JPS60200520A - 反応処理装置 - Google Patents
反応処理装置Info
- Publication number
- JPS60200520A JPS60200520A JP5603284A JP5603284A JPS60200520A JP S60200520 A JPS60200520 A JP S60200520A JP 5603284 A JP5603284 A JP 5603284A JP 5603284 A JP5603284 A JP 5603284A JP S60200520 A JPS60200520 A JP S60200520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- chamber
- wafer
- reaction tube
- preliminary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、反応処理装置に関し、特に反応室内部を密閉
状態に保って気相成長を行なうＣＶＤ装置に適用して有
効な技術に関するものである〇〔背景技術〕 半導体装置の製造には半導体ウェーハの表面に反応ガス
を用いた気相成長技術による薄膜の形成を反応処理装置
を使用して行なうことが不可欠である０このため種々の
反応処理装置が開発されている。そして、近年における
半導体素子の微細化に伴なって電気抵抗が低く高融点の
金属であるタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
チタン（Ｔ、）等およびこれらの金属を主成分とする金
属化合物を半導体素子の電極、配線に適用することが要
求されてくると、反応処理時における金属膜の酸化を防
止するために反応室内を外気と遮断した密閉状態にする
反応処理装置も必要とされることになる。
状態に保って気相成長を行なうＣＶＤ装置に適用して有
効な技術に関するものである〇〔背景技術〕 半導体装置の製造には半導体ウェーハの表面に反応ガス
を用いた気相成長技術による薄膜の形成を反応処理装置
を使用して行なうことが不可欠である０このため種々の
反応処理装置が開発されている。そして、近年における
半導体素子の微細化に伴なって電気抵抗が低く高融点の
金属であるタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、
チタン（Ｔ、）等およびこれらの金属を主成分とする金
属化合物を半導体素子の電極、配線に適用することが要
求されてくると、反応処理時における金属膜の酸化を防
止するために反応室内を外気と遮断した密閉状態にする
反応処理装置も必要とされることになる。
このようなことから、従来では反応室のウェーハ崩出１
−ｎＶｃ密魯寸スペル、ジセｈＦの芸伏を付設し、反応
室内にウェーハを収納させた後にこの蓋体で反応室を密
閉し、反応室内での反応処理時にウェーハが外気の酸素
に触れないように構成した装置となっている（ ｑｄｆ
開昭４８−１０３０８８号公報）０しかしながら、この
ような構成では、反応室にウェーハを収納したり取り出
したシする毎に蓋体を開閉して行なう必要がある。その
ため、処理の１サイクル毎に反応室内を減圧にして真空
化作業を行なわねばならず処理効率が悪い上に、外気中
のちり等の異物が反応室内に侵入し易くウェーハ表面の
欠陥を生じる原因となっている〇また、従来の別の反応
炉は石英管を横方向に配設した新開横型反応炉がある（
工業調査会発行電子月料１９８２年別冊、昭和５６年１
１月１０日発行、７５ｊ１〜８１頁）ｏしかしながら、
この横型反応炉においては、ウェーハの大量処理に伴な
って炉長が極端に長くなり、その結果、設置面積が大に
なり工場敷地の有効利用上好ましくないという問題もあ
る。
−ｎＶｃ密魯寸スペル、ジセｈＦの芸伏を付設し、反応
室内にウェーハを収納させた後にこの蓋体で反応室を密
閉し、反応室内での反応処理時にウェーハが外気の酸素
に触れないように構成した装置となっている（ ｑｄｆ
開昭４８−１０３０８８号公報）０しかしながら、この
ような構成では、反応室にウェーハを収納したり取り出
したシする毎に蓋体を開閉して行なう必要がある。その
ため、処理の１サイクル毎に反応室内を減圧にして真空
化作業を行なわねばならず処理効率が悪い上に、外気中
のちり等の異物が反応室内に侵入し易くウェーハ表面の
欠陥を生じる原因となっている〇また、従来の別の反応
炉は石英管を横方向に配設した新開横型反応炉がある（
工業調査会発行電子月料１９８２年別冊、昭和５６年１
１月１０日発行、７５ｊ１〜８１頁）ｏしかしながら、
この横型反応炉においては、ウェーハの大量処理に伴な
って炉長が極端に長くなり、その結果、設置面積が大に
なり工場敷地の有効利用上好ましくないという問題もあ
る。
本発明の目的は、反応処理を高能率で行なうことができ
る反応処理装置を提供することにある。
る反応処理装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、有害な異物が被処理体に付
着するのを防止できる反応処理装置を提供することにあ
る。
着するのを防止できる反応処理装置を提供することにあ
る。
また、本発明のさらに他の目的は、設置スペースの低減
を実現することのできる反応処理装置を提供することに
ある。
を実現することのできる反応処理装置を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりであるＯ すなわち、反応室を上下縦方向に延設すると共に、被処
理体の出入口には互にゲートバルブを介して連なる複数
個の予備室を列設し、前記被処理体はこれら予備室を通
して反応室内への出入を可能にした構成とすることによ
シ、反応室内への外気の混入を確笑に防止して形成＃腺
である金属膜の酸化境象や異物付Ｍ’ｃ防止しかつ真空
引き効率を高めて減圧下での処理効率を高め、更に反応
室を縦配置した分だけ配設スペースの低減を達成するこ
とができるものである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりであるＯ すなわち、反応室を上下縦方向に延設すると共に、被処
理体の出入口には互にゲートバルブを介して連なる複数
個の予備室を列設し、前記被処理体はこれら予備室を通
して反応室内への出入を可能にした構成とすることによ
シ、反応室内への外気の混入を確笑に防止して形成＃腺
である金属膜の酸化境象や異物付Ｍ’ｃ防止しかつ真空
引き効率を高めて減圧下での処理効率を高め、更に反応
室を縦配置した分だけ配設スペースの低減を達成するこ
とができるものである。
〔実施例１〕
第１図は本発明全半導体ウェーハのＣＶＤ装置に適用し
た実施例であシ、第２図はその概略平面構成図である。
た実施例であシ、第２図はその概略平面構成図である。
図においてｌは石英管からなる反応管（反応室）であり
、その大径のウェーハ取出口１ａ’ｉｚ上方に向け、細
径の排気口１ｂを下方に向けて上下方向、つまり縦方向
に延設している。
、その大径のウェーハ取出口１ａ’ｉｚ上方に向け、細
径の排気口１ｂを下方に向けて上下方向、つまり縦方向
に延設している。
そして、−この反応管１の周囲にはヒータ２を配設して
反応管１およびその内部を所定の温度に加熱できるよう
にしている。一方、ウェーハ取出口１ａの周辺部にはガ
ス供給口３ｆｔ輪殺し図外の反応ガス源に接続している
。また、排気口１ｂには真空ポンプを内蔵した排気部４
を接続し反応管１内部をｒ９Ｔ要の真空圧力に保つよう
にしている。
反応管１およびその内部を所定の温度に加熱できるよう
にしている。一方、ウェーハ取出口１ａの周辺部にはガ
ス供給口３ｆｔ輪殺し図外の反応ガス源に接続している
。また、排気口１ｂには真空ポンプを内蔵した排気部４
を接続し反応管１内部をｒ９Ｔ要の真空圧力に保つよう
にしている。
ｌｊｆ Ｋ −自ｂ ｉＦ’、Ｆｉ 度ＩＦ１のウー−
ハｌ１ｍ ｍ ｒ＋ １ ａ Ｌ ＆ｒは主予備室５を
一体に取着形成すると共に、その水平方向の両側には夫
々ゲートバルブ８〜１１を有するローダ予備室６とアン
ローダ予藺室７ｔ一連設している前記主予備室５内には
上部に開閉蓋噛１２を一体に設けだウェーハ支持枠１３
を内装し、この支持枠１３の上部から予備室５上方に突
出したロッドラック１４をピニオン１５に 合させるこ
とにより、ビニオン１５の正逆転によって日ツドラック
１４およびこれと一体のウェーハ支持枠１３は主予備室
５と反応管ＩＫわたって上下動できる。また、前記ロー
ダ予備室６とアンローダ予備室７には前記排気部４の支
管４ａ、４ｂを夫々接続してこれらの予備室６．７内も
低圧に制御している。
ハｌ１ｍ ｍ ｒ＋ １ ａ Ｌ ＆ｒは主予備室５を
一体に取着形成すると共に、その水平方向の両側には夫
々ゲートバルブ８〜１１を有するローダ予備室６とアン
ローダ予藺室７ｔ一連設している前記主予備室５内には
上部に開閉蓋噛１２を一体に設けだウェーハ支持枠１３
を内装し、この支持枠１３の上部から予備室５上方に突
出したロッドラック１４をピニオン１５に 合させるこ
とにより、ビニオン１５の正逆転によって日ツドラック
１４およびこれと一体のウェーハ支持枠１３は主予備室
５と反応管ＩＫわたって上下動できる。また、前記ロー
ダ予備室６とアンローダ予備室７には前記排気部４の支
管４ａ、４ｂを夫々接続してこれらの予備室６．７内も
低圧に制御している。
他方、前記ローダ予備室６の一側にはローダ部１６を設
けると共に内部にはローダ搬送部１７を設け、前記ロー
ダ部１６上に載荷されたカートリッジ１８内のウェーハ
Ｗを複数枚（全枚数）一度に前記ローダ予備室６を通し
て主予備室５へ搬送移動し、前記ウェーハ支持ｈ１３上
にｆ８載で＾る。
けると共に内部にはローダ搬送部１７を設け、前記ロー
ダ部１６上に載荷されたカートリッジ１８内のウェーハ
Ｗを複数枚（全枚数）一度に前記ローダ予備室６を通し
て主予備室５へ搬送移動し、前記ウェーハ支持ｈ１３上
にｆ８載で＾る。
同様に、前記アンローダ予備室７の一側にはアンローダ
部１９と内部にアンローダ搬送部２０とを設け、主予備
室５内のウェーハ支持枠１３上のウェーハをアンローダ
予備室７を通してアンローダ部１９上のカートリッジ２
１内に搬送移動できる。
部１９と内部にアンローダ搬送部２０とを設け、主予備
室５内のウェーハ支持枠１３上のウェーハをアンローダ
予備室７を通してアンローダ部１９上のカートリッジ２
１内に搬送移動できる。
即ち、これらローダ搬送部１７とアンローダ搬送部２０
は、第３図（４）〜（Ｑにローダ搬送部１７で例示する
ように、複数枚のウェーハ支持板１７ｂを回転軸１７ａ
の上下方向に列設し、かつ回転軸１７ａを若干上下移動
できるようにしている。そして、同図（５）〜（Ｃ）で
示す回転軸１７ａの右方回動および上動でローダ部１６
上のカートリッジ１８内のウェーハＷをウェーハ支持板
１７ｂ上にすくい取り、回転軸１７ａの逆転によって同
図（至）のようにウェーハＷ全ローダ予備室６内に位置
させる。
は、第３図（４）〜（Ｑにローダ搬送部１７で例示する
ように、複数枚のウェーハ支持板１７ｂを回転軸１７ａ
の上下方向に列設し、かつ回転軸１７ａを若干上下移動
できるようにしている。そして、同図（５）〜（Ｃ）で
示す回転軸１７ａの右方回動および上動でローダ部１６
上のカートリッジ１８内のウェーハＷをウェーハ支持板
１７ｂ上にすくい取り、回転軸１７ａの逆転によって同
図（至）のようにウェーハＷ全ローダ予備室６内に位置
させる。
続いて回転！１１１１７ａを回動しかつ若干下方へ移動
させることにより同図（ト）、（ト）のようにウェーハ
Ｗを主予備室５内のウェーハ支持枠１３に移載できる。
させることにより同図（ト）、（ト）のようにウェーハ
Ｗを主予備室５内のウェーハ支持枠１３に移載できる。
回転＠１１７ａを逆転すれば同図（Ｏのように常態位置
に復旧する。アンローダ搬送部２０にりいても全く同じ
である。なお、前記各ゲートパルプ８．９，１０．１１
はこれら搬送部１７．２０と同期的に開閉作動されるこ
とはいうまでもない。
に復旧する。アンローダ搬送部２０にりいても全く同じ
である。なお、前記各ゲートパルプ８．９，１０．１１
はこれら搬送部１７．２０と同期的に開閉作動されるこ
とはいうまでもない。
以上の構成によればローダ部１６に設置されたカートリ
ッジ１８内のウェーハＷはローダ搬送部１７によって、
先ずゲートパルプ８を開けてローダ予備室６内に搬入さ
れる（第３図（４）〜（ハ）参照）。
ッジ１８内のウェーハＷはローダ搬送部１７によって、
先ずゲートパルプ８を開けてローダ予備室６内に搬入さ
れる（第３図（４）〜（ハ）参照）。
そして、このゲートパルプ８を閉じてローダ予備室６を
外気と遮断した状態で今度はゲートパルプ９を開き、ウ
ェーハＷを主予備室５内のウェーハ支持枠１３上に移載
する（第３図の）〜（５））。ローダ搬送部１７を復動
させた上でゲートパルプ９を閉じ、今度はビニオン１５
を作動すればウェーハ支持枠１３は下動され開閉蓋１２
が反応管１を遮蔽すると共にウェーハＷは反応管１内に
収納される。したがって、ガス供給口３から所定のガス
を供給する一方、排気口１ｂから排気ケ行なって反応管
１内部を所定の真空ガス圧とし、かつヒータ２による加
熱を行なうことにより所要のＣＶＤが完成される。
外気と遮断した状態で今度はゲートパルプ９を開き、ウ
ェーハＷを主予備室５内のウェーハ支持枠１３上に移載
する（第３図の）〜（５））。ローダ搬送部１７を復動
させた上でゲートパルプ９を閉じ、今度はビニオン１５
を作動すればウェーハ支持枠１３は下動され開閉蓋１２
が反応管１を遮蔽すると共にウェーハＷは反応管１内に
収納される。したがって、ガス供給口３から所定のガス
を供給する一方、排気口１ｂから排気ケ行なって反応管
１内部を所定の真空ガス圧とし、かつヒータ２による加
熱を行なうことにより所要のＣＶＤが完成される。
ＣＶＤの完成後はウェーハ支持枠１３を上動して主予備
室５内に戻しだ後、ゲートパルプ１０を開いてアンロー
ダ搬送部２０によりアンローダ予備室７へ移載し、ゲー
トパルプ１０を閉じた後にゲートパルプ１１を開いてア
ンローダ部１９のカートリッジ２１内に収納することに
なる。なお、この間欠のウェーハをローダ搬送部１７に
よって主予備室５内に搬入することになる。
室５内に戻しだ後、ゲートパルプ１０を開いてアンロー
ダ搬送部２０によりアンローダ予備室７へ移載し、ゲー
トパルプ１０を閉じた後にゲートパルプ１１を開いてア
ンローダ部１９のカートリッジ２１内に収納することに
なる。なお、この間欠のウェーハをローダ搬送部１７に
よって主予備室５内に搬入することになる。
したがって、このＣＶＤ装置によればゲートパルプを有
する主予備室５．ロード予備室６．アンロード予備室７
を設けているので、ウェーハＷを反応管１内にセントし
あるいはこれから取出す際に大気が反応管１内に侵入す
ることは防止できる。
する主予備室５．ロード予備室６．アンロード予備室７
を設けているので、ウェーハＷを反応管１内にセントし
あるいはこれから取出す際に大気が反応管１内に侵入す
ることは防止できる。
これにより、反応管ｌ内への酸素の侵入を防止し、ウェ
ーハ等におけるメタル（メタルゲート）の酸化を防止で
きる。一方、外気が侵入しないので、外気中の異物が侵
入されることもなく、ウェーハへの異物の付着が防止で
きる。また、このとき反応管１内は排気口１ｂが下にあ
ることから上から下へ向かってのガス流となり、反応管
内に異物が生じていてもこれがウェーハＷ表面に付着す
ることを有効に防止できる。更に、このＣＶＤ装置は反
応管１を上下方向の縦型に構成しているので、平面的な
占有面積を低減して設置スペースの低減を図ることがで
きる。
ーハ等におけるメタル（メタルゲート）の酸化を防止で
きる。一方、外気が侵入しないので、外気中の異物が侵
入されることもなく、ウェーハへの異物の付着が防止で
きる。また、このとき反応管１内は排気口１ｂが下にあ
ることから上から下へ向かってのガス流となり、反応管
内に異物が生じていてもこれがウェーハＷ表面に付着す
ることを有効に防止できる。更に、このＣＶＤ装置は反
応管１を上下方向の縦型に構成しているので、平面的な
占有面積を低減して設置スペースの低減を図ることがで
きる。
（１ン 反応室（反応管）に予備室を付設し、この予備
室を通して反応管内へのウェーハの出入れを行なってい
るので、反応管内への外気の侵入を有効に防止し、これ
により酸素の侵入によるメタルの酸化を防止することが
できる。
室を通して反応管内へのウェーハの出入れを行なってい
るので、反応管内への外気の侵入を有効に防止し、これ
により酸素の侵入によるメタルの酸化を防止することが
できる。
（２）予備室を設けることにより外気の侵入が防止でき
、これにより異物の侵入を防止してウェーハへの異物の
付着分防止して欠陥の発生を防止できる。
、これにより異物の侵入を防止してウェーハへの異物の
付着分防止して欠陥の発生を防止できる。
（３） 反応管を縦にして上方に反応ガス供給口を設け
、下方に排気口を設けているので、反応管内に異物が発
生してもこれをすみやかに下方に除去することができ、
これによシウェーッ・への異物の付着を一層効果的に防
止できる。
、下方に排気口を設けているので、反応管内に異物が発
生してもこれをすみやかに下方に除去することができ、
これによシウェーッ・への異物の付着を一層効果的に防
止できる。
（４）反応管を上下縦方向に設置しているので、平面の
占有スペースを低減でき、設備面積の低減を達成できる
。
占有スペースを低減でき、設備面積の低減を達成できる
。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、主予備室や
アンローダ予備室を１００℃程度の温度に保てば、処理
後のウェーハを直接外気に取出す場合よりも徐冷の効果
がある。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、主予備室や
アンローダ予備室を１００℃程度の温度に保てば、処理
後のウェーハを直接外気に取出す場合よりも徐冷の効果
がある。
まだ、ローダ搬送部、アンローダ搬送部はもとよりウェ
ーハ支持枠の上下動機構は図示以外の種々の機構を利用
することができる。
ーハ支持枠の上下動機構は図示以外の種々の機構を利用
することができる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、薄１換ヲ形成するＣＶＤ装置
たとえば低圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置等にも適
用することがで
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造用
ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、薄１換ヲ形成するＣＶＤ装置
たとえば低圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置等にも適
用することがで
第１図は本発明の一実施例の全体縦断面図、第２図は概
略的な平面図、 第３図（４）〜Ωは搬送部の作用を説明するための正面
図である。 １・・・反応管、２・・・ヒータ、３・・・ガス供給口
、４・・・排気部、５・・・主予備室、６・・・ローダ
予備室、７・・・アンローダ予備室、８〜１１・・・ゲ
ートパルプ、１３・・・ウェーハ支持枠、１６・・・ロ
ーダ部、１７・・・ローダ搬送部、１８・・・カートリ
ッジ、１９・・・アンローダ部、２０・・・アンローダ
搬送部、２１・・・カート リ ッ ジ。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 １７ 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和５９ 年特許願第 ５６０３２ 号発明の名称 反応処理装置 補正をする者 １１件と１俤 特許出願人 名 称 （５１０１林式会ン１ 日 立 製作新式 理
人 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 補正の内容
略的な平面図、 第３図（４）〜Ωは搬送部の作用を説明するための正面
図である。 １・・・反応管、２・・・ヒータ、３・・・ガス供給口
、４・・・排気部、５・・・主予備室、６・・・ローダ
予備室、７・・・アンローダ予備室、８〜１１・・・ゲ
ートパルプ、１３・・・ウェーハ支持枠、１６・・・ロ
ーダ部、１７・・・ローダ搬送部、１８・・・カートリ
ッジ、１９・・・アンローダ部、２０・・・アンローダ
搬送部、２１・・・カート リ ッ ジ。 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 １７ 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和５９ 年特許願第 ５６０３２ 号発明の名称 反応処理装置 補正をする者 １１件と１俤 特許出願人 名 称 （５１０１林式会ン１ 日 立 製作新式 理
人 補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧状態において反応処理が行ガわれる反応室を上
下縦方向に配設すると共に、この反応室の被処理体の出
入口には予備室を並設し、前記被処理体をこれら予備室
を通して前記反応室と外部との開で出入れするように構
成したことを％徴とする反応処理装置。 ２、複数個の予備室を横方向に並設し、被処理体を予備
室内では横方向に移動可能とし、反応室に対しては上下
方向に移動可能な搬送部を付設してなる特許請求の範囲
第１項記載の反応処理装置。 ３、反応室は被処理体の出入口を上方に向け、内部排気
口を下側に向けてなる特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の反応処理装置。 ４、予備室は互にゲートバルブにて連設しており、内部
を真空引きしてなる特許請求の範囲第１項ないし第３項
のいずれかに記載の反応処理装置〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056032A JPH0636408B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59056032A JPH0636408B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200520A true JPS60200520A (ja) | 1985-10-11 |
| JPH0636408B2 JPH0636408B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=13015732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59056032A Expired - Lifetime JPH0636408B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636408B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125821A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01225311A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPH02130918A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833828A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体表面処理装置 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59056032A patent/JPH0636408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833828A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体表面処理装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125821A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPH01225311A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2502661B2 (ja) * | 1988-03-04 | 1996-05-29 | 松下電器産業株式会社 | 気相成長装置 |
| JPH02130918A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
| JP2688604B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1997-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0636408B2 (ja) | 1994-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW465007B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| US5178639A (en) | Vertical heat-treating apparatus | |
| JP3005373B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH05218176A (ja) | 熱処理方法及び被処理体の移載方法 | |
| JP4642619B2 (ja) | 基板処理システム及び方法 | |
| JPH04234119A (ja) | 半導体ウエハの処理装置および方法 | |
| JPH10209110A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| WO2006006377A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR20000047598A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JPS5945219B2 (ja) | ウェハ処理装置 | |
| TW201126633A (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| US20060081181A1 (en) | Film forming system and film forming method | |
| JPS60200520A (ja) | 反応処理装置 | |
| JP2002359237A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2009266962A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH10154689A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP3188956B2 (ja) | 成膜処理装置 | |
| JP2005277049A (ja) | 熱処理システム及び熱処理方法 | |
| JPS63109174A (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置 | |
| JP3420712B2 (ja) | 処理システム | |
| JP2015090940A (ja) | ウェーハ搬送装置 | |
| JPS62221107A (ja) | 処理装置 | |
| JP2004011005A (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JP2002246436A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH02184333A (ja) | ロードロック装置を備えた処理装置 |