KR20000047598A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000047598A
KR20000047598A KR1019990048881A KR19990048881A KR20000047598A KR 20000047598 A KR20000047598 A KR 20000047598A KR 1019990048881 A KR1019990048881 A KR 1019990048881A KR 19990048881 A KR19990048881 A KR 19990048881A KR 20000047598 A KR20000047598 A KR 20000047598A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
load lock
chambers
lock chamber
Prior art date
Application number
KR1019990048881A
Other languages
English (en)
Inventor
고니시아끼오
다까하시노부유끼
Original Assignee
니시히라 순지
아네르바 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시히라 순지, 아네르바 가부시키가이샤 filed Critical 니시히라 순지
Publication of KR20000047598A publication Critical patent/KR20000047598A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Abstract

본 발명의 목적은 체임버 수가 증가하더라도 공간을 더 이상 차지하지 않는 실용적인 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
4개의 로드 록 체임버 (2) 및 8개의 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 가 게이트 밸브 (5) 를 통해 중앙 분리 체임버 (3) 의 외부 주위에 밀봉하여 연결되고, 상기 두 종류의 체임버는 두 곳에서 적층되며, 각 체임버는 자신의 각 진공 배기계 (301, 201, 및 100) 에 의해 배기될 수 있다. 분리 체임버 (3) 내의 운반 기구 (42) 는 로드 록 체임버 (2) 로부터 기판 (9) 을 제거하고, 이것을 소정의 순서로 각 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 로 운반하며 이후 로드 록 체임버 (2) 로 다시 운반한다. 각 로드 록 체임버 (2) 는 내부에 동일한 위치에서 단일 기판 (9) 을 항상 유지하는 기판 홀더 (22) 를 갖는다.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판의 표면은 액정 디스플레이와 같은 디스플레이 디바이스 및 LSI (대규모 집적회로) 와 같은 전자 디바이스 생산에서 가장 자주 소정의 처리를 받게 된다. 예를 들어, LSI 제작공정에는 기판의 표면위에 다양한 도전막 및 절연막을 형성하는 성막 공정, 및 상기 기판 표면에 소정의 패턴을 형성하는 에칭 공정이 포함된다. 상기와 같은 기판 처리를 수행하는 기판 처리 장치는 넓게 볼때 복수의 기판 모두를 동시에 처리하는 일괄 처리 장치, 및 기판을 개별적으로 처리하는 단일 기판 처리 장치로 세분될 수 있다. 흔한 형태의 일괄 처리 장치는 노를 사용하는 산화 장치이지만, 단일 기판 처리 장치는 상이한 웨이퍼 처리시 보다 뛰어난 균일성 및 재생성을 얻기위해 성막 장치용 및 에칭 장치용으로 흔히 사용된다.
단일 웨이퍼 처리 장치의 가장 간단한 구성은 소정의 처리를 수행하는 공정 체임버이다. 이 구성에서, 기판은 개별적으로 공정 체임버로 운반되어 처리되며, 개별적으로 제거된다. 그러나, 이러한 구성에서는, 기판이 삽입 또는 제거될 때마다 공정 체임버의 내부가 외부 분위기에 노출되며 이에따라 처리 품질이 열화되는 문제점이 있다. 특히, 성막 장치 또는 에칭 장치에서와 같이, 공정 체임버가 진공을 이용하는 진공 체임버일 때, 기판을 삽입 또는 제거시 체임버가 분위기에 노출됨으로써 처리가 수행될 때마다 체임버를 배기할 필요가 있으며, 생산성이 저하된다. 이러한 문제점을 피하기 위해, 기판이 삽입 또는 제거될 때 임시로 남겨지는 로드 록 체임버가 보통 제공되며, 상기 로드 록 체임버는 공정 체임버에 밀봉하여 연결된다. 공정 체임버와 로드 록 체임버 간의 게이트 밸브가 열릴 때, 로드 록 체임버의 분위기 쪽의 게이트 밸브는 잠긴 상태를 유지하기에, 공정 체임버는 상기 구성에서 분위기에 직접적으로 노출되지 않는다.
반면에, 전자 디바이스와 같은 제조물이 복잡해지고 기능이 다양해짐으로써, 기판이 받는 공정도 보다 복잡해졌다. 특히, 이러한 제조물은 기판에 상이한 많은 공정을 수행함으로써 생산되는 경향이 있다. 진공 환경을 이용하는 상기한 장치에서, 진공중에 상이한 공정을 연속적으로 수행할 수 있는 것이 바람직하다. 이것은, 일단 기판이 분위기에 노출되어 그 다음 공정이 수행된다면 분위기 노출로 인해 기판 표면이 오염될 수 있기 때문이다.
진공에서 연속적인 처리를 위해, 복수의 공정 체임버를 갖춘 멀티 체임버 장치가 개발되었다. 최초로 개발된 멀티 체임버형 장치는 복수의 공정 체임버가 행으로 배열된 인라인식 장치이다. 진공에서 기판을 정렬된 복수의 공정 체임버를 따라 운반하기 위해 운반 기구가 사용되었으며, 기판을 공정 체임버 각각에 운반함으로써 연속적인 처리를 수행하였다. 웨이퍼를 운반하는 로봇과 끼워지는 분리 체임버는 각 공정 체임버 간에 흔히 배치되어 각 공정 체임버간에 분위기의 상호 오염을 방지한다. 환언하면, 복수의 공정 체임버는 상기 복수의 공정 체임버간에 배치된 분리 체임버와 함께 배열된다.
그러나, 상기한 인라인식 장치에서, 많은 처리가 수행되도록 공정 체임버가 증가될 때마다 라인이 더 길어진다. 공정 체임버 수가 증가할수록 산재된 분리 체임버 수가 증가하며, 따라서 라인이 점진적으로 증가하게 되는 단점이 있다. 그 결과, 상기 장치는 보다 넓은 영역을 차지하며 운반 기구의 구성이 보다 복잡하게 되는 단점이 발생한다.
이러한 단점을 해결하고자 클러스터 툴형 장치가 개발되었다. 클러스터 툴형 장치는 단일 분리 체임버 주위에 복수의 로드 록 체임버 및 복수의 공정 체임버가 배열되도록 구성된다. 클러스터 툴형 기판 처리 장치는 현재 단일 기판 처리 응용분야에서 널리 사용되고 있다. 도 7 은 종래 기판 처리 장치의 일예인 클러스터 툴형 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 7 에 도시된 장치는, 복수의 공정 체임버 (1) 및 분리 체임버 (8) 둘레에 배치된 로드 록 체임버 (2) 를 갖는, 중앙에 설치된 분리 체임버 (8) 로 구성된다. 각 체임버 (1, 2, 8) 에는 전용 또는 겸용 배기 시스템이 설치되고, 이에따라 소정의 압력으로 배기된다. 또한, 게이트 밸브 (5) 는 각 체임버 (1, 2, 8) 의 접속 위치에 제공된다. 운반 기구 (42) 는 진공에서 기판 (9) 을 운반하는 운반 기구로서 분리 체임버 (8) 내부에 제공된다.
처리되는 기판 (9) 은 (도시되지 않은) 자동 로우더에 의해 로드 록 체임버 (2) 에 수용된다. 로드 록 체임버 (2) 내의 기판 (9) 은 분리 체임버 (8) 내에 제공된 운반 기구 (42) 에 의해 공정 체임버 (1) 로 순차적으로 운반되고, 소정의 처리를 받는다. 기판 (9) 에서 소정의 일련의 처리가 완료되었을 때, 기판 (9) 은 운반 기구 (42) 에 의해 로드 록 체임버 (2) 에 다시 수용된다. 이후, 상기 기판은 (도시되지 않은) 자동 로우더에 의해 분위기 쪽으로 꺼내진다.
상기한 클러스터 툴형 기판 처리 장치에서, 복수의 공정 체임버는 선형으로 배치되지 않고, 단일 분리 체임버 둘레에 원형태로 배치된다. 즉, 인라인형 장치가 차지하는 영역과 비교할 때 영역을 줄일 수 있고, 운반 기구의 구성이 복잡해지지 않는다는 장점이 있다.
그러나, 최근에 기판 크기, 처리 속도 및 복잡성이 증가함으로써 상기한 클러스터 툴형 장치도 그 용량 한계에 도달하게 되었다. 특히, 보다 많은 집적 밀도, 향상된 기능, 및 보다 적은 비용을 갖는 디바이스에 대한 요구로 인해 기판에 수행된 처리가 보다 빨라지고 보다 복잡해졌기에, 장치에 보다 많은 공정 체임버를 설치하는 것이 필요하다. 공정 체임버 수가 더 증가되어야 하는 주요한 이유가 2가지 있다. 첫째는 기판에서 수행되는 처리 수가 상기한 바와같이 계속 증가하기 때문이다. 둘째는 처리량을 증가시키기위해 동일한 처리를 복수의 체임버간에 세분하기 위해서이다.
도 7 에 도시된 공정 체임버 수를 증가시키려 한다면, 분리 체임버의 둘레가 증가되어야 한다. 즉, 분리 체임버의 단면적이 증가되어야 한다. 분리 체임버가 커질수록, 장치는 그에 따른 점유면적을 더 차지한다. 또한, 체임버 크기가 증가될수록, 체임버를 배기하는 진공 배기계도 보다 큰 사이즈이어야 한다. 하지만 분리 체임버 자체는 기판 처리가 관련되는 한 필연적으로 공간을 차지하기에, 상기 공간이 차지한 영역 및 진공 배기계의 스케일을 증가시킴으로써 장치의 비용이 증가하게된다.
또한, 분리 체임버의 단면적이 증가할수록, 운반 기구의 로봇 팔 크기를 증가시키는 것이 필요하며, 따라서 스트로크 길이 및 운반 거리 또한 증가한다. 그 결과, 운반 기구도 보다 큰 스케일이 되는 문제점이 있다.
게다가, 이러한 종류의 장치는 보통 내부 청정도가 소정의 레벨로 유지되는 청정실내에 배치되어 사용된다. 장치에 의한 점유면적이 증가함에 따라, 그에 따라 청정실도 넓어져야 한다. 보다 넓은 청정실에는 내부 청정도를 소정의 레벨로 유지하기 위해 보다 많은 노력이 필요하며, 비용이 증가하게 된다. 따라서 장치의 구성요소인 체임버를 가능한 작게 만드는 것이 유리하다.
처리 수 및 처리량을 증가시키는 또다른 방법은 기판 처리 장치 자체의 수를 증가시키는 것이다. 특히, 각 공정 체임버에서 수행되는 유사하거나 상이한 처리를 도 7 에 도시된 장치의 2 세트에 제공함으로써 달성될 수 있다. 그러나, 이러한 시도에는 기판이 한 장치로부터 그 다음 장치로 운반될 때 분위기에 노출된다는 문제점이 있다. 그리고 공정 체임버 수를 증가시키는 것이 필요하지만, 이러한 시도 역시 운반 기구 수를 증가시키고, 따라서 상당한 양의 불필요한 투자가 관여된다. 상기 2 세트의 장치는 2배 만큼의 영역을 차지하고, 이에따라 상기한 정도의 청정도를 유지하는데 필요한 비용이 증가되는 문제점이 또 있다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하고자 하는 것이며, 체임버 수가 증가하더라도 더 큰 영역을 차지하지 않는 실용적인 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도.
도 2 는 도 1 의 A-A 선을 따라 절취한 개략적인 단면도.
도 3 은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도.
도 4 는 도 3 의 B-B 선을 따라 절취한 개략적인 단면도.
도 5 는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도.
도 6 은 도 5 의 C-C 선을 따라 절취한 개략적인 단면도.
도 7 은 종래 기판 처리 장치의 한 예인 클러스터 툴형 기판 처리 장치의 개략적인 평면도.
도면의 주요부분에 대한 부호설명
11, 12 공정 체임버 9 기판
2 로드 록 체임버(load lock chamber) 22 기판 유지 스테이지
221 기판 유지핀 222 위치설정 블록
23 상위 덮개부 24 체임버 본체
3 분리 체임버 41 자동 로우더
42 운반 기구 5 게이트 밸브
6 로딩 스테이션 60 외부 카세트
100, 111, 121, 201, 301 진공 배기계 101 ~ 108 공정 체임버
상기 문제점을 해결하기 위해, 본 출원의 청구항 제 1 항에 따른 발명은, 중앙에 설치된 분리 체임버, 게이트 밸브를 통해 분리 체임버 쪽에 밀봉하여 접속되는 배기가능한 로드 록 체임버 및 배기가능한 공정 체임버, 및 분리 체임버내에 제공되어 기판을 로드 록 체임버로부터 제거하고 소정의 순서로 각 공정 체임버에 운반하며 다시 로드 록 체임버로 운반하는 운반 기구를 포함하는 기판 처리 장치이며,
복수의 상기 로드 록 체임버 그리고/또는 상기 공정 체임버가 제공되며 상기 분리 체임버의 둘레에 적어도 한 곳에 적층되며, 상기 로드 록 체임버는 단일 기판만을 유지하는 기판 홀더를 포함하도록 구성된다.
상기 문제를 해결하기 위해, 본 출원의 청구항 제 2 항에 따른 발명은 청구항 제 1 항에서 청구된 것과 같은 기판 처리 장치이며, 상기 기판 홀더가 항상 동일한 위치에서 유지되는 기판의 정렬을 용이하게 하는 형태를 갖도록 구성된다.
실시예
본 발명의 실시예가 설명된다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2 는 도 1 의 A-A 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2 에 도시된 실시예의 장치에는, 중앙에 설치된 배기가능한 분리 체임버 (3), 분리 체임버 (3) 쪽에 게이트 밸브 (5) 를 통해 밀봉하여 접속되는 배기가능한 로드 록 체임버 (2) 그리고 배기가능한 공정 체임버 (11 및 12), 및 분리 체임버 (3) 내부에 제공되며 기판 (9) 을 로드 록 체임버 (2) 로부터 제거하며 소정의 순서로 각 공정 체임버 (11, 12) 로 운반하고 이후 다시 로드 록 체임버 (2) 로 운반하는 운반 기구 (42) 가 설치된다. 각 체임버 (11, 12, 2, 및 3) 는 전용 진공 배기계 (111, 121, 201, 301) 가 갖춰진 밀봉식 진공 용기이다.
본 실시예의 장치의 주요 특성을 나타내는 로드 록 체임버 (2) 의 구성이 아래에 상세히 설명된다.
우선, 본 실시예에서, 로드 록 체임버 (2) 는 단일 기판 (9) 을 수용하도록 제조된다. 특히, 본 실시예에서 각 로드 록 체임버 (2) 는 내부에 단일 기판 (9) 을 유지하는 기판 홀더 (22) 를 갖는다.
기판 홀더 (22) 는 3개의 기판 유지 핀 (221), 기판 (9) 을 위치시키는 3개의 위치설정 블록 (222) 으로 구성된다. 3개의 기판 유지 핀 (221) 은 로드 록 체임버 (2) 의 바닥면으로부터 정삼각형의 정점에 위치하도록 직립되어 제공된다. 또한, 본 실시예에서, 기판 (9) 은 원형 디스크 형태의 반도체 웨이퍼라는 것을 가정한다. 디스크형 기판 (9) 의 원주에서 약간 바깥쪽에 위치하도록 3개의 위치설정 블록 (222) 이 제공된다.
한편, 로드 록 체임버 (2) 는 체임버 본체 (23) 및 (도시되지 않은) 개폐역할을 하는 힌지를 통해 체임버 본체 (23) 에 부착된 상위 덮개부 (24) 로 구성된다. 기판 (9) 이 로드 록 체임버 (2) 에 수용될 때, 상위 덮개부 (24) 가 열리며 기판 (9) 은 수동으로 기판 유지 핀 (221) 위에 장착된다. 이때, 기판 (7) 을 3개의 위치설정 블록 (222) 내에 위치시키는 것이 필요하며, 상기 장착 동작을 수행함으로써 기판 (9) 이 정렬될 수 있다. 그 결과, 기판 (9) 이 공정 체임버 (11 및 12) 로 운반될 때, 기판 (9) 은 공정 체임버 (11 및 12) 내부의 항상 동일한 위치에 배치될 수 있다. 결과적으로, 이것은 처리 재생성의 향상에 기여한다. O 링과 같은 실링 부재가 상위 덮개 부 (24) 및 체임버 본체 (23) 간에 제공되어, 밀봉 실링이 되는 것에 주의한다.
상기한 바와같이, 한개의 기판 (9) 만을 수용하도록 로드 록 체임버 (2) 가 구성된다는 사실은 상기 기판이 로드 록 체임버 (2) 내에 위치하는 상기 방식과 관련되지만, 이것은 또한 로드 록 체임버 (2) 를 보다 컴팩트하게 만드는 데에 기여한다. 특히, 본 실시예의 로드 록 체임버 (2) 는 폭 320mm x 깊이 320mm x 높이 15mm 로 내부 치수가 매우 작은 직각 박스형이다. 기판 (9) 은 직경 300mm 의 반도체 웨이퍼로 가정되며, 그 폭 및 깊이는 기판 (9) 의 크기보다 약 20mm 더 길다.
이러한 방식으로, 로드 록 체임버 (2) 는 작은 내부 공간을 갖기에, 각 로드 록 체임버 (2) 내부를 진공 배기계 (201) 로 배기하는데 필요한 시간 (이하, 배기 시간) 은 실질적으로 종래 장치에서의 시간보다 적다. 각 로드 록 체임버 (2) 의 진공 배기계 (201) 는 분당 약 20리터의 저속 펌핑인 드라이 펌프를 이용하지만, 이러한 펌핑 속도를 갖는 진공 펌프에서도, 종래 장치에서 사용되는 바와 같은 1x10-1내지 5x10-2Torr 의 압력으로 배기하는데 걸린 시간은 약 180 내지 240 초이고, 이것은 종래에 비하여 약 1/10 내지 1/16 만큼 줄어든 시간이다. 이런 종류의 소형 진공 펌프로는 직접 연결식 오일 밀봉 회전 펌프 등이 사용될 수 있고, 아네르바 회사에 의해 생산되는 M20622BB 제품이 포함되는 것을 주의한다. 소형 진공 펌프를 사용함으로써 로드 록 체임버 (2) 와 동일한 방식으로 전체 장치에 의한 점유면적을 줄이는 이점이 있다.
또한, 본 실시예에서, 이러한 로드 록 체임버 (2) 중 2개가 제공되며, 상기 2개의 로드 록 체임버 (2) 는 한 개의 윗면에 다른 한 개가 적층된다. 도 1 및 도 2 에 도시된 바와같이, 분리 체임버 (3) 는 사각 박스형이며, 2개의 로드 록 체임버 (2) 는 그중 한 끝에 연결된다. 이러한 방식으로, 2개의 로드 록 체임버를 제공함으로써 생산성이 향상되지만, 상기 적층으로 인해 점유면적도 줄어든다. 본 명세서에서, 적층은 수직으로 겹쳐지는 배열로 2개의 부재를 제공하는 것을 의미하지만, 완벽히 겹쳐질 필요는 없고 평면도로 볼때 적어도 절반이 겹쳐지는 것이면 된다.
2개의 로드 록 체임버간의 갭 (d) 은 150mm 이상이 바람직하다. 이것은 기판 (9) 을 제거하거나 제 위치에 두기 위해 보다 낮은 쪽의 로드 록 체임버 (2) 의 상부 덮개부 (24) 를 여는 것과 같은 동작을 방해하지 않도록 하기 위해서다. 사람 손의 일반적인 크기를 고려할 때, 적어도 150mm 이하의 갭 (d) 이라면 수동으로 기판 (9) 을 로드 록 체임버 (2) 내에 삽입하는 것이 어렵다. 따라서, 적어도 150mm 의 갭 (d) 이 바람직하다.
이후, 도 1 에 도시된 바와같이, 본 실시예에서 2개의 공정 체임버 (11, 12) 가 제공된다. 도 1 및 도 2 에 도시된 바와같이, 2개의 공정 체임버 (11 및 12) 는 로드 록 체임버 (2) 와 같이 동일한 방식으로 적층된다. 2개의 공정 체임버 (11 및 12) 는 로드 록 체임버 (2) 가 적층되어 있는 쪽에서의 측면과 반대쪽인 분리 체임버 (3) 의 측면에 연결된다. 이러한 방식으로, 본 실시예의 장치에서, 공정 체임버 (11 및 12) 는 로드 록 체임버 (2) 에 더하여 적층되고, 이에따라 전체 장치에 의한 점유면적이 더 줄어든다.
또한, 공정 체임버 (11) 및 공정 체임버 (12) 간의 갭은 또한 상기한 바와같이 로드 록 체임버 (2) 의 경우에서와 같이 150mm 이상이 바람직하다. 공정 체임버 (11 및 12) 에는, 상부 패널을 개폐함으로써 내부 유지가 용이한 구조가 흔히 이용되며, 이것은 150mm 이하의 갭으로는 명백히 어려울 것이다.
공정 체임버 (11 및 12) 가 설치되어 있는 진공 배기계 (111 및 121) 의 구성은 터보 분자 펌프 및 드라이 펌프를 갖는 다중 스테이지이며, 이에따라 공정 체임버 (11 및 12) 의 내부가 2.2x10-7내지 2.2x10-8Torr 의 극한 압력으로 될 때까지 배기될 수 있다. 분리 체임버 (3) 의 내부를 배기하는 진공 배기계 (301) 도 유사한 구조를 갖는 것을 주의해야한다.
2개 공정 체임버 (11 및 12) 의 구성은 기판 처리의 종류에 따라 상이하다. 예를 들어, 성막 처리를 스퍼터링에 의해 수행할 때, 공정 체임버중 한 개 (11) (즉, 보다 낮은 쪽의 공정 체임버) 는 예열을 수행하도록 구성되고, 다른 공정 체임버 (12) (즉, 상위 공정 체임버) 는 스퍼터링 성막을 행하도록 구성된다.
가열 기구를 포함하는 가열 스테이지 (112) 는 보다 낮은 쪽 공정 체임버 (11) (예열 체임버) 내부에 제공된다. 가열 스테이지 (112) 는 상위 표면 (9) 에 기판이 배치되어 블록형 부재이다. 가열 기구는 전기 전도에 의해 줄 열을 생성하는 카트리지 히터, 또는 방사 가열을 수행하는 적외선 램프를 포함할 수도 있다.
예열의 목적은 기판 (9) 에서 가스를 없애는 것이다. 기판 (9) 의 온도는 스퍼터링 방전에 의해 형성된 플라즈마로부터의 열 등으로 인해 급격히 상승한다. 스퍼터링이 예열없이 수행된다면, 기판 (9) 에서의 흡장된 가스는 상기 온도 상승동안 빠르게 방출된다. 그 결과, 가스 버블과 같은 불순물은 성막시 상기 박막속으로 쉽게 혼합된다. 이러한 문제점을 피하기 위해, 기판 (9) 은 예열 체임버 (11) 에서 예열된다. 예열은 기판 (9) 을 약 200 내지 250℃ 로 가열함으로써 그리고 상기 온도를 120 내지 180 초동안 유지함으로써 수행된다.
캐소드 (122) 또는 기판 홀더 (123) 등은 상위 공정 체임버 (12) (스퍼터링 체임버) 내에 제공된다. 캐소드 (122) 는 앞 쪽에서 스퍼터링된 표면이 스퍼터링 체임버 (12) 의 내부에 노출되도록 제공된 타겟, 및 상기 타겟 뒤에 제공되는 자석을 포함하는 모듈이다. 상기 타겟은 성막용으로 사용되는 물질로 만들어진 디스크이며, (도시되지 않은) 스퍼터링 전원에 의해 음의 고전압 또는 고주파 전압이 인가된다.
소정의 가스를 스퍼터링 체임버 (12) 내로 도입하기 위해 (도시되지 않은) 가스 도입 시스템이 제공되는 것을 주의한다. 아르곤과 같은 높은 스퍼터링 속도로 가스를 도입하도록 가스 도입 시스템이 만들어진다. 가스 도입 시스템은, 소정의 가스로 채워진 실린더, 밸브, 및 스퍼터링 체임버 (12) 의 내부와 실린더를 연결하는 덕트에 제공되는 유동 조절기 등으로 구성된다.
또한, 기판 홀더 (123) 는 상위면에 배치된 기판 (9) 을 유지하는 블록형 부재이다. 가열 기구는, 기판 홀더 (123) 내부에 필요에 따라 제공되며, 성막동안 소정의 온도로 기판 (9) 을 가열하도록 구성된다. 성막동안 기판 홀더 (123) 에 고주파 전압을 인가함으로써 스퍼터링 방전으로부터 발생하는 고주파 및 플라즈마간의 상호작용에 의해 자기 바이어스 전압이 기판 (9) 의 표면에 인가된다. 자기 바이어스 전압은 플라즈마로부터 양의 이온을 추출하고 기판 (9) 에 주입하는 작용을 하는 음의 DC 전압이다.
기판 (9) 이 배치되어 운반되는 로봇의 끝에 위치한 팔을 갖는 관절 로봇이, 분리 체임버 (3) 내에 제공된 운반 기구 (42) 로서 사용된다. 상기 관절 로봇은 자신의 팔을 수평 방향 및 상하 방향으로 움직일 수 있다. 분리 체임버 (3) 내의 진공 분위기 때문에, 진공에서 동작하는 로봇이 사용된다. 운반 기구 (42) 에는 2개 기판을 동시에 운반하는 2개의 팔이 설치된다. 상기 2개 팔은 독립적으로 또는 서로 협력하여 움직일 수 있다.
도 1 및 도 2 에 도시된 제 1 실시예의 동작이 이제 설명된다.
우선, 로드 록 체임버 (2) 중 한 개의 상위 덮개부 (24) 가 열리며 최초 기판 (9) 이 로드 록 체임버 (2) 에 수용되어 기판 유지 핀 (221) 위에 장착된다. 여기서, 기판 (9) 의 정렬은 블록 (222) 을 위치시킴으로써 동시에 달성된다. 또한, 최초 기판 (9) 은 유사하게 설정되어 다른 로드 록 체임버 (2) 내에 위치하게 된다. 이후 진공 배기계 (201) 는 로드 록 체임버 (2) 의 내부를 소정의 압력까지 배기시킨다.
다음으로, 로드 록 체임버 (2) 중 한 개와 분리 체임버 (3) 간의 게이트 밸브 (5) 가 열리며, 기판 (9) 은 로드 록 체임버 (2) 중 한 개로부터 운반 기구 (42) 에 의해 제거된다. 이후 로드 록 체임버 (2) 중 한 개와 분리 체임버 (3) 간의 게이트 밸브 (5) 가 다시 닫히며, 이후 분리 체임버 (3) 와 예열 체임버 (11) 간의 게이트 밸브 (5) 가 열리고 운반 기구 (42) 는 기판 (9) 을 예열 체임버 (11) 로 운반한다. 이후 분리 체임버 (3) 와 예열 체임버 (11) 간의 게이트 밸브 (5) 가 다시 닫힌다.
운반된 기판 (9) 은 가열 스테이지 (112) 위에 배치된다. 가열 스테이지 (112) 는 가열 기구에 의해 소정의 온도로 가열되고, 기판 (9) 은 가열 스테이지 (112) 위에 배치됨으로써 소정의 온도로 예열된다.
소정의 시간동안 예열이 수행된 후, 분리 체임버 (3) 및 예열 체임버 (11) 간의 게이트 밸브 (5) 가 열리며 운반 기구 (42) 는 예열 체임버 (11) 로부터 기판 (9) 을 제거한다. 이후 분리 체임버 (3) 와 스퍼터링 체임버 (12) 간의 게이트 밸브 (5) 가 열리고, 기판 (9) 은 운반 기구 (42) 에 의해 스퍼터링 체임버 (12) 내로 운반된다. 또한, 이와 함께, 운반 기구 (42) 는 다른 로드 록 체임버 (2) 내의 기판 (9) 을 예열 체임버 (11) 내로 운반한다.
스퍼터링 체임버 (12) 내로 운반된 기판 (9) 은 기판 홀더 (123) 위에 장착되고 필요하다면 기판 홀더 (123) 내의 가열 기구에 의해 가열된다. 이 상태에서, (도시되지 않은) 가스 도입 시스템은 소정의 가스를 스퍼터링 체임버 (12) 내로 도입하며 스퍼터링은 (도시되지 않은) 스퍼터링 전원을 동작시킴으로써 수행된다. 그 결과, 상기 박막이 기판 (9) 의 표면위에 증착된다. 또한, 예열 체임버 (11) 에서, 그 다음 기판 (9) 의 예열이 동일한 방식으로 수행된다.
스퍼터링 체임버 (12) 내의 기판 (9) 위에 증착된 박막이 필요한 두께를 얻게 될 때, 스퍼터링 전원 및 가스 도입 시스템은 정지되고 진공 배기계 (121) 는 스퍼터링 체임버 (12) 의 내부를 다시 배기한다. 이후 게이트 밸브 (5) 가 열리며 운반 기구 (42) 는 기판 (9) 을 스퍼터링 체임버 (12) 로부터 제거한다. 이후 로드 록 체임버 (2) 중 한 개 및 분리 체임버 (3) 간의 게이트 밸브 (5) 가 열리고, 기판 (9) 은 로드 록 체임버 (2) 중 한 개로 운반된다. 기판 (9) 은 상승/하강 핀 (22) 의 동작에 의해 기판 유지 스테이지 (21) 위에 장착된다.
이와 함께, 예열 체임버 (11) 및 분리 체임버 (3) 간의 게이트 밸브 (5) 가 열리며, 운반 기구 (42) 는 예열 체임버 (11) 내의 그 다음 기판 (9) 을 예열 체임버 (11) 로부터 제거한다. 이후 스퍼터링 체임버 (12) 및 분리 체임버 (3) 간의 게이트 밸브 (5) 가 열리고, 그 다음 기판 (9) 이 스퍼터링 체임버 (12) 내로 운반된다.
이후 그 다음 기판 (9) 은 스퍼터링 체임버 (12) 내에서 동일한 성막 처리를 받게된다. 이 기간동안, 로드 록 체임버 (2) 내의 (도시되지 않은) 밴트 밸브가 열리어 내부를 분위기 압력으로 복귀시킨다. 이후 상위 덮개부 (24) 가 열리고, 처리된 기판 (9) 이 로드 록 체임버 (2) 중 한 개로부터 제거된다. 이후 그 다음 최초 기판 (9) 이 설정되어 동일한 방식으로 로드 록 체임버 (2) 중 한 개에 위치하게된다. 상기 기판 (9) 은 운반 기구 (42) 에 의해 동일한 방식으로 예열 체임버 (11) 로 운반되어 예열된다.
이후, 스퍼터링 체임버 (12) 내에서 성막 처리가 완료된 후, 운반 기구 (42) 는 상기 기판 (9) 을 다른 로드 록 체임버 (2) 로 운반한다. 이후 다른 로드 록 체임버 (2) 는 동일한 방식으로 분위기 압력으로 복귀되고, 처리된 기판 (9) 은 다른 로드 록 체임버 (2) 로부터 제거된다. 이후 그 다음 최초 기판 (9) 이 수용되어 동일한 방식으로 다른 로드 록 체임버 (2) 내에 위치하게된다. 이러한 식으로, 순차적으로 2개의 로드 록 체임버 (2) 내에 기판 (9) 을 설정하고 상기 2개의 로드 록 체임버 (2) 로부터 기판 (9) 을 제거하는 동안, 기판 (9) 은 예열 및 성막 처리를 받게 된다.
상기 구성과 동작에 관련된 본 실시예의 장치에서, 기판 (9) 은 각 로드 록 체임버 (2) 내에 위치할 수 있기에, 로드 록 체임버 (2) 및 공정 체임버 (11 및 12) 가 서로 적층되기 때문에 상기 장치에 의해 차지된 영역이 감소된다. 그리고 로드 록 체임버 (2) 는 한 개 기판 (9) 만을 수용하고 각 로드 록 체임버 (2) 는 충분히 작은 크기로 만들어질 수 있기에, 분위기 압력으로부터 소정의 진공 압력으로 배기되는 회수가 증가하지만, 배기하는데 걸리는 시간은 확실히 감소된다. 그 결과, 로드 록 체임버 (2) 의 배기에 필요한 전체 시간이 감소된다. 따라서, 장치의 생산성이 증가된다.
그다음, 본 출원의 발명의 제 2 실시예가 설명된다. 도 3 은 본 출원의 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이고, 도 4 는 도 3 의 B-B 선을 따라 절취한 개략적인 단면도이다. 도 3 및 도 4 에 도시된 본 실시예의 장치는, 기판 (9) 을 로드 록 체임버 (2) 내에 설정하고 로드 록 체임버 (2) 로부터 기판 (9) 을 제거하는 구성에서만 상이하고, 그 구성의 나머지 부분은 제 1 실시예의 그것과 대체로 동일하다.
우선, 외부 카세트 (60) 가 배치된 로딩 스테이션 (6) 은 로드 록 체임버 (2) 바깥 분위기 쪽에 제공된다. 로딩 스테이션 (6) 의 목적은 외부 카세트를 유지하는 것이고, 소정 수의 기판 (9) 을 소정의 위치에서 수용한다. 기판 (9) 을 자동적으로 운반하는 자동 로우더 (41) 가 외부 카세트 (60) 및 각 로드 록 체임버 (2) 간에 또한 제공된다.
자동 로우더 (41) 는, 운반 기구 (42) 처럼, 팔이 설치된 관절 로봇으로 구성되고, 상기 팔을 수평면 그리고 상하 방향으로 움직일 수 있다. 팔의 형태는 로드 록 체임버 (2) 내의 3개의 기판 유지 핀 (221) 과 간섭되지 않도록 만들어진다. 특히, 상기 자동 로우더는 기판 (9) 이 위치해 있는 팔이 로드 록 체임버 (2) 내로 도입되어 소정의 거리만큼 낮게 되도록 만들어지며, 기판 (9) 은 기판 유지 핀 (221) 위에 위치하게 된다. 기판 (9) 의 제거는 이러한 동작을 역으로 수행함으로써 가능하다.
또한, 자동 로우더 (41) 의 제공과 관련하여, 도 3 및 도 4 에 도시된 바와같이, 각 로드 록 체임버 (2) 및 분위기 간의 인터페이스 (분리 체임버 (3) 가 제공되는 쪽에 대하여 반대쪽 측벽부) 에서 게이트 밸브 (5) 가 또한 제공된다. 또한, 상기 게이트 밸브 (5) 가 열리고 기판 (9) 이 제거되는 방식으로 인해 본 실시예에서 2개의 위치설정 블록 (222) 만이 있다. 위치설정 블록 (222) 은 기판 (9) 의 폭보다 약간 넓은 갭을 사이에 두고 서로 대향한다. 2개의 위치설정 블록 (222) 의 상호 대향하는 쪽은 기판 (9) 의 외부 둘레와 같이 동일한 곡률을 갖는 실린더 면을 갖는다. 기판 (9) 이 3개의 기판 유지 핀 (221) 위에 배치될 때, 이에따른 기판 (9) 의 정렬은 기판 (9) 의 둘레를 상호 대향하는 쪽을 따라 배치시킴으로써 이루어진다.
상기 제 2 실시예의 동작은, 자동 로우더 (41) 가 기판 (9) 의 삽입 및 제거를 자동적으로 수행한다는 점을 제외하고 제 1 실시예의 경우와 동일하다. 자동 로우더 (41) 는 외부 카세트 (60) 로부터 한번에 한 개씩 최초 기판 (9) 을 제거하고, 각 로드 록 체임버 (2) 로 운반하며, 기판 유지 핀 (221) 위에 장착한다. 또한, 상기 자동 로우더는 로드 록 체임버 (2) 로부터 처리된 기판 (9) 을 제거하고 외부 카세트 (60) 내의 기판 (9) 의 원래 위치로 운반한다. 외부 카세트 (60) 에 있었던 모든 기판 (9) 이 처리되어 원래 위치로 복귀되었을 때, 한 외부 카세트 (60) 에서의 처리가 완료된다. 조작자는 상기 카세트를 최초 기판 (9) 을 수용하는 또다른 외부 카세트 (60) 로 교체한다.
상기 실시예에서, 기판 (9) 이 각 로드 록 체임버 (2) 내에 위치할 수 있기에, 로드 록 체임버 (2) 및 공정 체임버 (11 및 12) 가 서로 적층되기 때문에 전체 장치에 의한 점유면적은 감소한다. 또한, 각 로드 록 체임버 (2) 는 단일 기판 (9) 만을 수용하고 각 로드 록 체임버는 적절히 작게 만들어질 수 있기에, 로드 록 체임버 (2) 의 배기에 필요한 전체 시간이 감소된다. 따라서, 장치의 생산성이 증가된다.
본 출원의 발명의 제 3 실시예가 이제 설명된다. 도 5 는 본 출원의 발명에 따른 기판 처리 장치의 제 3 실시예의 구성을 도시하는 개략적인 평면도이고, 도 6 은 도 5 에 도시된 C-C 선을 따라 절취된 개략적인 단면도이다.
도 5 및 도 6 에 도시된 기판 처리 장치의 제 2 실시예는, 중앙에 제공된 분리 체임버 (3), 분리 체임버 (3) 주위에 제공된 복수의 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108), 및 복수의 로드 록 체임버 (2) 를 포함하는 체임버 레이아웃을 갖는다. 분리 체임버 (3) 는 8각 박스형이고, 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 및 로드 록 체임버 (2) 는 상기 분리 체임버 쪽에 연결된다. 분리 체임버 (3) 및 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 가 게이트 밸브 (5) 를 통해 밀봉되어 연결된 것을 주의한다.
제 3 실시예에서, 각 로드 록 체임버 (2) 는 단일 기판 (9) 만을 수용하도록 구성되고, 폭 320mm 너비 320mm 높이 15mm 로 측정되는 매우 작은 내부 공간을 갖는다. 각 로드 록 체임버 (2) 는 전용 진공 배기계 (201) 를 갖고, 상기 진공 배기계 (201) 는 상기한 바와같이 동일한 방식으로 소규모로 배기하도록 구성된다. 또한, 각 로드 록 체임버 (2) 는, 도 3 및 도 4 에 도시된 바와같이 동일한 방식으로 기판 유지 핀 (221) 및 위치설정 블록 (222) 을 포함하는 기판 홀더 (22) 를 갖는다.
또한, 도 5 및 도 6 에서 도시하는 바와같이, 4개의 로드 록 체임버 (2) 는 상기 제 3 실시예에 제공된다. 각 로드 록 체임버 (2) 가 상기 실시예에서 적층된다. 특히, 2개의 로드 록 체임버 (2) 는 분리 체임버 (3) 의 2개의 인접하는 면 각각에서 적층되어 제공된다.
제 3 실시예에서, 도 5 에 도시된 바와같이, 2개의 자동 로우더 (41) 가 제공된다. 이에 상응하여, 로딩 스테이션 (6) 에는 2개의 외부 카세트 (60) 가 배치된다. 도 5 에서, 왼쪽편의 자동 로우더 (41) 는 왼쪽편에 배치된 외부 카세트 (60) 및 왼쪽편에 적층된 2개의 로드 록 체임버 (2) 간에 기판 (9) 을 운반하고, 오른쪽의 자동 로우더 (41) 는 오른쪽에 배치된 외부 카세트 (60) 및 오른쪽에 적층된 2개의 로드 록 체임버 (2) 간에 기판 (9) 을 운반한다.
체임버간에 기판 (9) 을 운반하는 운반 기구 (42) 는 분리 체임버 (3) 내에 제공된다. 상기 운반 기구 (42) 는 또한 제 1 실시예에서 기판이 위치해 있는 팔이 설치된 관절 로봇이며, 기판 (9) 을 수평면에서 어떠한 위치로도 그리고 동작 범위내에서 수직 방향으로 어떠한 위치로도 운반할 수 있다. 이러한 종류의 운반 기구으로서, 예를 들어, Rorze 회사에서 제작된 RR468 이 사용될 수도 있다.
각 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 를 배기하는 진공 배기계 (100) 및 분리 체임버 (3) 를 배기하는 진공 배기계 (301) 는, 제 1 실시예에서의 진공 배기계 (111, 121, 301) 와 유사하고, 터보 분자식 펌프 및 드라이 펌프를 조합하여 사용할 수 있다. 배기 시스템 (301) 및 진공 배기계 (100) 는 각 체임버 (3, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 에 대한 전용 배기 시스템으로 각각 제공된다. 이러한 진공 배기계 (301, 100) 는 모두 동일한 구성을 가질 수도 있고, 또는 각 체임버 (3, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 의 필요한 배기 속도 및 크기에 따라 상이한 구성을 가질 수도 있다.
또한, 제 3 실시예에서, 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 는 박스형 8각 분리 체임버 (3) 의 6면에 연결되지만, 도 5 및 도 6 에 도시된 바와같이 이러한 면중 2개 면에서 적층된다. 따라서, 본 실시예에서, 8개의 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 가 제공된다. 8개의 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 를 각각 제 1 공정 체임버 (101), 제 2 공정 체임버 (102), ... 제 8 공정 체임버 (108) 로 칭한다면, 제 1 및 제 2 공정 체임버 (101 및 102) 그리고 제 5 및 제 6 공정 체임버 (105 및 106) 는 적층된다.
각 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 의 구성은 기판 처리 종류에 따라 상이하지만, 접점 상호연결 처리를 수행하기 위해 본 실시예의 장치가 사용되는 예가 설명된다. 접점 상호연결 처리는 상호연결부 등을 FET (전계 효과 트랜지스터) 의 채널부에 부착하는 기술이며, 상기 처리는, 절연막에서 홀을 형성하여 제공된 접점 홀에 상호연결 물질을 채움으로써 매입된 채널과 상호연결부 간의 전도를 얻는다. 상호연결 물질을 채우는 것은 알루미늄과 같은 금속 물질을 스퍼터링함으로써 수행된다. 고온의 역류 스퍼터링은 기판 (9) 을 가열함으로써 수행되고, 증착된 또는 증착되고 있는 박막이 역류하여 접점 홀내에 채워지게 된다.
도 5 및 도 6 에 도시된 장치가 접점 상호연결 처리를 수행하는 장치일 때, 제 1 및 제 2 공정 체임버 (101 및 102) 는 기판 (9) 을 예열하도록 구성된다. 제 3 공정 체임버 (103) 는 기판 (9) 에 대하여 전처리 에칭을 수행하도록 구성되고, 제 3 공정 체임버 (104) 는 기초막을 증착하도록 구성된다. 제 5 및 제 6 공정 체임버 (105 및 106) 는 고온의 역류 스퍼터링을 수행하도록 구성되며, 제 7 공정 체임버 (107) 는 기판 (9) 을 냉각하도록 구성되고, 제 8 공정 체임버 (108) 는 표면막을 증착하도록 구성된다.
예열을 수행하는 제 1 및 제 2 공정 체임버 (101 및 102) 는 상기한 제 1 실시예의 예열 체임버 (11) 와 대략 동일하게 구성된다. 이 경우에, 제 1 및 제 2 공정 체임버 (101 및 102) 는 기판 (9) 을 약 450 내지 500℃ 가 될때까지 가열하도록 유사하게 구성되고, 기판 (9) 은 제 1 체임버 (101) 또는 제 2 공정 체임버 (102) 중 어느 한 곳에서 예열될 수 있다.
전처리 에칭을 수행하는 제 3 공정 체임버 (103) 는, 기판 (9) 이 유지되어 있는 (도시되지 않은) 기판 스테이지, 소정의 처리 가스를 내부로 공급하는 (도시되지 않은) 가스 공급 시스템, 및 고주파 전압을 상기 기판 스테이지에 공급하는 (도시되지 않은) 고주파 전원과 같은 부분이 설치되어 구성된다. 전처리 에칭은 기판 (9) 표면에서 자연 산화막 또는 보호막을 제거하는 것이다. 기판 (9) 표면에는 흔히 자연 산화에 의해 형성된 산화막이 있으며, 보호막이 종종 형성된다. 자연 산화막 또는 처리되지 않은 보호막에 스퍼터링이 수행된다면, 증착된 박막의 전기적 특성이 악화될 수 있다. 따라서, 기판 (9) 은 상기 표면으로부터 자연 산화막 또는 보호막을 제거하기 위해 전처리 에칭을 받게 된다.
특히, 아르곤 가스는 가스 공급 시스템에 의해 처리 가스로서 공급되며, 고주파 전개가 기판 스테이지를 통해 형성된다. 그 결과, 처리 가스에서 고주파 방전이 발생하며, 이에따라 플라즈마가 형성된다. 기판 스테이지의 표면은 유전체이며, 플라즈마와 고주파간의 상호작용에 의해 상기 기판 (9) 의 표면에 자기 바이어스 전압이 발생한다. 상기 자기 바이어스 전압은 상기한 바와같이 음의 DC 전압이고, 상기 전압으로 인해 플라즈마의 양 이온은 기판 (9) 에 주입되고, 이에따라 기판 (9) 의 표면은 이렇게 발생한 이온에 의해 스퍼터 에칭을 받게 된다. 이러한 방식으로, 기판 (9) 의 표면에 있는 자연 산화막 또는 보호막이 제거된다.
제 4 공정 체임버 (104) 에 증착된 기초막은 접점 상호연결 물질과 기초 채널 물질간의 상호확산을 방지하는 배리어 막으로서 증착된다. 기초막은 본 실시예에서 티타늄 박막이고, 스퍼터링에 의해 증착된다. 제 4 공정 체임버 (104) 는 제 1 실시예의 스퍼터링 체임버 (12) 와 대략 동일한 구성을 갖는다. 제 4 공정 체임버 (104) 는 캐소드 (122) 를 구성하는 타겟이 티타늄으로 만들어진다는 점에서 상이하다.
또한, 고온 역류 스퍼터링을 수행하는 제 5 및 제 6 공정 체임버 (105 및 106) 는, 제 1 실시예의 스퍼터링 체임버 (12) 와 대략 동일한 구성을 갖는다. 제 5 및 제 6 공정 체임버 (105 및 106) 는 캐소드 (122) 를 구성하는 타겟으로서 알루미늄 등이 사용된다는 점이 상이하다. 또한, 기판 홀더 (123) 내부에 가열 기구가 제공되며, 이에따라 기판 (9) 이 350 내지 500℃ 의 온도로 가열될 수 있다. 제 5 및 제 6 공정 체임버 (105 및 106) 는 동일하게 구성되며, 기판 (9) 의 고온 역류 스퍼터링이 공정 체임버 (105 및 106) 에서 수행된다.
게다가, 냉각을 수행하는 제 7 공정 체임버 (107) 는 기판 (9) 이 자연적으로 냉각되도록 구성될 수 있지만, 보통 기판 (9) 이 냉각 스테이지위에 배치되어 강제적으로 냉각되도록 구성된다. 냉각 스테이지는 기판 유지 스테이지 (21) 등과 유사한 블록형 부재이며, 소정의 낮은 온도에서 냉각제가 상기 냉각 스테이지 내부를 통해 흐르도록 구성된다. 상기 냉각제를 상기 냉각 스테이지에 배치함으로써, 기판 (9) 은 실온 내지 약 100℃ 간의 온도로 냉각된다.
제 8 공정 체임버 (108) 에서 증착될 수 있는 다양한 형태의 표면 막이 있으며 증착될 수 있는 다양한 방법이 있지만, 본 실시예는 반사방지막으로서 질화 티타늄 박막을 증착하는 구성을 사용한다. 본 실시예에 따른 장치에 의해 접점 상호연결 막이 증착된 기판 (9) 은 포토리소그래피, 즉 회로 패턴 노출을 다음의 스테이지에서 받게 된다. 여기서, 기판 (9) 의 표면이 강한 반사성을 갖는다면 기판 (9) 을 정밀하게 정렬하기 어렵다는 문제점이 있다. 따라서, 반사방지막은 이전의 스테이지에서 기판 (9) 의 표면에 증착된다.
제 8 공정 체임버 (108) 의 구성은 제 1 실시예의 스퍼터링 체임버 (12) 의 구성과 대략 동일하다. 제 8 공정 체임버 (108) 의 구성은 캐소드 (122) 를 구성하는 타겟용으로 티타늄이 사용된다는 점에서 상이하다. 또한, 가스 도입 시스템은 아르곤 및 질소를 처리 가스로서 도입하도록 구성된다. 아르고 및 질소가 도입되는 동안 스퍼터링이 수행될 때, 티타늄과 질소간의 반응에 의해 성막이 추가되고, 이때 질화 티타늄 박막은 기판 (9) 의 표면에 증착된다. 상기 질화 티타늄 박막은 반사방지막의 역할을 한다. 상기 성막동안 기판 (9) 의 온도는 고온 역류 스퍼터링동안의 온도보다 매우 낮고, 예를 들어 약 100℃ 이다. 따라서, 제 7 공정 체임버 (107) 에서 기판 (9) 을 강제적으로 냉각하는 것은 상기 구성의 필수 부분이다.
제 3 실시예가 다음에 설명된다.
우선, 좌우 자동 로우더 (41) 는 자신들의 각 외부 카세트 (60) 로부터 로드 록 체임버 (2) 로 최초 기판 (9) 을 운반하도록 동작한다. 왼쪽의 자동 로우더 (41) 는 기판 (9) 을 왼쪽에 적층된 2개의 로드 록 체임버 (2) 로 한번에 한 개씩 운반하고, 오른쪽의 자동 로우더 (41) 는 기판 (9) 을 오른쪽에 적층된 2개의 로드 록 체임버 (2) 로 한번에 한 개씩 운반한다. 이후 기판 (9) 은 기판 유지 핀 (221) 위에 배치된다.
분리 체임버 (3) 내부의 운반 기구 (42) 는 상기한 절차대로 로드 록 체임버로 (2) 부터 기판 (9) 을 제거하고 각 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 로 운반한다. 이러한 순서의 예를 들면, 상위 왼쪽 로드 록 체임버 (2), 하위 왼쪽 로드 록 체임버 (2), 상위 오른쪽 로드 록 체임버 (2), 및 하위 오른쪽 로드 록 체임버 (2) 이다. 최초의 기판 (9) 은 제 1 공정 체임버 (101) 로 운반되며 소정의 온도로 가열된다. 그 다음 기판 (9) 은 제 2 공정 체임버 (102) 로 운반되어 소정의 온도로 가열된다.
이후, 제 1 공정 체임버 (101) 내의 최초의 기판 (9) 은 제 3 공정 체임버 (103) 로 운반되어 전처리 에칭을 받게된다. 그 다음 기판 (9) 은 제 2 공정 체임버 (102) 내에서 유지된다. 이후 또다른 기판 (9) 은 다시 비워진 제 1 공정 체임버 (101) 로 운반된다.
이후, 최초의 기판 (9) 은 기초막이 증착되는 제 4 공정 체임버 (104) 로 운반되고, 제 2 공정 체임버 (102) 내에서 유지되는 기판 (9) 은 제 3 공정 체임버 (103) 로 운반되며, 제 4 기판 (9) 은 제 2 공정 체임버 (102) 로 운반된다. 그 결과, 4개의 로드 록 체임버 (2) 내에 있던 기판 (9) 이 모두 처리되도록 운반된 상태가 된다. 4개의 로드 록 체임버 각각이 단일 기판 (9) 을 수용하도록 최초 기판 (9) 을 새롭게 비워진 로드 록 체임버 (2) 로 운반하기 위해 좌우 자동 로우더 (41) 가 다시 동작한다.
제 1 기판 (9) 은 제 4 공정 체임버 (104) 로부터 제 5 공정 체임버 (105) 또는 제 6 공정 체임버 (106) 로 운반되어 고온 역류 스퍼터링을 받는다. 이후, 상기 기판 (9) 은 제 7 공정 체임버 (107) 에서 냉각되고, 이후 제 8 공정 체임버 (108) 에서 기초막이 증착된다. 여기서, 그 다음 기판 (9) 은 이전 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107) 에서 이전의 처리를 항상 받게 된다.
최초의 기판 (9) 이 제 8 공정 체임버 (108) 에서 처리될 때, 제 1 내지 제 8 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 각각에서 기판 (9) 이 처리되고, 기판 (9) 이 4개의 로드 록 체임버 (2) 를 통해 2번 운반된 상태가 된다. 이러한 방식으로, 바람직하게는 공정 체임버 수가 로드 록 체임버 수로 나누어질 수 있다면, 순서대로 각 부분이 제어될 수 있다.
이후, 최초의 기판 (9) 은 운반 기구 (42) 에 의해 제 8 공정 체임버 (108) 로부터 다시 상위 왼쪽 로드 록 체임버 (2) 로 운반된다. 이후 상기 기판 (9) 은 자동 로우더 (41) 에 의해 로드 록 체임버 (2) 로부터 분위기내의 외부 카세트 (60) 내의 자신의 원래 위치로 복귀된다. 자동 로우더 (41) 는 그 다음 기판 (9) 을 상위 왼쪽 로드 록 체임버 (2) 로 로딩하도록 바로 동작한다.
이러한 방식으로, 기판 (9) 은, 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 각각에서 처리되기위해 4개의 로드 록 체임버 (2) 중 어느 한 개를 통해서 한번에 한 개씩 운반되며, 원래의 로드 록 체임버 (2) 를 통해 외부 카세트 (60) 로 복귀된다. 이 과정을 반복함으로써, 2개 외부 카세트 (60) 내의 모든 기판 (9) 은 차례로 처리되며 외부 카세트 (60) 내의 원래 위치로 복귀된다.
제 3 실시예에서, 기판 (9) 을 각 로드 록 체임버내에서 위치시키는 것이 가능할 뿐만 아니라, 로드 록 체임버 (2) 및 공정 체임버 (101, 102, 105, 106) 가 적층되기에 전체 장치에 의한 점유면적이 줄어든다. 또한, 각 로드 록 체임버 (2) 는 단일 기판 (9) 을 수용하고 각 로드 록 체임버 (2) 는 충분히 작은 크기로 만들어지기에, 로드 록 체임버 (2) 를 배기하는데 필요한 전체 시간은 감소되며 장치의 생산성이 향상된다.
상기한 각 실시예의 장치에서, 한 곳에서 적어도 적층되는 복수의 쌍의 로드 록 체임버 및 공정 체임버가 있는 구성이 이용되지만, 이러한 종류의 체임버중 쌍이 아닌 한 개만의 복수개가 적층되는 구성도 가능하다. 이것은 상기와 같은 경우에 전체 장치의 점유면적을 줄일 수 있기 때문이다. 또한, 체임버가 3개 이상의 장소에서도 적층될 수 있다.
게다가, 각 체임버를 배기하기 위해 전용 배기 시스템이 사용되었지만, 공유 진공 배기계를 사용하는 것도 가능하다. 예를 들어, 제 3 실시예에서, 각 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 를 배기하는 진공 배기계 (100) 중에서, 이전 스테이지에 제공된 터보 분자식 펌프가 각 공정 체임버 (101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 에 대한 개별적인 전용 펌프로서 제공될 수 있고, 이후 스테이지에서 제공되는 드라이 펌프가 단일 공유 펌프로 조합될 수 있는 구성이 이용될 수 있다.
상기한 스퍼터링에 의한 성막에 더하여, 기판 처리의 다른 예에는, 반응성 가스가 도입되고 기체상 반응 수단에 의해 막이 증착되는 화학 기상 증착 (CVD), 및 드라이 에칭이 포함된다.
상기한 바와같이, 본 출원의 청구항 제 1 항에 따른 발명에서, 로드 록 체임버 그리고/또는 공정 체임버가 적층되기에, 로드 록 체임버 그리고/또는 공정 체임버 수가 증가하더라고 전체 장치에 의한 점유면적은 늘어나지 않는다.
또한, 청구항 제 2 항에 따른 본 발명에서, 상기 기판은 로드 록 체임버 내부에 위치될 수 있기 때문에, 상기 기판을 공정 체임버 내부의 소정의 위치에 배치하는 것이 항상 가능하며, 이에따라 처리 재생성이 향상되는데 기여한다.

Claims (2)

  1. 중앙에 설치된 배기가능한 분리 체임버, 게이트 밸브를 통해 상기 분리 체임버의 측면에 밀봉되어 연결된 배기가능한 공정 체임버와 배기가능한 로드 록 체임버, 및 상기 분리 체임버 내부에 제공되며, 기판을 상기 로드 록 체임버로부터 제거하고 소정의 순서로 상기 각 공정 체임버로 운반하며 이후 다시 상기 로드 록 체임버로 운반하는 운반 기구를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서,
    복수의 상기 로드 록 체임버 및/또는 상기 공정 체임버가 상기 분리 체임버의 둘레를 따라 한 곳 이상에서 적층되어 설치되며, 상기 로드 록 체임버는 단일 기판을 유지하는 기판 홀더를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 홀더는 기판의 정렬을 용이하게 하는 형태를 가짐으로써 상기 기판이 항상 동일한 위치에서 유지되게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1019990048881A 1998-12-28 1999-11-05 기판 처리 장치 KR20000047598A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10374548A JP2000195925A (ja) 1998-12-28 1998-12-28 基板処理装置
JP98-374548 1998-12-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000047598A true KR20000047598A (ko) 2000-07-25

Family

ID=18504029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990048881A KR20000047598A (ko) 1998-12-28 1999-11-05 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6382895B1 (ko)
JP (1) JP2000195925A (ko)
KR (1) KR20000047598A (ko)
TW (1) TW436892B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101039533B1 (ko) * 2010-09-20 2011-06-13 주성엔지니어링(주) 적층구조의 공정챔버를 포함하는 기판 제조장비

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
US6609877B1 (en) * 2000-10-04 2003-08-26 The Boc Group, Inc. Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism
KR100663342B1 (ko) * 2000-11-22 2007-01-02 삼성전자주식회사 반도체 제조용 건식 식각 설비
US20020137346A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-26 Applied Materials. Inc. Workpiece distribution and processing in a high throughput stacked frame
JP4884594B2 (ja) * 2001-03-22 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び制御方法
KR100398877B1 (ko) * 2001-05-09 2003-09-19 삼성전자주식회사 현상기 소음 및 진동방지구조를 갖는 화상형성장치
US6684123B2 (en) * 2001-06-26 2004-01-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for accessing a multiple chamber semiconductor wafer processing system
JP4849744B2 (ja) * 2001-06-29 2012-01-11 株式会社日本マイクロニクス 表示用基板の検査装置
US7316966B2 (en) * 2001-09-21 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Method for transferring substrates in a load lock chamber
AU2002343583A1 (en) * 2001-10-29 2003-05-12 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
US7351291B2 (en) * 2002-02-20 2008-04-01 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system
JP2003258058A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Anelva Corp 基板処理装置の運転方法
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP3906753B2 (ja) * 2002-07-01 2007-04-18 株式会社日立プラントテクノロジー 基板組立て装置
US7959395B2 (en) * 2002-07-22 2011-06-14 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
US20070183871A1 (en) * 2002-07-22 2007-08-09 Christopher Hofmeister Substrate processing apparatus
AU2003277790A1 (en) * 2002-11-15 2004-06-15 Unaxis Balzers Ag Apparatus for vacuum treating two dimensionally extended substrates and method for manufacturing such substrates
US20040141832A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-22 Jang Geun-Ha Cluster device having dual structure
JP4283559B2 (ja) 2003-02-24 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置
TWI234692B (en) * 2003-03-11 2005-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate
SG115629A1 (en) 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for maintaining a machine part
SG115631A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
EP1457829A1 (en) * 2003-03-11 2004-09-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US7458763B2 (en) * 2003-11-10 2008-12-02 Blueshift Technologies, Inc. Mid-entry load lock for semiconductor handling system
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
EP1684951B1 (en) 2003-11-10 2014-05-07 Brooks Automation, Inc. System for handling workpieces in a vacuum-based semiconductor handling system
US20050183665A1 (en) * 2004-02-24 2005-08-25 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Apparatus for manufacturing flat-panel display
US7497414B2 (en) * 2004-06-14 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Curved slit valve door with flexible coupling
JP4581602B2 (ja) * 2004-09-29 2010-11-17 株式会社島津製作所 真空処理装置
US7467916B2 (en) * 2005-03-08 2008-12-23 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing apparatus equipped with cooling stage and semiconductor-manufacturing method using same
KR100737716B1 (ko) * 2005-05-26 2007-07-10 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
US20060273815A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with integrated prober drive
US9339900B2 (en) * 2005-08-18 2016-05-17 Futrfab, Inc. Apparatus to support a cleanspace fabricator
US11024527B2 (en) 2005-06-18 2021-06-01 Frederick A. Flitsch Methods and apparatus for novel fabricators with Cleanspace
US10627809B2 (en) 2005-06-18 2020-04-21 Frederick A. Flitsch Multilevel fabricators
US9457442B2 (en) * 2005-06-18 2016-10-04 Futrfab, Inc. Method and apparatus to support process tool modules in a cleanspace fabricator
US9059227B2 (en) 2005-06-18 2015-06-16 Futrfab, Inc. Methods and apparatus for vertically orienting substrate processing tools in a clean space
US10651063B2 (en) 2005-06-18 2020-05-12 Frederick A. Flitsch Methods of prototyping and manufacturing with cleanspace fabricators
US7513822B2 (en) * 2005-06-18 2009-04-07 Flitsch Frederick A Method and apparatus for a cleanspace fabricator
US9159592B2 (en) 2005-06-18 2015-10-13 Futrfab, Inc. Method and apparatus for an automated tool handling system for a multilevel cleanspace fabricator
US20070006936A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with substrate temperature regulation
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
JP4606388B2 (ja) * 2006-06-12 2011-01-05 川崎重工業株式会社 基板移載装置の搬送系ユニット
US7845618B2 (en) 2006-06-28 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Valve door with ball coupling
US8113757B2 (en) * 2006-08-01 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber
JP5037058B2 (ja) * 2006-08-01 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 中間搬送室、基板処理システム、及び当該中間搬送室の排気方法
US8124907B2 (en) * 2006-08-04 2012-02-28 Applied Materials, Inc. Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
US20080202419A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Gas manifold directly attached to substrate processing chamber
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
DE102008026314B4 (de) * 2008-05-31 2010-07-22 Roth & Rau Ag Vakuumanlage mit mindestens zwei Vakuumkammern und einer Schleusenkammer zwischen den Vakuumkammern
US20100014945A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus having all-round type wafer handling chamber
US8070408B2 (en) * 2008-08-27 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US8246284B2 (en) * 2009-03-05 2012-08-21 Applied Materials, Inc. Stacked load-lock apparatus and method for high throughput solar cell manufacturing
CN101880864A (zh) * 2009-05-04 2010-11-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜装置
CN101956173B (zh) * 2009-07-20 2013-06-05 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 使用承载组件的镀膜装置
US8602706B2 (en) 2009-08-17 2013-12-10 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
CN102021521A (zh) * 2009-09-09 2011-04-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 真空溅射装置
US20110265951A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
US20110265884A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system with shared vacuum pump
JP5503006B2 (ja) 2010-08-06 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
WO2012098871A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP5883232B2 (ja) * 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
DE102013101777A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Aixtron Se Vorrichtung zum Be- und Entladen einer CVD-Anlage
EP2876674A1 (de) 2013-11-25 2015-05-27 Roth & Rau AG Vorrichtung zur Rückgewinnung von Inertgas aus Schleusenkammern
JP7175151B2 (ja) * 2018-09-28 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 搬送方法
KR102455758B1 (ko) * 2020-01-30 2022-10-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 데이터 처리 방법, 데이터 처리 장치 및 기억 매체

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5910224A (ja) 1982-07-09 1984-01-19 Hitachi Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPH02294018A (ja) 1989-05-09 1990-12-05 Hitachi Ltd 成膜装置
JPH05152215A (ja) 1991-11-29 1993-06-18 Hitachi Ltd 成膜装置
CH687986A5 (de) 1993-05-03 1997-04-15 Balzers Hochvakuum Plasmabehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb.
US5344365A (en) 1993-09-14 1994-09-06 Sematech, Inc. Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions
JPH09321120A (ja) 1996-03-04 1997-12-12 Applied Materials Inc 半導体加工部材を処理するシステムおよび方法
US6176667B1 (en) 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
US5944857A (en) * 1997-05-08 1999-08-31 Tokyo Electron Limited Multiple single-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US6079928A (en) * 1997-08-08 2000-06-27 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6270582B1 (en) * 1997-12-15 2001-08-07 Applied Materials, Inc Single wafer load lock chamber for pre-processing and post-processing wafers in a vacuum processing system
US6949143B1 (en) 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101039533B1 (ko) * 2010-09-20 2011-06-13 주성엔지니어링(주) 적층구조의 공정챔버를 포함하는 기판 제조장비

Also Published As

Publication number Publication date
TW436892B (en) 2001-05-28
US6382895B1 (en) 2002-05-07
JP2000195925A (ja) 2000-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20000047598A (ko) 기판 처리 장치
KR101684588B1 (ko) 기판을 프로세싱하기 위한 시스템
US5863170A (en) Modular process system
KR100809139B1 (ko) 이중기판 로드록 프로세스 장비
JP3966594B2 (ja) 予備真空室およびそれを用いた真空処理装置
KR100269097B1 (ko) 기판처리장치
WO2011034057A1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置用ガス供給機構
JPH11195688A (ja) 基板処理装置
JPH04308090A (ja) 気相化学反応生成装置のロードロック機構
WO2000028587A1 (fr) Dispositif de traitement
KR20060017925A (ko) 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
JP2003077974A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR100297971B1 (ko) 스퍼터화학증착복합장치
JP3215643B2 (ja) プラズマ処理装置
KR20040045361A (ko) 반도체 웨이퍼 처리용 반도체 제조 시스템, 대기중 로봇핸들링 장비 및 반도체 웨이퍼의 반송 방법
JPH03136345A (ja) 半導体ウエーハ処理装置
JP2000208589A (ja) 処理装置
JPH09104982A (ja) 基板処理装置
JPH10107124A (ja) 基板処理装置
JPS6039162A (ja) 薄膜処理真空装置
JP4294976B2 (ja) 基板処理装置
JP2002100574A (ja) 基板処理装置
JP2000323551A (ja) 基板処理装置
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JPH06349931A (ja) 処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application