JPS63213924A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPS63213924A JPS63213924A JP4831487A JP4831487A JPS63213924A JP S63213924 A JPS63213924 A JP S63213924A JP 4831487 A JP4831487 A JP 4831487A JP 4831487 A JP4831487 A JP 4831487A JP S63213924 A JPS63213924 A JP S63213924A
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- JP
- Japan
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- furnace chamber
- temperature
- heater
- heat treatment
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
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- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェハ等の熱拡散、ＣＶＤ、ＬＰＥ、
ＶＰＥ等の処理に利用される熱処理装置に関する。
ＶＰＥ等の処理に利用される熱処理装置に関する。
（従来の技術）
一般に、熱処理装置は、半導体ウェハ等の熱拡散、ＣＶ
Ｄ、ＬＰＥ、ＶＰＥ等の処理に利用される。
Ｄ、ＬＰＥ、ＶＰＥ等の処理に利用される。
第３図および第４図は、このような従来の熱処理装置の
例な示すもので、炉室１は石英等から円筒状に形成され
ている。この炉室１を囲続する如く、ＳｉＣ等からなる
円筒状均熱管２が設けられ、この均熱管２を囲繞する如
くアルミ合金等からなる円筒状ヒータ３が設けられ、こ
のヒータ３を囲繞する如く円筒状断熱材４が順次配置さ
れている。
例な示すもので、炉室１は石英等から円筒状に形成され
ている。この炉室１を囲続する如く、ＳｉＣ等からなる
円筒状均熱管２が設けられ、この均熱管２を囲繞する如
くアルミ合金等からなる円筒状ヒータ３が設けられ、こ
のヒータ３を囲繞する如く円筒状断熱材４が順次配置さ
れている。
そして、炉室１内には、ウェハボート５上に載置された
多数の半導体ウェハ６等が収容され、ヒータ３に電力が
供給されて、熱拡散、ＣＶＤ、ＬＰＥ、ＶＰＥ等の所望
の処理が行われる。
多数の半導体ウェハ６等が収容され、ヒータ３に電力が
供給されて、熱拡散、ＣＶＤ、ＬＰＥ、ＶＰＥ等の所望
の処理が行われる。
また、ヒータ３は、炉室１の軸方向に３分割された領域
３ａ、３ｂ、３ｃ毎にその発熱量を制御される３ゾ一ン
コントロール方式とされたものが多い。これは、炉室１
の全長が例えば数メーｊ・ル程度と長いため、炉室１の
軸方向の処理温度の均一化を行うためのものである。こ
の３ゾ一ンコントロール方式により、炉室１の軸方向の
均熱性は、例えば炉室１の軸方向の長さが１２００ｍＩ
ｎの範囲で、土０．５°Ｃ程度とされている。
３ａ、３ｂ、３ｃ毎にその発熱量を制御される３ゾ一ン
コントロール方式とされたものが多い。これは、炉室１
の全長が例えば数メーｊ・ル程度と長いため、炉室１の
軸方向の処理温度の均一化を行うためのものである。こ
の３ゾ一ンコントロール方式により、炉室１の軸方向の
均熱性は、例えば炉室１の軸方向の長さが１２００ｍＩ
ｎの範囲で、土０．５°Ｃ程度とされている。
（発明か解決しようとする問題点）
しかしながら、近年は、半導体ウェハ等の被処理基板が
大径化される傾向にあり、これにともない炉室内径も例
えば３５０ｒＱｍ等と大径化される傾向にある。このた
め、上記説明の従来の熱処理装置では、炉室の軸方向に
直交する断面、すなわち、円筒状の炉室を水平に寝かせ
た形の横型炉では、炉室内の上下、左右等で温度が不均
一となり、半導体ウェハ等の均一な処理を行うことがで
きないという問題があった。
大径化される傾向にあり、これにともない炉室内径も例
えば３５０ｒＱｍ等と大径化される傾向にある。このた
め、上記説明の従来の熱処理装置では、炉室の軸方向に
直交する断面、すなわち、円筒状の炉室を水平に寝かせ
た形の横型炉では、炉室内の上下、左右等で温度が不均
一となり、半導体ウェハ等の均一な処理を行うことがで
きないという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、炉室の軸方向に直交する断面内の温度を均一化するこ
とができ、半導体ウェハ等を均一に処理することのでき
る熱処理装置を提供しようとするものである。
、炉室の軸方向に直交する断面内の温度を均一化するこ
とができ、半導体ウェハ等を均一に処理することのでき
る熱処理装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、はぼ円筒状に形成された炉室と、こ
の炉室の周囲に配置され該炉室の周方向に分割された複
数の領域毎に発熱量を制御可能とされた加熱手段とを備
えたことを特徴とする。
の炉室の周囲に配置され該炉室の周方向に分割された複
数の領域毎に発熱量を制御可能とされた加熱手段とを備
えたことを特徴とする。
（作 用）
本発明の熱処理装置では、はぼ円筒状に形成された炉室
と、例えば炉室の上部、下部、側面両側部の４分割され
た領域等、炉室の周方向に分割された複数の領域毎に発
熱量を制御可能とされた加熱手段とを備えている。
と、例えば炉室の上部、下部、側面両側部の４分割され
た領域等、炉室の周方向に分割された複数の領域毎に発
熱量を制御可能とされた加熱手段とを備えている。
したがって、この加熱手段の発熱量を制御することによ
り、炉室の軸方向に直交する断面内の温度を均一化する
ことができ、半導体ウェハ等の処理を均一に行うことか
できる。
り、炉室の軸方向に直交する断面内の温度を均一化する
ことができ、半導体ウェハ等の処理を均一に行うことか
できる。
（実施例）
以下本発明の熱処理装置を第１図および第２図を参照し
て一実施例について説明する。
て一実施例について説明する。
この実施例の熱処理装置では、炉室１１は石英等の耐熱
性筒管からなり長さ例えば１０００１ｎ〜３０００Ｉｎ
、内径例えば３５０１１程度の円筒状に形成されている
。このような炉室１１を囲繞する々口（ＳｉＣ等からな
る円筒状均熱管１２が設けられている。
性筒管からなり長さ例えば１０００１ｎ〜３０００Ｉｎ
、内径例えば３５０１１程度の円筒状に形成されている
。このような炉室１１を囲繞する々口（ＳｉＣ等からな
る円筒状均熱管１２が設けられている。
この均熱管１２を囲繞する如く、例えばアルミ合金等か
らなる円筒状ヒータ１３、円筒状断熱材１・１等が順次
外側に配置されている。
らなる円筒状ヒータ１３、円筒状断熱材１・１等が順次
外側に配置されている。
ヒータ１３の回路は、図示しない制御装置に接続されて
おり、炉室１１の軸方向に３分割された領域１３ａ、１
３ｂ、１３ｃ毎に印加電圧を制御され、その発熱量を制
御される３ゾ一ンコントロール方式とされている。
おり、炉室１１の軸方向に３分割された領域１３ａ、１
３ｂ、１３ｃ毎に印加電圧を制御され、その発熱量を制
御される３ゾ一ンコントロール方式とされている。
さらに、上記Ｐｆｒ熱材１・１の内側面には上下左右長
軸方向に帯状の四部が設けられている。この凹部には、
ヒータ１５が埋設されている。すなわち、このヒータ１
５は、炉室１１の周方向に分割された上部、下部、側面
両側部の４つの領域を加熱するだめの４つのヒータ１５
ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄから構成されている。これ
らのヒータ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄへの印加電
圧は図示しない制御装置によりそれぞれ独立に制御する
。
軸方向に帯状の四部が設けられている。この凹部には、
ヒータ１５が埋設されている。すなわち、このヒータ１
５は、炉室１１の周方向に分割された上部、下部、側面
両側部の４つの領域を加熱するだめの４つのヒータ１５
ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄから構成されている。これ
らのヒータ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄへの印加電
圧は図示しない制御装置によりそれぞれ独立に制御する
。
すなわち各ヒータからの発熱量を独立に制御する構成と
されている。上記し−タは、面ヒータでも、コイルヒー
タでも、セラミックヒータでも何れでもよい。
されている。上記し−タは、面ヒータでも、コイルヒー
タでも、セラミックヒータでも何れでもよい。
そして、炉室１１内には、ウェハボート１６上にｇ！置
された多数の半導体ウェハ１７等が収容され、熱拡散、
ＣＶＤ、ＬＰＥ、ＶＰＥ等の所望の処理が行われる。こ
の時、ヒータ１３により炉室１１内が数百°Ｃ程度の温
度に加熱されるとともに、３ゾーンコントロールにより
、炉室１１の軸方向の温度が均一あるいは所望の温度分
布に制御される。また同時に、ヒータ１５により、炉室
１１の軸方向に直交する断面内の温度、すなわち、炉室
１１内の上下、左右方向の温度が均一あるいは所望の温
度分布となるように制御される。
された多数の半導体ウェハ１７等が収容され、熱拡散、
ＣＶＤ、ＬＰＥ、ＶＰＥ等の所望の処理が行われる。こ
の時、ヒータ１３により炉室１１内が数百°Ｃ程度の温
度に加熱されるとともに、３ゾーンコントロールにより
、炉室１１の軸方向の温度が均一あるいは所望の温度分
布に制御される。また同時に、ヒータ１５により、炉室
１１の軸方向に直交する断面内の温度、すなわち、炉室
１１内の上下、左右方向の温度が均一あるいは所望の温
度分布となるように制御される。
すなわち、この実施例の熱処理装置では、ヒータ１５に
より、炉室１１の軸方向に直交する断面内の温度を制御
することができ、炉室１１内の上下、左右方向の温度を
均一化することができる。
より、炉室１１の軸方向に直交する断面内の温度を制御
することができ、炉室１１内の上下、左右方向の温度を
均一化することができる。
したがって、半導体ウェハ１７の面内の処理温度を均一
化することができ、均一な処理を行うことができる。ま
た、場合によっては、処理条件等により、炉室１１内の
上下、左右方向の温度に一定の温度勾配を設ける等、所
望の温度分布等とすることもできる。
化することができ、均一な処理を行うことができる。ま
た、場合によっては、処理条件等により、炉室１１内の
上下、左右方向の温度に一定の温度勾配を設ける等、所
望の温度分布等とすることもできる。
なお、この実施例では、ヒータ１５を、４分割されたヒ
ータ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄから構成したが、
本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、例え
ばヒータ１５の分割数は、１１以上、・・１以下等どの
ようにしてもよく、また、ヒータ１３による３ゾーンコ
ントロールに対応させて、炉室１１の軸方向に分割して
配置することもできる。
ータ１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄから構成したが、
本発明はかかる実施例に限定されるものではなく、例え
ばヒータ１５の分割数は、１１以上、・・１以下等どの
ようにしてもよく、また、ヒータ１３による３ゾーンコ
ントロールに対応させて、炉室１１の軸方向に分割して
配置することもできる。
［発明の効果コ
一１述のように、本発明の熱処理装置では、炉室の軸方
向に直交する断面内の温度を均一化することができ、半
導体ウェハ等の処理を均一に行うことができる。
向に直交する断面内の温度を均一化することができ、半
導体ウェハ等の処理を均一に行うことができる。
第１図は本発明の一実施例の熱処理装置を示す構成図、
第２図は第１図に示す熱処理装置の縦断面図、第３図は
従来の熱処理装置を示す構成図、第４図は第３図に示ず
熱処理装置の縦断面図である。 １１−−−−−−炉室、１．５ ａ、１５ｂ、１．５
ｃ、１５ｄ・・・・・・ヒータ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 でｂ 定 ２１辺 第３図 第４図
第２図は第１図に示す熱処理装置の縦断面図、第３図は
従来の熱処理装置を示す構成図、第４図は第３図に示ず
熱処理装置の縦断面図である。 １１−−−−−−炉室、１．５ ａ、１５ｂ、１．５
ｃ、１５ｄ・・・・・・ヒータ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 でｂ 定 ２１辺 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）ほぼ円筒状に形成された炉室と、この炉室の周囲
に配置され該炉室の周方向に分割された複数の領域毎に
発熱量を制御可能とされた加熱手段とを備えたことを特
徴とする熱処理装置。 - （２）前記加熱手段は、前記炉室の上部、下部、側面両
側部の４分割され領域毎に、発熱量を独立に制御可能に
構成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4831487A JPS63213924A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4831487A JPS63213924A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213924A true JPS63213924A (ja) | 1988-09-06 |
Family
ID=12799951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4831487A Pending JPS63213924A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63213924A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824711A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-14 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 流動床燃焼ボイラの燃焼室構造 |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP4831487A patent/JPS63213924A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824711A (ja) * | 1981-08-05 | 1983-02-14 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 流動床燃焼ボイラの燃焼室構造 |
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