JPH08288372A - ウエハ支持プレート - Google Patents
ウエハ支持プレートInfo
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- JPH08288372A JPH08288372A JP7111299A JP11129995A JPH08288372A JP H08288372 A JPH08288372 A JP H08288372A JP 7111299 A JP7111299 A JP 7111299A JP 11129995 A JP11129995 A JP 11129995A JP H08288372 A JPH08288372 A JP H08288372A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】支持ピンにおけるウエハ支持部の曲率半径を
１．０〜２．５mmに設定することで、ウエハのピン接触
部分に作用する応力の大幅な低減を図って、被処理半導
体ウエハに圧痕が付くのを確実に防止すると共に、ウエ
ハとピンとの接触面積増大を可及的抑制して均一加熱を
阻害しないウエハ支持プレートの提供を目的とする。 【構成】被処理半導体ウエハ１５を支持する支持ピン１
４を備えたウエハ支持プレート１３であって、上記支持
ピン１３におけるウエハ支持部の曲率半径を１．０〜
２．５mmに設定したことを特徴とする。
１．０〜２．５mmに設定することで、ウエハのピン接触
部分に作用する応力の大幅な低減を図って、被処理半導
体ウエハに圧痕が付くのを確実に防止すると共に、ウエ
ハとピンとの接触面積増大を可及的抑制して均一加熱を
阻害しないウエハ支持プレートの提供を目的とする。 【構成】被処理半導体ウエハ１５を支持する支持ピン１
４を備えたウエハ支持プレート１３であって、上記支持
ピン１３におけるウエハ支持部の曲率半径を１．０〜
２．５mmに設定したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＲＴＰ（Rapi
d Thermal Processing）装置等の半導体アニーリング処
理装置に内蔵されて被処理半導体ウエハ（wafer ）が支
持される複数のピンを備えたようなウエハ支持プレート
に関する。
d Thermal Processing）装置等の半導体アニーリング処
理装置に内蔵されて被処理半導体ウエハ（wafer ）が支
持される複数のピンを備えたようなウエハ支持プレート
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デバイスの高集積化および素子微
細化が進むにつれて、熱処理（酸化、拡散、アニール）
プロセスにおいては浅く、かつ高濃度の不純物ドープ層
の形成が要請され、例えばイオン注入によって浅く、か
つ横方向の広がりの少ない接合形成を行なう場合、不純
物の活性化、イオン注入によるダメージの回復、残留欠
陥の低減などのアニール効果が要求され、このようなイ
オン打込み後のアニール（annealウエハの結晶構造の乱
れを修復する焼鈍処理）を行なう装置として上述のＲＴ
Ｐ装置（急熱プロセッサ）が用いられる。
細化が進むにつれて、熱処理（酸化、拡散、アニール）
プロセスにおいては浅く、かつ高濃度の不純物ドープ層
の形成が要請され、例えばイオン注入によって浅く、か
つ横方向の広がりの少ない接合形成を行なう場合、不純
物の活性化、イオン注入によるダメージの回復、残留欠
陥の低減などのアニール効果が要求され、このようなイ
オン打込み後のアニール（annealウエハの結晶構造の乱
れを修復する焼鈍処理）を行なう装置として上述のＲＴ
Ｐ装置（急熱プロセッサ）が用いられる。
【０００３】このＲＴＰ装置としては、例えば特開平２
−１４５１４号公報に記載の如く、プロセスチャンバと
しての処理室に対して上下動可能な円盤状ウエハ支持プ
レート（いわゆるクオーツ円盤）を備え、このウエハ支
持プレートの上面に複数たとえば円周上の等間隔に位置
する３本の支持ピンを一体的に突設形成し、これらの各
支持ピンで被処理半導体ウエハを支持すべく構成した装
置がある。
−１４５１４号公報に記載の如く、プロセスチャンバと
しての処理室に対して上下動可能な円盤状ウエハ支持プ
レート（いわゆるクオーツ円盤）を備え、このウエハ支
持プレートの上面に複数たとえば円周上の等間隔に位置
する３本の支持ピンを一体的に突設形成し、これらの各
支持ピンで被処理半導体ウエハを支持すべく構成した装
置がある。
【０００４】上述の支持ピンとしては例えば図４に示す
ように同ピン４１先端のウエハ支持部４２の曲率半径が
０．７５mmもしくはそれ以下の石英（クオーツ）製のも
のが用いられる。このような支持ピン４１を有するウエ
ハ支持プレートを用いて、上述のＲＴＰ装置で被処理半
導体ウエハをアニール処理する場合、支持ピン４１の先
端が尖鋭なため、被処理半導体ウエハの自重により該ウ
エハのピン接触部分に大きな応力が作用して、被処理半
導体ウエハに凹状の圧痕が付き、例えば４００〜１２５
０℃に加熱された後に数秒間で室温へと冷却されるウエ
ハの熱処理中において、上述の圧痕からウエハに微小ク
ラックが発生する問題点があった。
ように同ピン４１先端のウエハ支持部４２の曲率半径が
０．７５mmもしくはそれ以下の石英（クオーツ）製のも
のが用いられる。このような支持ピン４１を有するウエ
ハ支持プレートを用いて、上述のＲＴＰ装置で被処理半
導体ウエハをアニール処理する場合、支持ピン４１の先
端が尖鋭なため、被処理半導体ウエハの自重により該ウ
エハのピン接触部分に大きな応力が作用して、被処理半
導体ウエハに凹状の圧痕が付き、例えば４００〜１２５
０℃に加熱された後に数秒間で室温へと冷却されるウエ
ハの熱処理中において、上述の圧痕からウエハに微小ク
ラックが発生する問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】支持ピンの曲率半径を
Ｒ＝０．４mmとし、８インチウエハ（５０ｇ）を剛体と
みなし、３点支持した場合にヘルツノ公式から計算した
τｍａｘは、１２００℃におけるシリコンの降伏せん断
応力とそのオーダにおいて一致することから、１２００
℃前後でウエハを熱処理する場合、微小クラックの発生
と、支持ピンの曲率半径の間には密接な関係があるとい
う知見にもとづき、この発明の請求項１記載の発明は、
支持ピンにおけるウエハ支持部の曲率半径を１．０〜
２．５mmに設定することで、ウエハのピン接触部分に作
用する応力の大幅な低減を図って、被処理半導体ウエハ
に圧痕が付くのを確実に防止すると共に、ウエハとピン
との接触面積増大を可及的抑制して均一加熱を阻害しな
いウエハ支持プレートの提供を目的とする。
Ｒ＝０．４mmとし、８インチウエハ（５０ｇ）を剛体と
みなし、３点支持した場合にヘルツノ公式から計算した
τｍａｘは、１２００℃におけるシリコンの降伏せん断
応力とそのオーダにおいて一致することから、１２００
℃前後でウエハを熱処理する場合、微小クラックの発生
と、支持ピンの曲率半径の間には密接な関係があるとい
う知見にもとづき、この発明の請求項１記載の発明は、
支持ピンにおけるウエハ支持部の曲率半径を１．０〜
２．５mmに設定することで、ウエハのピン接触部分に作
用する応力の大幅な低減を図って、被処理半導体ウエハ
に圧痕が付くのを確実に防止すると共に、ウエハとピン
との接触面積増大を可及的抑制して均一加熱を阻害しな
いウエハ支持プレートの提供を目的とする。
【０００６】この発明の請求項２記載の発明は、上記請
求項１記載の発明の目的と併せて、上述の支持ピンを石
英（ＳｉＯ2 ）もしくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）で構成す
ることで、石英の場合には不純物がなく、清浄な雰囲気
の実現が可能で、かつ急熱急冷に対して高い耐久性を有
し、炭化ケイ素の場合には、熱電導率が極めてよいた
め、ウエハとピンとの接触面積が多少増加したとして
も、接触部付近の均一加熱が妨げられることがなく、加
熱度合の一様化を図ることができ、さらに１０００℃を
越える温度でウエハの処理が可能なウエハ支持プレート
の提供を目的とする。
求項１記載の発明の目的と併せて、上述の支持ピンを石
英（ＳｉＯ2 ）もしくは炭化ケイ素（ＳｉＣ）で構成す
ることで、石英の場合には不純物がなく、清浄な雰囲気
の実現が可能で、かつ急熱急冷に対して高い耐久性を有
し、炭化ケイ素の場合には、熱電導率が極めてよいた
め、ウエハとピンとの接触面積が多少増加したとして
も、接触部付近の均一加熱が妨げられることがなく、加
熱度合の一様化を図ることができ、さらに１０００℃を
越える温度でウエハの処理が可能なウエハ支持プレート
の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１記載
の発明は、被処理半導体ウエハを支持する支持ピンを備
えたウエハ支持プレートであって、上記支持ピンにおけ
るウエハ支持部の曲率半径を１．０〜２．５mmに設定し
たウエハ支持プレートであることを特徴とする。
の発明は、被処理半導体ウエハを支持する支持ピンを備
えたウエハ支持プレートであって、上記支持ピンにおけ
るウエハ支持部の曲率半径を１．０〜２．５mmに設定し
たウエハ支持プレートであることを特徴とする。
【０００８】この発明の請求項２記載の発明は、上記請
求項１記載の発明の構成と併せて、上記支持ピンを石英
もしくは炭化ケイ素で構成したウエハ支持プレートであ
ることを特徴とする。
求項１記載の発明の構成と併せて、上記支持ピンを石英
もしくは炭化ケイ素で構成したウエハ支持プレートであ
ることを特徴とする。
【０００９】
【発明の作用及び効果】この発明の請求項１記載の発明
によれば、上述の支持ピンにおけるウエハ支持部の曲率
半径を１．０〜２．５mmの範囲内に設定したので、ウエ
ハのピン接触部分に作用する応力（せん断応力を含む）
の大幅な低減を図ることができ、被処理半導体ウエハに
圧痕がつくのを確実に防止して、熱処理中における微小
クラックの発生を阻止することができる効果があり、併
せて、ウエハとピンとの接触面積増大を可及的抑制し
て、均一加熱を阻害しない効果がある。
によれば、上述の支持ピンにおけるウエハ支持部の曲率
半径を１．０〜２．５mmの範囲内に設定したので、ウエ
ハのピン接触部分に作用する応力（せん断応力を含む）
の大幅な低減を図ることができ、被処理半導体ウエハに
圧痕がつくのを確実に防止して、熱処理中における微小
クラックの発生を阻止することができる効果があり、併
せて、ウエハとピンとの接触面積増大を可及的抑制し
て、均一加熱を阻害しない効果がある。
【００１０】因に上述の曲率半径が１．０mm未満の場合
には、応力が大きくなり、ウエハに圧痕が付き、逆に曲
率半径が２．５mmを超過する場合には、支持ピンの被処
理半導体ウエハに対する接触面積が過大となって、均一
加熱が阻害されるが、本発明ではこのような問題点を解
決することができる。
には、応力が大きくなり、ウエハに圧痕が付き、逆に曲
率半径が２．５mmを超過する場合には、支持ピンの被処
理半導体ウエハに対する接触面積が過大となって、均一
加熱が阻害されるが、本発明ではこのような問題点を解
決することができる。
【００１１】この発明の請求項２記載の発明によれば、
上記請求項１記載の発明の効果と併せて、上述の支持ピ
ンを石英（quartz）もしくは炭化ケイ素で構成したので
次の如き効果がある。すなわち、支持ピンを石英（Ｓｉ
Ｏ2 ）（熱伝導率は最大で３Ｗ／ｍｋ）で構成した場合
には、不純物がなく、清浄な雰囲気の実現が可能で、か
つ急熱急冷に対して高い耐熱性を有する効果がある。
上記請求項１記載の発明の効果と併せて、上述の支持ピ
ンを石英（quartz）もしくは炭化ケイ素で構成したので
次の如き効果がある。すなわち、支持ピンを石英（Ｓｉ
Ｏ2 ）（熱伝導率は最大で３Ｗ／ｍｋ）で構成した場合
には、不純物がなく、清浄な雰囲気の実現が可能で、か
つ急熱急冷に対して高い耐熱性を有する効果がある。
【００１２】また、支持ピンを炭化ケイ素（ＳｉＣ）で
構成した場合には、その熱電導率は１４６Ｗ／ｍ℃と極
めて良好なため、被処理半導体ウエハと支持ピンとの接
触面積が多少増加したとしても、接触部付近の均一加熱
が妨げられることがなく、加熱度合の一様化を達成する
ことができる効果があり、加えて耐熱性も良好であるた
め、１０００℃を越える温度でのウエハの熱処理に最適
である。
構成した場合には、その熱電導率は１４６Ｗ／ｍ℃と極
めて良好なため、被処理半導体ウエハと支持ピンとの接
触面積が多少増加したとしても、接触部付近の均一加熱
が妨げられることがなく、加熱度合の一様化を達成する
ことができる効果があり、加えて耐熱性も良好であるた
め、１０００℃を越える温度でのウエハの熱処理に最適
である。
【００１３】
【実施例】この発明の一実施例を以下図面に基づいて詳
述する。図面はウエハ支持プレートを備えたホットウォ
ール形ＲＴＰ装置（急熱プロセッサ）を示し、図１にお
いて、このＲＴＰ装置１はウエハ装填、取外し部２の上
部にプロセスチャンバとしての処理室３を構成してい
る。
述する。図面はウエハ支持プレートを備えたホットウォ
ール形ＲＴＰ装置（急熱プロセッサ）を示し、図１にお
いて、このＲＴＰ装置１はウエハ装填、取外し部２の上
部にプロセスチャンバとしての処理室３を構成してい
る。
【００１４】この処理室３はＳｉＣ製の壁部材４で囲繞
されると共に、その外側は断熱材５で覆われている。ま
た壁部材４の外面上域にはヒータ素線６を有するヒータ
７を配設し、処理室３内の上部を加熱部８に設定してい
る。一方、上述の処理室３と連通するようにウエハ装
填、取外し部２の下側には壁部材９，１０で囲繞された
温度制御部１１を構成している。
されると共に、その外側は断熱材５で覆われている。ま
た壁部材４の外面上域にはヒータ素線６を有するヒータ
７を配設し、処理室３内の上部を加熱部８に設定してい
る。一方、上述の処理室３と連通するようにウエハ装
填、取外し部２の下側には壁部材９，１０で囲繞された
温度制御部１１を構成している。
【００１５】さらに上述の処理室３の下方開口１２に位
置する円盤状かつ石英製のウエハ支持プレート１３（い
わゆるクオーツ円盤）を水平に配設し、このウエハ支持
プレート１３上面に一体的に取付けられた合計３本の支
持ピン１４（図２参照）で、被処理半導体ウエハ１５を
支持すべく構成している。上述のウエハ支持プレート１
３および３本の支持ピン１４は昇降手段１６で上昇およ
び下降処理されるように構成している。
置する円盤状かつ石英製のウエハ支持プレート１３（い
わゆるクオーツ円盤）を水平に配設し、このウエハ支持
プレート１３上面に一体的に取付けられた合計３本の支
持ピン１４（図２参照）で、被処理半導体ウエハ１５を
支持すべく構成している。上述のウエハ支持プレート１
３および３本の支持ピン１４は昇降手段１６で上昇およ
び下降処理されるように構成している。
【００１６】すなわち、この昇降手段１６はウエハ支持
プレート１３の下面に連結された昇降ロッド１７と、こ
の昇降ロッド１７を上下動させるためのスライダ１８
と、上述の昇降ロッド１７に対して並行に立設配置され
たスクリュ１９と、上述のスライダ１８を上下案内する
ガイドレールと、プーリ２１，２２およびベルト２３を
介して上述のスクリュ１９を回転させるＤＣサーボモー
タ２４とを備え、ＤＣサーボモータ２４の回転軸を正転
駆動した時、各要素２１，２３，２２を介してスクリュ
１９を正転させ、スライダ１８と昇降ロッド１７とを上
動させることで、ウエハ支持プレート１３，支持ピン１
４、被処理半導体ウエハ１５を図１の状態から処理室３
の加熱部８に上昇させ、ＤＣサーボモータ２４の回転軸
を逆転駆動した時、各要素２１，２３，２２を介してス
クリュー１９を逆転させ、スライダ１８と昇降ロッド１
７とを下動させることでウエハ支持プレート１３、支持
ピン１４、被処理半導体ウエハ１５を処理室３の加熱部
８から図１に示す位置（待機位置）へ下降させるように
構成している。
プレート１３の下面に連結された昇降ロッド１７と、こ
の昇降ロッド１７を上下動させるためのスライダ１８
と、上述の昇降ロッド１７に対して並行に立設配置され
たスクリュ１９と、上述のスライダ１８を上下案内する
ガイドレールと、プーリ２１，２２およびベルト２３を
介して上述のスクリュ１９を回転させるＤＣサーボモー
タ２４とを備え、ＤＣサーボモータ２４の回転軸を正転
駆動した時、各要素２１，２３，２２を介してスクリュ
１９を正転させ、スライダ１８と昇降ロッド１７とを上
動させることで、ウエハ支持プレート１３，支持ピン１
４、被処理半導体ウエハ１５を図１の状態から処理室３
の加熱部８に上昇させ、ＤＣサーボモータ２４の回転軸
を逆転駆動した時、各要素２１，２３，２２を介してス
クリュー１９を逆転させ、スライダ１８と昇降ロッド１
７とを下動させることでウエハ支持プレート１３、支持
ピン１４、被処理半導体ウエハ１５を処理室３の加熱部
８から図１に示す位置（待機位置）へ下降させるように
構成している。
【００１７】また上述のウエハ支持プレート１３の所定
部にはガス導入ノズル２５を設ける一方、待機位置の被
処理半導体ウエハ１５と対応するように冷却ガスジェッ
ト２６を配設している。因に、上述のＲＴＰ装置１にあ
っては、ウエハ装填、取外し部２で単一の被処理半導体
ウエハ１５を待機位置におけるウエハ支持プレート１３
上に３本の支持ピン１４…を介して装填した後に、昇降
手段１６のと作用で上述の被処理半導体ウエハ１５を加
熱部８に上昇させて、ガス導入ノズル２５からのプロセ
スガスのパージにより要求するガス環境を形成した後
に、ヒータ７の作用により該ウエハ１５を例えば４００
〜１２５０℃に加熱させ、次いで加熱部８の被処理半導
体ウエハ１５を待機位置に下降制御して、該ウエハ１５
に冷却ガスを噴射して冷却処理した後に、処理後のウエ
ハ１５をウエハ装填、取外し部２により取外し、一連の
半導体アニーリング処理を施すものである。
部にはガス導入ノズル２５を設ける一方、待機位置の被
処理半導体ウエハ１５と対応するように冷却ガスジェッ
ト２６を配設している。因に、上述のＲＴＰ装置１にあ
っては、ウエハ装填、取外し部２で単一の被処理半導体
ウエハ１５を待機位置におけるウエハ支持プレート１３
上に３本の支持ピン１４…を介して装填した後に、昇降
手段１６のと作用で上述の被処理半導体ウエハ１５を加
熱部８に上昇させて、ガス導入ノズル２５からのプロセ
スガスのパージにより要求するガス環境を形成した後
に、ヒータ７の作用により該ウエハ１５を例えば４００
〜１２５０℃に加熱させ、次いで加熱部８の被処理半導
体ウエハ１５を待機位置に下降制御して、該ウエハ１５
に冷却ガスを噴射して冷却処理した後に、処理後のウエ
ハ１５をウエハ装填、取外し部２により取外し、一連の
半導体アニーリング処理を施すものである。
【００１８】ところで、図２、図３に示すように、上述
のウエハ支持プレート１３の上面に一体的に取付けた合
計３本の支持ピン１４における上端部に相当するウエハ
支持部１４ａの鋸率半径Ｒは１．０〜２．５mmの範囲内
に設定すると共に、これら各支持ピン１４を石英（Ｓｉ
Ｏ2 いわゆるクオーツ）もしくは炭化ケイ素（ＳｉＣい
わゆるカーボランダム）で構成している。
のウエハ支持プレート１３の上面に一体的に取付けた合
計３本の支持ピン１４における上端部に相当するウエハ
支持部１４ａの鋸率半径Ｒは１．０〜２．５mmの範囲内
に設定すると共に、これら各支持ピン１４を石英（Ｓｉ
Ｏ2 いわゆるクオーツ）もしくは炭化ケイ素（ＳｉＣい
わゆるカーボランダム）で構成している。
【００１９】上述の支持ピン１５におけるウエハ支持部
１４ａの曲率半径Ｒが大きいほど、被処理半導体ウエハ
１５が該支持ピン１４から受ける応力およびせん断応力
は小さくなる。すなわち、図２に示す如く被処理半導体
ウエハ１５が曲率半径Ｒの３点支持構造のウエハ支持プ
レート１３上の支持ピン１４…に載っている場合、両者
１４，１５はヘルツ接触（Hertzian contact）となっ
て、これら両者１４，１５の接触領域は円形となる。
１４ａの曲率半径Ｒが大きいほど、被処理半導体ウエハ
１５が該支持ピン１４から受ける応力およびせん断応力
は小さくなる。すなわち、図２に示す如く被処理半導体
ウエハ１５が曲率半径Ｒの３点支持構造のウエハ支持プ
レート１３上の支持ピン１４…に載っている場合、両者
１４，１５はヘルツ接触（Hertzian contact）となっ
て、これら両者１４，１５の接触領域は円形となる。
【００２０】今上記ヘルツ接触における接触面の半径を
ａ、最大接触圧力をＰｍａｘ、接触圧力をＰ、最大せん
断応力をτｍａｘ、ウエハ１５の重量をＷ、ウエハ１５
のヤング率（Young's modulus 、単純な垂直応力とその
方向の縦ひずみの比のことで縦弾性係数と同意）を
Ｅ1 、支持ピン１４のヤング率をＥ2 、ウエハ１５のポ
アソン比（Poissn's ratio、単純な垂直応力による弾性
棒の横ひずみと、軸方向の縦ひずみとの絶対値の比率）
をν1 、支持ピン１４のポアソン比をν2 とすると、上
述の接触面の半径ａ、最大接触圧力Ｐｍａｘ、接触圧力
Ｐ、最大せん断応力τｍａｘはヘルツの公式により次に
［数１］で示すようになる。
ａ、最大接触圧力をＰｍａｘ、接触圧力をＰ、最大せん
断応力をτｍａｘ、ウエハ１５の重量をＷ、ウエハ１５
のヤング率（Young's modulus 、単純な垂直応力とその
方向の縦ひずみの比のことで縦弾性係数と同意）を
Ｅ1 、支持ピン１４のヤング率をＥ2 、ウエハ１５のポ
アソン比（Poissn's ratio、単純な垂直応力による弾性
棒の横ひずみと、軸方向の縦ひずみとの絶対値の比率）
をν1 、支持ピン１４のポアソン比をν2 とすると、上
述の接触面の半径ａ、最大接触圧力Ｐｍａｘ、接触圧力
Ｐ、最大せん断応力τｍａｘはヘルツの公式により次に
［数１］で示すようになる。
【００２１】
【数１】
【００２２】これらのことから、上述の接触面の半径ａ
は支持ピン１４の曲率半径Ｒの１／３乗に比例し、接触
面積は曲率半径Ｒの２／３乗に比例する。故に最大接触
圧力Ｐｍａｘおよび最大せん断応力τｍａｘは曲率半径
Ｒの２／３乗に逆比例することが明かとなり、以上のこ
とから上述の支持ピン１４におけるウエハ支持部１４ａ
の曲率半径Ｒが大きい程、被処理半導体ウエハ１５が支
持ピン１４から受ける応力およびせん断応力は小とな
り、これら応力およびせん段応力に対して有利になるも
のと推考される。
は支持ピン１４の曲率半径Ｒの１／３乗に比例し、接触
面積は曲率半径Ｒの２／３乗に比例する。故に最大接触
圧力Ｐｍａｘおよび最大せん断応力τｍａｘは曲率半径
Ｒの２／３乗に逆比例することが明かとなり、以上のこ
とから上述の支持ピン１４におけるウエハ支持部１４ａ
の曲率半径Ｒが大きい程、被処理半導体ウエハ１５が支
持ピン１４から受ける応力およびせん断応力は小とな
り、これら応力およびせん段応力に対して有利になるも
のと推考される。
【００２３】このように、上述の支持ピン１４における
ウエハ支持部１４ａの曲率半径Ｒを１．０〜２．５mmの
範囲内に設定したので、ウエハ１５のピン接触部分に作
用する応力（せん断応力を含む）の大幅な低減を図るこ
とができ、被処理半導体ウエハ１５に圧痕が付くのを確
実に防止して、熱処理中における微小クラックの発生を
阻止することができる効果があり、併せて、ウエハ１５
とピン１４との接触面積増大を可及的抑制して、均一加
熱を阻害しない効果がある。
ウエハ支持部１４ａの曲率半径Ｒを１．０〜２．５mmの
範囲内に設定したので、ウエハ１５のピン接触部分に作
用する応力（せん断応力を含む）の大幅な低減を図るこ
とができ、被処理半導体ウエハ１５に圧痕が付くのを確
実に防止して、熱処理中における微小クラックの発生を
阻止することができる効果があり、併せて、ウエハ１５
とピン１４との接触面積増大を可及的抑制して、均一加
熱を阻害しない効果がある。
【００２４】因に上述の曲率半径Ｒが１．０mm未満の場
合には、応力が大きくなり、ウエハ１５に圧痕が付き、
逆に曲率半径Ｒが２．５mmを超過する場合には、支持ピ
ン１４の被処理半導体ウエハ１５に対する接触面積が過
大となって、均一加熱が阻害されるが、本発明ではこの
ような問題点を解決することができる。
合には、応力が大きくなり、ウエハ１５に圧痕が付き、
逆に曲率半径Ｒが２．５mmを超過する場合には、支持ピ
ン１４の被処理半導体ウエハ１５に対する接触面積が過
大となって、均一加熱が阻害されるが、本発明ではこの
ような問題点を解決することができる。
【００２５】また、上述の支持ピン１４を石英もしくは
炭化ケイ素で構成したので、次の如き効果がある。すな
わち、支持ピン１４を石英（ＳｉＯ2 ）で構成した場合
には、不純物がなく、清浄な雰囲気の実現が可能で、か
つ急熱急冷に対して高い耐熱製を有する効果がある。
炭化ケイ素で構成したので、次の如き効果がある。すな
わち、支持ピン１４を石英（ＳｉＯ2 ）で構成した場合
には、不純物がなく、清浄な雰囲気の実現が可能で、か
つ急熱急冷に対して高い耐熱製を有する効果がある。
【００２６】また、支持ピン１４を炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）で構成した場合には、その熱電導率は１４６Ｗ／ｍ
℃と極めて良好なため、被処理半導体ウエハ１５と支持
ピン１４との接触面積が多少増加したとしても、接触部
付近の均一加熱が妨げられることがなく、加熱度合の一
様化（温度均一性）を達成することができる効果があ
り、加えて耐熱性も良好であるため、１０００℃を越え
るウエハの熱処理も可能となる。
Ｃ）で構成した場合には、その熱電導率は１４６Ｗ／ｍ
℃と極めて良好なため、被処理半導体ウエハ１５と支持
ピン１４との接触面積が多少増加したとしても、接触部
付近の均一加熱が妨げられることがなく、加熱度合の一
様化（温度均一性）を達成することができる効果があ
り、加えて耐熱性も良好であるため、１０００℃を越え
るウエハの熱処理も可能となる。
【図１】本発明のウエハ支持プレートを備えたＲＴＰ装
置の断面図。
置の断面図。
【図２】ウエハ支持プレートの拡大図。
【図３】支持ピン先端の曲率状態を示す部分説明図。
【図４】従来の支持ピン先端の曲率状態を示す部分説明
図。
図。
１３…ウエハ支持プレート １４…支持ピン １４ａ…ウエハ支持部 １５…被処理半導体ウエハ Ｒ…曲率半径
Claims (2)
- 【請求項１】被処理半導体ウエハを支持する支持ピンを
備えたウエハ支持プレートであって、上記支持ピンにお
けるウエハ支持部の曲率半径を１．０〜２．５mmに設定
したウエハ支持プレート。 - 【請求項２】上記支持ピンを石英もしくは炭化ケイ素で
構成した請求項１記載のウエハ支持プレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111299A JPH08288372A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | ウエハ支持プレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7111299A JPH08288372A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | ウエハ支持プレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288372A true JPH08288372A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=14557708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7111299A Pending JPH08288372A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | ウエハ支持プレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288372A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002530880A (ja) * | 1998-11-20 | 2002-09-17 | ライカ マイクロシステムス リトグラフィー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板支持装置 |
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| CN114347060A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-04-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 移载机构及具有其的机器手臂 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH062677B2 (ja) * | 1984-05-26 | 1994-01-12 | 日産化学工業株式会社 | 造血臓器回復促進剤 |
-
1995
- 1995-04-11 JP JP7111299A patent/JPH08288372A/ja active Pending
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