JPS6386424A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS6386424A JPS6386424A JP23145786A JP23145786A JPS6386424A JP S6386424 A JPS6386424 A JP S6386424A JP 23145786 A JP23145786 A JP 23145786A JP 23145786 A JP23145786 A JP 23145786A JP S6386424 A JPS6386424 A JP S6386424A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長装置に関し、特に抵抗加熱炉を用いる
ホットウォール方式のシリコン気相エピタキシャル成長
装置に関するものである。
ホットウォール方式のシリコン気相エピタキシャル成長
装置に関するものである。
従来のシリコン気相エピタキシャル装置を第２図によシ
説明する。外管１２と管壁に複数の排気のある内管１３
と゛加架台１４上にあり、内管内に複数のシリコン基板
１５が保持されているホルダー１６とノズル１８及び抵
抗加熱炉１７とで構成されていた。ノズルから流出した
反応ガスによシリコン基板上にエピタキシャル層が形成
され、ガスは孔１９を通シ排気口２０によシ排出される
。
説明する。外管１２と管壁に複数の排気のある内管１３
と゛加架台１４上にあり、内管内に複数のシリコン基板
１５が保持されているホルダー１６とノズル１８及び抵
抗加熱炉１７とで構成されていた。ノズルから流出した
反応ガスによシリコン基板上にエピタキシャル層が形成
され、ガスは孔１９を通シ排気口２０によシ排出される
。
上述した従来のシリコン気相エピタキシャル成長装置は
、反応管が２重管構造となっており、排気される反応ガ
スが外管と内管の間隙を通って排気されるため、外管の
内壁に、未反応の反応ガスによシ、シリコン及び副反応
生成物が堆積する。
、反応管が２重管構造となっており、排気される反応ガ
スが外管と内管の間隙を通って排気されるため、外管の
内壁に、未反応の反応ガスによシ、シリコン及び副反応
生成物が堆積する。
この堆積物は外管を汚損するため、頻繁に外管を洗浄す
る等の保守が必要となるという欠点がある。
る等の保守が必要となるという欠点がある。
さらに、大口径のシリコン基板上にシリコンエピタキシ
ャル膜を成長しようとする場合では、外管の直径が大き
くなシ、洗浄も困難を伴なうという欠点がある。
ャル膜を成長しようとする場合では、外管の直径が大き
くなシ、洗浄も困難を伴なうという欠点がある。
本発明の成長装置は気密用の外管内に反応容器としての
内゛ｇを備え、前記内管の側壁に複数個の排気孔を有し
、前記外管と内管との間に遮蔽用中管を介在せしめてい
る。
内゛ｇを備え、前記内管の側壁に複数個の排気孔を有し
、前記外管と内管との間に遮蔽用中管を介在せしめてい
る。
〔実施測子
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
反応管は、真空容器となる外管１、反応容器となる内管
２及び外管１と内管２を仕切る中管３からなる石英ある
いは炭化硅素製の３重管構造であシ、外管ｌ、内管２、
中管３は各々架台４上に設置されている。シリコン基板
５は回転可能な基板ホルダー６に水平に保持され、抵抗
加熱炉７で加熱される。反応ガスは図中実線の矢印で示
したように、多数の細孔を有するノズル８よシ導入され
、内管２の壁面に設けられた孔９を通シ、中管３と内管
２の間隙を経て排気孔１０より排気される。なお、外管
１にはガス導入口１１が設けられ、図中破線の矢印で示
したように、Ｈ，あるいはＮ、、Ａ ｒ等の不活性ガス
が送入され、排気孔１０よシ真空排気される。ここでガ
ス導入口１１よシ送入されるガスは、微量の未反応ガス
及び副反応生成物が外管１と中管３の間隙へ流入する事
を阻止し、外管１内壁へのシリコンあるいは副反応生成
物の堆積を効果的に防止する。
２及び外管１と内管２を仕切る中管３からなる石英ある
いは炭化硅素製の３重管構造であシ、外管ｌ、内管２、
中管３は各々架台４上に設置されている。シリコン基板
５は回転可能な基板ホルダー６に水平に保持され、抵抗
加熱炉７で加熱される。反応ガスは図中実線の矢印で示
したように、多数の細孔を有するノズル８よシ導入され
、内管２の壁面に設けられた孔９を通シ、中管３と内管
２の間隙を経て排気孔１０より排気される。なお、外管
１にはガス導入口１１が設けられ、図中破線の矢印で示
したように、Ｈ，あるいはＮ、、Ａ ｒ等の不活性ガス
が送入され、排気孔１０よシ真空排気される。ここでガ
ス導入口１１よシ送入されるガスは、微量の未反応ガス
及び副反応生成物が外管１と中管３の間隙へ流入する事
を阻止し、外管１内壁へのシリコンあるいは副反応生成
物の堆積を効果的に防止する。
以下に本実施例によるシリコンエピタキシャル成長例を
示す。基板ホルダー６に直径１５０鰭のシリコン基板５
を８簡間隔で１００枚セットし、１０ｒｐｍで回転しな
がら炉内温度を１１００℃とした。ノズル８よシＨ１を
２０ Ｌ／” 、 Ｓ ｉＨｔ Ｃ２２を１ｔ／ ”
Ｌ ＰＨｓを３−／−ガス導入口１１よシＮ２を１０Ｌ
／ｍで流し、圧力５ｔｏｒｒでシリコン基板上に５μｍ
のシリコンエピタキシャル膜を成長した。
示す。基板ホルダー６に直径１５０鰭のシリコン基板５
を８簡間隔で１００枚セットし、１０ｒｐｍで回転しな
がら炉内温度を１１００℃とした。ノズル８よシＨ１を
２０ Ｌ／” 、 Ｓ ｉＨｔ Ｃ２２を１ｔ／ ”
Ｌ ＰＨｓを３−／−ガス導入口１１よシＮ２を１０Ｌ
／ｍで流し、圧力５ｔｏｒｒでシリコン基板上に５μｍ
のシリコンエピタキシャル膜を成長した。
その結果、１００枚全ての基板において、膜厚分布±４
％以内、電気抵抗分布±６％以内と、良好なシリコンエ
ピタキシャル膜が得られ、かつ、同一条件による６０回
の繰り返し成長においても外管内壁への堆積物はほとん
ど認められなかった。
％以内、電気抵抗分布±６％以内と、良好なシリコンエ
ピタキシャル膜が得られ、かつ、同一条件による６０回
の繰り返し成長においても外管内壁への堆積物はほとん
ど認められなかった。
これに対し、第２図に示した従来のシリコン気相エピタ
キシャル成長装置は同一の成長条件において１５回の繰
シ返しで外管内壁の汚損が著しく、堆積物の剥落が生じ
、洗浄の必要が認められた。
キシャル成長装置は同一の成長条件において１５回の繰
シ返しで外管内壁の汚損が著しく、堆積物の剥落が生じ
、洗浄の必要が認められた。
以上説明したように本発明は気相エピタキシャル成長装
置の反応管を気密を形成するだめの外管と、反応容器と
なる内管と、さらに、外管、内管の間を仕切る中管の３
′Ｎ管とし、さらに、外管と中管の間隙にガスを送入で
きる構造として外管内壁への未反応ガスによるシリコン
の堆積及び副反応生成物の堆積を防止する事によシ、困
難の伴なう外管の洗浄頻度を低減し、保守を容易にでき
る効果がある。この事は、シリコン気相エピタキシャル
装置の稼動率を改善でき、シリコンエピタキシャル基板
が低コスト化される事を意味するものである。
置の反応管を気密を形成するだめの外管と、反応容器と
なる内管と、さらに、外管、内管の間を仕切る中管の３
′Ｎ管とし、さらに、外管と中管の間隙にガスを送入で
きる構造として外管内壁への未反応ガスによるシリコン
の堆積及び副反応生成物の堆積を防止する事によシ、困
難の伴なう外管の洗浄頻度を低減し、保守を容易にでき
る効果がある。この事は、シリコン気相エピタキシャル
装置の稼動率を改善でき、シリコンエピタキシャル基板
が低コスト化される事を意味するものである。
第１図は本発明のシリコン気相エピタキシャル成長装置
の一実施例の縦断面図、第２図は従来のシリコン気相エ
ピタキシャル成長装置の縦断面図である。 ｌ・・・・・・外管、２・・・・・・内管、３・・・・
・・中管、４・・・・・・架台、５・・・・・・シリコ
ン基板、６・・・・・・基板ホルダー、７・・・・・・
抵抗加熱炉、８・・・・・・ノズル、９・・・・・・孔
、１０・・・・・・排気口、１１・・・・・・ガス導入
口、１２・・・・・・外管、１３・・・・・・内管、１
４・・・・・・架台、１５・・・・・・シリコン基板、
１Ｇ・・・・・・基板ホルダー、１７・・・・・・抵抗
加熱炉、１８・・・・・・ノズル、１９・・・・・・孔
、２０・・・・・・排気口。 、・Ｖ ゛ ・ 代理人 弁理士 内 原 、； ＼箔１図 ↑ 筋２図
の一実施例の縦断面図、第２図は従来のシリコン気相エ
ピタキシャル成長装置の縦断面図である。 ｌ・・・・・・外管、２・・・・・・内管、３・・・・
・・中管、４・・・・・・架台、５・・・・・・シリコ
ン基板、６・・・・・・基板ホルダー、７・・・・・・
抵抗加熱炉、８・・・・・・ノズル、９・・・・・・孔
、１０・・・・・・排気口、１１・・・・・・ガス導入
口、１２・・・・・・外管、１３・・・・・・内管、１
４・・・・・・架台、１５・・・・・・シリコン基板、
１Ｇ・・・・・・基板ホルダー、１７・・・・・・抵抗
加熱炉、１８・・・・・・ノズル、１９・・・・・・孔
、２０・・・・・・排気口。 、・Ｖ ゛ ・ 代理人 弁理士 内 原 、； ＼箔１図 ↑ 筋２図
Claims (1)
- 気密用の外管内に反応容器としての内管を備え、前記内
管の側壁に複数個の排気孔を有する気相成長装置におい
て、前記外管と内管との間に遮蔽用中管を介在せしめた
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23145786A JPS6386424A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23145786A JPS6386424A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386424A true JPS6386424A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16923812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23145786A Pending JPS6386424A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386424A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277117A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-03-16 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH02138473A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-05-28 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP23145786A patent/JPS6386424A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0277117A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-03-16 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH02138473A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-05-28 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置 |
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