JPS609127A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS609127A JPS609127A JP11731783A JP11731783A JPS609127A JP S609127 A JPS609127 A JP S609127A JP 11731783 A JP11731783 A JP 11731783A JP 11731783 A JP11731783 A JP 11731783A JP S609127 A JPS609127 A JP S609127A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- protrusion
- chamber
- plasma
- plasma processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明はプラズマ処理装置、詳しくはプラズマ処理装置
におけるＯリング保護のための構造をもった処理装置に
関する。
におけるＯリング保護のための構造をもった処理装置に
関する。
（２）技術の背景
半導体装置の製造においては、プラズマを発生させてエ
ツチング等を行うことが多い。そのためのプラズマ処理
装置は第１図の断面図に示される構成のものであり、同
図において、■はチャンバの壁、２はベース板、３は平
行平板の上電極、４は下電極、５はプラズマ処理例えば
エツチングされるりき試料、６は真空ポンプ（図示せず
）へ連結される排気口、７は反応ガス導入管を示し、導
入されたガスは排気口６から排出される。ガス導入管は
チャンバの壁１に設けてもよい。チャンバは中空円筒形
の構造のもので、その下方端部分は外方につば状にはり
出てシール部１ａを構成する。
ツチング等を行うことが多い。そのためのプラズマ処理
装置は第１図の断面図に示される構成のものであり、同
図において、■はチャンバの壁、２はベース板、３は平
行平板の上電極、４は下電極、５はプラズマ処理例えば
エツチングされるりき試料、６は真空ポンプ（図示せず
）へ連結される排気口、７は反応ガス導入管を示し、導
入されたガスは排気口６から排出される。ガス導入管は
チャンバの壁１に設けてもよい。チャンバは中空円筒形
の構造のもので、その下方端部分は外方につば状にはり
出てシール部１ａを構成する。
チャンバ内を真空に保つために、シール部１ａば第２図
の拡大断面図に示される構造をとり、ベース板に形成し
た０リング座２ａ内にシリコンゴムで作った０リング８
を配置し、また０リング８の外方ではシール部の円周方
向に６個〜８個等間隔に配置されたボルト９によってシ
ール部１ａがヘース以下２に対して固定される。ベース
板２とシール部１ａとの間の間隔は、シール部１ａがベ
ース板２に接してしめ付けられるとき２ｍｍ程度であり
、そのとき０リング８をおしつぶし、それによってチャ
ンバ内を真空に保つ。
の拡大断面図に示される構造をとり、ベース板に形成し
た０リング座２ａ内にシリコンゴムで作った０リング８
を配置し、また０リング８の外方ではシール部の円周方
向に６個〜８個等間隔に配置されたボルト９によってシ
ール部１ａがヘース以下２に対して固定される。ベース
板２とシール部１ａとの間の間隔は、シール部１ａがベ
ース板２に接してしめ付けられるとき２ｍｍ程度であり
、そのとき０リング８をおしつぶし、それによってチャ
ンバ内を真空に保つ。
（３）従来技術と問題点
シリコンウェハのエツチングをなす場合には、例えば（
Ｃｈ ＋ Ｈ２）の混合ガスを反応ガスとしてプラズマ
中で用い石が、この反応ガスとプラズマはウェハをエツ
チングするだけでなく、前記したシール部１ａとベース
板２との間の２ｍｍ程度の空隙内をまわり込み、０リン
グ８のシリコンを侵し、０リング８は第２図に砂地を付
して示す部分が消耗することが判明した。そのため、第
１図の装置においては、それを毎日使用するとして半月
に１度は０リングを新しいものに交換しなければならな
い。そのためには、ボルト９を取り外し、チャンバを持
ち上げた上でＯリングを交換し、チャンバをもと通りに
固定し真空ポンプによってチャンバを排気する。このこ
とはかなりの時間を要し、０リングの交換は作業性をか
なり損なう。
Ｃｈ ＋ Ｈ２）の混合ガスを反応ガスとしてプラズマ
中で用い石が、この反応ガスとプラズマはウェハをエツ
チングするだけでなく、前記したシール部１ａとベース
板２との間の２ｍｍ程度の空隙内をまわり込み、０リン
グ８のシリコンを侵し、０リング８は第２図に砂地を付
して示す部分が消耗することが判明した。そのため、第
１図の装置においては、それを毎日使用するとして半月
に１度は０リングを新しいものに交換しなければならな
い。そのためには、ボルト９を取り外し、チャンバを持
ち上げた上でＯリングを交換し、チャンバをもと通りに
固定し真空ポンプによってチャンバを排気する。このこ
とはかなりの時間を要し、０リングの交換は作業性をか
なり損なう。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、０リングを用いる気密
チャンバからなるプラズマ処理装置において、プラズマ
処理に用いる反応ガスとプラズマによる０リングの損傷
を軽減する構造を提供することを目的とする。
チャンバからなるプラズマ処理装置において、プラズマ
処理に用いる反応ガスとプラズマによる０リングの損傷
を軽減する構造を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、０リングによりチャ
ンバ内を気密に保つプラズマ処理装置にして、前記装置
のベース板のＯリングを収納する０リゾグ座の内方に環
状に突起を形成し、前記チャンバの壁の下方部分のシー
ル部には前記突起に対応して環状に溝を形成し、突起と
溝の形状およびその間の間隔は、反応ガスとプラズマが
０リングへまわり込むことを遮蔽する輪郭と幅のものと
したことを特徴とするプラズマ処理装置を提供すること
によって達成される。
ンバ内を気密に保つプラズマ処理装置にして、前記装置
のベース板のＯリングを収納する０リゾグ座の内方に環
状に突起を形成し、前記チャンバの壁の下方部分のシー
ル部には前記突起に対応して環状に溝を形成し、突起と
溝の形状およびその間の間隔は、反応ガスとプラズマが
０リングへまわり込むことを遮蔽する輪郭と幅のものと
したことを特徴とするプラズマ処理装置を提供すること
によって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
本発明実施例は第２図に類似の第３図に示す部分のみが
異なるものであり、その他の部分は第１図に示すものと
全く同一であるので、第３図において既に図示した部分
と同じ部分は同一゛符号を付して示す。
異なるものであり、その他の部分は第１図に示すものと
全く同一であるので、第３図において既に図示した部分
と同じ部分は同一゛符号を付して示す。
この実施例においては、０リングの内方に反応ガス遮蔽
部を設ける。この遮蔽部は、ベース板２に設けた０リン
グ座２ａの内方に環状に突起２ｂを、他方チャンバの壁
１のシール部１ａには、突起２ｂに対応して環状に溝１
ｂを、突起２ｂの表面と溝１ｂの面との間の間隔が１ｍ
ｍ以下程度に小に保たれ１、またチャンバ内部から０リ
ングへ至る工程が、真直ぐでなく迂回した輪郭のものと
なる如く形成することによって作られる。図示の例では
、突起２ｂは直方体状に、また溝１ｂはそれに対応して
断面形状が矩形に形成されているが、遮蔽部の構造はか
かる形状のものに限定されるものではなく、その他適当
な形状をとりうる。要は、突起２ｂの表面と溝１ａの面
とによって構成される空間の間隔と輪郭が、反応ガスと
プラズマのまわり込みを遮蔽する程度に狭くかつ迂回し
た構成とすることである。
部を設ける。この遮蔽部は、ベース板２に設けた０リン
グ座２ａの内方に環状に突起２ｂを、他方チャンバの壁
１のシール部１ａには、突起２ｂに対応して環状に溝１
ｂを、突起２ｂの表面と溝１ｂの面との間の間隔が１ｍ
ｍ以下程度に小に保たれ１、またチャンバ内部から０リ
ングへ至る工程が、真直ぐでなく迂回した輪郭のものと
なる如く形成することによって作られる。図示の例では
、突起２ｂは直方体状に、また溝１ｂはそれに対応して
断面形状が矩形に形成されているが、遮蔽部の構造はか
かる形状のものに限定されるものではなく、その他適当
な形状をとりうる。要は、突起２ｂの表面と溝１ａの面
とによって構成される空間の間隔と輪郭が、反応ガスと
プラズマのまわり込みを遮蔽する程度に狭くかつ迂回し
た構成とすることである。
本願発明者の実験によると、第１図の装置において、前
記した如くそれを毎日使用するとして０リングは半月に
１度は交換しなければならなかったものが、本発明実施
例においては、同じ使用条件で２〜３力月に１度交換す
ればよいことが確認された。
記した如くそれを毎日使用するとして０リングは半月に
１度は交換しなければならなかったものが、本発明実施
例においては、同じ使用条件で２〜３力月に１度交換す
ればよいことが確認された。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明によれば、プラズマ処
理装置において０リングの寿命が従来の装置の場合に比
べ 倍程度に長くなり、そのことは、０リングの長寿命
化だけでなく作業性の向上にも効果大である。
理装置において０リングの寿命が従来の装置の場合に比
べ 倍程度に長くなり、そのことは、０リングの長寿命
化だけでなく作業性の向上にも効果大である。
第１図は従来のプラズマ処理装置の断面図、第２図は第
１図の装置のＯＬ）ング配置部分の断面図、第３図は本
発明実施例の第２図に類似の断面図である。 １・・・チャンバ、ｌａ−チャンバのシール部、１ｂ−
・−チャンバの環ｔｏ）溝、２−ベース板、２ａ−−−
０リング座、２ｂ−突起、３−上電極、４−下電極、５
−試料、６−排気口、 ７−ガス導入管、８−０リング
１図の装置のＯＬ）ング配置部分の断面図、第３図は本
発明実施例の第２図に類似の断面図である。 １・・・チャンバ、ｌａ−チャンバのシール部、１ｂ−
・−チャンバの環ｔｏ）溝、２−ベース板、２ａ−−−
０リング座、２ｂ−突起、３−上電極、４−下電極、５
−試料、６−排気口、 ７−ガス導入管、８−０リング
Claims (1)
- ０リングによりチャンバ内を気密に保つプラズマ処理装
置にして、前記装置のベース板の０リングを収納する０
リング座の内方に環状に突起を形成し、前記チャンバの
壁の下方部分のシール部には前記突起に対応して環状に
溝を形成し、突起と溝の形状およびその間の間隔は、反
応ガスとプラズマが０リングへまわり込むことを遮蔽す
る輪郭と幅のものとしたことを特徴とするプラズマ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11731783A JPS609127A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11731783A JPS609127A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609127A true JPS609127A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=14708756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11731783A Pending JPS609127A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007308750A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2008156031A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置 |
| JP2010156456A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-07-15 | Nok Corp | 配水管継手の密封構造 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11731783A patent/JPS609127A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007308750A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2008156031A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置 |
| JP2010156456A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-07-15 | Nok Corp | 配水管継手の密封構造 |
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