JPH0917739A

JPH0917739A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0917739A
Application number: JP16376895A
Authority: JP
Inventors: Mikio Takagi; 幹夫高木
Original assignee: F T L Kk
Current assignee: F T L Kk
Priority date: 1995-06-29
Filing date: 1995-06-29
Publication date: 1997-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】大口径半導体ウェーハを急速熱処理する際に
面内温度分布均一性を高める。【構成】ウェーハ８を、予め熱処理温度に加熱された
蓄熱板１０と接触させるかあるいはその極近傍に配置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関するものであり、さらに詳しく述べるならば、半導
体デバイス、具体的にはシリコン、化合物半導体などの
メモリ−もしくは論理回路ＩＣ、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴトランジスタ）ＩＣなどに用いられるウェーハに、
単結晶基板にスリップラインの発生を招くことなしに、
半導体物質、絶縁物質、金属、超伝導物質などの皮膜あ
るいは層を反応ガスを用いてＣＶＤによりもしくは単結
晶基板との直接反応により常圧もしくは減圧で形成する
か、あるいはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ₂ などを含む雰囲気ガスの
存在下で拡散、膜質の改善、膜の平坦化などのウェーハ
の熱処理をする方法において、膜厚、不純物濃度、拡散
深さ等半導体デバイスの特性に関係する特性をウェーハ
面内で均一にする方法に関するものである。さらに、本
発明は、ガラス基板上にアモルファスＳｉ層を成膜して
から、その層を多結晶化する熱処理にも適用される。

【０００２】

【従来の技術】従来縦型ホットウォール型加熱炉におい
て、多数枚ウェーハを熱処理する場合、ウェーハの温度
分布を改善するためにはウェーハの間隔を大きくする方
法やウェーハ周辺部を石英リングで冷却する方法が実施
されてきた。

【０００３】本出願人が提案した米国特許第５３８７５
５７号（以下「米国特許」と言う）には、均熱性に優れ
た縦型ホットウォール加熱炉を使用してＲＴＰ（rapid
thermal processing）を行う半導体製造装置が開示され
ている。図１３は米国特許に示された半導体製造装置に
より１枚のウェーハを熱処理する方法を図解している。
図において、１は石英反応管、２は石英反応管１の底部
に開口する反応ガス流入管、３は反応管１の底部に開口
する排気管、５は電気抵抗ヒーター５ａ，５ｂを使用し
た加熱炉、６はウェーハを通常１０〜３０ｃｍ／ｓｅｃ
で高速移動させるウェーハ昇降棒、８はウェーハ、１１
は遮蔽板、３０は磁石コイル又は永久磁石、３１は駆動
機構である。ウェーハ８は拡散長が短い低温（例えば７
５０℃）で一旦保持され、次に図示の位置で所定の短時
間保持され、反応管１内を下向に流れる反応ガスと接触
して所定の反応を起こし、反応後直ちにウェーハはウェ
ーハ昇降棒６により炉下部の低温領域に移動される。な
お図面では反応管を単一石英反応管として示したが、内
管と外管から構成される二重石英反応管とし、内管と外
管の間をガスの環状流路としもよい。

【０００４】１５０ｍｍ直径Ｓｉウェーハにイオン注入
条件；ＢＦ₂ ，３．０Ｅ１５／ｃｍ² ，２．３０ｋｅＶ
でイオン注入し、その後図１３を参照し上述した方法で
一旦低温保持後９５０℃，２ｍｉｎアニールしたとこ
ろ、シート抵抗は約２２０Ωであり、その面内分布は±
１％以内（５枚の平均値）であった。低温保持を行わな
い通常のＲＴＰ法で同様のアニールを８５０℃、１２０
分で行ったところ、シート抵抗は３１０Ωであり、同様
にアニールを８５０℃、３０分で行ったところシート抵
抗は４００Ωであり、これらの場合シート抵抗の面内分
布は約１％であった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のように１枚のウ
ェーハを熱処理する場合は、多数枚のウェーハを熱処理
する場合に比較して温度分布は良好であると考えられて
いた。事実、ヒーター５ａ（図１４参照）からの間隔Ｄ
₁ ，Ｄ₂ が１枚熱処理されるウェーハの温度分布に与え
る影響は少ない。しかしながら、ウェーハの直径が８イ
ンチ以上に増大すると、周辺部が高く中心部が低い温度
分布がかなり大きくなり、しかも、ウェーハの大口径化
とデバイスの微細化が同時に進行しているために、微小
デバイスの性能を向上し、また高い歩留を保持するため
には温度分布の許容度が少なくなることが予測される。

【０００６】以上、縦型炉について説明したが、横型炉
では従来ＲＴＰは行われていなかった。これは横型炉で
は、約１０００ｍｍ以上の均熱長は容易に実現すること
ができるが、横型炉では占有床面積（foot print）が
１．５×８〜１．５×１１ｍ²と非常に大きくなり、縦
型炉の５〜７倍位になるために、８インチ以上の大口径
ウェーハでは使用されなくなり、又、６インチ口径のウ
ェーハで製作されている４〜１６ＭＤＲＡＭではＲＴＰ
は不要であったので、横型炉でＲＴＰを行うことは検討
されていなかったためである。しかし、６４Ｍ以上のＤ
ＲＡＭを製作する場合、高さが５ｍ以上の建屋を必要と
する縦型炉よりも横型炉を使用してＲＴＰを行うことが
クリーンルーム建設コスト上から有利であることに本発
明者は着目した。

【０００７】よって、本発明は、大口径ウェーハの面内
特性の均一性を良好にできる方法を提供することを目的
とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明に係る方法は、ホットウォール型加熱炉内にて配置さ
れた１枚又は複数枚のウェーハを熱処理する半導体装置
の製造方法において、蓄熱板を予め熱処理温度に加熱
し、次にウェーハを、実質的に全面で、前記蓄熱板に接
触させあるいは蓄熱板の極近傍に配置して、前記熱処理
温度にて熱処理することを特徴とする半導体装置の製造
方法である。

【０００９】ウェーハの熱処理においては、図１３を参
照して説明したように一旦低温に保持することが必要な
場合もあり、また必要がない場合もある。前者の例は、
前述のＲＴＰ、即ち注入イオンの活性化、Ｂ−ＰＳＧの
リフロー等であり、後者の例は６００〜７５０℃でのＴ
ｉＮのアニールである。しかしこの例でも３００〜４５
０℃で低温処理してから高温処理してもよい。本発明は
これらのいずれにも適用される。又、本発明は１枚のウ
エーハを熱処理あるいは表面処理する際に、その面内均
一性を高めることもできるが、複数枚ウエーハを処理す
ることもできる。以下の説明では、低温領域と高温領域
を備えたホットウオール型加熱炉の低温領域で１枚のウ
エーハを一旦保持し、蓄熱板を予め高温領域で加熱し、
ウエーハを高温領域に移動する方法について説明する。

【００１０】先ず、縦型炉の場合について説明すると、
本発明は、ホットウォール型加熱炉内にてウェーハを低
温領域と高温領域の間で移動させるホットウォール型加
熱炉内にてウェーハをその面方向で移動させる保持具を
備えた従来の半導体装置の製造装置に基づき、これを次
の段落で説明するように改良する。なお低温・高温領域
とは一定の温度をもつある程度の長さ（ウエーハを均一
に加熱するに足りる長さ）をもつ空間である。前記の方
法及び装置自体は公知であり、本発明においても従来の
公知の技術、例えば一重管、二重管などの炉構造、ウェ
ーハ保持具、ガスの導入口、高温領域と低温領域の中間
に排気口を設けるなどの技術を適宜採用することができ
る。また、ＲＴＰ処理を行う高温の温度は一般には７０
０〜８００℃以上〜１１００℃以下である。高温におけ
る保持時間中に不純物の拡散距離が無視できる条件を満
たす低温保持の温度等については、本出願人の前掲米国
特許に記載された条件を適宜採用することができる。

【００１１】本発明においては、ウェーハが高温領域に
移動する前に蓄熱板を当該高温に加熱し、次いで予め低
温加熱されたウェーハを蓄熱板の対向空間内でヒーター
及び蓄熱板を熱源として加熱することを特徴としてい
る。したがって、例えば９５０℃に高温加熱された蓄熱
板は９５０℃の輻射熱源としてウェーハを加熱し、ヒー
ターからの加熱と相まってウェーハの少なくとも中心部
を非常に短時間で低温加熱温度例えば７５０℃から熱処
理温度例えば９５０℃まで昇温する。

【００１２】デバイスが形成されているウェーハの片面
のみを蓄熱板に接近させると、低温に均熱されていたウ
ェーハが加熱炉内を移動し蓄熱板と対向したときに、ウ
ェーハは蓄熱板とヒーターからの輻射熱により加熱され
る。この場合縦型炉については図１４に示したようにヒ
ーターからの加熱によるウェーハ周辺部の高温加熱傾向
を抑制するためには、蓄熱板の極近傍にウェーハを配置
するかあるいはこれらを接触させることが必要である。
なお、極近傍とは、好ましくは蓄熱板とウェーハの距離
（Ｃ、図１参照）は１０ｍｍ以下である。

【００１３】蓄熱板の寸法（最小の径、幅等を指す）は
ウェーハの大きさとほぼ同じかあるいはそれ以上の大き
さが好ましい。蓄熱板からの輻射熱の入射角度は数度か
ら約１８０°までの広い範囲にわたり、このためウェー
ハの全面が同時に均一加熱される。したがって、蓄熱板
の大きさの上限には制限がなく、ウェーハの２倍以上と
して２枚以上のウェーハを蓄熱板の間に並べて配置して
もよい。

【００１４】横型加熱炉の場合は工場の長さの制約は建
屋の高さ程厳しくはないので、ウェーハの２倍以上の寸
法の蓄熱板を使用することができる点以外は、縦型炉
（図１）の場合と同じであり、図２に示すように蓄熱板
１０とウエーハの距離Ｃは１０ｍｍ以下が好ましい。

【００１５】ウェーハの厚みは通常０．６〜０．８ｍｍ
である。このウェーハが高温領域に移動した後の均熱さ
れる迄の昇温時間を２〜３分と見積もると、蓄熱板の厚
みはウエーハ間隔によって適切に調節する必要があるが
２〜１０ｍｍ以上が好ましい。しかし蓄熱板の厚みがこ
の範囲外に多少増減しても、蓄熱板を最初に室温から所
定の高温まで到達する加熱時間は２０分を超えることは
ないので処理効率が低下することはない。

【００１６】蓄熱板は融点が熱処理温度より十分に高
く、半導体装置の汚染原因となる物質を放出しなければ
各種金属、セラミックを使用することができる。好まし
くは、単結晶シリコン、多結晶シリコン、ＳｉＯ₂ ，Ｓ
ｉＣ、炭素、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＷＳｉ₂ ，ＴｉＳｉ₂ などの
メタルシリサイド、Ｗ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＡｌＮ又はＢＮ等
を使用する。又、シリコン板あるいはその他の任意の材
料の表面をこれらの物質、例えばＳｉ₃ Ｎ₄ で被覆して
もよい。しかし単結晶シリコンのウェーハは高純度であ
り入手や加工が容易であるので、シリコンウエーハを処
理する際の好ましい蓄熱板物質である。上記各種物質を
選択する際には、熱処理によりウエーハ表面に形成され
る物質（例えばメタルシリサイド）と同一物質を蓄熱板
に使用するかあるいはウエーハ表面において熱処理によ
る性質改良処理（例えばイオン注入後のアニール）を施
される物質（例えば多結晶シリコン）と同一物質を蓄熱
板に使用することも好ましい。

【００１７】蓄熱板及びウェーハは縦型炉では縦置き
（板の上下面が炉の上下方向と一致する）とし、横型炉
では縦置き又は横置き（炉の出入り口方向と板の面方向
が一致する）とすることが好ましい。後者では蓄熱板は
直立もしくは水平あるいはこれらの中間の角度で配置さ
れるが、直立が好ましい。

【００１８】本発明においては、ＣＶＤ等の膜形成を行
わずに拡散、アニールなどの単なる熱処理を行う場合
に、ウェーハを上述した蓄熱板と接触させることにより
（すなわち、図１及び２においてＣ＝０）、さらに均一
加熱を実現することができる。なお、ウェーハと蓄熱板
の間には機械加工精度に起因する微小な間隙はあっても
よく、通常の加工精度上の面接触をしていれば輻射及び
伝導によりウェーハは均一加熱される。また、蓄熱板は
拡散や汚染を避けるためにウェーハと同一材料であるこ
とが好ましい。

【００１９】本発明の別法は、ホットウォール型加熱炉
のヒーターの極近傍、好ましくは１０ｍｍ以下の距離に
ウェーハを配置して熱処理する方法である。すなわち、
ホットウォール型加熱炉のヒーターは熱処理温度をもっ
ているので、その極近傍にウェーハを接近させると、周
縁部と中心部の温度差を少なくしてウェーハの実質的全
面を均一に加熱することができ、また急速加熱が可能に
なる。

【００２０】

【作用】本発明の方法では、高温領域における加熱の熱
源をヒーター及び蓄熱板とし、ウェーハの片面を、実質
的に全面で、蓄熱板の極近傍に接近させもしくは接触さ
せることにより、ウェーハ面内の温度分布の均一性が高
まりかつ高速加熱が可能になる。これは、（ａ）蓄熱板
からの放熱により面内加熱均一性が改良される；（ｂ）
蓄熱板から輻射により放熱されるエネルギは、熱エネル
ギが表面抵抗分布に大きな影響を与える熱処理初期にお
いて、ウエーハに必要な熱を瞬間的に与える；（ｃ）放
熱後の蓄熱板はヒーターにより昇温され所定熱処理温度
に戻ることによる。さらに、ヒーターとウェーハを接近
させることにより、ヒーターに蓄熱板の作用をもたせ、
結果として上記（ａ），（ｂ），（ｃ）を実現すること
ができる。以下、図面を参照し、実施例によりさらに詳
しく本発明を説明する。

【００２１】

【実施例】図３は本発明を縦型減圧ＣＶＤ装置に適用し
た実施例を示す図である。これらの図において、１、
２、３、５、６、３０、３１は図１３に示された部材と
同じものであり、１ａは外管である。

【００２２】ウェーハ昇降棒６は図８、９に示すよう
に、先端にウェーハ保持治具３３を嵌込み、その管状部
３３ａから３本の腕部材を斜め上向きに延在させ、その
先端部に直立柱部を連続形成し、さらにこの直立柱部か
ら水平張出部３８も連続形成している。水平張出部３８
の先端は上向きに突出させてその先端を先細り先端３９
とし、ここでウェーハ８を点接触式で支持している。加
えて、水平張出部の先端を約２７０°の円弧状に接続す
る円弧部を設け、そこにも先細り先端３９を２か所形成
し、これら合計５個の先細り先端３９により、ウェーハ
支持部とウェーハの接触面積をできるだけ小さくするこ
とにより、ウェーハの急速加熱特性を良好にしている。

【００２３】図３において、１０は蓄熱板であって、そ
れぞれはウェーハ８の寸法より若干大きく設定された一
体の板である。蓄熱板１０は支持治具１８で所定位置に
保持されている。支持治具１８は２本以上の棒もしくは
帯状のものであって、Ｌ字状に変形されたその底部を押
さえ１９により反応管支持底板１７により固定してい
る。なお、蓄熱板１０は、その上部を棒等で吊り下げら
れた状態で固定してもよい。

【００２４】反応ガス導入管２から導入された反応ガ
ス、キャリヤーガスなどのガスは石英反応管１の頂部に
設けられた円筒形接続部９を経て石英反応管１内に流入
する。

【００２５】図３には図示されていないが、石英反応管
１の下部でウェーハ８がイオン注入後の活性化のＲＴＰ
処理を可能にするため、下部加熱炉５ｂにより通常７０
０〜７５０℃に加熱される。この温度範囲では不純物の
拡散が活発でないため保持時間を長くとることができる
ので、十分に面内温度分布を一定にするような時間ウェ
ーハ８が下部加熱炉５ｂ内に保持される。さらに、図３
では２ゾーンの加熱炉を示したが、温度が異なる３ゾー
ン以上の加熱炉に本発明を適用することができる。

【００２６】図４〜７は横型常圧ＣＶＤ装置に本発明を
適用した実施例を示す。図４及び５は、ウェーハ８を蓄
熱板１０の上方に配置する実施例を示す図である。図
中、それぞれ３個の電気抵抗発熱体からなる５ｃは高温
部加熱用ヒーター、５ｄは低温部加熱用ヒーターであ
る。この実施例においては２枚のウェーハ８が低温部で
低温部加熱用ヒーター５ｄで加熱された後、以下説明す
るウェーハ出入れ棒１６により高温部内の蓄熱板１０の
上面に移動されかつその近傍まで下降して蓄熱板１０か
ら輻射加熱されるか、あるいはウェーハ８を蓄熱板１０
の上に載せる。

【００２７】１６は公知の片持ち梁機構によりウエーハ
を保持しかつ反応管と無接触に移動かつ昇降させる中空
管からなるウェーハ出入れ棒であって、その下部に一体
に接続された吊り部１８によりウェーハ８を支えてい
る。蓄熱板１０は蓄熱板置き台１３に支持され、その出
し入れ棒１４により炉内に出し入れされる。

【００２８】図６及び７は蓄熱板をウェーハの上方に配
置する実施例を示し、これらの図における参照符号は図
４及び５と同じ部材を指している。

【００２９】本発明の方法は、図３〜７に示した実施例
においてウェーハを蓄熱板１０と接触させ所定熱処理時
間接触状態を保つことにより実施することができる。ま
た、図１１に示すように蓄熱板１０を高温部に４枚上下
に配列しその間隙にウェーハ８をウェーハ出入棒１６に
より送入する。ウェーハ出入れ棒１６は送入後下降して
ウェーハ８を蓄熱板１０に載置して接触させた後上昇し
て、後退する。常圧反応横型装置では矩形もしくは正方
形断面の石英管が使用されており、ヒーター断面も平面
を接続した形状となるので縦形炉と同様にウェーハをヒ
ーターの極近傍に配置することができる。

【００３０】本発明の実施態様においては、蓄熱板１０
にガスを通過させるガス流出孔を多数形成してもよい。
但し、蓄熱板の効果を損なわないためには、ガスを熱処
理温度に加熱してからガス流出孔を通過させる必要があ
る。ガスとしてはウエーハの基板と直接反応してＳｉＯ
₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＳｉＯＮなどの膜を形成する反応ガス
の他に、ＣＶＤガスなどの反応ガスも使用することがで
きる。これからのガスにより、大口径ウエーハに均一に
かつ薄い膜厚を形成することができる。図１２には蓄熱
板にガス流出孔を多数形成した実施例を示す。蓄熱板１
０には、直径が例えば０．２〜０．５ｍｍのガス流出孔
２０が蜂の巣状に２０個〜１０個あるいはそれ以上形成
している。ガスはガス供給管２１から、分配室２２内に
流入して十分均一濃度になるように混合される。その後
ガスはガス流出孔２０からシャワー状に基板８表面に達
する。なお、基板８は蓄熱板１０に対して極近傍に位置
するから、膜厚の不均一分布を招く矢印Ａ方向からのガ
ス流入を防止すことができる。上記のガス流入を開始す
る時期は、ウエーハが蓄熱板の極近傍に移動した時点か
らとすることが好ましい。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明はホットウ
ォール型加熱炉において処理されるウェーハの面内均一
性特性、例えば面内抵抗の均一性について前掲米国特許
による以上の成果を達成することができる。したがって
本発明は大口径ウェーハにつき、面内均一性を高めつつ
高能率処理を可能にするものである。

【００３２】さらに、横型加熱炉においてＲＴＰが可能
となったために、１回当りのウエーハ処理枚数を多く
し、生産性向上が達成される。

【００３３】本発明は冒頭で挙げた熱処理の他に、ＢＳ
Ｔ（チタン酸バリウムストロンチウム）ＳＴ（チタン酸
ストロンチウム）、Ｔａ₂ Ｏ₅ 膜などの高誘電体薄膜の
膜質改善のためのＲＴＰアニーリング、ＷＳｉ₂ 、Ｔｉ
Ｓｉ₂ 膜などの低抵抗化のためのＲＴＰアニーリング、
ＳｉＯ₂ 、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ膜など
の緻密化・平坦化のためのＲＴＰアニーリング、ＰＺＴ
（チタン酸鉛ジルコニウム）、Ｙ−１、ＢＳＴなどの強
誘電体物質膜のＲＴＰアニーリング、イオンインプラー
テション層の活性化、拡散、バルクシリコンを反応して
成形するＳｉＯ₂ 膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯ膜などの薄膜
形成、及びＳｉＯ₂ 膜の表面を１〜５オングストローム
窒化する極薄窒化処理等にも適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】蓄熱板の近傍で蓄熱板とヒーターにより加熱さ
れている縦型加熱炉の概念図である。

【図２】蓄熱板の近傍で蓄熱板とヒーターにより加熱さ
れている横型加熱炉の概念図である。

【図３】蓄熱板の近傍でウェーハが高温加熱されている
縦型加熱炉の実施例を示す図面である。

【図４】蓄熱板の近傍でウェーハが高温加熱されている
横型加熱炉の実施例を示す図面である。

【図５】図４の高温部の断面図である。

【図６】蓄熱板の近傍でウェーハが高温加熱されている
横型加熱炉の別の実施例を示す図面である。

【図７】図６の高温部の断面図である。

【図８】ウェーハ保持治具の実施例を示す平面図であ
る。

【図９】図８の断面図である。

【図１０】上部ヒータに蓄熱板の機能をもたせる方法を
示す実施例である。

【図１１】ウェーハと接触する蓄熱板とヒーターにより
ウェーハが加熱されている縦型加熱炉の概念図である。

【図１２】ガス流出孔を形成した蓄熱板の図である。

【図１３】従来のホットウォール型縦型加熱炉による加
熱方法の説明図である。

【図１４】図１３においてウェーハ周縁部が高温に加熱
されることの説明図である。

【符号の説明】１石英反応管２反応ガス流入管３排気管５加熱炉６ウェーハ昇降棒７ヒーター８ウェーハ１０蓄熱板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｍ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ホットウォール型加熱炉内に配置された
１枚又は複数枚のウェーハを熱処理する半導体装置の製
造方法において、蓄熱板を予め熱処理温度に加熱し、次
にウェーハの片面を、実質的に全面で、前記蓄熱板に接
触させもしくは前記蓄熱板の極近傍に配置して、前記熱
処理温度にて熱処理することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項２】前記蓄熱板と前記ウェーハの間隔（Ｃ）
が１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記蓄熱板が、少なくとも表面において
単結晶シリコン、多結晶シリコン、ＳｉＯ₂ ，ＳｉＣ、
炭素、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、金属シリサイド、Ｗ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，
ＡｌＮ又はＢＮからなることを特徴とする請求項１又は
２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記熱処理によりウエーハ表面に形成さ
れる物質と同一物質を蓄熱板の少なくとも表面に使用す
ることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項５】ウエーハ表面において熱処理による性質
改良処理を施される物質と同一物質を蓄熱板の少なくと
も表面に使用することを特徴とする請求項３記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項６】前記蓄熱板に多数形成されたガス流出孔
から、前記熱処理温度をもつ反応ガスを前記ウエーハに
向かって流出させることを特徴とする請求項１から５ま
での何れか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】ヒーターを備えたホットウォール型加熱
炉内にて配置された１枚又は複数枚のウェーハを熱処理
する半導体装置の製造方法において、ウェーハを前記ヒ
ーターの極近傍に配置して、前記熱処理温度にて熱処理
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】前記ヒーターとウェーハの間隔（Ｃ）が
１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項９】低温領域と高温領域を備えたホットウォ
ール型加熱炉の低温領域で前記ウエーハを一旦保持し、
その後前記ウエーハを前記高温領域に移動して熱処理を
行うことを特徴とする請求項１から８までの何れか１項
記載の半導体装置の製造方法。