KR100453958B1 - 폴리이미드 베이크 오븐 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 폴리이미드 베이크 오븐에 관한 것으로서, 정면에 개폐 가능하도록 도어(20)가 결합된 챔버(10) 내측에 전열선(51)을 내장한 히팅플레이트(50)가 설치되는 폴리이미드 베이크 오븐에 있어서, 히팅플레이트(50)는 도어(20)가 위치하는 전방측의 전열선(51)의 간격이 후방측의 전열선(51)의 간격에 비해 조밀하도록 배열되는 것으로서, 폴리이미드 베이크 오븐의 챔버 내측의 온도분포를 균일하게 유지하도록 함으로써 웨이퍼 표면에 코팅된 폴리이미드를 균일하게 경화되도록 하여 폴리이미드 큐어 공정을 안정적으로 실시하며, 이로 인한 웨이퍼의 손상을 감소시켜 웨이퍼의 수율을 증대시키는 효과를 가진다.

Description

폴리이미드 베이크 오븐{POLYIMIDE BAKE OVEN}
본 발명은 폴리이미드 베이크 오븐에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 폴리이미드 베이크 오븐의 챔버 내측의 온도분포를 균일하게 유지하도록 함으로써 웨이퍼 표면에 코팅된 폴리이미드를 균일하게 경화되도록 하는 폴리이미드 베이크 오븐에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위한 공정중에는 소자 보호, 파티클 방지 등의 목적으로 웨이퍼 표면에 절연층 필름인 폴리이미드(polyimide)를 코팅한 후 큐어링(curing)하는 폴리이미드 큐어공정이 있으며, 폴리이미드 큐어공정은 웨이퍼 표면에 폴리이미드가 확실히 고착되도록 하기 위하여 석영보트에 웨이퍼를 장착하여 베이크 오븐(bake oven) 내에서 약 320℃의 고온으로 웨이퍼 표면에 코팅된 폴리이미드 막을 경화시킨다.
폴리이미드 큐어공정을 실시하는 종래의 폴리이미드 베이크 오븐은 챔버의 전방에 도어가 개폐가능하도록 결합되고, 도어의 후면에 웨이퍼가 장착되는 석영보트가 결합되며, 챔버의 내측에 히팅플레이트가 설치된다. 또한, 히팅플레이트는 챔버의 내측중 후측면을 제외한 사면에 각각 설치되며, 균일한 간격으로 배열된 전열선이 내장되어 전열선으로부터 발생되는 열을 석영보트에 장착된 웨이퍼로 공급한다.
이러한 종래의 폴리이미드 베이크 오븐은 챔버 전방측에 석영보트가 출입하는 도어가 위치하므로 도어의 개방으로 인한 열손실로 인해 챔버 내부의 전방측이 후방측에 비해 온도가 낮으며, 양자간의 온도차이는 50℃ 이상 발생된다.
또한, 챔버 내부의 전방측과 후방측의 온도차이는 챔버의 전방측에 내부가스를 배기시키는 배기구가 마련됨으로써 더욱 심하였다.
따라서, 종래의 폴리이미드 베이크 오븐은 챔버 내부의 전방측과 후방측의온도차이로 인해 챔버 내부의 온도 균일도가 나빠져서 웨이퍼 표면에 코팅된 폴리이미드의 경화 정도가 서로 달라 폴리이미드 큐어 공정을 안정적으로 진행할 수 없으며, 챔버 내부의 전방측에 위치하는 웨이퍼는 그 표면의 폴리이미드가 완전히 경화되지 않아 웨이퍼의 손상을 증가시켜 웨이퍼의 수율을 감소시키는 문제점을 가지고 있었다.
또한, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 챔버 내부의 전방측과 후방측에 각각 별개의 히팅플레이트를 설치할 경우 히팅플레이트의 설치 개수가 증가함으로써 챔버의 구조가 복잡해질 뿐만 아니라 히팅플레이트의 설치비용이 증가하는 다른 문제점을 유발시키게 된다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 폴리이미드 베이크 오븐의 챔버 내측의 온도분포를 균일하게 유지하도록 함으로써 웨이퍼 표면에 코팅된 폴리이미드를 균일하게 경화되도록 하여 폴리이미드 큐어 공정을 안정적으로 실시하며, 이로 인한 웨이퍼의 손상을 감소시켜 웨이퍼의 수율을 증대시키는 폴리이미드 베이크 오븐을 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 정면에 개폐 가능하도록 도어가 결합된 챔버 내측에 전열선을 내장한 히팅플레이트가 설치되는 폴리이미드 베이크 오븐에 있어서, 히팅플레이트는 도어가 위치하는 전방측의 전열선의 간격이 후방측의 전열선의 간격에 비해 조밀하도록 배열되는 것을 특징으로 한다.
히팅플레이트는 전열선이 장착되도록 일측면에 전열선이 배열되는 형상과 동일한 형상을 가지는 장착홈이 형성되는 제 1 플레이트와; 제 1 플레이트의 일측면에 결합되는 제 2 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐을 도시한 측면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐로부터 도어를 오픈시킨 상태에서의 정면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐을 도시한 측단면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐의 히팅플레이트를 도시한 분해사시도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 ; 챔버 20 ; 도어
30 ; 석영보트 40 ; 도어개폐수단
50 ; 히팅플레이트 51 ; 전열선
52 ; 제 1 플레이트 52 ; 제 2 플레이트
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐을 도시한 측면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐로부터 도어를 오픈시킨 상태에서의 정면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐을 도시한 측단면도이다. 도시된 바와 같이, 정면이 개방되도록 형성되는 챔버(chamber;10)와, 챔버(10)에 개폐가능하게 결합되는 도어(20)와, 도어(20)의 후측면에 결합되며 웨이퍼가 장착되는 석영보트(quartz boat;30)와, 도어(20)를 챔버(10)로부터 개폐시키는 도어개폐수단(40)과, 챔버(10)의 내측에 설치되며 전방측의 간격이 후방측의 간격에 비해 조밀하도록 배열되는 전열선을 내장하는 히팅플레이트(heating plate;50)를 포함한다.
챔버(10)는 정면이 개방된 육면체 형상을 가지고, 정면에 내부가스를 배기시키는 배기구(11;도 2에 도시)가 마련되며, 외측 일면에 복수의 제 1 베어링하우징(12)과 내부의 온도를 감지하는 온도감지센서(미도시)가 설치되는 복수의 센서브라켓(13)이 설치되고, 도어(20)에 의해 내부가 밀폐된다.
한편, 온도감지센서에 의해 챔버(10) 내부의 전방측 및 후방측의 온도를 각각 감지하여 감지신호를 제어부(미도시)로 출력하여 제어부에 의해 후술하는 히팅플레이트(50)의 온도를 제어토록 한다.
도어(20)는 챔버(10)의 제 1 베어링하우징(12)에 슬라이딩 결합되는 수평가이드바(21)가 일측에 결합되며, 후측면에 웨이퍼가 장착되는 석영보트(30)가 결합된다.
석영보트(30)는 도어(20)의 후측면에 결합되기 위하여 도어(20)의 후측면에 결합된 한 쌍의 보트아암(31)상에 설치되며, 일정 개수의 웨이퍼를 장착한 상태에서 도어(20)가 챔버(10)에 결합시 챔버(10)의 내측에 위치하게 된다.
도어개폐수단(40)은 도어(20)를 챔버(10)로부터 개폐시키는 위하여 챔버(10)의 외측 일면에 복수의 제 2 베어링하우징(41)을 수평으로 배열되도록 설치하고, 제 2 베어링하우징(41)에 슬라이딩 결합되는 볼 스크류(ball screw;42)를 도어(20)의 일측에 결합시키며, 볼 스크류(42)에 나사결합되는 제 1 풀리(43)와 벨트(44)로 연결되는 제 2 풀리(45)가 회전축에 결합되는 모터(46)를 챔버(10)의 외측 일면에 설치한다.
따라서, 모터(46)를 구동시켜 제 1 풀리(43)를 회전시킴으로써 볼 스크류(42)를 수평방향으로 이동시켜 챔버(10)로부터 도어(20)를 개폐시키며, 이 때 수평가이드바(21)는 제 1 베어링하우징(12)에 의해 가이드된다.
히팅플레이트(50)는 챔버(10)의 내측에서 후측면을 제외한 사면에 스크류(S)에 의해 각각 설치되며, 도 4에서 나타낸 바와 같이, 도어(20)가 위치하는 전방측의 간격이 후방측의 간격에 비해 조밀하도록 배열되는 전열선(51)과, 전열선(51)이장착되도록 일측면에 전열선(51)이 배열되는 형상과 동일한 형상을 가지는 장착홈(52a)이 형성되는 제 1 플레이트(52)와, 제 1 플레이트(52)의 일측면에 결합되는 제 2 플레이트(53)로 이루어지며, 제 1 플레이트(52)의 장착홈(52a)에 전열선(51)을 장착한 상태에서 전열선(51)을 내장하도록 제 1 플레이트(52)의 일측면에 제 2 플레이트(53)가 결합되며, 이들간의 결합은 각각의 상측과 하측에 서로 일치되게 형성된 나사홀(52b,53a)을 통해 스크류(S)로 결합시킴이 바람직하다.
한편, 제 1 및 제 2 플레이트(52,53)는 스테인레스 스틸(stainless steel) 재질로 형성된다.
이와 같은 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐은 히팅플레이트(50)에 도어(20)가 위치하는 전방측의 간격이 후방측의 간격에 비해 조밀하도록 전열선(51)을 배열하여 내장함으로써 챔버(10) 내부의 전방측이 도어(20)의 개폐로 인해 후방측에 비해 온도가 낮더라도, 히팅플레이트(50)의 전방측이 후방측에 비해 많은 열을 발생시키게 됨으로써 챔버(10) 내부의 전방측과 후방측의 온도차이를 보상하여 이들간의 온도를 균일하게 유지토록 한다.
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 폴리이미드 베이크 오븐의 챔버 내측의 온도분포를 균일하게 유지하도록 함으로써 웨이퍼 표면에 코팅된 폴리이미드를 균일하게 경화되도록 하여 폴리이미드 큐어 공정을 안정적으로 실시한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐은 폴리이미드 베이크 오븐의 챔버 내측의 온도분포를 균일하게 유지하도록 함으로써 웨이퍼 표면에 코팅된 폴리이미드를 균일하게 경화되도록 하여 폴리이미드 큐어 공정을 안정적으로 실시하며, 이로 인한 웨이퍼의 손상을 감소시켜 웨이퍼의 수율을 증대시키는 효과를 가지고 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 폴리이미드 베이크 오븐을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims (2)

  1. 정면에 개폐 가능하도록 도어가 결합된 챔버 내측에 전열선을 내장한 히팅플레이트가 설치되는 폴리이미드 베이크 오븐에 있어서,
    상기 히팅플레이트는 상기 전열선이 장착되도록 일측면에 상기 전열선이 배열되는 형상과 동일한 형상을 가지는 장착홈이 형성되는 제 1 플레이트와;
    상기 제 1 플레이트의 일측면에 결합되는 제 2 플레이트를 포함하여;
    상기 도어가 위치하는 전방측의 전열선의 간격이 후방측의 전열선의 간격에 비해 조밀하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 베이크 오븐.
  2. 삭제
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61125023A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd 加熱装置
JPH0424488A (ja) * 1990-05-21 1992-01-28 Tokyo Electron Sagami Ltd 熱処理装置
JPH0917739A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 F T L:Kk 半導体装置の製造方法
KR0161872B1 (ko) * 1995-11-30 1999-02-01 문정환 에스오지 건조용 가열로
KR19990018655U (ko) * 1997-11-13 1999-06-05 구본준 반도체 웨이퍼 열처리용 가열판의 열선설치구조

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61125023A (ja) * 1984-11-22 1986-06-12 Hitachi Ltd 加熱装置
JPH0424488A (ja) * 1990-05-21 1992-01-28 Tokyo Electron Sagami Ltd 熱処理装置
JPH0917739A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 F T L:Kk 半導体装置の製造方法
KR0161872B1 (ko) * 1995-11-30 1999-02-01 문정환 에스오지 건조용 가열로
KR19990018655U (ko) * 1997-11-13 1999-06-05 구본준 반도체 웨이퍼 열처리용 가열판의 열선설치구조

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