JP3075254B2 - ランプアニール装置 - Google Patents
ランプアニール装置Info
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- JP3075254B2 JP3075254B2 JP10090333A JP9033398A JP3075254B2 JP 3075254 B2 JP3075254 B2 JP 3075254B2 JP 10090333 A JP10090333 A JP 10090333A JP 9033398 A JP9033398 A JP 9033398A JP 3075254 B2 JP3075254 B2 JP 3075254B2
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- wafer
- chamber
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- annealing apparatus
- lamp
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 87
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
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- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程で使用するランプアニール装置に関し、特にランプア
ニール装置を用いてウエハに熱処理を施す際の温度制御
に関するものである。
程で使用するランプアニール装置に関し、特にランプア
ニール装置を用いてウエハに熱処理を施す際の温度制御
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のランプアニール装置について、図
面を用いて説明する。従来のランプアニール装置は、図
２の斜視図に示すように、ウエハ４を装填しアニール処
理を行うための石英製のチャンバー１と、チャンバー１
の上部に設置され赤外線を発生するランプ２と、チャン
バー１の下側に設置されウエハの加熱温度を測定するパ
イロメータ３と、ウエハ４を載置する保持体５とから構
成されている。
面を用いて説明する。従来のランプアニール装置は、図
２の斜視図に示すように、ウエハ４を装填しアニール処
理を行うための石英製のチャンバー１と、チャンバー１
の上部に設置され赤外線を発生するランプ２と、チャン
バー１の下側に設置されウエハの加熱温度を測定するパ
イロメータ３と、ウエハ４を載置する保持体５とから構
成されている。
【０００３】この従来のランプアニール装置は、ウエハ
を１枚ずつ処理する枚葉式であり、アニール処理を行う
ためにまずチャンバー内にウエハを装填し、次いでラン
プに電圧を印加し、赤外線を発生させる。発生した赤外
線はチャンバー上面壁を透過してウエハに照射される。
赤外線が照射されたウエハは加熱され、加熱されたウエ
ハから放出された光はチャンバー下面壁を透過し、この
透過光をパイロメータで測定して温度表示に変換する。
そして、この加熱処理をウエハ１枚ずつ繰り返して行う
ようになっている。
を１枚ずつ処理する枚葉式であり、アニール処理を行う
ためにまずチャンバー内にウエハを装填し、次いでラン
プに電圧を印加し、赤外線を発生させる。発生した赤外
線はチャンバー上面壁を透過してウエハに照射される。
赤外線が照射されたウエハは加熱され、加熱されたウエ
ハから放出された光はチャンバー下面壁を透過し、この
透過光をパイロメータで測定して温度表示に変換する。
そして、この加熱処理をウエハ１枚ずつ繰り返して行う
ようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図２で示した従来のラ
ンプアニール装置は、製品であるウエハを熱処理する際
に、ウエハの内部あるいはウエハ上に形成された薄膜等
から不純物の放出（以下アウトディフュージョンと称す
る）が発生し、この熱処理を繰り返し行っているうちに
アウトディフュージョンによってチャンバー内壁が徐々
に汚染され、パイロメータの真上のチャンバー裏面でウ
エハからの光が反射してしまい、その結果、チャンバー
壁を透過してパイロメータに到達する光の量が変化し、
それに連れてアニール温度が変動するという問題があっ
た。
ンプアニール装置は、製品であるウエハを熱処理する際
に、ウエハの内部あるいはウエハ上に形成された薄膜等
から不純物の放出（以下アウトディフュージョンと称す
る）が発生し、この熱処理を繰り返し行っているうちに
アウトディフュージョンによってチャンバー内壁が徐々
に汚染され、パイロメータの真上のチャンバー裏面でウ
エハからの光が反射してしまい、その結果、チャンバー
壁を透過してパイロメータに到達する光の量が変化し、
それに連れてアニール温度が変動するという問題があっ
た。
【０００５】このアニール温度の変動のばらつきを制御
する方法として、特開平２−１３２８２４号公報に示さ
れているように、シリコンの被処理ウエハと同一の昇
温、降温特性を持ったモニタウエハを被処理ウエハの近
傍に設置し、このモニタウエハを放射温度計で監視して
温度制御を行うようにしたランプアニール装置が提案さ
れている。
する方法として、特開平２−１３２８２４号公報に示さ
れているように、シリコンの被処理ウエハと同一の昇
温、降温特性を持ったモニタウエハを被処理ウエハの近
傍に設置し、このモニタウエハを放射温度計で監視して
温度制御を行うようにしたランプアニール装置が提案さ
れている。
【０００６】しかし、この公知例に示された方法では、
モニタウエハを被処理ウエハと一緒に同一のチャンバー
内にセットする方法であるため、チャンバー内の汚染に
よる温度変化に対しては再現性のある熱処理が行えない
という問題がある。本発明は、上記問題点を解決するた
めになされたもので、ランプアニール装置の温度再現性
を向上させ、製品ウエハの特性安定かを図ることを目的
としている。
モニタウエハを被処理ウエハと一緒に同一のチャンバー
内にセットする方法であるため、チャンバー内の汚染に
よる温度変化に対しては再現性のある熱処理が行えない
という問題がある。本発明は、上記問題点を解決するた
めになされたもので、ランプアニール装置の温度再現性
を向上させ、製品ウエハの特性安定かを図ることを目的
としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のランプアニール
装置は、チャンバー内に熱処理を行う製品ウエハを装填
し、ランプ加熱により熱処理を行い、パイロメータで前
記ウエハの温度を測定する枚葉式のランプアニール装置
において、前記製品ウエハを熱処理するチャンバーに隣
接して、ダミーウエハのみを装填する付属チャンバーを
設けたことを特徴とするランプアニール装置であって、
前記製品ウエハを熱処理するチャンバーおよび付属チャ
ンバーには、装填したウエハ温度を別々に測定するパイ
ロメータがそれぞれ設けられており、また、前記製品ウ
エハを熱処理するチャンバーと付属チャンバーとは、同
じランプを用いて同時に加熱されるようになっており、
また、前記ダミーウエハは、アウトディフュージョンの
発生しないシリコンウエハを用いるようになっており、
また、前記製品ウエハを熱処理するチャンバーに定期的
にダミーウエハを装填し、それと同時に付属チャンバー
にもダミーウエハを装填し、双方のダミーウエハの温度
をそれぞれ測定するようになっており、また、前記製品
ウエハを熱処理するチャンバーの温度が、前記付属チャ
ンバーの測定温度になるようにランプ光量を補正するよ
うにしたランプアニール装置である。
装置は、チャンバー内に熱処理を行う製品ウエハを装填
し、ランプ加熱により熱処理を行い、パイロメータで前
記ウエハの温度を測定する枚葉式のランプアニール装置
において、前記製品ウエハを熱処理するチャンバーに隣
接して、ダミーウエハのみを装填する付属チャンバーを
設けたことを特徴とするランプアニール装置であって、
前記製品ウエハを熱処理するチャンバーおよび付属チャ
ンバーには、装填したウエハ温度を別々に測定するパイ
ロメータがそれぞれ設けられており、また、前記製品ウ
エハを熱処理するチャンバーと付属チャンバーとは、同
じランプを用いて同時に加熱されるようになっており、
また、前記ダミーウエハは、アウトディフュージョンの
発生しないシリコンウエハを用いるようになっており、
また、前記製品ウエハを熱処理するチャンバーに定期的
にダミーウエハを装填し、それと同時に付属チャンバー
にもダミーウエハを装填し、双方のダミーウエハの温度
をそれぞれ測定するようになっており、また、前記製品
ウエハを熱処理するチャンバーの温度が、前記付属チャ
ンバーの測定温度になるようにランプ光量を補正するよ
うにしたランプアニール装置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。図１は、本発明のランプアニ
ール装置の一実施の形態を示す斜視図である。図１に示
すように、本発明のランプアニール装置は、ヒーターで
あるランプ８の下に、製品ウエハ（薄膜等が形成されて
いるウエハ）処理用のチャンバー６とは別に設置された
もう一つの付属チャンバー７を有している。このチャン
バー６と付属チャンバー７とは、仕切り１３を介して隣
接して設けられている。
て図面を用いて説明する。図１は、本発明のランプアニ
ール装置の一実施の形態を示す斜視図である。図１に示
すように、本発明のランプアニール装置は、ヒーターで
あるランプ８の下に、製品ウエハ（薄膜等が形成されて
いるウエハ）処理用のチャンバー６とは別に設置された
もう一つの付属チャンバー７を有している。このチャン
バー６と付属チャンバー７とは、仕切り１３を介して隣
接して設けられている。
【０００９】チャンバー６及び７、仕切り１３、ウエハ
を載置する保持体１４及び１５はそれぞれ石英で構成さ
れ、アニール処理を行う時にはチャンバー内に窒素ガス
を流し、約１０００℃の温度にウエハをランプ加熱す
る。そして、チャンバー６に製品ウエハを枚葉で装填
し、順次アニール処理を行う。一定期間経過後、製品ウ
エハに代わってダミーウエハ１１を装填し、同時に付属
チャンバー７にもダミーウエハ１２を装填し、両チャン
バーを同時にランプ８で加熱し、パイロメータ９及び１
０で両チャンバーからの温度差を測定してアニール温度
の補正を行う。なお、ダミーウエハ１２は、温度補正を
行う時に、その都度チャンバー７に装填するものとす
る。
を載置する保持体１４及び１５はそれぞれ石英で構成さ
れ、アニール処理を行う時にはチャンバー内に窒素ガス
を流し、約１０００℃の温度にウエハをランプ加熱す
る。そして、チャンバー６に製品ウエハを枚葉で装填
し、順次アニール処理を行う。一定期間経過後、製品ウ
エハに代わってダミーウエハ１１を装填し、同時に付属
チャンバー７にもダミーウエハ１２を装填し、両チャン
バーを同時にランプ８で加熱し、パイロメータ９及び１
０で両チャンバーからの温度差を測定してアニール温度
の補正を行う。なお、ダミーウエハ１２は、温度補正を
行う時に、その都度チャンバー７に装填するものとす
る。
【００１０】温度補正を行う際には、この付属チャンバ
ー７に薄膜等が形成されていないシリコンのダミーウエ
ハ１２を装填して保持体１５上に設置し、同時にチャン
バー６にも同様のダミーウエハ１１を装填して保持体１
４上に設置する。ダミーウエハ１２は製品ウエハではな
いためアウトディフュージョンは発生しない。この付属
のチャンバー７におけるダミーウエハ１２の温度をパイ
ロメータ１０で測定し、同時にチャンバー６のダミーウ
エハ１１の温度をパイロメータ９で測定する。
ー７に薄膜等が形成されていないシリコンのダミーウエ
ハ１２を装填して保持体１５上に設置し、同時にチャン
バー６にも同様のダミーウエハ１１を装填して保持体１
４上に設置する。ダミーウエハ１２は製品ウエハではな
いためアウトディフュージョンは発生しない。この付属
のチャンバー７におけるダミーウエハ１２の温度をパイ
ロメータ１０で測定し、同時にチャンバー６のダミーウ
エハ１１の温度をパイロメータ９で測定する。
【００１１】このパイロメータ１０とパイロメータ９と
の温度差が、チャンバー６の汚染によって生じたことに
なる。このようにして測定した温度によって、製品ウエ
ハ処理用のチャンバー６内のダミーウエハ１１の温度を
補正し、製品ウエハの処理温度の再現性を改善するもの
である。
の温度差が、チャンバー６の汚染によって生じたことに
なる。このようにして測定した温度によって、製品ウエ
ハ処理用のチャンバー６内のダミーウエハ１１の温度を
補正し、製品ウエハの処理温度の再現性を改善するもの
である。
【００１２】本実施の形態においては、例えば温度補正
を行う期間を１ヶ月ごと、あるいは処理するウエハ枚数
を１０００枚ごとというように定期的に期間を定め、、
製品ウエハを処理するチャンバー６にダミーウエハ１１
を設置し、その際、同時に付属チャンバー７にもダミー
ウエハ１２を設置し、ランプ８によりダミーウエハ１
１，１２の加熱を行う。この際、チャンバー６はアウト
ディフュージョンにより汚染された状態になっており、
一方、付属チャンバー７はシリコンウエハを設置するだ
けなので汚染されていない。この汚染の違いがパイロメ
ータ９，１０の温度差となって測定される。
を行う期間を１ヶ月ごと、あるいは処理するウエハ枚数
を１０００枚ごとというように定期的に期間を定め、、
製品ウエハを処理するチャンバー６にダミーウエハ１１
を設置し、その際、同時に付属チャンバー７にもダミー
ウエハ１２を設置し、ランプ８によりダミーウエハ１
１，１２の加熱を行う。この際、チャンバー６はアウト
ディフュージョンにより汚染された状態になっており、
一方、付属チャンバー７はシリコンウエハを設置するだ
けなので汚染されていない。この汚染の違いがパイロメ
ータ９，１０の温度差となって測定される。
【００１３】そして、パイロメータ９によりダミーウエ
ハ１１の温度測定を行い、それと同時に付属チャンバー
７に設置されているダミーウエハ１１と同様のシリコン
ウエハであるダミーウエハ１２の温度をパイロメータ１
０で測定し、製品ウエハを処理するチャンバー６の温度
を付属チャンバー７と同じ温度になるように温度補正す
る。この操作を定期的に行うことにより、製品ウエハか
らのアウトディフュージョンの影響によるチャンバーの
汚染によって生ずる温度ずれを防止することができる。
ハ１１の温度測定を行い、それと同時に付属チャンバー
７に設置されているダミーウエハ１１と同様のシリコン
ウエハであるダミーウエハ１２の温度をパイロメータ１
０で測定し、製品ウエハを処理するチャンバー６の温度
を付属チャンバー７と同じ温度になるように温度補正す
る。この操作を定期的に行うことにより、製品ウエハか
らのアウトディフュージョンの影響によるチャンバーの
汚染によって生ずる温度ずれを防止することができる。
【００１４】次に、本発明の一実施の形態の動作につい
て説明する。図１に示す本発明のランプアニール装置
は、定期的にダミーウエハ１１をチャンバー６に装填
し、その温度をパイロメータ９で測定し、同時に同じラ
ンプ８で加熱したダミーウエハ１１と同様のダミーウエ
ハ１２の温度をパイロメータ１０で測定する。その時、
パイロメータ９で測定した温度をパイロメータ１０で測
定した温度と同じになるようにチャンバー６の温度補正
を行う。この補正はランプ８の電圧を調整することによ
りランプ光量を変化させて行う。その結果、次に製品ウ
エハをアニール処理する時には、補正した温度、つまり
チャンバー６に汚染が無い状態の時の温度の処理が常に
可能になる。これにより、チャンバーの汚染に影響され
ない安定したアニール処理が可能になる。
て説明する。図１に示す本発明のランプアニール装置
は、定期的にダミーウエハ１１をチャンバー６に装填
し、その温度をパイロメータ９で測定し、同時に同じラ
ンプ８で加熱したダミーウエハ１１と同様のダミーウエ
ハ１２の温度をパイロメータ１０で測定する。その時、
パイロメータ９で測定した温度をパイロメータ１０で測
定した温度と同じになるようにチャンバー６の温度補正
を行う。この補正はランプ８の電圧を調整することによ
りランプ光量を変化させて行う。その結果、次に製品ウ
エハをアニール処理する時には、補正した温度、つまり
チャンバー６に汚染が無い状態の時の温度の処理が常に
可能になる。これにより、チャンバーの汚染に影響され
ない安定したアニール処理が可能になる。
【００１５】
【発明の効果】本発明のランプアニール装置によれば、
ウエハのアニール処理温度の再現性を向上させ、製品ウ
エハの特性安定化を図ることができる。その理由は、定
期的に製品ウエハからのアウトディフュージョンの影響
が無いチャンバーで測定した温度と同じになるように、
製品ウエハ処理の温度を補正しているため、チャンバー
に汚染が無い状態の時と同じ温度のアニール処理を常に
可能にしているからである。これにより、チャンバーの
汚れに影響されない安定したアニール処理を行うことが
できる。
ウエハのアニール処理温度の再現性を向上させ、製品ウ
エハの特性安定化を図ることができる。その理由は、定
期的に製品ウエハからのアウトディフュージョンの影響
が無いチャンバーで測定した温度と同じになるように、
製品ウエハ処理の温度を補正しているため、チャンバー
に汚染が無い状態の時と同じ温度のアニール処理を常に
可能にしているからである。これにより、チャンバーの
汚れに影響されない安定したアニール処理を行うことが
できる。
【図１】本発明のランプアニール装置の一実施の形態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】従来のランプアニール装置を示す斜視図であ
る。
る。
１、６ チャンバー ２、８ ランプ ３、９，１０ パイロメータ ４ ウエハ ５、１４，１５ 保持体 ７ 付属チャンバー １１，１２ ダミーウエハ １３ 仕切り
Claims (6)
- 【請求項１】 チャンバー内に熱処理を行う製品ウエハ
を装填し、ランプ加熱により熱処理を行い、パイロメー
タで前記ウエハの温度を測定する枚葉式のランプアニー
ル装置において、前記製品ウエハを熱処理するチャンバ
ーに隣接して、ダミーウエハのみを装填する付属チャン
バーを設けたことを特徴とするランプアニール装置。 - 【請求項２】 前記製品ウエハを熱処理するチャンバー
および付属チャンバーには、装填したウエハ温度を別々
に測定するパイロメータがそれぞれ設けられていること
を特徴とする請求項１記載のランプアニール装置。 - 【請求項３】 前記製品ウエハを熱処理するチャンバー
と付属チャンバーとは、同じランプを用いて同時に加熱
されることを特徴とする請求項１記載のランプアニール
装置。 - 【請求項４】 前記ダミーウエハは、アウトディフュー
ジョンの発生しないシリコンウエハを用いることを特徴
とする請求項１記載のランプアニール装置。 - 【請求項５】 前記製品ウエハを熱処理するチャンバー
に定期的にダミーウエハを装填し、それと同時に付属チ
ャンバーにもダミーウエハを装填し、双方のダミーウエ
ハの温度をそれぞれ測定することを特徴とする請求項１
記載のランプアニール装置。 - 【請求項６】 前記製品ウエハを熱処理するチャンバー
の温度が、前記付属チャンバーの測定温度になるように
ランプ光量を補正することを特徴とする請求項５記載の
ランプアニール装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10090333A JP3075254B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | ランプアニール装置 |
| TW088104301A TW409320B (en) | 1998-04-02 | 1999-03-18 | Lamp annealer and method for annealing semiconductor wafer |
| US09/281,113 US6121580A (en) | 1998-04-02 | 1999-03-29 | Lamp annealer and method for annealing semiconductor wafer |
| CN99103262A CN1230770A (zh) | 1998-04-02 | 1999-03-29 | 半导体晶片退火用的灯管退火炉及方法 |
| KR1019990011460A KR19990082844A (ko) | 1998-04-02 | 1999-04-01 | 반도체웨이퍼를 어닐링하기 위한 램프어닐링장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10090333A JP3075254B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | ランプアニール装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288894A JPH11288894A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3075254B2 true JP3075254B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=13995602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10090333A Expired - Lifetime JP3075254B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | ランプアニール装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6121580A (ja) |
| JP (1) | JP3075254B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990082844A (ja) |
| CN (1) | CN1230770A (ja) |
| TW (1) | TW409320B (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010824A (ko) * | 2001-07-27 | 2003-02-06 | 삼성전자주식회사 | 온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비 |
| JP4029613B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2008-01-09 | ウシオ電機株式会社 | 閃光放射装置および光加熱装置 |
| US7734439B2 (en) * | 2002-06-24 | 2010-06-08 | Mattson Technology, Inc. | System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers |
| US6720531B1 (en) * | 2002-12-11 | 2004-04-13 | Asm America, Inc. | Light scattering process chamber walls |
| CN101452818B (zh) * | 2007-11-30 | 2010-04-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种可提高电极烧结机台烧结温度测量精准度的测量方法 |
| US7976216B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-07-12 | Mattson Technology, Inc. | Determining the temperature of silicon at high temperatures |
| US8575521B2 (en) * | 2008-04-01 | 2013-11-05 | Mattson Technology, Inc. | Monitoring witness structures for temperature control in RTP systems |
| CN103594392B (zh) * | 2012-08-17 | 2016-07-06 | 北大方正集团有限公司 | 一种晶片快速热处理机台 |
| CN107255571A (zh) * | 2017-06-25 | 2017-10-17 | 苏州金钜松机电有限公司 | 一种激光退火机的状态监控方法 |
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| JPH08288263A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Ricoh Co Ltd | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
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