JP2758793B2 - ランプアニーラ - Google Patents
ランプアニーラInfo
- Publication number
- JP2758793B2 JP2758793B2 JP26696592A JP26696592A JP2758793B2 JP 2758793 B2 JP2758793 B2 JP 2758793B2 JP 26696592 A JP26696592 A JP 26696592A JP 26696592 A JP26696592 A JP 26696592A JP 2758793 B2 JP2758793 B2 JP 2758793B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- temperature
- semiconductor substrate
- output
- quartz chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ランプの光熱によって
半導体基板を熱処理するランプアニーラに関する。
半導体基板を熱処理するランプアニーラに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のランプアニーラの一例にお
ける主要部の構成を示す図である。従来、ランプアニー
ラは図２に示すように、半導体基板８を収納する石英チ
ャンバ２と、この石英を取り囲むように配置される上部
ランプ１及び下部ランプ３と、これら上部ランプ１及び
下部ランプ３により加熱される半導体基板８より発生す
る赤外線を検出する赤外線検知部４と、赤外線検知部４
の出力を温度に対応する信号に変換する温度換算部５
と、この温度換算部５の信号を入力し上部ランプ１及び
下部ランプ３のヒータ電流を制御する制御部７を備えて
いる。
ける主要部の構成を示す図である。従来、ランプアニー
ラは図２に示すように、半導体基板８を収納する石英チ
ャンバ２と、この石英を取り囲むように配置される上部
ランプ１及び下部ランプ３と、これら上部ランプ１及び
下部ランプ３により加熱される半導体基板８より発生す
る赤外線を検出する赤外線検知部４と、赤外線検知部４
の出力を温度に対応する信号に変換する温度換算部５
と、この温度換算部５の信号を入力し上部ランプ１及び
下部ランプ３のヒータ電流を制御する制御部７を備えて
いる。
【０００３】このランプアニーラによる半導体基板の熱
処理は、まず、上部ランプ１及び下部ランプ３からの熱
光源にり石英チャンバ２を介して半導体基板８を熱す
る。そして、下部電極の下に赤外線検知部４が、具備さ
えており、熱された半導体基板８及び石英チャンバ２が
発生する赤外線の強度を検知し、温度に換算し、設定温
度と比較し、温度の制御量を演算し、その結果で制御部
７で、上部及び下部ランプのランプヒーターの電圧を制
御している。
処理は、まず、上部ランプ１及び下部ランプ３からの熱
光源にり石英チャンバ２を介して半導体基板８を熱す
る。そして、下部電極の下に赤外線検知部４が、具備さ
えており、熱された半導体基板８及び石英チャンバ２が
発生する赤外線の強度を検知し、温度に換算し、設定温
度と比較し、温度の制御量を演算し、その結果で制御部
７で、上部及び下部ランプのランプヒーターの電圧を制
御している。
【０００４】このように半導体基板から発生し、透明な
石英チャンバ２を透過する赤外線量と石英チャンバ自身
から発生する赤外線量とを赤外線検知部４で測定し、温
度に換算し、所定の温度に達しているか否かを制御部７
で判定し、ランプヒータの電圧を制御し、所望の熱処理
温度を得ていた。
石英チャンバ２を透過する赤外線量と石英チャンバ自身
から発生する赤外線量とを赤外線検知部４で測定し、温
度に換算し、所定の温度に達しているか否かを制御部７
で判定し、ランプヒータの電圧を制御し、所望の熱処理
温度を得ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、石英チ
ャンバを交換したとき、その板厚などの質量変化し、赤
外線量が異なってくる。このため、実際の半導体基板の
温度が把握出来ず、所望の熱処理が得らないという問題
がある。
ャンバを交換したとき、その板厚などの質量変化し、赤
外線量が異なってくる。このため、実際の半導体基板の
温度が把握出来ず、所望の熱処理が得らないという問題
がある。
【０００６】本発明の目的は、半導体基板の温度を正確
に把握し、チャンバ交換役に生ずる熱処理の変動を無く
す。
に把握し、チャンバ交換役に生ずる熱処理の変動を無く
す。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のランプアニーラ
は半導体基板を収納する石英チャンバと、この石英チャ
ンバの周囲にあって前記半導体基板を加熱する光熱ラン
プと、加熱される前記半導体基板及び前記石英チャンバ
より発生する赤外線の放射強度を測定する赤外線検知部
と、この赤外線検知部の赤外線量を温度に換算する温度
換算部と、温度換算部の出力を入力し前記光熱ランプの
出力を制御する制御部とを備えるランプアンニーラにお
いて、前記温度換算部の２つの異なる出力値を記憶し該
出力値の差を演算し前記温度換算部の出力を補正する補
正演算部を備えている。
は半導体基板を収納する石英チャンバと、この石英チャ
ンバの周囲にあって前記半導体基板を加熱する光熱ラン
プと、加熱される前記半導体基板及び前記石英チャンバ
より発生する赤外線の放射強度を測定する赤外線検知部
と、この赤外線検知部の赤外線量を温度に換算する温度
換算部と、温度換算部の出力を入力し前記光熱ランプの
出力を制御する制御部とを備えるランプアンニーラにお
いて、前記温度換算部の２つの異なる出力値を記憶し該
出力値の差を演算し前記温度換算部の出力を補正する補
正演算部を備えている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明のについて図面を参照して説明
する。
する。
【０００９】図１は本発明のランプアニーラの一実施例
における主要部の構成を示す図である。このランプアニ
ーラは、図１に示すように、２つの異なる温度換算部５
の出力を入力し、その出力値の差を演算し、新に出力す
る温度換算部５の出力を補正する補正演算部６を設けた
ことである。それ以外は従来例と同じである。
における主要部の構成を示す図である。このランプアニ
ーラは、図１に示すように、２つの異なる温度換算部５
の出力を入力し、その出力値の差を演算し、新に出力す
る温度換算部５の出力を補正する補正演算部６を設けた
ことである。それ以外は従来例と同じである。
【００１０】この補正演算部６は、石英チャンバ２の交
換前後における同じランプヒータ出力で同じ温度まで上
昇するときの上昇温度速度を温度換算部５で予め求め、
上昇温度差を一時的に記憶させる。次に、石英チャンバ
２交換後に出力される温度演算部５の出力に前記差値を
補正する。
換前後における同じランプヒータ出力で同じ温度まで上
昇するときの上昇温度速度を温度換算部５で予め求め、
上昇温度差を一時的に記憶させる。次に、石英チャンバ
２交換後に出力される温度演算部５の出力に前記差値を
補正する。
【００１１】云い換えれば、石英チャンバ２の質量差に
よる放出される赤外線量を補正し、半導体基板からの赤
外線放射強度を正確に求めることである。このように、
それぞれの石英チャンバから放出される赤外線強度を予
め測定し、その赤外線強度差によって補正する補正演算
部６に記憶させ、次に、石英チャンバ２及び半導体基板
８より放出される赤外線強度を差値に応じて制御部７に
出力し、制御部７は半導体基板８を加熱するランプヒー
タの電圧を制御する。
よる放出される赤外線量を補正し、半導体基板からの赤
外線放射強度を正確に求めることである。このように、
それぞれの石英チャンバから放出される赤外線強度を予
め測定し、その赤外線強度差によって補正する補正演算
部６に記憶させ、次に、石英チャンバ２及び半導体基板
８より放出される赤外線強度を差値に応じて制御部７に
出力し、制御部７は半導体基板８を加熱するランプヒー
タの電圧を制御する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ランプア
ニーラにおいて、交換する前後における石英チャンバの
同一ランプヒータ条件で同一の温度まで上昇する温度上
昇速度に検出し、その差値を質量に応じて変算し交換後
の出力値を補正する補正演算部を設けることによって石
英チャンバの交換を行っても、半導体基板の温度を正確
に把握し、熱処理に変動をもたらすことなく遂行できる
という効果がある。
ニーラにおいて、交換する前後における石英チャンバの
同一ランプヒータ条件で同一の温度まで上昇する温度上
昇速度に検出し、その差値を質量に応じて変算し交換後
の出力値を補正する補正演算部を設けることによって石
英チャンバの交換を行っても、半導体基板の温度を正確
に把握し、熱処理に変動をもたらすことなく遂行できる
という効果がある。
【図１】本発明のランプアニーラの一実施例における主
要部の構成を示す図である。
要部の構成を示す図である。
【図２】従来のランプアニーラの一例における主要部の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
１ 上部ランプ ２ 石英チャンバ ３ 下部ランプ ４ 赤外線検知部 ５ 温度換算部 ６ 補正演算部 ７ 制御部 ８ 半導体基板
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を収納する石英チャンバと、
この石英チャンバの周囲にあって前記半導体基板を加熱
する光熱ランプと、加熱される前記半導体基板及び前記
石英チャンバより発生する赤外線の放射強度を測定する
赤外線検知部と、この赤外線検知部の赤外線量を温度に
換算する温度換算部と、温度換算部の出力を入力し前記
光熱ランプの出力を制御する制御部とを備えるランプア
ンニーラにおいて、前記温度換算部の２つの異なる出力
値を記憶し該出力値の差を演算し前記温度換算部の出力
を補正する補正演算部を備えることを特徴とするランプ
アンニーラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26696592A JP2758793B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ランプアニーラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26696592A JP2758793B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ランプアニーラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120160A JPH06120160A (ja) | 1994-04-28 |
| JP2758793B2 true JP2758793B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=17438171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26696592A Expired - Lifetime JP2758793B2 (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ランプアニーラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758793B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997014563A1 (fr) | 1995-10-18 | 1997-04-24 | Copyer Co. Ltd. | Imageur a encre |
| JP3075254B2 (ja) * | 1998-04-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | ランプアニール装置 |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP26696592A patent/JP2758793B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06120160A (ja) | 1994-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980210 |