(54B) 및 제2 도입관(56B)은 그들이 상기 관형 부분(51)에 더 가까워 질수록 챔버(12)로부터 더 멀어진다는 점에서 도 6의 매니폴드와는 다르다. 즉, 제1 도입관(54B) 및 제2 도입관(56B)의 z-좌표들은 그들이 관형 부분(51)에 가까워질수록 커진다. 환언하면, 제1 도입관(54B) 및 제2 도입관(56B)은 관형 부분(51)의 측벽의 법선(normal line)에 대하여 하향 경사져 있다. 이러한 경사는 제1 가스 및 제2 가스에 의해 관형 부분(51)에서 발생된 소용돌이의 속도를 증가시켜서, 제1 가스와 제2 가스의 혼합이 더욱 촉진된다.
도 9는 매니폴드의 다른 구성 예를 나타내는 사시도이다. 도 9의 매니폴드는 도 2의 매니폴드와 유사하지만, 제1 도입관(54C) 및 제2 도입관(56C)은 그들이 상기 관형 부분(51)에 더 가까워질수록 챔버(12)로부터 더 멀어진다는 점에서 도 2의 매니폴드와는 다르다. 이러한 구성에 의해, 제1 가스 및 제2 가스는 관형 부분(51)에서 챔버(12)로부터 멀어지는 방향으로 활발하게 전진하여, 제1 가스와 제2 가스의 혼합이 촉진된다.
도 10은 매니폴드의 다른 구성 예를 나타내는 사시도이다. 상기 내부 튜브(52B)의 측면은 평탄한 표면으로 형성된다. 내부 튜브(52B)는 예를 들어, 측면으로서 4개의 평탄한 표면들을 갖는다. 상기 측면을 구성하는 평탄한 표면들의 수는 3 또는 5 이상으로 설정될 수 있다.
도 11은 매니폴드의 다른 구성 예를 나타내는 사시도이다. 상기 내측 튜브(52B)의 측면 상에는 z 방향으로 연장되는 슬릿들(52b)이 형성되어 있다. 슬릿들(52b)의 수는 특정 수로 제한되지 않는다.
도 12는 매니폴드의 타입과 매니폴드로부터 제공된 가스의 균일성 사이의 관계를 나타내는 도면이다. 세로축은 매니폴드의 출구인 개구부(52a)에서의 가스의 균일성을 나타낸다. 세로축은 개구부(52a)의 각 위치에서 가스 농도가 얼마나 변하는지를 나타낸다고 말할 수 있다. 가스의 균일성은 균일성의 값이 작을수록 더 높다.
가스의 균일성은 총 8개의 매니폴드들에 대해 측정되었다. 좌측의 7개의 결과들은 도 8에 도시된 제1 도입관(54B) 및 제2 도입관(56B)을 갖는 매니폴드를 사용하여 얻어졌다. 우측 단부의 1개의 결과는 도 6에 도시된 제1 도입관(54A) 및 제2 도입관(56A)을 갖는 매니폴드를 사용하여 얻어졌다. 가로축에 도시된 수치들은 내부 튜브(52B)의 높이(z1)를 나타낸다. 좌측의 5개의 데이터 조각들은 도 2에 도시된 원통형 내부 튜브(52B)를 사용하여 얻어졌다. "직사각형"으로 표시된 데이터는 도 10의 내부 튜브(52B)를 사용하여 얻어졌다. "슬릿"으로 표시된 데이터는 도 11의 내부 튜브(52B)를 사용하여 얻어졌다. 내부 튜브(52B)와 관형 부분(51) 사이의 거리(x3)는 "직사각형"으로 표시된 데이터를 제외하고는 25mm와 동일하였다.
예를 들어, 좌측 단부로부터 네번째에서 "60mm"로 표시된 데이터는 25mm의 거리(x3)와 60mm의 높이(z1)를 갖는 매니폴드를 사용하여 얻어졌다. 또한, 좌측 단부로부터 다섯번째에서 "70mm"로 표시된 데이터는 25mm의 거리(x3)와 70mm의 높이(z1)를 갖는 매니폴드를 사용하여 얻어졌다. x3과 z1의 비율에 따라 가스의 확산이 촉진되거나 억제된다.
도 12의 각각의 데이터는 O2 및 N2가 1x10-4kg/s의 유량으로 제1 도입관 및 제2 도입관으로부터 각각 관형 부분(51) 내로 도입되고, 매니폴드에서의 압력이 400Pa로 설정되고, 매니폴드의 온도가 80℃로 설정된 조건 하에서 얻어졌다.
도 12의 데이터로부터, 내부 튜브(52B)의 높이(z1)가 높을수록 가스의 균일성이 보다 향상될 수 있음이 밝혀졌다. 특히, z1을 60mm 이상 또는 70mm 이상으로 설정하면 균일성을 현저하게 향상시키는 효과가 있다. 매니폴드에서 소용돌이의 형성은 "70mm"로 표시된 데이터가 충분히 작은 균일성을 제공하기 때문에 특히 효과적임이 명백하다.
전술한 바와 같이, 매니폴드의 하부 부분을 이중관 구조로 구성하고, 일단 가스를 상향으로 안내하고, 이어서 상기 가스를 중심의 홀로부터 하향으로 유동시킴으로써 우수한 균일성을 갖는 가스를 제공할 수 있다. 가스 도입관들의 연결을 위한 다양한 방법들이 가능하다.

Claims (14)

  1. 챔버;
    상기 챔버 위에 제공된 관형 부분, 상기 관형 부분의 측면 상에 제공된 제1 도입관, 상기 관형 부분의 측면 상에 제공된 제2 도입관, 및 상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관으로부터 상기 관형 부분으로 도입된 가스들을 상기 챔버와 반대 방향으로 일단 안내하고 이어서 상기 가스들을 상기 챔버로 도입하도록 구성된 가스 가이드 부분을 포함하는 매니폴드;
    상기 제1 도입관으로 가스를 공급하도록 구성된 제1 가스 소스; 및
    상기 제2 도입관으로 가스를 공급하도록 구성된 제2 가스 소스;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 챔버 내에 제공된 스테이지; 및 상기 챔버 내에 제공되며 상기 매니폴드로부터 제공된 가스를 상기 스테이지 상으로 안내하도록 구성된 샤워 헤드;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 가스 가이드 부분은, 중심에 개구부를 가지며 그리고 상기 관형 부분과 접촉하는 외부 모서리를 갖는 바닥판 부분과, 상기 바닥판 부분과 접촉하는 바닥면을 갖는 내부 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1 도입관은 상기 가스 가이드 부분의 중심으로 가스를 도입하도록 구성되며, 상기 제2 도입관은 상기 제1 도입관의 가스 도입 방향과 정반대 방향으로 상기 가스 가이드 부분의 상기 중심으로 가스를 도입하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관은 평면에서 볼 때 서로에 대해 직선으로 정렬된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관은 상기 가스 가이드 부분의 중심으로부터 벗어난 방향으로 가스를 도입하여, 상기 가스 가이드 부분과 상기 관형 부분 사이에 소용돌이를 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관은, 평면에서 볼 때 상기 가스 가이드 부분의 상기 중심을 사이에 두고 서로 평행한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관은, 상기 제1 도입관 및 상기 제2 도입관이 상기 관형 부분으로 가까워질수록 상기 챔버로부터 멀어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 청구항 3에 있어서,
    상기 내부 튜브의 높이는 상기 내부 튜브와 상기 관형 부분 사이의 거리의 2.4배 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 3에 있어서,
    상기 내부 튜브의 높이는 상기 내부 튜브와 상기 관형 부분 사이의 거리의 2.8배 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 청구항 3에 있어서,
    상기 내부 튜브는 원통 형상으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 청구항 3에 있어서,
    상기 내부 튜브의 측면은 곡선 면인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 청구항 3에 있어서,
    상기 내부 튜브의 측면은 평탄 면인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 제1 가스 소스 및 상기 제2 가스 소스는 다른 가스들을 제공하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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