JPS5944821A - 半導体熱処理容器 - Google Patents
半導体熱処理容器Info
- Publication number
- JPS5944821A JPS5944821A JP15465582A JP15465582A JPS5944821A JP S5944821 A JPS5944821 A JP S5944821A JP 15465582 A JP15465582 A JP 15465582A JP 15465582 A JP15465582 A JP 15465582A JP S5944821 A JPS5944821 A JP S5944821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal treatment
- flange
- semiconductor
- container
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し発明の技術分野〕
この発明は半導体熱処理容器の改良にかかり、特に（ん
型半樽体熱地理谷器の開端に６けられる７ランジの改１
走に関する。
型半樽体熱地理谷器の開端に６けられる７ランジの改１
走に関する。
鈍米半導捧つエノ・（以降ウエノ・と略称）に不純・Ｉ
＆＋拡故、酸化膜形成、青の熱処理を施すのに用いる熱
地ｊｑｊ 容器に第１図に示されるものがある。図にお
いて、ｔ１＋は１状の石英容器で、炉（２）中に水平に
配置されその一端はガス導入口（３）のある閉塞端、他
端は開端で石英製のキャップ（４）が摺合わせｆｆｌｉ
（４ｇ）でａ月する。また、キャップ（４）にはガス排
出口（５）が設けられており、廃カスを排出してダクト
（図示省ｌ１ｌｉ８）に導くようＫＸっている。そして
ウェハの出入時はキャップを外し、ウェハをボートに載
置して装入したのち閉じ処理を施すのである。
＆＋拡故、酸化膜形成、青の熱処理を施すのに用いる熱
地ｊｑｊ 容器に第１図に示されるものがある。図にお
いて、ｔ１＋は１状の石英容器で、炉（２）中に水平に
配置されその一端はガス導入口（３）のある閉塞端、他
端は開端で石英製のキャップ（４）が摺合わせｆｆｌｉ
（４ｇ）でａ月する。また、キャップ（４）にはガス排
出口（５）が設けられており、廃カスを排出してダクト
（図示省ｌ１ｌｉ８）に導くようＫＸっている。そして
ウェハの出入時はキャップを外し、ウェハをボートに載
置して装入したのち閉じ処理を施すのである。
斜上の装置ではキャップが石英であり、操作に手加減を
要するので機械化が不能である。加熱が８００℃以下の
ものではステンレス、例えば５ＵＳ３１６に換えること
もできるが、処理によって基数等が生成するので耐薬品
性にとほしいステンレスでｅまに４触され、塵発生の原
因になる欠点もある。
要するので機械化が不能である。加熱が８００℃以下の
ものではステンレス、例えば５ＵＳ３１６に換えること
もできるが、処理によって基数等が生成するので耐薬品
性にとほしいステンレスでｅまに４触され、塵発生の原
因になる欠点もある。
この発明は斜上の欠点に鑑みてなされたもので、横型半
導体熱処理容器における開端のフランツの改良構造を提
供する。
導体熱処理容器における開端のフランツの改良構造を提
供する。
この発明にかかる半導体熱処理容器は、石英の筒型の加
熱容器と、この加熱容器の開端に取着され炭化珪素で形
１ｊｋされたフランジと、前記７ランジに密接するふた
体とを具備したことを特徴とする。
熱容器と、この加熱容器の開端に取着され炭化珪素で形
１ｊｋされたフランジと、前記７ランジに密接するふた
体とを具備したことを特徴とする。
次にこの発１．１１Ｊを１実施例につき図面を参照して
詳細ニ説明する。ｌ実施例を示す第２図において、ａＩ
Ｊは石英で筒状に形成された加熱容器で、炉（２）中に
水平に配ＩＷされその一端はガス導入口（３）のある閉
塞端、他端は開端でここに７ランジが取着けられるよう
に外方へ拡張した平面部ａ々が形成されている。そして
、この平面部に、炭化けい素で形成されたフランジ０淘
がその一方の主面のパツキン０によって密接される。前
記パツキンＱ４１は主面に設けられたパツキン溝にシリ
コンゴムのＯリングが嵌められた構造である。同様のパ
ツキン（ｉ４’）が７ランジの他方の主面にも設けられ
ており、この７ランジにその外縁に設けられた回転アー
ム軸ｕ１（モータ（図示省略）によって回転駆動される
）に取着された石英のふた体ｕｂＩがその１主面で密接
することによって加熱容器を密封できるようになってい
る。また、７ランジには０１Ｊングの耐熱保護のため内
部に冷却水を循慎させる冷却水導入口および排水口＜１
７１と、加熱容器内の撥ガスの１４Ｆ気口０８とが設け
られている。
詳細ニ説明する。ｌ実施例を示す第２図において、ａＩ
Ｊは石英で筒状に形成された加熱容器で、炉（２）中に
水平に配ＩＷされその一端はガス導入口（３）のある閉
塞端、他端は開端でここに７ランジが取着けられるよう
に外方へ拡張した平面部ａ々が形成されている。そして
、この平面部に、炭化けい素で形成されたフランジ０淘
がその一方の主面のパツキン０によって密接される。前
記パツキンＱ４１は主面に設けられたパツキン溝にシリ
コンゴムのＯリングが嵌められた構造である。同様のパ
ツキン（ｉ４’）が７ランジの他方の主面にも設けられ
ており、この７ランジにその外縁に設けられた回転アー
ム軸ｕ１（モータ（図示省略）によって回転駆動される
）に取着された石英のふた体ｕｂＩがその１主面で密接
することによって加熱容器を密封できるようになってい
る。また、７ランジには０１Ｊングの耐熱保護のため内
部に冷却水を循慎させる冷却水導入口および排水口＜１
７１と、加熱容器内の撥ガスの１４Ｆ気口０８とが設け
られている。
この発明によれば、ｓｏｏ’ｃを超える高温の熱処理容
器を用いる処理工程を自動化することができる。また、
フランジは充分耐熱性、耐薬品（耐酸）性を備えるので
耐用期間が長く、塵を発生しないので半導体ウェハの処
理歩留を低下することがないなどの顯著な利点がある。
器を用いる処理工程を自動化することができる。また、
フランジは充分耐熱性、耐薬品（耐酸）性を備えるので
耐用期間が長く、塵を発生しないので半導体ウェハの処
理歩留を低下することがないなどの顯著な利点がある。
第１図は従来の半導体熱処理容器の障ｌｌｌｌ１図、第
２図はｌ実施例の半導体熱処理容器の断面図である。 １１ 筒型加熱′６器 １３ フランジ １６ ふた体
２図はｌ実施例の半導体熱処理容器の断面図である。 １１ 筒型加熱′６器 １３ フランジ １６ ふた体
Claims (1)
- 半導体ウエノ・に対し８（）０℃を超える熱処理を施す
横型半導体熱処理容器が、石英の筒型加熱容器と、前記
加熱容器の開端に堆層され炭化けい素で形成されたフラ
ンジと、前記フランジに密接するふた体とを具備しｔこ
とを特徴とする半導体熱死」中容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15465582A JPS5944821A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 半導体熱処理容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15465582A JPS5944821A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 半導体熱処理容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944821A true JPS5944821A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15588979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15465582A Pending JPS5944821A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 半導体熱処理容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174225A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
| JPH03151631A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの熱処理炉 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5371567A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Reaction equipment |
| JPS5648130A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Structure of furnace core tube for semiconductor diffusion |
| JPS56129329A (en) * | 1980-03-13 | 1981-10-09 | Kokusai Electric Co Ltd | Seal protective device for end cap in high-voltage oxidizing device |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP15465582A patent/JPS5944821A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5371567A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Reaction equipment |
| JPS5648130A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Structure of furnace core tube for semiconductor diffusion |
| JPS56129329A (en) * | 1980-03-13 | 1981-10-09 | Kokusai Electric Co Ltd | Seal protective device for end cap in high-voltage oxidizing device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174225A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
| JPH03151631A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハの熱処理炉 |
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