KR20030010824A - 온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비 - Google Patents

온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR20030010824A
KR20030010824A KR1020010045400A KR20010045400A KR20030010824A KR 20030010824 A KR20030010824 A KR 20030010824A KR 1020010045400 A KR1020010045400 A KR 1020010045400A KR 20010045400 A KR20010045400 A KR 20010045400A KR 20030010824 A KR20030010824 A KR 20030010824A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
susceptor
baking
heating means
chambers
Prior art date
Application number
KR1020010045400A
Other languages
English (en)
Inventor
신언명
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010045400A priority Critical patent/KR20030010824A/ko
Publication of KR20030010824A publication Critical patent/KR20030010824A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비를 제공한다. 이 베이크 설비는, 온도 보정 시스템 및 복수개의 베이크실들을 갖는다. 온도 보정 시스템은 베이크실들 각각의 온도를 입력받아 분석하여 적정온도의 보정명령을 상기 베이크실들 각각에 제공하고, 온도 보정 시스템의 보정명령에 따라 베이크실들 각각의 온도를 보정한다. 베이크실들 각각은 서셉터를 구비한다. 서셉터의 내부에 서셉터의 상부 전면에 고르게 열을 발생시키기 위한 주 발열수단이 배치된다. 주 발열수단이 배치된 서셉터 내부의 전면에 열감지 센서가 고르게 분포한다. 서셉터의 내부 또는 하부에 복수개의 보조 발열수단이 고르게 분포되어 있다. 또한, 각각의 베이크실에 온도 제어수단이 구비되어 열감지 센서에서 측정된 온도를 입력받아 분석하여 온도가 낮은 영역의 보조 발열수단에 작동명령을 제공한다. 그 결과, 미세한 온도편차를 보정하여 서셉터 상부의 전면에서 동일한 온도의 복사열을 발생시킬 수 있다.

Description

온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비{BAKE EQUIPMENT HAVING A TEMPERATURE COMPENSATION SYSTEM}
본 발명은 반도체 장치의 제조에 사용되는 베이크 설비에 관한 것으로서, 더 구체적으로 온도 보정 시스템(TCS;Temperature Compensation System)을 갖는 베이크 설비에 관한 것이다.
반도체 제조공정에서 웨이퍼 상에 형성된 포토레지스트 또는 포토레지스트 패턴을 고형화시키는 베이크 설비는 통상적으로 복수개의 베이크실을 구비하고 있다.
도 1은 종래의 베이크 설비를 설명하기 위한 개념도이다.
도시된 것과 같이 종래의 베이크 설비는 복수개의 베이크실들(100)을 구비하고 있다. 상기 베이크실들(100) 각각에 웨이퍼가 배치되어 특정온도에서 웨이퍼를 열처리한다. 상기 베이크실들(100) 각각은 온도제어장치에 의해 특정온도로 조절된다. 복수개의 웨이퍼가 하나의 그룹으로 묶여 베이크 공정을 진행한다. 즉, 상기 베이크실들(100) 각각에 웨이퍼를 배치하여 동일한 온도에서 상기 각각의 베이크실(100)에 배치된 웨이퍼를 열처리한다. 상기 베이크실(100)에 온도를 설정하더라도 설정된 온도와 달리 상기 베이크실들(100)은 온도편차를 갖는다. 이에 따라, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들은 각각의 웨이퍼 별로 편차를 갖게되어 동일한 공정으로 제조된 반도체 장치들의 특성이 균일하지 못하는 문제가 있다.
도 2는 종래의 베이크 설비에 구비된 서셉터를 설명하기 위한 단면도이다.
베이크 설비에 구비된 각각의 베이크실 내부에 웨이퍼가 배치되는 서셉터(110)가 설치되어 있다. 상기 서셉터(110)는 통상적으로 원판형 구조를 갖는다. 상기 서셉터(110)의 내부에 주 발열수단(114)이 분포되어 있다. 상기 주 발열수단(114)은 상기 서셉터(110) 내부에 고르게 분포되어 상기 서셉터(110) 상부 전면에 고르게 열을 발생시킨다. 상기 서셉터의 상부면의 가장자리에 웨이퍼 지지팁(124)이 돌출되어 있다. 웨이퍼(108)는 상기 웨이퍼 지지팁(124)에 의해 상기 서셉터(110)의 상부면과 일정간격 이격되어 배치된다. 상기 주 발열수단(114)에 의해 상기 서셉터가 가열되면 배치된 웨이퍼(108)에 복사열이 전달되어 열처리가 이루어진다. 상기 서셉터(110) 내부에 상기 주 발열수단(114)이 균일하게 분포되어 있지만 상기 서셉터(110)의 지역별로 미세한 온도편차가 존재한다. 통상적으로 상기 서셉터는 0.5도 내지 0.8도 정도의 온도편차를 가지고, 베이크 공정온도가 높아질 수록 온도편차가 더욱 크진다.
본 발명의 목적은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 베이크 설비에 구비된 복수개의 베이크실의 온도를 제어하여 모든 베이크실의 온도를 동일하게 유지할 수 있는 베이크 설비를 제공하는데 있다. 또한, 베이크 설비의 서셉터의 전면을 고르게 가열할 수 있는 베이크 설비를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 베이크 설비를 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 종래의 베이크실 내에 설치된 서셉터를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 설비를 설명하기 위한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크실 내에 설치된 서셉터를 설명하기 위한 단면도이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
200, 200: 베이크실102: 온도제어장치
108, 208: 웨이퍼110, 210: 서셉터
114, 214: 주 발열수단124, 224: 웨이퍼 지지팁
202: 주 온도 보정 시스템212: 온도감지 센서
216: 보조 발열수단220: 보조 온도 보정 시스템
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은, 온도 보정 시스템을 포함하는 베이크 설비를 제공한다. 이 베이크 설비는, 온도 보정 시스템 및 복수개의 베이크실들을 갖는다. 상기 온도 보정 시스템은 상기 베이크실들 각각의 온도를 입력받아 분석하여 적정온도의 보정명령을 상기 베이크실들 각각에 제공하고, 상기 온도 보정 시스템의 보정명령에 따라 상기 베이크실들 각각의 온도를 보정한다. 상기 베이크실들 각각은 서셉터를 구비한다. 상기 서셉터의 내부에 서셉터의 상부 전면에 고르게 열을 발생시키기 위한 주 발열수단이 배치된다. 상기 주 발열수단이 배치된 서셉터 내부의 전면에 열감지 센서가 고르게 분포한다. 상기 서셉터의 내부 또는 하부에 복수개의 보조 발열수단이 고르게 분포되어 있다. 또한, 상기 각각의 베이크실에 온도 제어수단이 구비되어 상기 열감지 센서에서 측정된 온도를 입력받아 분석하여 온도가 낮은 영역의 상기 보조 발열수단에 작동명령을 제공한다. 그 결과, 미세한 온도편차를 보정하여 상기 서셉터 상부의 전면에서 동일한 온도의 복사열을 발생시킬 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 설비를 설명하기 위한 개념도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 베이크 설비는 복수개의 베이크실(200) 및 상기 베이크실들(200)을 적절한 온도로 제어하는 온도 보정 시스템(202)을 구비한다. 상기 온도 보정 시스템(202)은 각각의 상기 베이크실(200)로 부터 온도를 제공받는다. 상기 베이크실들(200) 각각의 온도는 입력라인(204)을 통하여 상기 온도 보정 시스템(202)으로 입력된다. 상기 온도 보정 시스템(202)은 마이크로 프로세스를 이용하여 상기 베이크실들(200) 각각의 온도를 입력받아 비교 분석한다. 상기 온도 보정 시스템(202)은 각각의 베이크실(200)의 온도를 분석하여 출력라인(206)을 통하여 각각의 베이크실(200)에 보정명령을 내린다. 베이크 공정이 진행되는 동안 상술한 일련의 과정을 주기적으로 또는 계속적으로 실시하여 베이크 설비에 구비된 복수개의 베이크실들(200)의 온도를 동일하게 유지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 설비의 서셉터를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 도 3에서 설명된 상기 베이크실들(200)은 각각 그 내부에 웨이퍼가 배치되는 서셉터(210) 및 상기 서셉터(210)의 온도를 제어하기 위한 로컬 온도 보정 시스템(220)을 구비한다. 상기 서셉터(210)는 일반적으로 원판형 구조를 갖는다. 상기 서셉터(210) 내부에 상기 서셉터(210) 상부면을 가열하기 위한 주 발열수단(214)이 배치된다. 상기 주 발열수단(214)은 상기 서셉터(210) 내부에 존재하고, 동일 평면상에서 상기 서셉터(210)내부의 전면에 고르게 분포된 열선인 것이 바람직하다. 상기 주 발열수단(214)의 하부에 복수개의 보조 발열수단(216)이 동일 평면상에 고르게 배치된다. 상기 보조 발열수단(216)은 상기 서셉터(210) 상부면의 온도를 0.1℃ 내지 1℃정도 올릴 수 있는 열원이면 충분하다. 즉, 상기 주 발열수단(214)에 의한 상기 서셉터(210) 상부의 영역별 온도 편차를 줄일 수 있는 열원으로써, 예컨대, 자외선 램프 또는 적외선 램프인 것이 바람직하다. 상기 주 발열 수단()의 상부에 복수개의 온조 감지 센서(212)가 상기 서셉터(210)의 전면에 배치된다. 상기 온도 감지 센서(212)는 상기 서셉터(210)의 상부면의 온도를 가능한한 정확히 측정할 수 있도록 상기 서셉터(210)의 상부면에 인접하여 배치하는 것이 바람직하다. 상기 각각의 온도 감지 센서(212)에서 측정된 온도는 신호입력라인(218)을 통하여 상기 로컬 온도 보정 시스템(220)에 입력된다. 상기 로컬 온도 보정시스템(220)은 입력된 온도를 비교 분석하여 신호출력라인(222)을 통하여 상기 보조 발열수단(216)에 작동명령을 내린다. 즉, 상기 온도 감지 센서(212)에 의해 주변보다 온도가 낮은 영역의 상기 보조 발열수단(216)을 작동시켜 상기 서셉터(210)의 온도 편차를 최소화시킨다.
상기 서셉터(210) 상부면의 소정 영역에 웨이퍼 지지팁(224)이 존재한다. 베이크 공정이 진행되는 동안 웨이퍼(208)는 상기 웨이퍼 지지팁(224)에 의해 상기 서셉터(210)의 상부면과 일정 간격을 두고 배치된다. 상기 주 발열수단(214)에 의해 상기 서셉터(210)가 가열되어 상기 서셉터(210)의 상부면으로 부터 복사열이 상기 웨이퍼(208)에 전달된다. 이 때, 상기 복수개의 온도 감지 센서(212)에서 측정된 온도들은 상기 신호입력라인(218)을 통하여 상기 로컬 온도 보정 시스템(220)으로 전달된다. 상기 로컬 온도 보정 시스템(220)은 상기 서셉터(210) 전면의 온도분포를 분석한다. 일반적으로 상기 주 발열수단(214)에 의해 가열된 상기 서셉터(210) 상부면의 온도편차는 0.5℃ 내지 0.8℃ 정도이다. 상기 로컬 온도 보정 시스템(220)은 상기 보조 발열수단(216)을 선택적으로 작동시켜 상기 서셉터(210)의 전면에서 온도 편차를 최소화시킨다. 상술한 일련의 과정을 공정이 진행되는 동안 계속적으로 또는 주기적으로 반복하여 웨이퍼 상의 전면에 고르게 열을 전달하여 균일한 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 베이크 설비에 구비된 복수개의 베이크실의 온도편차를 최소화 시킬 수 있다. 또한, 각각의 베이크실 내에서 웨이퍼가 배치되는 서셉터의 영역별 온도편차를 최소화 시킬 수 있다. 이에 따라, 서로 다른 베이크실에서 베이크 공정이 진행된 웨이퍼들은 동일한 온도조건에서 베이크 공정이 진행될 수 있고, 각각의 웨이퍼들 전면을 고르게 열처리할 수 있다.

Claims (4)

  1. 온도 보정 시스템 및 복수개의 베이크실들을 갖춘 베이크 설비에 있어서,
    상기 온도 보정 시스템은 상기 베이크실들 각각의 온도를 입력받아 분석하여 적정온도의 보정명령을 상기 베이크실들 각각에 제공하고, 상기 온도 보정 시스템의 보정명령에 따라 상기 베이크실들 각각의 온도를 보정하는 것을 특징으로 하는 베이크 설비.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 베이크실들 각각은 온도 제어수단 및 웨이퍼가 놓이는 서셉터를 포함하되, 상기 서셉터는 서셉터의 상부 전면에 고르게 열을 발생시키기 위한 주 발열수단;
    상기 주 발열수단이 배치된 서셉터 내부의 전면에 고르게 분포된 열감지 센서;및
    상기 서셉터의 내부 또는 하부의 전면에 고르게 분포된 복수개의 보조 발열수단들을 포함하되, 상기 온도제어수단은 상기 열감지 센서로부터 입력받은 온도를 분석하고, 온도가 낮은 영역의 상기 보조 발열수단에 작동명령을 제공하여 서셉터의 영역별 온도를 미세 보정하는 것을 특징으로 하는 베이크 설비.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 주 발열수단은 사기 서셉터 내부의 동일 평면 상에 고르게 배치된 열선인 것을 특징으로 하는 베이크 설비.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 보조 발열수단은 적외선 조명장치 또는 자외선 조명장치인 것을 특징으로 하는 베이크 설비.
KR1020010045400A 2001-07-27 2001-07-27 온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비 KR20030010824A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010045400A KR20030010824A (ko) 2001-07-27 2001-07-27 온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010045400A KR20030010824A (ko) 2001-07-27 2001-07-27 온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030010824A true KR20030010824A (ko) 2003-02-06

Family

ID=27716947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010045400A KR20030010824A (ko) 2001-07-27 2001-07-27 온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030010824A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100741408B1 (ko) * 2005-04-02 2007-07-23 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 동적 임계치수 제어를 위한 일체형 광측정 및 리소그라피공정 트랙
KR100893366B1 (ko) * 2007-08-08 2009-04-17 세메스 주식회사 반도체 제조 설비의 온도 제어 장치 및 그의 온도 제어방법
WO2011014328A3 (en) * 2009-07-30 2011-05-05 Lam Research Corporation Light-up prevention in electrostatic chucks
KR101276256B1 (ko) * 2011-02-11 2013-06-20 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20220094645A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0184058B1 (ko) * 1995-09-15 1999-04-15 문정환 반도체 제조장치의 베이크 장치
KR19990082844A (ko) * 1998-04-02 1999-11-25 가네꼬 히사시 반도체웨이퍼를 어닐링하기 위한 램프어닐링장치 및 방법
KR20010038860A (ko) * 1999-10-28 2001-05-15 김광교 스피너 장비의 베이크 플레이트 다중 운영 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0184058B1 (ko) * 1995-09-15 1999-04-15 문정환 반도체 제조장치의 베이크 장치
KR19990082844A (ko) * 1998-04-02 1999-11-25 가네꼬 히사시 반도체웨이퍼를 어닐링하기 위한 램프어닐링장치 및 방법
KR20010038860A (ko) * 1999-10-28 2001-05-15 김광교 스피너 장비의 베이크 플레이트 다중 운영 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100741408B1 (ko) * 2005-04-02 2007-07-23 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 동적 임계치수 제어를 위한 일체형 광측정 및 리소그라피공정 트랙
KR100893366B1 (ko) * 2007-08-08 2009-04-17 세메스 주식회사 반도체 제조 설비의 온도 제어 장치 및 그의 온도 제어방법
WO2011014328A3 (en) * 2009-07-30 2011-05-05 Lam Research Corporation Light-up prevention in electrostatic chucks
KR101276256B1 (ko) * 2011-02-11 2013-06-20 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20220094645A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100424056B1 (ko) 퍼니스측벽온도제어시스템
US6512207B1 (en) Apparatus and method for the treatment of substrates
US6100506A (en) Hot plate with in situ surface temperature adjustment
US8920162B1 (en) Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation
US7842905B2 (en) Method and device for the thermal treatment of substrates
DE602004028910D1 (de) Nen auf einer waveroberfläche mit hilfe von lokaler temperaturkontrolle
US6919538B2 (en) Method for thermally treating substrates
CN100508110C (zh) 热处理设备校准方法
KR19990006941A (ko) 램프 어닐링장치 및 램프 어닐링방법
CN106158623B (zh) 用于热处理单元的校正方法
US6780795B2 (en) Heat treatment apparatus for preventing an initial temperature drop when consecutively processing a plurality of objects
KR20050121913A (ko) 베이크 장치
JPS6220308A (ja) 熱処理方法および装置
KR20030010824A (ko) 온도 보정 시스템을 갖는 베이크 설비
JPH06177141A (ja) 熱処理装置
KR20040068849A (ko) 반도체 웨이퍼의 처리장치
JP3757809B2 (ja) 温度調節器
JP2008141071A (ja) 基板の熱処理装置
KR20200005356A (ko) 수동소자를 이용한 급속 열처리 장치
US20040069234A1 (en) Sheet-type treating device
JP2882180B2 (ja) ベーク処理装置
JPH09311081A (ja) 基板温度計測方法および基板温度制御方法、ならびに、これを利用した基板処理装置
KR101453959B1 (ko) 램프 히터 설비의 기판 온도 제어방법
KR20000018617A (ko) 확산설비의 확산로 공정온도조절장치
KR100370857B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 열처리 방법 및 그 열처리 지지 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application