JP2024042411A - 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置を製造する方法及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】複数基板を処理する際のスループットを高くすることができる技術を提供する。
【解決手段】基板を処理可能な処理室と、処理室の上流に配されたシャワーヘッドと、を備えたチャンバと、シャワーヘッドを介して処理室にガスを供給可能なガス供給部と、シャワーヘッドに連通する第一排気管と、処理室に連通する第二排気管と、第一排気管に設けられた第一排気制御部と、第一排気管に設けられた第一加熱部と、（ａ）処理室に基板がある状態では、ガス供給部がシャワーヘッドにガスとしての処理ガスを供給し、第一加熱部を稼働させた状態で、第一排気管内が第一のコンダクタンスとなるよう第一排気制御部を制御し、（ｂ）処理室に基板が無い状態では、ガス供給部がシャワーヘッドにガスとしての非処理ガスを供給し、第一加熱部を稼働させた状態で、第一排気管内が第一のコンダクタンスよりも小さい第二のコンダクタンスとなるよう第一排気制御部を制御可能な制御部と、を有する技術が提供される。
【選択図】図３

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法、半導体装置を製造する方法及びプログラムに関する。

半導体装置の製造工程の一工程では、ウエハ等の基板に所定処理を行う基板処理装置として、シャワーヘッドを介して処理空間内へのガス供給を行うとともに、シャワーヘッド及び処理空間のそれぞれからガス排気を行う構成のものが用いられることがある（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６－００９７４２号公報

本開示は、複数基板を処理する際のスループットを高くすることができる技術を提供する。

本開示の一態様によれば、
基板を処理可能な処理室と、前記処理室の上流に配されたシャワーヘッドと、を備えたチャンバと、
前記シャワーヘッドを介して前記処理室にガスを供給可能なガス供給部と、
前記シャワーヘッドに連通する第一排気管と、
前記処理室に連通する第二排気管と、
前記第一排気管に設けられた第一排気制御部と、
前記第一排気管に設けられた第一加熱部と、
（ａ）前記処理室に前記基板がある状態では、前記ガス供給部が前記シャワーヘッドに前記ガスとしての処理ガスを供給し、前記第一加熱部を稼働させた状態で、前記第一排気管内が第一のコンダクタンスとなるよう前記第一排気制御部を制御し、
（ｂ）前記処理室に前記基板が無い状態では、前記ガス供給部が前記シャワーヘッドに前記ガスとしての非処理ガスを供給し、前記第一加熱部を稼働させた状態で、前記第一排気管内が前記第一のコンダクタンスよりも小さい第二のコンダクタンスとなるよう前記第一排気制御部を制御可能な制御部と、
を有する技術が提供される。

本開示によれば、複数基板を処理する際のスループットを高くすることができる。

一実施形態に係る基板処理システムの横断面の概略図である。 一実施形態に係る基板処理システムの縦断面の概略図である。 一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 一実施形態に係る基板処理装置のガス排気系の概略構成図である。 一実施形態に係る基板処理工程及びクリーニング工程を示すフロー図である。 図５における成膜工程の詳細を示すフロー図である。 一実施形態に係る雰囲気調整工程を示すフロー図である。

＜本開示の一態様＞
以下、本開示の一態様について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

（１）基板処理システムの構成
まず、基板処理装置を含んで構成される基板処理システムについて説明する。
図１は本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す横断面図である。図２は、本実施形態に係る基板処理システムの構成例を示す図１のα－α’における縦断面図である。

図１及び図２において、基板処理システム１０００は、基板２００を処理するもので、ＩＯステージ１１００、大気搬送室１２００、ロードロック室１３００、真空搬送室１４００、プロセスモジュール１１０で主に構成される。次に各構成について具体的に説明する。図１の説明においては、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。

（大気搬送室・ＩＯステージ）
基板処理システム１０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１１００が設置されている。ＩＯステージ１１００上には複数のポッド１００１が搭載されている。ポッド１００１はシリコン（Ｓｉ）ウエハなどの基板２００を搬送するキャリアとして用いられ、ポッド１００１内には、未処理の基板（ウエハ）２００や処理済の基板２００がそれぞれ水平姿勢で複数格納されるように構成されている。

ポッド１００１にはキャップ１１２０が設けられ、後述するポッドオープナ１２１０によって開閉される。ポッドオープナ１２１０は、ＩＯステージ１１００に載置されたポッド１００１のキャップ１１２０を開閉し、基板出し入れ口を開放・閉鎖することにより、ポッド１００１に対する基板２００の出し入れを可能とする。

ＩＯステージ１１００は大気搬送室１２００に隣接する。大気搬送室１２００は、ＩＯステージ１１００と異なる面に、後述するロードロック室１３００が連結される。

大気搬送室１２００内には基板２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット１２２０が設置されている。

図１及び図２に示されているように、大気搬送室１２００の筐体１２７０の前側には、基板２００を大気搬送室１２００に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１２８０と、ポッドオープナ１２１０とが設置されている。基板搬入搬出口１２８０を挟んでポッドオープナ１２１０と反対側、すなわち筐体１２７０の外側にはＩＯステージ（ロードポート）１１００が設置されている。

大気搬送室１２００の筐体１２７０の後ろ側には、基板２００をロードロック室１３００に搬入搬出するための基板搬入出口１２９０が設けられる。基板搬入出口１２９０は、後述するゲートバルブ１３３０によって解放・閉鎖することにより、基板２００の出し入れを可能とする。

（ロードロック（Ｌ／Ｌ）室）
ロードロック室１３００は大気搬送室１２００に隣接する。ロードロック室１３００を構成する筐体１３１０が有する面のうち、大気搬送室１２００とは異なる面には、後述するように、真空搬送室１４００が配置される。

筐体１３１０のうち、真空搬送室１４００と隣接する側には、基板搬入搬出口１３４０が設けられる。基板搬入出口１３４０は、ゲートバルブ１３５０によって解放・閉鎖することで、基板２００の出し入れを可能とする。

さらに、ロードロック室１３００内には、基板２００を載置する載置面１３１１（１３１１ａ，１３１１ｂ）を少なくとも二つ有する基板載置台１３２０が設置されている。基板載置面１３１１間の距離は、後述する真空搬送ロボット１７００が有するフィンガ間の距離に応じて設定される。

（真空搬送室）
基板処理システム１０００は、負圧下で基板２００が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール）１４００を備えている。真空搬送室１４００を構成する筐体１４１０は平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、ロードロック室１３００及び基板２００を処理するプロセスモジュール１１０ａ～１１０ｄが連結されている。真空搬送室１４００の略中央部には、負圧下で基板２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット１７００がフランジ１４３０を基部として設置されている。

筐体１４１０の側壁のうち、ロードロック室１３００と隣接する側には、基板搬入搬出口１４２０が設けられている。基板搬入出口１４２０は、ゲートバルブ１３５０によって解放・閉鎖することで、基板２００の出し入れを可能とする。

真空搬送室１４００内に設置される真空搬送ロボット１７００は、図２に示すように、エレベータ１４５０及びフランジ１４３０によって真空搬送室１４００の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。エレベータ１４５０は、真空搬送ロボット１７００が有する二つのアーム１８００と１９００をそれぞれ独立して昇降可能なよう構成されている。アーム１８００、アーム１９００は二股に分かれており、後述するプロセスモジュール１１０内の二つのチャンバ２０２のそれぞれに基板を搬入/搬出可能である。

真空搬送ロボット１７００は、各プロセスモジュール１１０とロードロック室１３００の間で基板２００を搬送するものである。図２においては、プロセスモジュール１１０ｃから搬出される基板２００を載置する例を示す。

（プロセスモジュール）
図１に示されているように、筐体１４１０の五枚の側壁のうち、ロードロック室１３００が設置されていない側には、基板２００に所望の処理を行うプロセスモジュール１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄが連結されている。以下、これらをプロセスモジュール１１０と総称することもある。

プロセスモジュール１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄのそれぞれには、基板処理装置の一構成のチャンバ２０２が設けられている。具体的には、プロセスモジュール１１０ａにはチャンバ２０２ａ、２０２ｂが設けられる。プロセスモジュール１１０ｂにはチャンバ２０２ｃ、２０２ｄが設けられる。プロセスモジュール１１０ｃにはチャンバ２０２ｅ、２０２ｆが設けられる。プロセスモジュール１１０ｄにはチャンバ２０２ｇ、２０２ｈが設けられる。

筐体１４１０の側壁のうち、各チャンバ２０２と向かい合う壁には基板搬入出口１４８０が設けられる。例えば、図２に記載のように、チャンバ２０２ｅと向かい合う壁には、基板入出口１４８０ｅが設けられる。

図２のうち、チャンバ２０２ｅをチャンバ２０２ａに置き換えた場合、チャンバ２０２ａと向かい合う壁には、基板搬入搬出口１４８０ａが設けられる。

同様に、チャンバ２０２ｆをチャンバ２０２ｂに置き換えた場合、チャンバ２０２ｂと向かい合う壁には、基板搬入搬出口１４８０ｂが設けられる。

ゲートバルブ１４９０は、図１に示されているように、処理室ごとに設けられる。具体的には、チャンバ２０２ａと真空搬送室１４００との間にはゲートバルブ１４９０ａが、チャンバ２０２ｂとの間にはゲートバルブ１４９０ｂが設けられる。チャンバ２０２ｃとの間にはゲートバルブ１４９０ｃが、チャンバ２０２ｄとの間にはゲートバルブ１４９０ｄが設けられる。チャンバ２０２ｅとの間にはゲートバルブ１４９０ｅが、チャンバ２０２ｆとの間にはゲートバルブ１４９０ｆが設けられる。チャンバ２０２ｇとの間にはゲートバルブ１４９０ｇが、チャンバ２０２ｈとの間にはゲートバルブ１４９０ｈが設けられる。

各ゲートバルブ１４９０によって解放・閉鎖することで、基板搬入出口１４８０を介した基板２００の出し入れを可能とする。

（２）基板処理装置の構成
次に、基板処理システム１０００の一構成要素である基板処理装置について説明する。
以下の説明では、基板処理装置として、処理対象となる基板２００に対して一枚ずつ処理を行う枚葉式の基板処理装置を例に挙げる。
図３は、本実施態様に係る枚葉式の基板処理装置の概略構成図である。

（チャンバ）
図３に示すように、基板処理装置１００は、処理容器としてのチャンバ２０２を備えている。チャンバ２０２は、上述した構成の基板処理システム１０００におけるチャンバ２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ、２０２ｆ、２０２ｇ、２０２ｈに相当する。つまり、各チャンバ２０２は、いずれも同様に構成されたものであればよい。

チャンバ２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、チャンバ２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料により構成されている。チャンバ２０２内には、シリコンウエハ等の基板２００を処理するための処理空間である処理室２０１と、基板２００を処理室２０１に搬送する際に基板２００が通過する搬送空間２０３とが形成されている。つまり、チャンバ２０２は、少なくとも、基板を処理可能な処理室２０１を備えて構成されている。

チャンバ２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には、仕切り板２０４が設けられる。

上部容器２０２ａの内部の外周端縁近傍には、排気バッファ室２０９が設けられている。排気バッファ室２０９は、処理室２０１内のガスを側方周囲に向かって排出する際のバッファ空間として機能するものである。そのために、排気バッファ室２０９は、処理室２０１の側方外周を囲むように設けられた空間を持つ。つまり、排気バッファ室２０９は、処理室２０１の外周側に平面視リング状（円環状）に形成された空間を有している。排気バッファ室２０９が持つ空間は、上部容器２０２ａによって空間の天井面及び両側壁面が形成され、仕切り板２０４によって空間の床面が形成されている。そして、空間の内周側は処理室２０１と連通しており、その連通箇所を通じて処理室２０１内に供給されたガスが排気バッファ室２０９内に流入するように構成されている。

下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ２０５に隣接した基板搬入出口２０６が設けられており、その基板搬入出口２０６を介して基板２００が真空搬送室１４００との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。

（基板支持部）
処理室２０１内には、基板２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、基板２００を載置する基板載置面２１１と、基板載置面２１１を表面に持つ基板載置台２１２と、基板載置台２１２に内包された第三加熱部としてのヒータ２１３と、を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。

基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、チャンバ２０２の底部を貫通しており、更にはチャンバ２０２の外部で昇降機構２１８に接続されている。昇降機構２１８を作動させてシャフト２１７及び基板載置台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７の下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、チャンバ２０２内は気密に保持されている。

基板載置台２１２は、基板２００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口２０６に対向する位置（ウエハ搬送位置）まで下降し、基板２００の処理時には、基板２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）となるまで上昇する。具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１が基板２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、基板２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。

（シャワーヘッド）
処理室２０１の上部（ガス供給方向上流側）には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド２３０が設けられている。つまり、チャンバ２０２は、処理室２０１に加えて、その上部に設けられたシャワーヘッド２３０を備えている。シャワーヘッド２３０の蓋２３１にはガス導入口２４１が設けられ、当該ガス導入口２４１には後述するガス供給系が接続される。ガス導入口２４１から導入されるガスは、シャワーヘッド２３０内に形成された空間であるシャワーヘッドバッファ室２３２に供給される。

蓋２３１と上部容器２０２ａとの間にはシャワーヘッド２３０の蓋２３１を支持する支持ブロック２３３が設けられる。

シャワーヘッド２３０は、ガス導入口２４１を介してガス供給系から供給されるガスを分散させるための分散板２３４を備えている。この分散板２３４の上流側がシャワーヘッドバッファ室２３２であり、下流側が処理室２０１である。分散板２３４には、複数の貫通孔２３４ａが設けられている。分散板２３４は、基板載置面２１１と対向するように、その基板載置面２１１の上方側に配置されている。したがって、シャワーヘッドバッファ室２３２は、分散板２３４に設けられた複数の貫通孔２３４ａを介して、処理室２０１と連通することになる。

シャワーヘッドバッファ室２３２には、供給されたガスの流れを形成するガスガイド２３５が設けられる。ガスガイド２３５は、ガス導入口２４１を頂点として分散板２３４方向に向かうにつれ径が広がる円錐形状である。ガスガイド２３５は、その下端が、分散板２３４の最も外周側に形成される貫通孔２３４ａよりも更に外周側に位置するように形成される。つまり、シャワーヘッドバッファ室２３２は、分散板２３４の上方側から供給されるガスを処理室２０１に向けて案内するガスガイド２３５を内包している。

なお、シャワーヘッド２３０は、シャワーヘッドバッファ室２３２内及び処理室２０１内を昇温させる加熱源としてのヒータ２３１ｂを内包していてもよい。

（ガス供給系）
シャワーヘッド２３０の蓋２３１に設けられたガス導入孔２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２は、ガス導入孔２４１への接続によって、シャワーヘッド２３０内のシャワーヘッドバッファ室２３２に連通する。また、共通ガス供給管２４２には、第一ガス供給管２４３ａと、第二ガス供給管２４４ａと、第三ガス供給管２４５ａと、が接続されている。第二ガス供給管２４４ａは、リモートプラズマユニット（ＲＰＵ）２４４ｅを介して共通ガス供給管２４２に接続される。

これらのうち、第一ガス供給管２４３ａを含む原料ガス供給系２４３からは主に原料ガスが供給され、第二ガス供給管２４４ａを含む反応ガス供給系２４４からは主に反応ガスが供給される。原料ガス及び反応ガスは、基板２００を処理する処理ガスとして機能する。第三ガス供給管２４５ａを含む不活性ガス供給系２４５からは、不活性ガス又はクリーニングガスのいずれか、または両方が供給される。不活性ガス及びクリーニングガスは、基板２００に対する処理を行わない非処理ガスとして機能する。

これにより、シャワーヘッド２３０を介して処理室２０１に各種ガスを供給可能なガス供給部としてのガス供給系が構成される。

なお、共通ガス供給管２４２を通じてシャワーヘッド２３０のシャワーヘッドバッファ室２３２に供給されるガスについては、原料ガスを第一のガス、反応ガスを第二のガス、不活性ガスを第三のガス、クリーニングガスを第四のガスと呼ぶこともある。

（原料ガス供給系）
第一ガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、原料ガス供給源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。そして、第一ガス供給管２４３ａからは、第一のガスである原料ガスが、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッドバッファ室２３２内に供給される。

原料ガスは、処理ガスの一つであり、例えばＳｉ（シリコン）元素を含む原料であるＳｉ_２Ｃｌ_６（Ｄｉｓｉｌｉｃｏｎ ｈｅｘａｃｈｌｏｒｉｄｅ又はＨｅｘａｃｈｌｏｒｏｄｉｓｉｌａｎｅ）ガスである。原料ガスＳｉ含有ガスとも呼ぶ。なお、原料ガスとしては、常温常圧で固体、液体及び気体のいずれであっても良い。原料ガスが常温常圧で液体の場合は、第一ガス供給源２４３ｂとＭＦＣ２４３ｃとの間に、図示しない気化器を設ければよい。ここでは気体として説明する。

主に、第一ガス供給管２４３ａ、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄにより、原料ガス供給系２４３が構成される。なお、原料ガス供給系２４３は、原料ガス供給源２４３ｂ、後述する第一不活性ガス供給系を含めて考えてもよい。また、原料ガス供給系２４３は、処理ガスの一つである原料ガスを供給するものであることから、処理ガス供給系の一つに該当することになる。

第一ガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第一不活性ガス供給管２４６ａの下流端が接続されている。第一不活性ガス供給管２４６ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４６ｂ、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４６ｃ及び開閉弁であるバルブ２４６ｄが設けられている。そして、第一不活性ガス供給管２４６ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２４６ｃ、バルブ２４６ｄ、第一ガス供給管２４３ａを介して、シャワーヘッドバッファ室２３２内に供給される。

不活性ガスは、原料ガスのキャリアガスとして作用するもので、原料とは反応しないガスを用いることが好ましい。具体的には、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスを用いることができる。また、Ｎ_２ガスのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。

主に、第一不活性ガス供給管２４６ａ、ＭＦＣ２４６ｃ及びバルブ２４６ｄにより、第一不活性ガス供給系が構成される。なお、第一不活性ガス供給系は、不活性ガス供給源２４６ｂ、第一ガス供給管２４３ａを含めて考えてもよい。また、第一不活性ガス供給系は、原料ガス供給系２４３に含めて考えてもよい。

（反応ガス供給系）
第二ガス供給管２４４ａには、下流にＲＰＵ２４４ｅが設けられている。上流には、上流方向から順に、反応ガス供給源２４４ｂ、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４４ｃ及び開閉弁であるバルブ２４４ｄが設けられている。そして、第二ガス供給管２４４ａからは、第二のガスである反応ガスが、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄ、ＲＰＵ２４４ｅ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッドバッファ室２３２内に供給される。反応ガスは、リモートプラズマユニット２４４ｅによりプラズマ状態とされ、分散板２３４に設けられた複数の貫通孔２３４ａを介して処理室２０１内の基板２００上に照射される。

反応ガスは、処理ガスの一つであり、例えばアンモニア（ＮＨ_３）ガスが用いられる。反応ガスは、原料ガスを構成する成分と反応するガスである。

主に、第二ガス供給管２４４ａ、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄにより、反応ガス供給系２４４が構成される。なお、反応ガス供給系２４４は、反応ガス供給源２４４ｂ、ＲＰＵ２４４ｅ、後述する第二不活性ガス供給系を含めて考えてもよい。また、反応ガス供給系２４４は、処理ガスの一つである反応ガスを供給するものであることから、処理ガス供給系の他の一つに該当することになる。

第二ガス供給管２４４ａのバルブ２４４ｄよりも下流側には、第二不活性ガス供給管２４７ａの下流端が接続されている。第二不活性ガス供給管２４７ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４７ｂ、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４７ｃ及び開閉弁であるバルブ２４７ｄが設けられている。そして、第二不活性ガス供給管２４７ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２４７ｃ、バルブ２４７ｄ、第二ガス供給管２４４ａ、ＲＰＵ２４４ｅを介して、シャワーヘッドバッファ室２３２内に供給される。

不活性ガスは、反応ガスのキャリアガス又は希釈ガスとして作用するものである。具体的には、例えば、Ｎ_２ガスを用いることができる。また、Ｎ_２ガスのほか、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の希ガスを用いてもよい。

主に、第二不活性ガス供給管２４７ａ、ＭＦＣ２４７ｃ及びバルブ２４７ｄにより、第二不活性ガス供給系が構成される。なお、第二不活性ガス供給系は、不活性ガス供給源２４７ｂ、第二ガス供給管２４３ａ、ＲＰＵ２４４ｅを含めて考えてもよい。また、第二不活性ガス供給系は、反応ガス供給系２４４に含めて考えてもよい。

（不活性ガス供給系）
第三ガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４５ｂ、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４５ｃ及び開閉弁であるバルブ２４５ｄが設けられている。そして、第三ガス供給管２４５ａからは、後述する成膜工程では、パージガスとしての不活性ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッドバッファ室２３２内に供給される。また、後述する第一クリーニング工程では、必要に応じて、クリーニングガスのキャリアガス又は希釈ガスとしての不活性ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッドバッファ室２３２内に供給される。

不活性ガス供給源２４５ｂから供給される不活性ガスは、非処理ガスの一つであり、成膜工程では、チャンバ２０２やシャワーヘッド２３０内に留まったガスをパージするパージガスとして作用する。また、第一クリーニング工程では、クリーニングガスのキャリアガス又は希釈ガスとして作用してもよい。具体的には、不活性ガスとしては、例えば、Ｎ_２ガスを用いることができる。また、Ｎ_２ガスのほか、例えばＨｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の希ガスを用いてもよい。

主に、第三ガス供給管２４５ａ、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄにより、不活性ガス供給系２４５が構成される。なお、不活性ガス供給系２４５は、不活性ガス供給源２４５ｂを含めて考えてもよい。

（クリーニングガス供給系）
第三ガス供給管２４５ａのバルブ２４５ｄよりも下流側には、クリーニングガス供給管２４８ａの下流端が接続されている。クリーニングガス供給管２４８ａには、上流方向から順に、クリーニングガス供給源２４８ｂ、流量制御器（流量制御部）であるＭＦＣ２４８ｃ及び開閉弁であるバルブ２４８ｄが設けられている。そして、第三ガス供給管２４５ａからは、第一クリーニング工程では、クリーニングガスが、ＭＦＣ２４８ｃ、バルブ２４８ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッドバッファ室２３２内に供給される。

クリーニングガス供給源２４８ｂから供給されるクリーニングガスは、非処理ガスの一つであり、第一クリーニング工程ではシャワーヘッド２３０やチャンバ２０２に付着した副生成物等を除去するクリーニングガスとして作用する。具体的には、クリーニングガスとして、フッ素（Ｆ）を含有するフッ素含有ガスが用いられ、例えば三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガスを用いることが考えられる。また、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ_３）ガス、フッ素（Ｆ_２）ガス等を用いてもよく、またこれらを組合せて用いてもよい。

主に、クリーニングガス供給管２４８ａ、ＭＦＣ２４８ｃ及びバルブ２４８ｄにより、クリーニングガス供給系が構成される。なお、クリーニングガス供給系は、クリーニングガス供給源２４８ｂ、第三ガス供給管２４５ａを含めて考えてもよい。

（ガス排気系）
チャンバ２０２の雰囲気を排気する排気系は、チャンバ２０２に接続された複数の排気管を有する。具体的には、下部容器２０２ｂの搬送空間２０３に接続される基礎排気管（ただし不図示）と、シャワーヘッド２３０のシャワーヘッドバッファ室２３２に接続されてシャワーヘッド２３０に連通する第一排気管２３６と、上部容器２０２ａの排気バッファ室２０９に接続されて処理室２０１に連通する第二排気管２２２と、を有する。

（第一のガス排気系）
第一排気管２３６は、シャワーヘッドバッファ室２３２の上面又は側面に接続される。つまり、第一排気管２３６は、シャワーヘッド２３０に接続され、これによりシャワーヘッド２３０内のシャワーヘッドバッファ室２３２に連通する。

第一排気管２３６には、第一のバルブ２３７が設けられる。さらに、第一排気管２３６において、第一のバルブ２３７の下流側には、後述する真空ポンプ２５３を設ける。真空ポンプ２５３は、第一排気管２３６を介して、シャワーヘッドバッファ室２３２の雰囲気を排気する。この排気は、第一のバルブ２３７によって制御されることになる。つまり、第一排気管２３６には、第一排気管２３６による排気を制御可能な第一排気制御部として機能する第一のバルブ２３７が設けられている。なお、第一排気管２３６において、真空ポンプ２５３と第一のバルブ２３７との間には、シャワーヘッドバッファ室２３２内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２３８を設けても良い。この場合に、ＡＰＣ２３８を第一排気制御部に含めても良い。

主に、第一排気管２３６、第一のバルブ２３７によって、第一のガス排気系が構成される。第一のガス排気系に、ＡＰＣ２３８を含めてもよい。

また、第一排気管２３６には、第一加熱部２３９が設けられる。第一加熱部２３９としては、例えば、第一排気管２３６に巻き付けられるように配されて、通電により第一排気管２３６内を加熱する配管ヒータとして用いることができる。

更に、第一加熱部２３９と併せて、第一排気管２３６には、第一排気管２３６内の温度を測定可能な温度測定部２６４が設けられていてもよい。温度測定部２６４としては、例えば、第一排気管２３６内に配される温度センサとして用いることができる。

なお、基板処理システム１０００において複数のチャンバ２０２（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ、２０２ｆ、２０２ｇ、２０２ｈ）が存在する場合には、後述する図４に示すように、各チャンバ２０２のそれぞれが第一排気管２３６を有することになる。

（第二のガス排気系）
第二排気管２２２は、排気バッファ室２０９の上面又は側方に設けられた排気孔２２１を介して、排気バッファ室２０９内に接続される。つまり、第二排気管２２２は、排気バッファ室２０９に接続されて、その排気バッファ室２０９を通じて処理室２０１に連通する。

第二排気管２２２には、第二のバルブ２２３が設けられる。また、第二排気管２２２において、第二のバルブ２２３の下流側には、排気バッファ室２０９に連通する処理室２０１内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ２２４が設けられる。さらに、第二排気管２２２において、ＡＰＣ２２４の下流側には、後述する真空ポンプ２５３が設けられる。真空ポンプ２５３は、第二排気管２２２を介して、排気バッファ室２０９及びこれに連通する処理室２０１の雰囲気を排気する。この排気は、ＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３によって制御されることになる。つまり、第二排気管２２２には、第二排気管２２２による排気を制御可能な第二排気制御部として機能するＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３が設けられている。

主に、第二排気管２２２、第二のバルブ２２３、ＡＰＣ２２４によって、第二のガス排気系が構成される。

また、第二排気管２２２には、第二加熱部２２５が設けられる。第二加熱部２２５は、第一加熱部２３９と同様に、配管ヒータとして用いることができる。更に、第二排気管２２２には、第二排気管２２２内の温度を測定可能な温度測定部２６５が設けられていてもよい。

なお、基板処理システム１０００において複数のチャンバ２０２（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ、２０２ｆ、２０２ｇ、２０２ｈ）が存在する場合には、後述する図４に示すように、各チャンバ２０２のそれぞれが第二排気管２２２を有することになる。

（複数チャンバの共通排気系）
続いて、複数のチャンバ２０２の排気系について説明する。ここでは、複数のチャンバ２０２として、チャンバ２０２ａとチャンバ２０２ｂを例に挙げる。
図４は、本実施形態に係る基板処理装置のガス排気系の概略構成図である。

チャンバ２０２ａから延びる第一排気管２３６ａと第二排気管２２２ａの下流側には、これらを合流させる合流管２５１ａが接続されている。また、チャンバ２０２ｂから延びる第一排気管２３６ｂと第二排気管２２２ｂの下流側には、これらを合流させる合流管２５１ｂが接続されている。そして、合流管２５１ａと合流管２５１ｂの下流側には、共通排気管２５２が接続されている。つまり、第一排気管２３６ａ、２３６ｂおよび第二排気管２２２ａ、２２２ｂの下流側には、これらを合流させるように共通排気管２５２が配されている。

共通排気管２５２の下流側には、真空ポンプ２５３が配されている。真空ポンプ２５３と合流管２５１ａ、２５１ｂの合流点との間には、下流側から順に、ＡＰＣ２５４と、バルブ２５５とが、それぞれ設けられている。これらＡＰＣ２５４、バルブ２５５、合流管２５１ａ、２５１ｂ、共通排気管２５２で、複数のチャンバ２０２ａ、２０２ｂの共通排気系が構成される。このように、チャンバ２０２ａ内の雰囲気とチャンバ２０２ｂ内の雰囲気とは、１つの真空ポンプ２５３によって排気が行われるようになっている。

なお、ここでは、チャンバ２０２ａ、２０２ｂの共通排気系を例に挙げたが、他のチャンバ２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ、２０２ｆ、２０２ｇ、２０２ｈについても、同様に構成されているものとする。

（コントローラ）
基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する制御部（制御手段）として機能するコントローラ２６０を有している。

コントローラ２６０は、演算部２６１及び記憶部２６２を少なくとも有する。コントローラ２６０は、上述した各構成に接続され、上位コントローラや使用者の指示に応じて記憶部２６２からプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。具体的には、コントローラ２６０は、ゲートバルブ２０５、昇降機構２１８、ヒータ２１３，２３１ｂ、高周波電源、整合器、ＭＦＣ２４３ｃ～２４８ｃ、バルブ２４３ｄ～２４８ｄ、ＡＰＣ２２４，２３８、真空ポンプ２５３、第一のバルブ２３７、第二のバルブ２２３等の動作を制御する。

なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）を用意し、その外部記憶装置を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。

また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。つまり、プログラムは、当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体によって提供され得る。なお、記憶部２６２や外部記憶装置は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部２６２単体のみを含む場合、外部記憶装置単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。

（３）基板処理工程
次に、半導体装置の製造方法の一工程として、上述した構成の基板処理装置１００を使用して、基板２００上に薄膜を形成する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ２６０により制御される。

なお、本明細書において、「基板」という言葉を用いた場合には、「基板そのもの」を意味する場合や、「基板とその表面に形成された所定の層や膜等とその積層体（集合体）」を意味する場合（すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めて基板と称する場合）がある。また、本明細書において「基板の表面」という言葉を用いた場合は、「基板そのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「基板に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としての基板の最表面」を意味する場合がある。
したがって、本明細書において「基板に対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「基板そのものの表面（露出面）に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「基板に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としての基板の最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合が有る。また、本明細書において「基板に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としての基板最表面の上に所定の層（又は膜）を形成する」ことを意味する場合が有る。
なお、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合も「基板」という言葉を用いた場合と同様であり、その場合、上記説明において、「基板」を「ウエハ」に置き換えて考えればよい。

以下に、基板処理工程について説明する。ここでは、原料ガス（第一の処理ガス）としてＳｉ_２Ｃｌ_６ガスを用い、反応ガス（第二の処理ガス）としてＮＨ_３ガスを用いて、基板２００上にシリコン含有膜としてＳｉＮ（シリコン窒化）膜を交互供給法により形成する例について説明する。

図５は、本実施態様に係る基板処理工程及びクリーニング工程を示すフロー図である。図６は、図５の成膜工程の詳細を示すフロー図である。

（基板搬入・載置工程：Ｓ１０２）
基板処理工程に際しては、まず、基板２００を処理室２０１に搬入させる。具体的には、基板載置台２１２を昇降機構２１８によって下降させ、リフトピン２０７が貫通孔２１４から基板載置台２１２の上面側に突出させた状態にする。また、処理室２０１内を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ２０５を開放し、ゲートバルブ２０５からリフトピン２０７上に基板２００を載置させる。基板２００をリフトピン２０７上に載置させた後、昇降２１８によって基板載置台２１２を所定の位置まで上昇させることによって、基板２００が、リフトピン２０７から基板載置台２１２の基板載置面２１１上へ載置されるようになる。

チャンバ２０２内に基板２００を搬入したら、続いて、処理室２０１内が所定の圧力（真空度）となるように、第二排気管２２２により処理室２０１内を排気する。この際、圧力センサが測定した圧力値に基づき、ＡＰＣ２２４の弁の開度をフィードバック制御する。また、温度センサ（不図示）が検出した温度値に基づき、処理室２０１内が所定の温度となるように、ヒータ２１３への通電量をフィードバック制御する。具体的には、基板載置台２１２をヒータ２１３により予め加熱しておき、基板２００又は基板載置台２１２の温度変化が無くなってから一定時間置く。

（成膜工程：Ｓ１０４）
基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）の後は、次に、成膜工程（Ｓ１０４）を行う。以下、図６を参照し、成膜工程（Ｓ１０４）について詳細に説明する。なお、成膜工程（Ｓ１０４）は、異なる処理ガスを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック処理である。

（第一の処理ガス供給工程：Ｓ２０２）
成膜工程（Ｓ１０４）では、まず、第一の処理ガス（原料ガス）供給工程（Ｓ２０２）を行う。

第一の処理ガスである原料ガス（例えばＳｉ_２Ｃｌ_６ガス）を供給する際は、バルブ２４３ｄを開くとともに、原料ガスの流量が所定流量となるようにＭＦＣ２４３ｃを調整する。これにより、処理室２０１内への原料ガスの供給が開始される。原料ガスの供給流量は、例えば１００～５００ｓｃｃｍである。原料ガスは、シャワーヘッド２３０により分散されて処理室２０１内の基板２００上に均一に供給される。

つまり、第一の処理ガス供給工程（Ｓ２０２）では、処理室２０１に基板２００がある状態で、原料ガス供給系２４３がシャワーヘッド２３０に処理ガスの一つである原料ガスを供給するようになっている。

このとき、第一不活性ガス供給系のバルブ２４６ｄを開き、第一不活性ガス供給管２４６ａから不活性ガス（Ｎ_２ガス）を供給する。不活性ガスの供給流量は、例えば５００～５０００ｓｃｃｍである。なお、不活性ガス供給系２４５の第三ガス供給管２４５ａから不活性ガスを流してもよい。

余剰な原料ガスは、処理室２０１内から排気バッファ室２０９へ均一に流入し、第二のガス排気系の第二排気管２２２内を流れて排気される。具体的には、第二のガス排気系における第二のバルブ２２３が開状態とされ、ＡＰＣ２２４によって処理室２０１内の圧力が所定の圧力となるように制御される。なお、第二のガス排気系における第二のバルブ２２３以外の排気系のバルブは全て閉状態とされる。

原料ガスの供給を開始してから所定時間経過後、原料ガス供給系２４３におけるバルブ２４３ｄを閉じ、原料ガスの供給を停止する。原料ガス及びキャリアガスの供給時間は、例えば２～２０秒である。

（第一のシャワーヘッド排気工程：Ｓ２０４）
原料ガスの供給を停止した後は、第三ガス供給管２４５ａから不活性ガス（Ｎ_２ガス）を供給し、シャワーヘッドバッファ室２３２内のパージを行う。このときのガス排気系のバルブは、第二のガス排気系における第二のバルブ２２３が閉状態とされる一方、第一のガス排気系における第一のバルブ２３７が開状態とされる。他のガス排気系のバルブは閉状態のままである。すなわち、シャワーヘッドバッファ室２３２内のパージを行うときは、排気バッファ室２０９とＡＰＣ２２４の間を遮断し、ＡＰＣ２２４による圧力制御を停止する一方、シャワーヘッドバッファ室２３２と真空ポンプ２５３との間を連通する。これにより、シャワーヘッド２３０（シャワーヘッドバッファ室２３２）内に残留した原料ガスは、第一排気管２３６を介し、真空ポンプ２５３によりシャワーヘッドバッファ室２３２内から排気される。なお、このとき、ＡＰＣ２２４の下流側のバルブは開としてもよい。

第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２０４）における不活性ガス（Ｎ_２ガス）の供給流量は、例えば１０００～１００００ｓｃｃｍである。また、不活性ガスの供給時間は、例えば２～１０秒である。

このとき、残留した原料ガスを排気する第一排気管２３６については、第一加熱部２３９を稼働させることで、その第一排気管２３６内の温度を制御する。具体的には、第一排気管２３６内の温度が原料ガスの熱分解を促進しない温度となるよう、第一加熱部２３９を制御する。このように、熱分解を促進しない温度とすることで、第一排気管２３６内に原料ガスが付着することを抑制することができる。

また、第一排気管２３６による排気については、第一のバルブ２３７によって、その排気の際のコンダクタンスを調整する。具体的には、第一排気管２３６内が第一のコンダクタンスとなるように、第一のバルブ２３７を制御する。このとき、ＡＰＣ２３８を利用して制御を行うようにしても良い。なお、第一のコンダクタンスについては、詳細を後述する。

（第一の処理空間排気工程：Ｓ２０６）
シャワーヘッドバッファ室２３２内のパージが終了すると、次いで、第三ガス供給管２４５ａから不活性ガス（Ｎ_２ガス）を供給し、処理室２０１内のパージを行う。このとき、第二のガス排気系における第二のバルブ２２３は開状態とされて、ＡＰＣ２２４によって処理室２０１内の圧力が所定の圧力となるように制御される。一方、第二のバルブ２２３以外のガス排気系のバルブは全て閉状態とされる。これにより、第一の処理ガス供給工程（Ｓ２０２）で基板２００に吸着できなかった原料ガスは、真空ポンプ２５３により、第二排気管２２２及び排気バッファ室２０９を介して処理室２０１から除去される。

第一の処理空間排気工程（Ｓ２０６）における不活性ガス（Ｎ_２ガス）の供給流量は、例えば１０００～１００００ｓｃｃｍである。また、不活性ガスの供給時間は、例えば２～１０秒である。

なお、ここでは、第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２０４）の後に第一の処理空間排気工程（Ｓ２０６）を行うようにしたが、これらの工程を行う順序は逆であってもよい。また、これらの工程を同時に行うようにしてもよい。

（第二の処理ガス供給工程：Ｓ２０８）
シャワーヘッドバッファ室２３２及び処理室２０１内のパージが完了したら、続いて、第二の処理ガス（反応ガス）供給工程（Ｓ２０８）を行う。第二の処理ガス供給工程（Ｓ２０８）では、バルブ２４４ｄを開けて、リモートプラズマユニット２４４ｅ、シャワーヘッド２３０を介して、処理室２０１内への反応ガス（ＮＨ_３ガス）の供給を開始する。このとき、反応ガスの流量が所定流量となるように、ＭＦＣ２４４ｃを調整する。反応ガスの供給流量は、例えば１０００～１００００ｓｃｃｍである。

つまり、第二の処理ガス供給工程（Ｓ２０８）では、処理室２０１に基板２００がある状態で、反応ガス供給系２４４がシャワーヘッド２３０に処理ガスの一つである反応ガスを供給するようになっている。

プラズマ状態の反応ガスは、シャワーヘッド２３０により分散されて処理室２０１内の基板２００上に均一に供給され、基板２００上に吸着している原料ガス含有膜と反応して、基板２００上にＳｉＮ膜を生成する。

このとき、第二不活性ガス供給系のバルブ２４７ｄを開き、第二不活性ガス供給管２４７ａから不活性ガス（Ｎ_２ガス）を供給する。不活性ガスの供給流量は、例えば５００～５０００ｓｃｃｍである。なお、不活性ガス供給系２４５の第三ガス供給管２４５ａから不活性ガスを流してもよい。

余剰な反応ガスや反応副生成物は、処理室２０１内から排気バッファ室２０９へ流入し、第二のガス排気系の第二排気管２２２内を流れて排気される。具体的には、第二のガス排気系における第二のバルブ２２３が開状態とされ、ＡＰＣ２２４によって処理室２０１内の圧力が所定の圧力となるように制御される。なお、第二のバルブ２２３以外の排気系のバルブは全て閉状態とされる。

反応ガスの供給を開始してから所定時間経過後、バルブ２４４ｄを閉じ、反応ガスの供給を停止する。反応ガス及びキャリアガスの供給時間は、例えば２～２０秒である。

（第二のシャワーヘッド排気工程：Ｓ２１０）
反応ガスの供給を停止した後は、第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２１０）を行って、シャワーヘッドバッファ室２３２に残留している反応ガスや反応副生成物を除去する。この第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２１０）は、既に説明した第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２０４）と同様に行えばよい。

つまり、第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２１０）においても、残留した反応ガスや反応副生成物を排気する第一排気管２３６については、第一加熱部２３９を稼働させることで、その第一排気管２３６内の温度を制御する。具体的には、第一排気管２３６内の温度が反応ガスや反応副生成物の熱分解を促進しない温度となるよう、第一加熱部２３９を制御する。このように、熱分解を促進しない温度とすることで、第一排気管２３６内に反応ガスや反応副生成物が付着することを抑制することができる。

また、第一排気管２３６による排気については、第一のバルブ２３７によって、その排気の際のコンダクタンスを調整する。具体的には、第一排気管２３６内が第一のコンダクタンスとなるように、第一のバルブ２３７を制御する。このとき、ＡＰＣ２３８を利用して制御を行うようにしても良い。なお、第一のコンダクタンスについては、詳細を後述する。

（第二の処理空間排気工程：Ｓ２１２）
シャワーヘッドバッファ室２３２内のパージが終了した後は、次いで、第二の処理空間排気工程（Ｓ２１２）を行って、処理室２０１に残留している反応ガスや反応副生成物を除去する。この第二の処理空間排気工程（Ｓ２１２）についても、既に説明した第一の処理空間排気工程（Ｓ２０６）と同様に行えばよいため、ここでの説明は省略する。

（判定工程：Ｓ２１４）
以上の第一の処理ガス供給工程（Ｓ２０２）、第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２０４）、第一の処理空間排気工程（Ｓ２０６）、第二の処理ガス供給工程（Ｓ２０８）、第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２１０）、第二の処理空間排気工程（Ｓ２１２）を１サイクルとして、コントローラ２６０は、このサイクルを所定回数（ｎサイクル）実施したか否かを判定する（Ｓ２１４）。サイクルを所定回数実施すると、基板２００上には、所望膜厚のシリコン窒化（ＳｉＮ）膜が形成される。

（処理回数判定工程：Ｓ１０６）
以上の各工程（Ｓ２０２～Ｓ２１４）からなる成膜工程（Ｓ１０４）の後は、図５に示すように、次に、成膜工程（Ｓ１０４）を行った回数が所定回数に到達したか否かを判定する（Ｓ１０６）。

成膜工程（Ｓ１０４）の回数が所定回数に到達していなければ、その後は、処理済の基板２００を取り出して、次に待機している新たな基板２００の処理を開始するため、基板搬出入工程（Ｓ１０８）に移行する。また、所定回数の成膜工程（Ｓ１０４）を実施した場合には、処理済の基板２００を取り出して、チャンバ２０２内に基板２００が存在しない状態にするため、基板搬出工程（Ｓ１１０）に移行する。

（基板搬出入工程：Ｓ１０８）
基板搬出入工程（Ｓ１０８）では、基板載置台２１２を下降させ、基板載置台２１２の表面から突出させたリフトピン２０７上に基板２００を支持させる。これにより、基板２００は、処理位置から搬送位置となる。その後、ゲートバルブ２０５を開き、ウエハ移載機を用いて基板２００をチャンバ２０２の外へ搬出する。

その後、基板搬出入工程（Ｓ１０８）では、前述した基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）の場合と同様の手順で、次に待機している新たな基板２００をチャンバ２０２へ搬入して、その基板２００を処理室２０１内の処理位置まで上昇させるとともに、処理室２０１内を所定の処理温度、処理圧力として、次の成膜工程（Ｓ１０４）を開始可能な状態にする。そして、処理室２０１内の新たな基板２００に対して、成膜工程（Ｓ１０４）及び処理枚数判定工程（Ｓ１０６）を行う。

（基板搬出工程：Ｓ１１０）
基板搬出工程（Ｓ１１０）では、前述した基板搬出入工程（Ｓ１０８）の場合と同様の手順で、処理済の基板２００をチャンバ２０２内から取り出して移載室へと搬出する。ただし、基板搬出入工程（Ｓ１０８）の場合とは異なり、基板搬出工程（Ｓ１１０）では、次に待機している新たな基板２００のチャンバ２０２内への搬入は行わずに、チャンバ２０２内に基板２００が存在しない状態のままとする。

（アイドリング工程）
以上のように、基板搬出入工程（Ｓ１０８）では、処理済みの基板２００のチャンバ２０２外への搬出開始から、新たな基板２００のチャンバ２０２への搬入終了までの間、処理室２０１に基板２００が無い状態となる。また、基板搬出工程（Ｓ１１０）の後においても同様に、処理済みの基板２００のチャンバ２０２外への搬出開始から、新たな基板２００について基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）が開始されてチャンバ２０２への基板搬入が終了するまでの間、処理室２０１に基板２００が無い状態となる。以下、このように、処理室２０１に基板２００が無く、次の新たな基板２００の処理を待っている状態のことを、「アイドリング工程」又は「アイドリング時」と称す。

アイドリング時については、次の新たな基板２００を処理する場合に、その処理を素早く開始できることが、複数基板を処理する際のスループットを向上させるためには好ましい。

そこで、処理室２０１に基板２００が無い状態であるアイドリング時には、上述した一連の各工程とは異なり、以下に説明するような処理を行う。

上述した第一の処理ガス供給工程（Ｓ２０２）及び第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２０４）においては、
（ａ）処理室２０１に基板２００がある状態では、原料ガス供給系２４３がシャワーヘッド２３０に処理ガスの一つである原料ガスを供給し、第一加熱部２３９を稼働させた状態で、第一排気管２３６内が第一のコンダクタンスとなるよう少なくとも第一のバルブ２３７を制御する。

さらに、上述した第二の処理ガス供給工程（Ｓ２０８）及び第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２１０）においても、
（ａ）処理室２０１に基板２００がある状態では、反応ガス供給系２４４がシャワーヘッド２３０に処理ガスの一つである反応ガスを供給し、第一加熱部２３９を稼働させた状態で、第一排気管２３６内が第一のコンダクタンスとなるよう少なくとも第一のバルブ２３７を制御する。

これに対して、アイドリング時においては、
（ｂ）処理室２０１に基板２００が無い状態では、不活性ガス供給系２４５がシャワーヘッド２３０に非処理ガスの一つである不活性ガスを供給し、第一加熱部２３９を稼働させた状態で、第一排気管２３６内が第一のコンダクタンスよりも小さい第二のコンダクタンスとなるよう少なくとも第一のバルブ２３７を制御する。

上記（ａ）における第一のコンダクタンスと上記（ｂ）における第二のコンダクタンスとは、それぞれの大小関係が確立されていれば、特定の大きさに限定されることはなく、少なくとも第一のバルブ２３７の制御を通じて適宜設定することが可能である。

以上のように、処理室２０１に基板２００がある状態では上記（ａ）のように制御し、処理室２０１に基板２００が無い状態では上記（ｂ）のように制御することで、基板２００が無い状態（例えばアイドリング時）で、第一加熱部２３９を稼働させつつ第一排気管２３６内にガスを滞留させることが可能となる。これによりアイドリング時における第一排気管２３６内の温度の下げ幅を低減させることができる。したがって、次の新たな基板２００を処理する際に、素早く基板処理時の第一排気管２３６内の温度とすることができ、その結果として、複数基板を処理する際のスループットを高くすることができる。

さらに詳しくは、アイドリング時の運用として、以下のような制御を行う。

既述のように、第一排気管２３６は、第一排気制御部として機能する第一のバルブ２３７を備えている。このような構成において、上記（ａ）における第一のバルブ２３７の開度は、非処理ガスの一つである不活性ガスが流れる上記（ｂ）における第一のバルブ２３７の開度よりも大きくなるように制御されるものとする。このように第一のバルブ２３７の開度を制御することで、第一排気管２３６に加熱された不活性ガスを留まらせることができる。したがって、アイドリング時における第一排気管２３６内の温度の下げ幅を低減させて、複数基板を処理する際のスループットを高くする上で、非常に好ましいものとなる。

さらに具体的には、上記（ａ）の場合の処理はサイクル処理であり、例えば「第一の処理ガス供給工程：Ｓ２０２→第一のシャワーヘッド排気工程：Ｓ２０４（→第一の処理空間排気工程：Ｓ２０６）→第二の処理ガス供給工程：Ｓ２０８→第二のシャワーヘッド排気工程：Ｓ２１０（→第二の処理空間排気工程：Ｓ２１２）」の組み合わせを繰り返して、基板処理を行う。つまり、上記（ａ）では、シャワーヘッドバッファ室２３２内の雰囲気を排気する工程（Ｓ２０４、Ｓ２１０）を有している。このような場合において、上記（ａ）における第一のバルブ２３７の開度は、シャワーヘッドバッファ室２３２内の雰囲気を排気する工程（Ｓ２０４、Ｓ２１０）におけるバルブ開度であり、そのバルブ開度が上記（ｂ）の場合よりも大きくなっている。したがって、上記（ｂ）において第一排気管２３６に加熱された不活性ガスを留まらせる場合であっても、シャワーヘッドバッファ室２３２内の雰囲気を排気する工程（Ｓ２０４、Ｓ２１０）における排気が滞ってしまうことがない。

また、上記（ｂ）においては、第一排気制御部として機能する第一のバルブ２３７の制御動作として、以下のような制御動作を行うようにしてもよい。例えば、上記（ｂ）にあたり、非処理ガスの一つである不活性ガスが第一排気管２３６を流れる際に、
（ｂ－１）第一加熱部２３９を稼働させた状態で、第一排気管２３６を所定コンダクタンスとし、
（ｂ－２）所定時間経過後、第一排気管２３６を所定コンダクタンスよりも低いコンダクタンスとする。
このように、第一排気制御部を制御して第一排気管２３６におけるコンダクタンスを経過時間に応じてコントロールすれば、まず、第一排気管２３６のコンダクタンスを大きくする（すなわち、不活性ガスを流す）ことで、不活性ガスを第一排気管２３６に移動させ、所定時間経過後に第一のバルブ２３７を閉状態とすることで、第一排気管２３６に不活性ガスを滞留させて、第一排気管２３６内の温度を維持させる、といったことが実現可能となる。

さらに具体的には、第一排気管２３６における第一のバルブ２３７の制御動作として、上記（ｂ－１）では第一のバルブ２３７を開状態とし、上記（ｂ－２）では第一のバルブ２３７の開度を上記（ｂ－１）の場合よりも小さくする。なお、上記（ｂ－２）における第一のバルブ２３７の開度については、上記（ｂ－１）の場合に比べて開度を絞るようにしてもよいし、もしくは第一のバルブ２３７を閉状態とするようにしてもよい。
このように第一のバルブ２３７の開度を制御すれば、まず、第一のバルブ２３７を開状態とすることで、不活性ガスを第一排気管２３６に移動させ、所定時間経過後に第一のバルブ２３７の開度を絞るか、もしくは閉状態とすることで、第一排気管２３６に不活性ガスを滞留させて、第一排気管２３６内の温度を維持させる、といったことが確実に実現可能となる。

ところで、基板処理装置１００のチャンバ２０２は、上述した制御動作の対象となる第一のガス排気系に加えて、処理室２０１の雰囲気を排気する第二のガス排気系を備えている。第二のガス排気系は、既述のように、処理室２０１に連通する第二排気管２２２を有しており、その第二排気管２２２には、第二排気制御部として機能するＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３が設けられている。
このような第二排気管２２２との関係において、第一排気管２３６によるガス排気については、以下のような制御動作を行うようにしてもよい。例えば、非処理ガスの一つである不活性ガスが第一排気管２３６を流れる際に、上記（ｂ）における第二排気管２２２からの排気量が、第一排気管２３６からの排気量よりも大きくなるように、第一排気管２３６における少なくとも第一のバルブ２３７と第二排気管２２２におけるＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３とのそれぞれを制御する。
このように、第二排気管２２２からの排気量を大きくすると、シャワーヘッドバッファ室２３２から第二排気管２２２へのガスの流れが大きくなるため、第一排気管２３６からのガスの排気量を少なくできる。したがって、第一排気管２３６の温度低下量を少なくできる。

また、上記（ａ）及び上記（ｂ）のように、第一排気管２３６によるガス排気の際には、以下のような温度制御を行うようにしてもよい。例えば、第一加熱部２３９の上記（ａ）における出力は、非処理ガスの一つである不活性ガスが第一排気管２３６を流れる上記（ｂ）における出力よりも高くなるようにする。
不活性ガスは第一排気管２３６内に付着することがないので、処理ガスが第一排気管２３６を流れる場合とは異なり、第一排気管２３６内の温度を高くする必要がない。そのため、上記（ａ）の場合に比べて上記（ｂ）の場合の第一加熱部２３９の出力を抑えることで、電力低減を実現できる。

さらに、第一排気管２３６内の温度制御については、以下のような処理を行うようにしてもよい。例えば、第一排気管２３６内の温度を測定可能な温度測定部２６４が設けられている場合に、非処理ガスの一つである不活性ガスが第一排気管２３６を流れる上記（ｂ）では、温度測定部２６４が測定する第一排気管２３６内の温度が所定温度よりも低くなったら、その所定温度よりも第一排気管２３６内の温度が高くなるよう、第一加熱部２３９の稼働を制御する。
このように第一加熱部２３９の稼働を制御すれば、第一排気管２３６内の温度が所定温度よりも低くならないように、第一排気管２３６内の温度を維持することができる。したがって、次の新たな基板２００を処理する際に、第一排気管２３６内の温度を基板処理時の温度まで素早く上昇させることが可能となり、複数基板を処理する際のスループットを高くする上で、非常に好ましいものとなる。

（クリーニング工程：Ｓ１１２）
基板搬出工程（Ｓ１１０）の後は、上述したアイドリング工程ではなく、クリーニング工程（Ｓ１１２）に移行するようにしてもよい。

クリーニング工程（Ｓ１１２）では、主として、シャワーヘッドバッファ室２３２内に対するクリーニング処理と、処理室２０１内に対するクリーニング処理を行う第二クリーニング工程と、を行う。

シャワーヘッドバッファ室２３２内に対するクリーニング処理を行う場合には、クリーニングガス供給系によって、非処理ガスの一つであるクリーニングガスを、シャワーヘッドバッファ室２３２内へ供給する。そして、クリーニングガスの流れを利用して、シャワーヘッドバッファ室２３２内、特にガスガイド２３５の下面（分散板２３４と向かい合う面）や分散板２３４の上面等に対して、付着した堆積物（反応副生成物等）を除去するクリーニング処理を行う。

クリーニング処理に用いられたクリーニングガスは、第一のガス排気系によって第一排気管２３６を通じてシャワーヘッドバッファ室２３２内から排気されるか、又は、第二のガス排気系によって第二排気管２２２を通じて処理室２０１内から排気される。

つまり、クリーニング工程（Ｓ１１２）においても、非処理ガスの一つであるクリーニングガスが、第一排気管２３６を通じて排気される。このとき、第一排気管２３６については、第一加熱部２３９を稼働させることで、その第一排気管２３６内の温度を制御する。また、第一排気管２３６による排気については、少なくとも第一のバルブ２３７によって、その排気の際のコンダクタンスを調整する。

したがって、クリーニング工程（Ｓ１１２）においても、上記（ｂ）が成立することになる。具体的には、クリーニング工程（Ｓ１１２）において、
（ｂ）処理室２０１に基板２００が無い状態では、クリーニングガス供給系がシャワーヘッド２３０に非処理ガスの一つであるクリーニングガスを供給し、第一加熱部２３９を稼働させた状態で、第一排気管２３６内が第一のコンダクタンスよりも小さい第二のコンダクタンスとなるよう少なくとも第一のバルブ２３７を制御する。

上記（ａ）における第一のコンダクタンスと上記（ｂ）における第二のコンダクタンスとは、それぞれの大小関係が確立されていれば、特定の大きさに限定されることはなく、少なくとも第一のバルブ２３７の制御を通じて適宜設定することが可能である。

以上のように、処理室２０１に基板２００がある状態では上記（ａ）のように制御し、処理室２０１に基板２００が無い状態では上記（ｂ）のように制御することで、基板２００が無い状態（例えばクリーニング処理時）で、第一加熱部２３９を稼働させつつ第一排気管２３６内にガスを滞留させることが可能となる。これによりクリーニング処理時における第一排気管２３６内の温度の下げ幅を低減させることができる。したがって、クリーニング工程（Ｓ１１２）の終了後、次の新たな基板２００を処理する際に、素早く基板処理時の第一排気管２３６内の温度とすることができ、その結果として、複数基板を処理する際のスループットを高くすることができる。

さらに詳しくは、クリーニング処理時の運用として、以下のような制御を行う。

第一排気管２３６内の温度については、上記（ａ）における第一排気管２３６内の温度が、上記（ｂ）における第一排気管２３６内の温度よりも低くなるよう、第一加熱部２３９の稼働を制御する。
このように第一加熱部２３９を制御することで、上記（ａ）では第一排気管２３６内をガスが熱分解しない温度とし、上記（ｂ）では上記（ａ）よりも高い温度で固着物が熱分解する温度とすることができ、第一排気管２３６におけるクリーニング対象物を排除することが実現可能となる。

また、クリーニング工程（Ｓ１１２）においては、処理室２０１に連通する第二排気管２２２にもクリーニングガスが流れ得る。そして、その第二排気管２２２には、第二排気制御部として機能するＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３が設けられている。
このような第二排気管２２２と第一排気管２３６との関係において、非処理ガスの一つであるクリーニングガスが流れる際に、上記（ｂ）では、
（ｂ－１）第一排気管２３６のコンダクタンスが、第二排気管２２２のコンダクタンスよりも低くなるよう、第一排気管２３６における少なくとも第一のバルブ２３７と第二排気管２２２におけるＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３とのそれぞれを制御し、
（ｂ－２）第一排気管２３６のコンダクタンスが、第二排気管２２２のコンダクタンスよりも高くなるよう、第一排気管２３６における少なくとも第一のバルブ２３７と第二排気管２２２におけるＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３とのそれぞれを制御する。
そして、上記（ｂ－２）では、第一排気管２３６内の温度が、上記（ａ）における第一排気管２３６内の温度よりも高くなるよう、第一加熱部２３９の稼働を制御する。
このような制御により、上記（ａ）では第一排気管２３６内をガスが熱分解しない温度とし、上記（ｂ－２）では上記（ａ）よりも高い温度で固着物が熱分解する温度とした状態で、クリーニングガスを流すことができる。したがって、第一排気管２３６におけるクリーニング対象物を排除することが実現可能となる。

ところで、第二排気管２２２には、第一排気管２３６における第一加熱部２３９と同様に、第二加熱部２２５が設けられる。また、チャンバ２０２内における基板支持部２１０には、第三加熱部としてのヒータ２１３が設けられる。
これらを利用しつつ、非処理ガスの一つであるクリーニングガスが流れる際には、以下のような制御動作を行うようにしてもよい。例えば、上記（ｂ）では、第一排気管２３６内の温度が第二排気管２２２内の温度よりも高くなるよう、第一加熱部２３９と第二加熱部２２５とのうち、少なくともいずれか、あるいは両方を制御する。
この場合、クリーニングガスは、第二排気管２２２の手前において、第三加熱部としてのヒータ２１３によりクリーニング対象物の熱分解温度まで上昇される。したがって、第二加熱部２２５では、第一加熱部２３９のように、積極的にクリーニング対象物の分解温度まで上昇させる必要がない。以上のことから、上述の制御動作により、第二加熱部２２５での加熱を抑えることで、装置全体のエネルギー使用量を抑制できる。

（４）システム処理動作例
次に、上述の基板処理工程を実行する基板処理装置１００を含んで構成された基板処理システム１０００におけるシステム処理動作例について説明する。

既述のように、基板処理システム１０００において、各プロセスモジュール１１０には、複数（具体的には、例えば二つ）のチャンバ２０２が設けられており、各チャンバ２０２からの第一排気管２３６が共通排気管２５２によって合流されている。

具体的には、プロセスモジュール１１０ａにはチャンバ２０２ａ、２０２ｂが、プロセスモジュール１１０ｂにはチャンバ２０２ｃ、２０２ｄが、プロセスモジュール１１０ｃにはチャンバ２０２ｅ、２０２ｆが、プロセスモジュール１１０ｄにはチャンバ２０２ｇ、２０２ｈが、それぞれ設けられている。そして、それぞれのチャンバ２０２ａ～２０２ｈにおいて、上述した一連の手順の基板処理工程を実行することが可能となっている。

ここで、一つのプロセスモジュール１１０に着目する。ここでは、プロセスモジュール１１０ａに着目する場合を例に挙げるが、他のプロセスモジュール１１０ｂ～１１０ｄについても同様である。

例えば、プロセスモジュール１１０ａで処理すべきロットの基板枚数が奇数枚であると、一方のチャンバ２０２ａで基板２００を処理しつつ、他方のチャンバ２０２ｂでは基板２００の処理を行わない、といった状況が生じ得る。その場合に、両方のチャンバ２０２ａ、２０２ｂに対して同様にガス供給を行うと、処理を行わないチャンバ２０２ｂへのガス供給が無駄になり、ガスの利用効率が低下してしまい、また処理を行わないチャンバ２０２ｂへの不要な成膜を招くおそれがある。一方、処理を行うチャンバ２０２ａに対してのみガス供給を行うようにすると、両方のチャンバ２０２ａ、２０２ｂに対してガス供給を行う場合との処理条件（ガス流量等）の相違が生じて、基板２００毎の処理均一性が低下してしまうおそれがある。特に、共通ガス供給管２５２を用いた場合、一方のチャンバ２０２ａと他方のチャンバ２０２ｂとでガス流量が異なると、一方の合流管２５１ａ内の圧力が他方の合流管２５１ｂ内の影響を受け、結果所望の圧力とならない場合が考えられる。それは処理室２０１内の処理圧力にも影響するため、所望の基板処理を実現できないおそれがある。そのため、両方のチャンバ２０２ａ、２０２ｂでガス流量等の処理条件を揃えることが望ましい。

このことから、基板処理システム１０００では、プロセスモジュール１１０ａを構成する複数のチャンバ２０２ａ、２０２ｂのうち、一方のチャンバ（以下「第一チャンバ」という。）２０２ａで基板２００を処理し、他方のチャンバ（以下「第二チャンバ」という。）２０２ｂでは基板２００の処理を行わない状況が生じた場合に、その第二チャンバ２０２ｂにおいて、以下のような雰囲気調整工程を行う。

図７は、本実施形態に係る雰囲気調整工程を示すフロー図である。
基板２００の処理を行わない第二チャンバ２０２ｂによる雰囲気調整工程は、第一チャンバ２０２ａによる成膜工程（図６参照）に対応して行われるものとする。

（第一の不活性ガス供給工程：Ｓ３０２）
雰囲気調整工程においては、まず、第一の不活性ガス供給工程（Ｓ３０２）を行う。第一の不活性ガス供給工程（Ｓ３０２）では、第一チャンバ２０２ａで第一の処理ガス供給工程（Ｓ２０２）が行われている間、第二チャンバ２０２ｂにおいても、第三ガス供給管２４５ａからシャワーヘッドバッファ室２３２を介して処理室２０１内に不活性ガスを供給する。つまり、第一の不活性ガス供給工程（Ｓ３０２）では、処理室２０１に基板２００が無い状態で、不活性ガス供給系２４５がシャワーヘッド２３０に非処理ガスの一つである不活性ガスを供給するようになっている。

（第一のシャワーヘッド排気工程：Ｓ３０４）
その後、第一チャンバ２０２ａが第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２０４）を行うのに合わせて、第二チャンバ２０２ｂにおいても、第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ３０４）を行う。第二チャンバ２０２ｂにおける第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ３０４）は、第一チャンバ２０２ａにおける第一のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２０４）と同様に行えばよい。

（第一の処理空間排気工程：Ｓ３０６）
さらに、第一チャンバ２０２ａが第一の処理空間排気工程（Ｓ２０６）を行うのに合わせて、第二チャンバ２０２ｂにおいても、第一の処理空間排気工程（Ｓ３０６）を行う。第二チャンバ２０２ｂにおける第一の処理空間排気工程（Ｓ３０６）は、第一チャンバ２０２ａにおける第一の処理空間排気工程（Ｓ２０６）と同様に行えばよい。

（第二の不活性ガス供給工程：Ｓ３０８）
シャワーヘッドバッファ室２３２及び処理室２０１内の排気が完了したら、続いて、第二の不活性ガス供給工程（Ｓ３０８）を行う。第二の不活性ガス供給工程（Ｓ３０８）では、第一チャンバ２０２ａで第二の処理ガス供給工程（Ｓ２０８）が行われている間、第二チャンバ２０２ｂにおいても、第三ガス供給管２４５ａからシャワーヘッドバッファ室２３２を介して処理室２０１内に不活性ガスを供給する。つまり、第二の不活性ガス供給工程（Ｓ３０８）では、処理室２０１に基板２００が無い状態で、不活性ガス供給系２４５がシャワーヘッド２３０に非処理ガスの一つである不活性ガスを供給するようになっている。

（第二のシャワーヘッド排気工程：Ｓ３１０）
その後、第一チャンバ２０２ａが第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２１０）を行うのに合わせて、第二チャンバ２０２ｂにおいても、第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ３１０）を行う。第二チャンバ２０２ｂにおける第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ３１０）は、第一チャンバ２０２ａにおける第二のシャワーヘッド排気工程（Ｓ２１０）と同様に行えばよい。

（第二の処理空間排気工程：Ｓ３１２）
さらに、第一チャンバ２０２ａが第二の処理空間排気工程（Ｓ２１２）を行うのに合わせて、第二チャンバ２０２ｂにおいても、第二の処理空間排気工程（Ｓ３１２）を行う。第二チャンバ２０２ｂにおける第二の処理空間排気工程（Ｓ３１２）は、第一チャンバ２０２ａにおける第二の処理空間排気工程（Ｓ２１２）と同様に行えばよい。

（判定工程：Ｓ３１４）
以上の各工程（Ｓ３０２～Ｓ３１２）を１サイクルとして、コントローラ２６０は、このサイクルを所定回数（ｎサイクル）実施したか否かを判定する（Ｓ３１４）。サイクルを所定回数実施すると、第一チャンバ２０２ａによる成膜工程（Ｓ１０４）が終了することになるので、これに合わせて、第二チャンバ２０２ｂにおいても、上述した一連の手順の雰囲気調整工程を終了する。

（第一チャンバ及び第二チャンバのシステム運用）
以上のように、第一チャンバ２０２ａで成膜工程を行い、第二チャンバ２０２ｂで雰囲気調整工程を行う場合には、これらの各チャンバ２０２ａ、２０２ｂを含むシステム運用として、以下のような制御を行う。

具体的には、第一チャンバ２０２ａに基板２００がある状態で処理ガスの供給を行う一方で、第二チャンバ２０２ｂに対しては、基板２００が無い状態で、非処理ガスの一つである不活性ガスの供給を行う。そして、その場合において、共通排気管２５２における処理ガスの温度が熱分解温度以上となるよう、それぞれの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂのうち、少なくともいずれか、あるいは両方の稼働を制御する。

このように、少なくともいずれかの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを制御すれば、第一チャンバ２０２ａで成膜工程を行い、第二チャンバ２０２ｂで雰囲気調整工程を行う場合であっても、共通排気管２５２の温度を熱分解以上の温度とすることができる。したがって、共通排気管２５２への不要な副生成物等の付着を防ぐことが実現可能となる。

また、第一チャンバ２０２ａの第一排気管２３６ａ内の温度と第二チャンバ２０２ｂの第一排気管２３６ｂ内の温度との差を所定範囲内とするよう、それぞれの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂのうち、少なくともいずれか、あるいは両方の稼働を制御する。ここでいう温度差が所定範囲内とは、それぞれの温度差に起因する処理ガスの温度低下があっても、低下した処理ガスの温度が熱分解温度より小さくならない程度の温度差の範囲内に属することを意味し、それぞれの温度が同じである場合を含む。

このように、少なくともいずれかの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを制御すれば、共通排気管２５２にて第一チャンバ２０２ａからの処理ガスと第二チャンバ２０２ｂからの非処理ガスが合流した場合であっても、処理ガスの温度が熱分解温度より小さくなることがない。そのため、共通排気管２５２への不要な副生成物等の付着を防ぐことが実現可能となる。例えば、処理ガスの温度よりも非処理ガスの温度が低く、その温度差が所定値以上であると、共通排気管２５２での合流により非処理ガスが処理ガスの温度を低下させ、これにより共通排気管２５２の内壁に処理ガスが付着するおそれがある。これに対して、上述した各第一加熱部２３９ａ、２３９ｂの制御により、そのような現象の発生を防ぐことが可能となる。

さらには、それぞれの第一のバルブ２３７ａ、２３７ｂを利用しつつ、第一チャンバ２０２ａにおける第一のバルブ２３７ａの開度と、第二チャンバ２０２ｂにおける第一のバルブ２３７ｂの開度との差を、所定範囲内とするよう制御する。ここでいう開度の差が所定範囲内とは、それぞれのガスの流れを合流させる共通排気管２５２からのガスの逆流が生じない程度に、それぞれの排気量に差がないこと（所定範囲内であること）を意味し、それぞれの排気量が同じである場合を含む。

このように、それぞれの第一のバルブ２３７ａ、２３７ｂを制御すれば、それぞれのガスの流れを共通排気管２５２で合流させる場合であっても、ガスの逆流が生じてしまうことがない。例えば、一方のチャンバ２０２からのガスの排気量が大きい場合、すなわち排気量の差が所定範囲を超えた場合、それぞれの第一排気管２３６ａ、２３６ｂが合流した場所から他方のチャンバ２０２にガスが逆流してしまうおそれがある。これに対して、それぞれの排気量差を所定範囲内とすることで、ガスの逆流を未然に防止することができる。

ところで、第二チャンバ２０２ｂ内の雰囲気調整工程後には、例えば、プロセスモジュール１１０ａで新たなロットの基板処理を開始する場合のように、第一チャンバ２０２ａと第二チャンバ２０２ｂとのそれぞれに対して基板２００を搬入する、といった状況が生じ得る。そのような場合には、各チャンバ２０２ａ、２０２ｂを含むシステム運用として、以下のような制御を行う。

具体的には、第一チャンバ２０２ａ及び第二チャンバ２０２ｂに基板２００を搬入する際、第一排気管２３６ａ内の温度と第一排気管２３６ｂ内の温度との差を所定範囲内とするよう、第一加熱部２３９ａ、２３９ｂのうち、少なくともいずれか、あるいは両方の稼働を制御する。ここでいう温度差が所定範囲内とは、低いほうの温度を素早く（すなわち、予め設定された許容時間内に）基板処理時の第一排気管２３６内の温度とすることができる程度の温度差の範囲内に属することを意味し、それぞれの温度が同じである場合を含む。

より良くは、それぞれの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを同時に制御することが望ましい。このようにすれば、第一チャンバ２０２ａ及び第二チャンバ２０２ｂのそれぞれに基板２００を搬入する際であっても、それぞれの第一排気管２３６ａ、２３６ｂ内の温度を基板処理時の温度に同時に近づけることができる。例えば、仮に片側の第一排気管２３６だけ温度が低いと、その温度が上昇する時間を確保する必要がある。ところが、上述した各第一加熱部２３９ａ、２３９ｂの制御により、そのような現象の発生を防ぐことが可能となり、その結果として、基板処理の際のスループットを高くすることができる。

また、第一排気管２３６ａ内の温度と第一排気管２３６ｂ内の温度との差が所定値以上であれば、第一排気管２３６ｂ内の温度が第一排気管２３６ａ内の温度に近づくよう、第一加熱部２３９ａ、２３９ｂのうち、少なくともいずれか、あるいは両方の稼働を制御するようにしてもよい。ここでいう温度差が所定値以上とは、温度差が上述した所定範囲内にあるか否かを判断するために設定された所定値に対して、その所定値以上の温度差が生じていることを意味する。

このように、それぞれの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを制御すれば、第一チャンバ２０２ａ及び第二チャンバ２０２ｂのそれぞれに基板２００を搬入する際に、それぞれの第一排気管２３６ａ、２３６ｂ内の温度差を確実に所定範囲内とするようにフィードバック制御を行うことになり、基板処理の際のスループットを高くする上で非常に好ましいものとなる。

（５）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果を奏する。

（Ａ）本実施形態によれば、処理室２０１に基板２００がある状態では上記（ａ）のように制御し、処理室２０１に基板２００が無い状態では上記（ｂ）のように制御することで、基板２００が無い状態（例えば、アイドリング時やクリーニング処理時）で、第一加熱部２３９を稼働させつつ第一排気管２３６内にガスを滞留させることが可能となる。したがって、基板２００が無い状態における第一排気管２３６内の温度の下げ幅を低減させることができるので、次の新たな基板２００を処理する際に、素早く基板処理時の第一排気管２３６内の温度とすることができ、その結果として、複数基板を処理する際のスループットを高くすることができる。

（Ｂ）本実施形態によれば、上記（ａ）では、第一排気管２３６内の温度が原料ガスの熱分解を促進しない温度となるよう、第一加熱部２３９を制御することで、第一排気管２３６内に原料ガスが付着することを抑制することができる。

（Ｃ）本実施形態によれば、上記（ａ）における第一のバルブ２３７の開度が、非処理ガスの一つである不活性ガスが流れる上記（ｂ）における第一のバルブ２３７の開度よりも大きくなるように制御される。したがって、第一排気管２３６に加熱された不活性ガスを留まらせて、第一排気管２３６内の温度の下げ幅を低減させることができ、複数基板を処理する際のスループットを高くする上で非常に好ましいものとなる。

（Ｄ）本実施形態によれば、上記（ａ）では、シャワーヘッドバッファ室２３２の雰囲気を排気する工程（Ｓ２０４、Ｓ２１０）を有し、上記（ａ）における第一のバルブ２３７の開度が、シャワーヘッドバッファ室２３２の雰囲気を排気する工程（Ｓ２０４、Ｓ２１０）におけるバルブ開度である。したがって、上記（ｂ）において第一排気管２３６に加熱された不活性ガスを留まらせる場合であっても、シャワーヘッドバッファ室２３２の雰囲気を排気する工程（Ｓ２０４、Ｓ２１０）における排気が滞ってしまうことがない。

（Ｅ）本実施形態によれば、上記（ｂ）では、（ｂ－１）第一加熱部２３９を稼働させた状態で、第一排気管２３６を所定コンダクタンスとし、（ｂ－２）所定時間経過後、第一排気管２３６を所定コンダクタンスよりも低いコンダクタンスとする。したがって、まず、第一排気管２３６のコンダクタンスを大きくする（すなわち、不活性ガスを流す）ことで、不活性ガスを第一排気管２３６に移動させ、所定時間経過後に第一のバルブ２３７を閉状態とすることで、第一排気管２３６に不活性ガスを滞留させて、第一排気管２３６内の温度を維持させる、といったことが実現可能となる。

（Ｅ）本実施形態によれば、上記（ｂ－１）では第一のバルブ２３７を開状態とし、上記（ｂ－２）では第一のバルブ２３７の開度を上記（ｂ－１）の場合よりも小さくする。したがって、まず、第一のバルブ２３７を開状態とすることで、不活性ガスを第一排気管２３６に移動させ、所定時間経過後に第一のバルブ２３７の開度を絞るか、もしくは閉状態とすることで、第一排気管２３６に不活性ガスを滞留させて、第一排気管２３６内の温度を維持させる、といったことが確実に実現可能となる。

（Ｆ）本実施形態によれば、非処理ガスの一つである不活性ガスが第一排気管２３６を流れる際に、上記（ｂ）における第二排気管２２２からの排気量が、第一排気管２３６からの排気量よりも大きくなるように、少なくとも第一のバルブ２３７とＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３とのそれぞれを制御する。このように、第二排気管２２２からの排気量を大きくすると、シャワーヘッドバッファ室２３２から第二排気管２２２へのガスの流れが大きくなるため、第一排気管２３６からのガスの排気量を少なくできる。したがって、第一排気管２３６の温度低下量を少なくできる。

（Ｇ）本実施形態によれば、上記（ａ）における第一加熱部２３９の出力が、上記（ｂ）における第一加熱部２３９の出力よりも高くなるよう、第一加熱部２３９を制御する。非処理ガスの一つである不活性ガスは第一排気管２３６内に付着することがないので、処理ガスが第一排気管２３６を流れる場合とは異なり、不活性ガスが流れる際には第一排気管２３６内の温度を高くする必要がない。そのため、上記（ａ）の場合に比べて上記（ｂ）の場合の第一加熱部２３９の出力を抑えることで、電力低減を実現できる。

（Ｈ）本実施形態によれば、第一排気管２３６内の温度を測定可能な温度測定部２６４が設けられている場合に、非処理ガスの一つである不活性ガスが第一排気管２３６を流れる上記（ｂ）では、温度測定部２６４が測定する第一排気管２３６内の温度が所定温度よりも低くなったら、その所定温度よりも第一排気管２３６内の温度が高くなるよう、第一加熱部２３９を制御する。したがって、第一排気管２３６内の温度が所定温度よりも低くならないように、第一排気管２３６内の温度を維持することができるので、次の新たな基板２００を処理する際に、第一排気管２３６内の温度を基板処理時の温度まで素早く上昇させることが可能となり、複数基板を処理する際のスループットを高くする上で非常に好ましいものとなる。

（Ｉ）本実施形態によれば、第一チャンバ２０２ａに基板２００がある状態で処理ガスを供給し、第二チャンバ２０２ｂに基板２００が無い状態で非処理ガスの一つである不活性ガスを供給する場合に、共通排気管２５２における処理ガスの温度が熱分解温度以上となるよう、少なくともいずれかの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを制御する。したがって、共通排気管２５２の温度を熱分解以上の温度とすることができ、共通排気管２５２への不要な副生成物等の付着を防ぐことが実現可能となる。

（Ｊ）本実施形態によれば、第一チャンバ２０２ａ及び第二チャンバ２０２ｂに基板２００を搬入する際、第一排気管２３６ａ内の温度と第一排気管２３６ｂ内の温度との差を所定範囲内とするよう、少なくともいずれかの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを制御する。したがって、それぞれの第一排気管２３６内の温度を基板処理時の温度に同時に近づけることができ、その結果として、基板処理の際のスループットを高くすることができる

（Ｋ）本実施形態によれば、第一チャンバ２０２ａ及び第二チャンバ２０２ｂのそれぞれに基板２００を搬入する際、第一排気管２３６ａ内の温度と第一排気管２３６ｂ内の温度との差が所定値以上であれば、第一排気管２３６ｂ内の温度が第一排気管２３６ａ内の温度に近づくよう、少なくともいずれかの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを制御する。したがって、それぞれの第一排気管２３６内の温度差を確実に所定範囲内とするようにフィードバック制御を行うことになり、基板処理の際のスループットを高くする上で非常に好ましいものとなる。

（Ｌ）本実施形態によれば、第一チャンバ２０２ａに基板２００がある状態で処理ガスを供給し、第二チャンバ２０２ｂに基板２００が無い状態で非処理ガスの一つである不活性ガスを供給する場合に、第一排気管２３６ｂ内の温度が第一排気管２３６ａ内の温度との差を所定範囲内とするよう、少なくともいずれかの第一加熱部２３９ａ、２３９ｂを制御する。したがって、共通排気管２５２にて第一チャンバ２０２ａからの処理ガスと第二チャンバ２０２ｂからの非処理ガスが合流した場合であっても、処理ガスの温度が熱分解温度より小さくなることがなく、共通排気管２５２への不要な副生成物等の付着を防ぐことが実現可能となる。

（Ｍ）本実施形態によれば、非処理ガスの一つであるクリーニングガスを供給する場合に、上記（ａ）における第一排気管２３６内の温度が、上記（ｂ）における第一排気管２３６内の温度よりも低くなるよう、第一加熱部２３９の稼働を制御する。したがって、上記（ａ）では第一排気管２３６内をガスが熱分解しない温度とし、上記（ｂ）では上記（ａ）よりも高い温度で固着物が熱分解する温度とすることができ、第一排気管２３６におけるクリーニング対象物を排除することが実現可能となる。

（Ｎ）本実施形態によれば、上記（ｂ）では、（ｂ－１）第一排気管２３６のコンダクタンスが、第二排気管２２２のコンダクタンスよりも低くなるよう、少なくとも第一のバルブ２３７とＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３とのそれぞれを制御し、（ｂ－２）第一排気管２３６のコンダクタンスが、第二排気管２２２のコンダクタンスよりも高くなるよう、少なくとも第一のバルブ２３７とＡＰＣ２２４及び第二のバルブ２２３とのそれぞれを制御し、さらに上記（ｂ－２）では、第一排気管２３６内の温度が、上記（ａ）における第一排気管２３６内の温度よりも高くなるよう、第一加熱部２３９の稼働を制御する。したがって、上記（ａ）では第一排気管２３６内をガスが熱分解しない温度とし、上記（ｂ－２）では上記（ａ）よりも高い温度で固着物が熱分解する温度とした状態でクリーニングガスを流すことができ、これにより第一排気管２３６におけるクリーニング対象物を排除することが実現可能となる。

（Ｏ）本実施形態によれば、非処理ガスの一つであるクリーニングガスが流れる際に、上記（ｂ）では、第一排気管２３６内の温度が第二排気管２２２内の温度よりも高くなるよう、第一加熱部２３９と第二加熱部２２５とのうち、少なくともいずれかを制御する。したがって、クリーニングガスは、第二排気管２２２の手前において、第三加熱部としてのヒータ２１３によりクリーニング対象物の熱分解温度まで上昇され、第二加熱部２２５では積極的にクリーニング対象物の分解温度まで上昇させる必要がない。このように、第二加熱部２２５での加熱を抑えることで、装置全体のエネルギー使用量を抑制できる。

（Ｐ）本実施形態によれば、第一チャンバ２０２ａに基板２００がある状態で処理ガスを供給し、第二チャンバ２０２ｂに基板２００が無い状態で非処理ガスとして不活性ガスまたはクリーニングガスの供給を行う場合に、第一のバルブ２３７を利用しつつ、第一のバルブ２３７ａの開度と、第一のバルブ２３７ｂの開度との差を、所定範囲内とするよう制御する。したがって、第一チャンバ２０２ａ及び第二チャンバ２０２ｂのそれぞれからのガスの流れを共通排気管２５２で合流させる場合であっても、ガスの逆流が生じてしまうことを未然に防止することができる。

（６）本開示の他の実施形態
以上、本開示の各実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態では、基板処理装置１００が行う成膜処理として、原料ガス（第一の処理ガス）としてＳｉ_２Ｃｌ_６ガスを用い、反応ガス（第二の処理ガス）としてＮＨ_３ガスが用いて、それらを交互に供給することによって基板２００上にＳｉＮ膜を形成する場合を例にあげたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理に用いる処理ガスは、Ｓｉ_２Ｃｌ_６ガスやＮＨ_３ガス等に限られることはなく、他の種類のガスを用いて他の種類の薄膜を形成しても構わない。さらには、３種類以上の処理ガスを用いる場合であっても、これらを交互に供給して成膜処理を行うのであれば、本開示を適用することが可能である。

また、例えば、上述の実施形態では、基板処理装置１００が行う処理として成膜処理を例にあげたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理の他、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本開示は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。また、本開示は、これらの装置が混在していてもよい。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。

なお、本明細書における「１～２０００Ｐａ」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、例えば、「１～２０００Ｐａ」とは「１Ｐａ以上２０００Ｐａ以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。

１００・・・基板処理装置
１１０、１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ・・・プロセスモジュール
２００・・・基板（ウエハ）
２０１・・・処理室
２０２、２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ、２０２ｅ、２０２ｆ、２０２ｇ、２０２ｈ・・・チャンバ（第一チャンバ、第二チャンバ）
２２２・・・第二排気管
２３０・・・シャワーヘッド
２３６・・・第一排気管
２３９・・・第一加熱部
２３７・・・第一のバルブ
２３８・・・ＡＰＣ
２４３・・・原料ガス供給系
２４４・・・反応ガス供給系
２４５・・・不活性ガス供給系
２４８ａ・・・クリーニングガス供給管
２４９・・・処理空間クリーニングガス供給系
２６０・・・コントローラ
１０００・・基板処理システム

Claims (20)

1. 基板を処理可能な処理室と、前記処理室の上流に配されたシャワーヘッドと、を備えたチャンバと、
   前記シャワーヘッドを介して前記処理室にガスを供給可能なガス供給部と、
   前記シャワーヘッドに連通する第一排気管と、
   前記処理室に連通する第二排気管と、
   前記第一排気管に設けられた第一排気制御部と、
   前記第一排気管に設けられた第一加熱部と、
   （ａ）前記処理室に前記基板がある状態では、前記ガス供給部が前記シャワーヘッドに前記ガスとしての処理ガスを供給し、前記第一加熱部を稼働させた状態で、前記第一排気管内が第一のコンダクタンスとなるよう前記第一排気制御部を制御し、
   （ｂ）前記処理室に前記基板が無い状態では、前記ガス供給部が前記シャワーヘッドに前記ガスとしての非処理ガスを供給し、前記第一加熱部を稼働させた状態で、前記第一排気管内が前記第一のコンダクタンスよりも小さい第二のコンダクタンスとなるよう前記第一排気制御部を制御可能な制御部と、
   を有する基板処理装置。
2. 前記（ａ）では、
   前記制御部は、前記第一排気管内の温度が前記処理ガスの熱分解を促進しない温度となるよう、前記第一加熱部を制御する
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 更に、前記第一排気制御部はバルブを備え、
   前記非処理ガスは不活性ガスであり、
   前記（ａ）における前記バルブの開度は、前記（ｂ）における前記バルブの開度よりも大きくなるよう制御される
   請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記（ａ）では、前記シャワーヘッドの雰囲気を排気する工程を有し、前記（ａ）における前記バルブの開度が前記シャワーヘッドの雰囲気を排気する工程における前記バルブの開度である
   請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記非処理ガスは不活性ガスであり、
   前記制御部は、
   前記（ｂ）では、
   （ｂ－１）前記第一加熱部を稼働させた状態で、前記第一排気管内を所定コンダクタンスとし、
   （ｂ－２）所定時間経過後、前記第一排気管内を前記所定コンダクタンスよりも低いコンダクタンスとするよう前記第一排気制御部を制御する
   請求項１に記載の基板処理装置。
6. 更に、前記第一排気制御部はバルブを備え、
   前記制御部は、
   前記（ｂ－１）では前記バルブを開とし、
   前記（ｂ－２）では前記バルブの開度を前記（ｂ－１）よりも小さくするよう制御する
   請求項５に記載の基板処理装置。
7. 更に、前記第二排気管には第二排気制御部が設けられ、
   前記非処理ガスは不活性ガスであり、
   前記制御部は、
   前記（ｂ）における前記第二排気管からの排気量が、前記第一排気管からの排気量よりも大きくなるよう、前記第一排気制御部と前記第二排気制御部とを制御する
   請求項１に記載の基板処理装置。
8. 前記非処理ガスは不活性ガスであり、
   前記制御部は、
   前記（ａ）における前記第一加熱部の出力が、前記（ｂ）における前記第一加熱部の出力よりも高くなるよう、前記第一加熱部を制御する
   請求項１に記載の基板処理装置。
9. 更に、前記第一排気管内の温度を測定可能な温度測定部を備え、
   前記非処理ガスは不活性ガスであり、
   前記制御部は、
   前記（ｂ）では、前記第一排気管内の温度が所定温度よりも低くなったら、前記第一排気管内の温度が所定温度よりも高くなるよう、前記第一加熱部を制御する
   請求項１に記載の基板処理装置。
10. 前記チャンバが複数設けられ、
    更に前記複数のそれぞれの前記第一排気管を合流させる共通排気管を備え、
    前記非処理ガスは不活性ガスであり、
    前記制御部は、
    前記複数のうちの第一チャンバに前記基板がある状態で前記処理ガスを供給し、前記複数のうちの第二チャンバに前記基板が無い状態で前記非処理ガスを供給し、
    前記共通排気管における前記処理ガスの温度が熱分解温度以上となるよう、前記第一チャンバの前記第一加熱部と前記第二チャンバの前記第一加熱部とのうち、少なくともいずれかを制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
11. 前記チャンバが複数設けられ、
    前記制御部は、
    前記複数のうちの第一チャンバ及び前記複数のうちの第二チャンバに前記基板を搬入する際、
    前記第一チャンバの前記第一排気管内の温度と前記第二チャンバの前記第一排気管内の温度との差を所定範囲内とするよう、前記第一チャンバの前記第一加熱部と前記第二チャンバの前記第一加熱部とのうち、少なくともいずれかを制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
12. 前記チャンバが複数設けられ、
    前記制御部は、
    前記複数のうちの第一チャンバ及び前記複数のうちの第二チャンバに前記基板を搬入する際、
    前記第一チャンバの前記第一排気管内の温度と、前記第二チャンバの前記第一排気管内の温度との差が所定値以上であれば、
    前記第二チャンバの前記第一排気管内の温度が前記第一チャンバの前記第一排気管内の温度に近づくよう、前記第一チャンバの前記第一加熱部と前記第二チャンバの前記第一加熱部とのうち、少なくともいずれかを制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
13. 前記チャンバが複数設けられ、
    前記非処理ガスは不活性ガスであり、
    前記制御部は、
    前記複数のうちの第一チャンバに前記基板がある状態で前記処理ガスを供給し、前記複数のうちの第二チャンバに前記基板が無い状態で前記非処理ガスを供給し、
    前記第一チャンバの前記第一排気管内の温度と前記第二チャンバの前記第一排気管内の温度との差を所定範囲内とするよう、前記第一チャンバの前記第一加熱部と前記第二チャンバの前記第一加熱部とのうち、少なくともいずれかを制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
14. 前記非処理ガスはクリーニングガスであり、
    前記制御部は、
    前記（ａ）における前記第一排気管内の温度が、前記（ｂ）における前記第一排気管内の温度よりも低くなるよう、前記第一加熱部を制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
15. 更に、前記第二排気管には第二排気制御部が設けられ、
    前記非処理ガスはクリーニングガスであり、
    前記制御部は、
    前記（ｂ）では、
    （ｂ－１）前記第一排気管のコンダクタンスが、前記第二排気管のコンダクタンスよりも低くなるよう、前記第一排気制御部と前記第二排気制御部とを制御し、
    （ｂ－２）前記第一排気管のコンダクタンスが、前記第二排気管のコンダクタンスよりも高くなるよう、前記第一排気制御部と前記第二排気制御部とを制御し、
    前記（ｂ－２）では、前記第一排気管内の温度が、前記（ａ）における前記第一排気管内の温度よりも高くなるよう、前記第一加熱部を制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
16. 更に、前記第二排気管に設けられた第二加熱部と、
    前記処理室内に設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、
    前記基板支持部に設けられた第三加熱部とを備え、
    前記非処理ガスはクリーニングガスであり、
    前記制御部は、
    前記（ｂ）では、前記第一排気管内の温度が前記第二排気管内の温度よりも高くなるよう前記第一加熱部と前記第二加熱部とのうち、少なくともいずれかを制御する
    請求項１に記載の基板処理装置。
17. 前記チャンバが複数設けられ、
    前記複数のそれぞれの前記第一排気制御部に設けられたバルブと、を備え、
    前記制御部は、
    前記複数のうちの第一チャンバに前記基板がある状態で前記処理ガスを供給し、前記複数のうちの第二チャンバに前記基板が無い状態で前記非処理ガスを供給し、
    前記第一チャンバの前記バルブの開度と、前記第二のチャンバの前記バルブの開度との差を、所定範囲内とするよう制御する
    請求項２に記載の基板処理装置。
18. （ａ）処理室に基板がある状態で、前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドに処理ガスを供給し、前記シャワーヘッドに接続された第一排気管に設けられた第一排気制御部が、前記第一排気管内を第一のコンダクタンスとした状態で、前記第一排気管に設けられた第一加熱部を稼働させ、
    （ｂ）前記処理室に前記基板が無い状態で、前記シャワーヘッドに非処理ガスを供給し、前記第一排気制御部が前記第一排気管内を前記第一のコンダクタンスよりも小さい第二のコンダクタンスとした状態で、前記第一排気管に設けられた第一加熱部を稼働させる
    基板処理方法。
19. 請求項１８に記載の基板処理方法によって半導体装置を製造する方法。
20. （ａ）処理室に基板がある状態で、前記処理室の上流に設けられたシャワーヘッドに処理ガスを供給し、前記シャワーヘッドに接続された第一排気管に設けられた第一排気制御部が、前記第一排気管内を第一のコンダクタンスとした状態で、前記第一排気管に設けられた第一加熱部を稼働させる手順と、
    （ｂ）前記処理室に前記基板が無い状態で、前記シャワーヘッドに非処理ガスを供給し、前記第一排気制御部が前記第一排気管内を前記第一のコンダクタンスよりも小さい第二のコンダクタンスとした状態で、前記第一排気管に設けられた第一加熱部を稼働させる手順とを、
    コンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。

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