JPH0766127A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0766127A JPH0766127A JP23096293A JP23096293A JPH0766127A JP H0766127 A JPH0766127 A JP H0766127A JP 23096293 A JP23096293 A JP 23096293A JP 23096293 A JP23096293 A JP 23096293A JP H0766127 A JPH0766127 A JP H0766127A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction chamber
- reaction
- gas
- reaction tube
- production system
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置の反応室及びその周辺を構成す
る金属製部分の酸化防止をする。 【構成】半導体製造装置の反応室及びその周辺を構成す
る金属製構成物７，１０，１１，１３，１４の少なくと
も反応室内に露出する部分、ガス流通路に露出する部分
をフッ化不動態処理、或はＣｒ2 Ｏ3 不動態処理をし、
酸化性ガスを流通させた場合の金属製構成物の酸化を防
止する。
る金属製部分の酸化防止をする。 【構成】半導体製造装置の反応室及びその周辺を構成す
る金属製構成物７，１０，１１，１３，１４の少なくと
も反応室内に露出する部分、ガス流通路に露出する部分
をフッ化不動態処理、或はＣｒ2 Ｏ3 不動態処理をし、
酸化性ガスを流通させた場合の金属製構成物の酸化を防
止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特に酸
化性ガスによる金属部の腐食を防止する半導体製造装置
に関するものである。
化性ガスによる金属部の腐食を防止する半導体製造装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つに縦型反応炉を有
するＣＶＤ装置がある。
するＣＶＤ装置がある。
【０００３】これは、ヒータに囲まれた縦型反応管内に
ウェーハを水平姿勢で多段に装入し、ヒータで所定の温
度に加熱した状態で反応ガスを導入し、ウェーハ表面に
薄膜を生成するものである。
ウェーハを水平姿勢で多段に装入し、ヒータで所定の温
度に加熱した状態で反応ガスを導入し、ウェーハ表面に
薄膜を生成するものである。
【０００４】上記縦型反応炉で、ＣｌＦ3 、ＨＣｌ、Ｂ
Ｃｌ3 、Ｃｌ2 等の酸化性ガスを流す場合がある。これ
は、パーティクルの原因となる反応室内壁に付着した反
応生成物を酸化性ガスでエッチングし、反応室を清浄に
保つ場合、或はウェーハのエッチング処理を行う場合で
ある。
Ｃｌ3 、Ｃｌ2 等の酸化性ガスを流す場合がある。これ
は、パーティクルの原因となる反応室内壁に付着した反
応生成物を酸化性ガスでエッチングし、反応室を清浄に
保つ場合、或はウェーハのエッチング処理を行う場合で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記縦型反
応炉では反応管を支持する部材、或は機構部には金属製
の部品が用いられており、斯かる部品の一部或は全部が
炉内、或はガスの流路に露出している場合がある。酸化
性ガスを流した場合、この酸化性ガスが接触する金属部
は前記酸化性ガスによって腐蝕されるという問題があっ
た。
応炉では反応管を支持する部材、或は機構部には金属製
の部品が用いられており、斯かる部品の一部或は全部が
炉内、或はガスの流路に露出している場合がある。酸化
性ガスを流した場合、この酸化性ガスが接触する金属部
は前記酸化性ガスによって腐蝕されるという問題があっ
た。
【０００６】本発明は斯かる実情に鑑み、酸化性ガスを
流した場合に金属部が腐蝕しない様にするものである。
流した場合に金属部が腐蝕しない様にするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、金属製構成物
の少なくとも反応室内に露出する部分、ガス流通路に露
出する部分をフッ化不動態処理、或はＣｒ2 Ｏ3 不動態
処理したことを特徴とするものである。
の少なくとも反応室内に露出する部分、ガス流通路に露
出する部分をフッ化不動態処理、或はＣｒ2 Ｏ3 不動態
処理したことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】金属製構成物の少なくとも反応室内に露出する
部分、ガス流通路に露出する部分がフッ化不動態処理、
或はＣｒ2 Ｏ3 不動態処理してあるので酸化性ガスを流
通させた場合にも安定で酸化することがない。
部分、ガス流通路に露出する部分がフッ化不動態処理、
或はＣｒ2 Ｏ3 不動態処理してあるので酸化性ガスを流
通させた場合にも安定で酸化することがない。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図１に於いて半導体製造装置の１つであ
り、シリコンウェーハに薄膜を生成する縦型反応炉につ
いて説明する。
り、シリコンウェーハに薄膜を生成する縦型反応炉につ
いて説明する。
【００１１】ヒータ１の内部に外部反応管２が設けら
れ、該外部反応管２の下端に金属製短筒のインレットフ
ランジ７が気密に設けられ、該インレットフランジ７に
下端を支持され、金属製の外部反応管固定具１３に固定
された内部反応管３が前記外部反応管２と同心に設けら
れている。前記内部反応管３と前記外部反応管２との間
には下端が閉塞された円筒状の空間４が形成される。前
記インレットフランジ７には反応ガス導入ポート８が前
記内部反応管３の下方に連通する様設けられると共に排
気管１１が前記空間４の下端に連通する様設けられてい
る。
れ、該外部反応管２の下端に金属製短筒のインレットフ
ランジ７が気密に設けられ、該インレットフランジ７に
下端を支持され、金属製の外部反応管固定具１３に固定
された内部反応管３が前記外部反応管２と同心に設けら
れている。前記内部反応管３と前記外部反応管２との間
には下端が閉塞された円筒状の空間４が形成される。前
記インレットフランジ７には反応ガス導入ポート８が前
記内部反応管３の下方に連通する様設けられると共に排
気管１１が前記空間４の下端に連通する様設けられてい
る。
【００１２】ウェーハ５はボート６に水平姿勢で多段に
保持され、ボート６に保持された状態で前記内部反応管
３の内部に装入される様になっている。前記ボート６は
ボートキャップ９を介してボートキャップ受板１４に支
持され、該ボートキャップ受板１４は図示しないボート
エレベータに昇降可能に支持されている。前記ボート６
が内部反応管３内に完全に装入された状態では、金属製
炉口蓋１０が前記インレットフランジ７に気密に当接
し、外部反応管２内を気密に閉塞する様になっている。
保持され、ボート６に保持された状態で前記内部反応管
３の内部に装入される様になっている。前記ボート６は
ボートキャップ９を介してボートキャップ受板１４に支
持され、該ボートキャップ受板１４は図示しないボート
エレベータに昇降可能に支持されている。前記ボート６
が内部反応管３内に完全に装入された状態では、金属製
炉口蓋１０が前記インレットフランジ７に気密に当接
し、外部反応管２内を気密に閉塞する様になっている。
【００１３】上記した様に、外部反応管２とインレット
フランジ７とは気密に連設されており、外部反応管２と
インレットフランジ７との間にはシールリングが挾設さ
れている。更に、前記インレットフランジ７の上端には
冷却路１２が設けられ、該冷却路１２に冷却水を流通さ
せることで前記シールリングは炉体からの熱により焼損
しない様に冷却されている。
フランジ７とは気密に連設されており、外部反応管２と
インレットフランジ７との間にはシールリングが挾設さ
れている。更に、前記インレットフランジ７の上端には
冷却路１２が設けられ、該冷却路１２に冷却水を流通さ
せることで前記シールリングは炉体からの熱により焼損
しない様に冷却されている。
【００１４】前記インレットフランジ７、炉口蓋１０、
排気管１１、外部反応管固定具１３、ボートキャップ受
板１４の各金属製構成部品の炉内側、或はガスに接触す
る部分にフッ化不動態処理（ステンレス鋼材の表面の酸
化膜を除去した後、２６５℃以下でフッ素ガス処理を施
したもの）をする。
排気管１１、外部反応管固定具１３、ボートキャップ受
板１４の各金属製構成部品の炉内側、或はガスに接触す
る部分にフッ化不動態処理（ステンレス鋼材の表面の酸
化膜を除去した後、２６５℃以下でフッ素ガス処理を施
したもの）をする。
【００１５】ウェーハの処理を行う場合は、前記ボート
６にウェーハ５を水平姿勢で多段に装填し、ウェーハが
装填されたボート６が前記内部反応管３内に装入され、
ヒータ１により内部が所定の温度に加熱された状態で、
前記反応ガス導入ポート８より前記内部反応管３の下端
から反応ガスが導入され、ウェーハ５が処理され、更に
反応後のガスは前記排気管１１から排気される。
６にウェーハ５を水平姿勢で多段に装填し、ウェーハが
装填されたボート６が前記内部反応管３内に装入され、
ヒータ１により内部が所定の温度に加熱された状態で、
前記反応ガス導入ポート８より前記内部反応管３の下端
から反応ガスが導入され、ウェーハ５が処理され、更に
反応後のガスは前記排気管１１から排気される。
【００１６】次に、ウェーハをエッチングする場合、或
は反応室内を浄化する場合は、前記反応ガス導入ポート
８よりＣｌＦ3 、ＨＣｌ、ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 等の酸化性
ガスを流す。
は反応室内を浄化する場合は、前記反応ガス導入ポート
８よりＣｌＦ3 、ＨＣｌ、ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 等の酸化性
ガスを流す。
【００１７】斯かるＣｌＦ3 、ＨＣｌ、ＢＣｌ3 、Ｃｌ
2 等の酸化性ガスは金属に対して腐蝕性を有するが、前
記した様にインレットフランジ７、炉口蓋１０、排気管
１１、外部反応管固定具１３、ボートキャップ受板１４
の各金属製構成部品の炉内側、或はガスに接触する部分
にフッ化不動態処理をしており、該フッ化不動態処理は
強酸性ガスに対して安定な状態を保つので、金属構成部
品が酸化されるのが防止される。
2 等の酸化性ガスは金属に対して腐蝕性を有するが、前
記した様にインレットフランジ７、炉口蓋１０、排気管
１１、外部反応管固定具１３、ボートキャップ受板１４
の各金属製構成部品の炉内側、或はガスに接触する部分
にフッ化不動態処理をしており、該フッ化不動態処理は
強酸性ガスに対して安定な状態を保つので、金属構成部
品が酸化されるのが防止される。
【００１８】尚、フッ化不動態処理の代わりにＣｒ2 Ｏ
3 不動態処理としても同様の作用がある。又、フッ化不
動態処理、Ｃｒ2 Ｏ3 不動態処理以外の不動態処理を施
してもよいことは勿論である。
3 不動態処理としても同様の作用がある。又、フッ化不
動態処理、Ｃｒ2 Ｏ3 不動態処理以外の不動態処理を施
してもよいことは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応室
内に酸化性ガスを流した場合に金属部分が腐蝕されるこ
とがないので、反応室内を清浄に保つことができ半導体
製造装置の処理品質を向上させることができる。
内に酸化性ガスを流した場合に金属部分が腐蝕されるこ
とがないので、反応室内を清浄に保つことができ半導体
製造装置の処理品質を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
７ インレットフランジ １０ 炉口蓋 １１ 排気管 １３ 外部反応管固定具 １４ ボートキャップ受板
Claims (2)
- 【請求項１】 金属製構成物の少なくとも反応室内に露
出する部分、ガス流通路に露出する部分をフッ化不動態
処理したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 金属製構成物の少なくとも反応室内に露
出する部分、ガス流通路に露出する部分をＣｒ2 Ｏ3 不
動態処理したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23096293A JPH0766127A (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23096293A JPH0766127A (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766127A true JPH0766127A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16916052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23096293A Pending JPH0766127A (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766127A (ja) |
-
1993
- 1993-08-24 JP JP23096293A patent/JPH0766127A/ja active Pending
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