JP4399222B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4399222B2
JP4399222B2 JP2003334649A JP2003334649A JP4399222B2 JP 4399222 B2 JP4399222 B2 JP 4399222B2 JP 2003334649 A JP2003334649 A JP 2003334649A JP 2003334649 A JP2003334649 A JP 2003334649A JP 4399222 B2 JP4399222 B2 JP 4399222B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat insulating
insulating member
substrate
processing
processing tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2003334649A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005098632A (ja
Inventor
智志 谷山
悟 市村
秀成 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2003334649A priority Critical patent/JP4399222B2/ja
Publication of JP2005098632A publication Critical patent/JP2005098632A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4399222B2 publication Critical patent/JP4399222B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)

Description

本発明は、半導体デバイス等の基板を処理するための基板処理装置に関する。
この種の基板処理装置として、基板を収容する処理管の周囲に加熱手段(ヒータユニット)を設け、このヒータユニットにより処理管内の基板を加熱するようにしたものは周知である。
このような基板処理装置において、ヒータユニットの熱を処理管の炉口付近で遮断するために断熱部材を設けることも公知である(例えば特許文献1)。
特開平9−97767号公報
断熱部材を保持するために断熱部材受けが設けられる。この断熱部材受けは、加工性や強度を考慮してステンレス等の金属から構成されることがある。
しかしながら、このように断熱部材受けを金属から構成した場合、処理温度が例えば1200°Cというように高温になると、断熱部材受けが処理管からの輻射熱を受けることにより断熱部材受けから金属物質が拡散し、処理管を汚染し、処理後に基板が金属汚染されるおそれがある。
本発明の目的は、高温処理する場合でも金属汚染を少なくすることができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の特徴とするところは、基板を収容する処理管と、この処理管の周囲に設けられ、前記基板を加熱する加熱手段と、該加熱手段の下部近傍で前記処理管の周囲に設けられた断熱部材と、この断熱部材を保持する金属で形成された断熱部材受けとを有し、前記断熱部材は、前記断熱部材受けの少なくとも前記処理管に対峙する対峙面を囲む遮蔽部を有し、前記断熱部材受けは、冷却手段を有する基板処理装置にある。
好適には、断熱部材はセラミックスからなり、さらに好適には石英であり、さらに好適には、高純度不透明石英である。
好適には、断熱部材受けは、冷却手段を有する。冷却手段は、例えば断熱部材受けに冷却用通路を形成し、この冷却用通路に液体又は気体を流すことにより断熱部材受けを冷却する。好適には、冷却するための媒体は水である。
本発明の基板処理装置によれば、金属からなる断熱部材受けの少なくとも処理管に対峙する対峙面を断熱部材に設けられた遮蔽部により遮蔽するようにしたので、断熱部材受けの少なくとも対峙面に処理管から輻射熱を直接受けるのを防止することができ、断熱部材受けから金属物質が拡散するのを防止し、もって基板が金属汚染されるのを防止することができる。
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図1には、本発明の実施形態に係る基板処理装置10が示されている。この基板処理装置10は、例えば縦型であり、主要部が配置された筺体12を有する。この筐体12内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット14の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ16が設けられ、該カセットステージ16の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ18が設けられ、該カセットエレベータ18には搬送手段としてのカセット移載機20が取り付けられている。カセットエレベータ18の後側には、カセット14の載置手段としてのカセット棚22が設けられ、このカセット棚22はスライドステージ23上に横行可能に設けられている。また、カセット棚22の上方にはカセット14の載置手段としてのバッファカセット棚24が設けられている。このバッファカセット棚24の後側にはクリーンユニット26が設けられ、クリーンエアを前記筺体12の内部を流通させるように構成されている。
筐体12の後部上方には、処理炉28が設けられている。この処理炉28内には、基板36に処理を行う処理室29が形成されている。この処理炉28の下側には、半円筒形状の気密室としてのロードロック室30が仕切弁としてのゲートバルブ32により連接され、このロードロック室30の前面にはカセット棚22と対向する位置に仕切手段としてのロードロックドア34が設けられている。ロードロック室30内には、基板36を水平姿勢で多段に保持する基板支持体(ボート)38を、処理室29に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ40が内設され、このボートエレベータ40には蓋体としてのシールキャップ42が取り付けられ、基板支持体38を垂直に支持している。ロードロック室30とカセット棚22との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、この移載エレベータには搬送手段としての基板移載機44が取り付けられている。また、ロードロック室30には、パージガスを導入するためのパージノズル46が接続されている。
なお、前記カセット移載機20等の搬送動作を制御する搬送制御手段48がカセットステージ16の下方に設けられている。
以下、基板処理装置10における一連の動作を説明する。
図示しない外部搬送装置から搬送されたカセット14は、カセットステージ16に載置され、このカセットステージ16でカセット14はその姿勢を90度変換され、更に、カセットエレベータ18の昇降動作、横行動作及びカセット移載機20の進退動作の協働によりカセット棚22又はバッファカセット棚24に搬送される。
基板移載機44によりカセット棚22から基板支持体38へ基板36が移載される。この基板36を移載する準備として、基板支持体38が前記ボートエレベータ40により降下され、ゲートバルブ32により処理室29が閉塞され、更にロードロック室30の内部にパージノズル46から窒素ガス等のパージガスが導入される。ロードロック室30が大気圧に復圧された後、ロードロックドア34が開かれる。
スライドステージ23はカセット棚22を水平移動させ、移載の対象となるカセット14を基板移載機44に対峙するように位置決めする。基板移載機44は昇降動作、回転動作の協働により基板36をカセット14から基板支持体38へと移載する。基板36の移載はいくつかのカセット14に対して行われ、基板支持体38に所定枚数の基板36の移載が完了した後、ロードロックドア34が閉じられ、ロードロック室30が真空引きされる。
真空引きが完了した後に再びパージノズル46よりパージガスが導入され、ロードロック室30内部が大気圧に復圧されるとゲートバルブ32が開かれ、ボートエレベータ40により基板支持体38が処理室29内に挿入され、ゲートバルブ32が閉じられる。尚、真空引き完了後に前記ロードロック室30内部を大気圧に復圧させず大気圧未満の状態で基板支持体38を処理室29内に挿入しても良い。処理室29内で基板36に所定の処理が為された後、ゲートバルブ32が開かれ、ボートエレベータ40により基板支持体38が引き出され、さらにロードロック室30内部を大気圧に復圧させた後にロードロックドア34が開かれる。
図2において、上記処理炉28の詳細が示されている。処理炉28は、例えば炭化珪素からなる処理管50を有する。この処理管50は、上端が閉鎖された円筒状のもので、この処理管50内に前述した処理室29が構成されている。この処理管50の下端には、例えば石英からなる円筒状のアダプタ52が接続固定されている。このアダプタ52の側壁には、処理室29に反応ガスを導入するためのガス導入口54と、処理室29からガスを排気するための排気口56とが形成されており、ガス導入口54にはガス導入管58が、排気口56には排気管60がそれぞれ接続されている。ガス導入口54の処理室29側には、ガス導入ノズル62が接続されており、このガス導入ノズル62は、他端が処理室29の上端付近まで延び、このガス導入ノズル62の適宜位置に多数形成された孔からガスを処理室29に導入するようになっている。
前述したボートエレベータに設けれらたシールキャップ42は、アダプタ52の下端に密着し、処理室29の気密を保つようにしてある。このシールキャップ42にボート受け64を介して基板支持体38が立設固定され、基板支持体38に支持された多数の基板36が処理室29に収容される。
処理管50の周囲には、加熱手段としてのヒータユニット66が設けられ、このヒータユニット66により処理室29に収容された基板36が加熱されるようになっている。このヒータユニット66の下部には、ヒータ断熱部68及び水冷板70が設けられおり、ヒータユニット66は、ヒータベース72に支持されている。水冷板70とヒータベース72との間にはシール材74が設けられている。さらにヒータベース72は、図示しない支持ブロックを介して処理炉本体に支持されている。
また、ヒータユニット66の下部近傍で処理管50の周囲には、リング状の断熱部材76が設けられている。この断熱部材76は、例えば高純度の不透明石英が用いられている。ここで、高純度とは、重金属の含有量が1ppm以下(Alは20ppm以下)であることをいう。高純度の不透明石英としては、例えばNaが0.5ppm、Kが0.6ppm、Liが0.5ppm、Alが15ppm、Cuが0.1ppm未満、Feが0.2ppmのものが市販されている。
なお、この実施形態においては、断熱部材76を石英から構成するようにしたが、他の実施形態として、アルミナのウールをクロス材で編み込んだもの等を用いることができる。
上記断熱部材76は、同じくリング状に形成された断熱部材受け78に保持されている。この断熱部材受け78はステンレス等の金属製であり、ステンレスとしてはSUS316Lが特に好ましいが、SUS304L、SUS310Sも使用できる(SUS316L、SUS304L、SUS310SはいずれもJIS規格)。この断熱部材受け78は、前述した水冷板70の下部内側周囲に固定されている。
図3に詳しく示すように、断熱部材受け78は、前述した処理管50に対峙する対峙面80を有する。そして、断熱部材受け78の対峙面80の周囲を囲むように、断熱部材76には遮蔽部82が下方に突出するように形成されている。したがって、遮蔽部82により断熱部材受け78の対峙面80の周囲が処理管50から遮蔽されているので、処理管50から断熱部材受け78に到達しようとする輻射熱を遮断することができ、断熱部材受け78が加熱するのを抑えることができる。
また、断熱部材受け78には、冷却手段としての水冷溝84が断熱部材受け78の下面周囲で対峙面80の近傍に形成されている。この水冷溝84は、蓋体86により下方が閉鎖されていると共に、断熱部材受け78の下面に開口する冷却水入り口88及び冷却水出口90に接続されている。この冷却水入り口88と冷却水出口90とは互いに近傍に配置され、また、冷却水入り口88と冷却水出口90との間で水冷溝84に設けられた仕切り板92により近傍での連通が遮断されるようになっている。冷却水入り口88及び冷却水出口90には、それぞれ冷却配管94が接続され、一つの冷却配管94から冷却水入り口88を介して水冷溝84に水が入り、この水が水冷溝84を流れて冷却水出口90から他の冷却配管94へ排出され、断熱部材受け78を冷却する。したがって、このような冷却手段により断熱部材受け78が冷却されるので、断熱部材受け78が加熱するのを抑えることができる。
このように構成された処理炉28において、基板36を処理する場合は、まず多数の基板36を支持した基板支持体38を、ヒータユニット66により例えば600°C程度の温度に設定された処理室29内に挿入し、シールキャップ42により処理室29を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度まで昇温させてガス導入口54から処理ガスを導入する。処理ガスには、窒素、アルゴン、水素、酸素等が含まれる。熱処理温度は例えば1200°Cである。基板36の熱処理を終了すると、炉内温度を例えば600°C程度の温度に降温した後、基板支持体38を処理室29からアンロードし、基板支持体29に支持された基板38の全てが冷却するまで、所定位置で待機させる。
このような熱処理中にあっては、ヒータユニット66からの熱が処理管28に反射し、金属製の断熱部材受け78を加熱させようとする。しかしながら、断熱部材受け78の処理管28に対峙する対峙面80は、断熱部材76の遮蔽部82により遮蔽されるので、断熱部材受け78に到達しようとする輻射熱を遮断することができる。また、このような熱処理中にあっては、断熱部材受け78の水冷溝84に水が流されているので、断熱部材受け78が水冷され、断熱部材受け78の加熱が抑えられる。このため、金属製の断熱部材受け78から金属物質が拡散するのを防止することができ、処理管29の汚染を防止し、基板36の汚染を防止することができるものである。
尚、本発明は炉口付近の構造に特徴があるものであり、本実施の形態ではロードロック室を備えた基板処理装置を例に説明したが、ロードロック装置を備えない基板処理装置にも本発明を適用することができる。
本発明は、基板の金属汚染が問題となる基板処理装置に利用することができる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置全体を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いた処理炉の炉口周辺を示す断面図である。 (a)は本発明の実施形態に係る基板処理装置に用いたヒータユニットの下部周辺を示す断面図であり、(b)は断熱部材受けの水平方向で切った断面図である。
符号の説明
10 基板処理装置
28 処理炉
29 処理室
36 基板
38 基板支持体
50 処理管
52 アダプタ
66 ヒータユニット
76 断熱部材
78 断熱部材受け
80 対峙面
82 遮蔽部
84 水冷溝

Claims (4)

  1. 基板を収容する処理管と、この処理管の周囲に設けられ、前記基板を加熱する加熱手段と、該加熱手段の下部近傍で前記処理管の周囲に設けられた断熱部材と、この断熱部材を保持する金属で形成された断熱部材受けとを有し、前記断熱部材は、前記断熱部材受けの少なくとも前記処理管に対峙する対峙面を囲む遮蔽部を有し、前記断熱部材受けは、冷却手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記冷却手段は、前記断熱部材受けに冷却用通路が形成され、該冷却用通路に液体又は気体を流ことにより前記断熱部材受け冷却されるように構成されている請求項1記載の基板処理装置。
  3. 前記冷却用通路は、前記断熱部材受けの下面周囲で前記対峙面とは反対側の面より前記対峙面の近傍に形成されている請求項2記載の基板処理装置。
  4. 加熱手段が周囲に設けられた処理管内に基板を収容して前記加熱手段で前記処理管内を加熱し、前記処理管内で基板を処理する際に、前記加熱手段の下部近傍で前記処理管の周囲に設けられた断熱部材を保持する金属で形成された断熱部材受けに有る冷却手段が前記断熱部材受けを冷却するとともに、前記断熱部材受けの少なくとも前記処理管に対峙する対峙面を囲む遮蔽部が前記処理管からの輻射熱を遮断することを特徴とする基板処理方法。
JP2003334649A 2003-09-26 2003-09-26 基板処理装置 Expired - Lifetime JP4399222B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003334649A JP4399222B2 (ja) 2003-09-26 2003-09-26 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003334649A JP4399222B2 (ja) 2003-09-26 2003-09-26 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005098632A JP2005098632A (ja) 2005-04-14
JP4399222B2 true JP4399222B2 (ja) 2010-01-13

Family

ID=34462262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003334649A Expired - Lifetime JP4399222B2 (ja) 2003-09-26 2003-09-26 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4399222B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005098632A (ja) 2005-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3069412B2 (ja) 半導体ウエハの処理装置および方法
JP3218488B2 (ja) 処理装置
US20090205783A1 (en) Substrate processing apparatus
WO2006043509A1 (ja) 縦型熱処理装置及びその運用方法
WO2000028587A1 (fr) Dispositif de traitement
JP2007073746A (ja) 基板処理装置
JP2012099763A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の保守点検方法
JP4399222B2 (ja) 基板処理装置
JP3451137B2 (ja) 基板の熱処理装置
JP5087283B2 (ja) 温度制御システム、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
JP3589823B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法
JP2006066590A (ja) 縦型熱処理装置及びその処理容器急速降温方法
JP2005277049A (ja) 熱処理システム及び熱処理方法
JP3543987B2 (ja) 処理装置
JP2007088337A (ja) 基板処理装置
JP2001068425A (ja) 半導体熱処理装置及び方法
JP2011003689A (ja) 基板処理装置
JP2010056124A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4399279B2 (ja) 基板処理装置およびicの製造方法
JP2006190812A (ja) 基板処理装置
JP2010040919A (ja) 基板処理装置
JP6906559B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR100350612B1 (ko) 이중수직형열처리로(爐)
JPS63283019A (ja) 多重構造の縦型半導体熱処理装置
JP2001284278A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060330

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080711

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080905

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090916

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091014

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091026

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4399222

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term