JPH07297145A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH07297145A JPH07297145A JP4223295A JP4223295A JPH07297145A JP H07297145 A JPH07297145 A JP H07297145A JP 4223295 A JP4223295 A JP 4223295A JP 4223295 A JP4223295 A JP 4223295A JP H07297145 A JPH07297145 A JP H07297145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner cylinder
- outer cylinder
- reaction container
- heat treatment
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な処理を効率良く行うことのできる熱処
理装置を提供する。 【構成】 反応容器１が、外筒２及びこの外筒２内に同
心的に収容された内筒３により二重管構造とされ、ベー
スプレート４に外筒を係止する外筒マニホールド５の下
端部に、内筒マニホールド６によって内筒３が係止され
ている。そして、外筒２を装着したまま、内筒３だけを
取り外し、内筒３だけを洗浄することができるように構
成されている。
理装置を提供する。 【構成】 反応容器１が、外筒２及びこの外筒２内に同
心的に収容された内筒３により二重管構造とされ、ベー
スプレート４に外筒を係止する外筒マニホールド５の下
端部に、内筒マニホールド６によって内筒３が係止され
ている。そして、外筒２を装着したまま、内筒３だけを
取り外し、内筒３だけを洗浄することができるように構
成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造工程におけ
る熱拡散工程や成膜工程で使用される熱処理装置とし
て、省スペ―ス化、省エネルギ―化、被処理物である半
導体ウエハの大口径化および自動化への対応が容易であ
ること等の理由から縦型熱処理装置が開発されている。
る熱拡散工程や成膜工程で使用される熱処理装置とし
て、省スペ―ス化、省エネルギ―化、被処理物である半
導体ウエハの大口径化および自動化への対応が容易であ
ること等の理由から縦型熱処理装置が開発されている。
【０００３】このような縦型熱処理装置は、石英等から
なる円筒状の反応容器およびこの周囲を囲繞する如く設
けられたヒ―タ、均熱管、断熱材などから構成された反
応炉本体がほぼ垂直に配設されており、反応容器内に多
数の半導体ウエハを所定の間隔で棚積み収容した石英等
からなるウエハボ―トが配設されている。このウエハボ
―トは、反応炉本体下方の開放部を密閉するキャップ部
上方に塔載されており、このキャップ部とともに昇降機
構によって、反応炉本体内にその下方からロ―ド・アン
ロ―ドされる。
なる円筒状の反応容器およびこの周囲を囲繞する如く設
けられたヒ―タ、均熱管、断熱材などから構成された反
応炉本体がほぼ垂直に配設されており、反応容器内に多
数の半導体ウエハを所定の間隔で棚積み収容した石英等
からなるウエハボ―トが配設されている。このウエハボ
―トは、反応炉本体下方の開放部を密閉するキャップ部
上方に塔載されており、このキャップ部とともに昇降機
構によって、反応炉本体内にその下方からロ―ド・アン
ロ―ドされる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
縦型熱処理装置においては、不純物等の付着のない良好
な処理を効率良く行えるようにすることが望まれてい
る。
縦型熱処理装置においては、不純物等の付着のない良好
な処理を効率良く行えるようにすることが望まれてい
る。
【０００５】本発明は、このような従来技術の課題に対
処するためになされたもので、良好な処理を効率良く行
うことのできる熱処理装置を提供することを目的として
いる。
処するためになされたもので、良好な処理を効率良く行
うことのできる熱処理装置を提供することを目的として
いる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
外筒及びこの外筒内に同心的に収容された内筒により二
重管構造とされ、略垂直に配設された反応容器と、前記
反応容器の外側を囲繞する如く設けられた加熱用ヒ―タ
と、前記反応容器の下端部近傍に設けられた基体に前記
外筒を係止する環状の外筒支持部材と、前記外筒支持部
材の下端部に前記内筒を係止する環状の内筒支持部材
と、前記内筒支持部材の下端に当接されこの部分を気密
封止可能とされた円盤状の蓋体と、前記蓋体のほぼ中心
部を貫通する如く設けられこの貫通部に気密シール機構
が配置された回転軸と、この回転軸の上端に設けられた
タ―ンテ―ブルと、前記回転軸を駆動するモータとを有
する回転機構と、前記タ―ンテ―ブル上に設置され、半
導体ウエハが配置されたウエハボ―トが載置される保温
筒と、前記蓋体を、前記回転機構および保温筒とともに
上下動させ、前記ウエハボ―トを前記反応容器内にロ―
ド・アンロ―ドする昇降機構と、前記外筒支持部材及び
内筒支持部材の外周および下面を囲う如く円筒容器状に
形成され、下側面に前記蓋体の外径より大径の通過口が
設けられたスカベンジャ部本体と、前記通過口をおおよ
そ閉塞するシャッタ部を有するスカベンジャ部と、 前
記内筒内に処理ガスを導入する処理ガス導入管と、前記
外筒の下端部と前記内筒の下端部との間から排気を行う
排気管とを具備したことを特徴とする。
外筒及びこの外筒内に同心的に収容された内筒により二
重管構造とされ、略垂直に配設された反応容器と、前記
反応容器の外側を囲繞する如く設けられた加熱用ヒ―タ
と、前記反応容器の下端部近傍に設けられた基体に前記
外筒を係止する環状の外筒支持部材と、前記外筒支持部
材の下端部に前記内筒を係止する環状の内筒支持部材
と、前記内筒支持部材の下端に当接されこの部分を気密
封止可能とされた円盤状の蓋体と、前記蓋体のほぼ中心
部を貫通する如く設けられこの貫通部に気密シール機構
が配置された回転軸と、この回転軸の上端に設けられた
タ―ンテ―ブルと、前記回転軸を駆動するモータとを有
する回転機構と、前記タ―ンテ―ブル上に設置され、半
導体ウエハが配置されたウエハボ―トが載置される保温
筒と、前記蓋体を、前記回転機構および保温筒とともに
上下動させ、前記ウエハボ―トを前記反応容器内にロ―
ド・アンロ―ドする昇降機構と、前記外筒支持部材及び
内筒支持部材の外周および下面を囲う如く円筒容器状に
形成され、下側面に前記蓋体の外径より大径の通過口が
設けられたスカベンジャ部本体と、前記通過口をおおよ
そ閉塞するシャッタ部を有するスカベンジャ部と、 前
記内筒内に処理ガスを導入する処理ガス導入管と、前記
外筒の下端部と前記内筒の下端部との間から排気を行う
排気管とを具備したことを特徴とする。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の熱
処理装置において、前記反応容器内を前記加熱用ヒ―タ
によって予め予備加熱し、この予備加熱された前記反応
容器内に前記昇降機構によって前記半導体ウエハが配置
された前記ウエハボ―トをロードして当該半導体ウエハ
に所定の処理を施すよう構成されたことを特徴とする。
処理装置において、前記反応容器内を前記加熱用ヒ―タ
によって予め予備加熱し、この予備加熱された前記反応
容器内に前記昇降機構によって前記半導体ウエハが配置
された前記ウエハボ―トをロードして当該半導体ウエハ
に所定の処理を施すよう構成されたことを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の発明は、請求項１記載の熱
処理装置において、前記反応容器内における前記半導体
ウエハの処理が終了した後、前記反応容器内の水素パー
ジと窒素パージを行って処理ガスを除去し、窒素雰囲気
で常圧状態とした後、前記昇降機構によって前記半導体
ウエハが配置された前記ウエハボ―トをアンロードする
よう構成されたことを特徴とする。
処理装置において、前記反応容器内における前記半導体
ウエハの処理が終了した後、前記反応容器内の水素パー
ジと窒素パージを行って処理ガスを除去し、窒素雰囲気
で常圧状態とした後、前記昇降機構によって前記半導体
ウエハが配置された前記ウエハボ―トをアンロードする
よう構成されたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明では、外筒支持部材及び内筒支持部材の
外周および下面を囲う如く円筒容器状に形成され、下側
面に蓋体の外径より大径の通過口が設けられたスカベン
ジャ部本体と、通過口をおおよそ閉塞するシャッタ部を
有するスカベンジャ部によって、被処理物がアンロ―ド
された際に、反応炉本体から残余の処理ガスや反応生成
物が被処理物のロ―ド・アンロ―ド位置方向に排出さ
れ、処理後の半導体ウエハに不純物として付着すること
を防止する。
外周および下面を囲う如く円筒容器状に形成され、下側
面に蓋体の外径より大径の通過口が設けられたスカベン
ジャ部本体と、通過口をおおよそ閉塞するシャッタ部を
有するスカベンジャ部によって、被処理物がアンロ―ド
された際に、反応炉本体から残余の処理ガスや反応生成
物が被処理物のロ―ド・アンロ―ド位置方向に排出さ
れ、処理後の半導体ウエハに不純物として付着すること
を防止する。
【００１０】また、反応容器が、外筒及びこの外筒内に
同心的に収容された内筒により二重管構造とされ、基体
に外筒を係止する環状の外筒支持部材の下端部に、内筒
支持部材により内筒が係止されているので、気密シール
部を有する外筒を装着したまま、内筒だけを取り外し、
内筒だけを洗浄することができる。これによって、洗浄
の度に真空リークチェック等を行うことなく、容易に短
時間で反応容器の洗浄を行うことができ、良好な処理を
効率良く行うことができる。なお、処理ガスは、内筒内
に供給され、内筒と外筒との間から排気されるようにな
っているので、外筒に反応生成物等が付着していても、
この反応生成物が剥離して半導体ウエハ等に付着するこ
とはない。
同心的に収容された内筒により二重管構造とされ、基体
に外筒を係止する環状の外筒支持部材の下端部に、内筒
支持部材により内筒が係止されているので、気密シール
部を有する外筒を装着したまま、内筒だけを取り外し、
内筒だけを洗浄することができる。これによって、洗浄
の度に真空リークチェック等を行うことなく、容易に短
時間で反応容器の洗浄を行うことができ、良好な処理を
効率良く行うことができる。なお、処理ガスは、内筒内
に供給され、内筒と外筒との間から排気されるようにな
っているので、外筒に反応生成物等が付着していても、
この反応生成物が剥離して半導体ウエハ等に付着するこ
とはない。
【００１１】
【実施例】以下、本発明装置を縦型熱処理装置に適用し
た実施例について図面を参照して説明する。
た実施例について図面を参照して説明する。
【００１２】反応容器１は、例えば石英からなる外筒２
と、この外筒２内に同心的に収容された例えば石英から
なる内筒３とから構成された二重管構造となっている。
外筒２はベ―スプレイト４に外筒マニホ―ルド５によっ
て固定されており、内筒３は内筒マニホ―ルド６によっ
て外筒マニホ―ルド５の下端部に固定されている。そし
て、この反応容器１を囲繞する如く加熱用ヒ―タ７、断
熱材８等が設置されて反応炉本体が構成されている。
と、この外筒２内に同心的に収容された例えば石英から
なる内筒３とから構成された二重管構造となっている。
外筒２はベ―スプレイト４に外筒マニホ―ルド５によっ
て固定されており、内筒３は内筒マニホ―ルド６によっ
て外筒マニホ―ルド５の下端部に固定されている。そし
て、この反応容器１を囲繞する如く加熱用ヒ―タ７、断
熱材８等が設置されて反応炉本体が構成されている。
【００１３】この反応容器１の下端部、すなわち内筒マ
ニホ―ルド６の下端部は、ステンレス等からなる円盤状
のキャップ部９により気密封止部材例えばＯリング１０
を介して密閉されるよう構成されている。
ニホ―ルド６の下端部は、ステンレス等からなる円盤状
のキャップ部９により気密封止部材例えばＯリング１０
を介して密閉されるよう構成されている。
【００１４】このキャップ部９のほぼ中心部には、回転
軸１１が挿通されており、この回転軸１１の周囲はシ―
ル機構例えば磁性流体シ―ルユニット１２によって気密
に封止されている。この回転軸１１の上端は、タ―ンテ
―ブル１３に固定されている。タ―ンテ―ブル１３上方
には、反応容器１の内筒３と所定の間隙を保持して断熱
材等が充填された保温筒１４が設置されており、保温筒
１４上には多数の半導体ウエハ１５を所定のピッチで積
層収容した例えば石英からなるウエハボ―ト１６が搭載
されている。また、回転軸１１の下端は、これらウエハ
ボ―ト１６、保温筒１４、タ―ンテ―ブル１３およびキ
ャップ部９を反応容器１内にロ―ド・アンロ―ドする昇
降機構例えばボ―トエレベ―タ１７のア―ム１８内に設
置された回転機構例えばモ―タ１９に接続されている。
軸１１が挿通されており、この回転軸１１の周囲はシ―
ル機構例えば磁性流体シ―ルユニット１２によって気密
に封止されている。この回転軸１１の上端は、タ―ンテ
―ブル１３に固定されている。タ―ンテ―ブル１３上方
には、反応容器１の内筒３と所定の間隙を保持して断熱
材等が充填された保温筒１４が設置されており、保温筒
１４上には多数の半導体ウエハ１５を所定のピッチで積
層収容した例えば石英からなるウエハボ―ト１６が搭載
されている。また、回転軸１１の下端は、これらウエハ
ボ―ト１６、保温筒１４、タ―ンテ―ブル１３およびキ
ャップ部９を反応容器１内にロ―ド・アンロ―ドする昇
降機構例えばボ―トエレベ―タ１７のア―ム１８内に設
置された回転機構例えばモ―タ１９に接続されている。
【００１５】また、ベ―スプレ―ト４の下面には、反応
容器１を支持している外筒マニホ―ルド５および内筒マ
ニホ―ルド６の外周および下面を囲うように円筒容器状
のスカベンジャ部本体２０が設置されている。このスカ
ベンジャ部本体２０は、アルミニウム材によって形成さ
れており、その表面には例えば陽極酸化によって形成し
た酸化アルミニウム被膜が形成されている。このスカベ
ンジャ部本体２０の側面には図示を省略した排気系に接
続された排気口２１が設けられており、またその下面に
は被処理物をロ―ド・アンロ―ドする際のキャップ部の
外径より大径の通過口２０ａが設けられている。そし
て、この通過口２０ａが外周に若干の間隙を残して閉塞
されるよう、図示を省略した駆動機構によって開閉自在
とされたシャッタ部２２が配置されており、これらスカ
ベンジャ部本体２０とシャッタ部２２とによってスカベ
ンジャ部が構成されている。このシャッタ部２２もスカ
ベンジャ部本体２０と同様に、表面に酸化アルミニウム
被膜を有するアルミニウム材によって形成されている。
容器１を支持している外筒マニホ―ルド５および内筒マ
ニホ―ルド６の外周および下面を囲うように円筒容器状
のスカベンジャ部本体２０が設置されている。このスカ
ベンジャ部本体２０は、アルミニウム材によって形成さ
れており、その表面には例えば陽極酸化によって形成し
た酸化アルミニウム被膜が形成されている。このスカベ
ンジャ部本体２０の側面には図示を省略した排気系に接
続された排気口２１が設けられており、またその下面に
は被処理物をロ―ド・アンロ―ドする際のキャップ部の
外径より大径の通過口２０ａが設けられている。そし
て、この通過口２０ａが外周に若干の間隙を残して閉塞
されるよう、図示を省略した駆動機構によって開閉自在
とされたシャッタ部２２が配置されており、これらスカ
ベンジャ部本体２０とシャッタ部２２とによってスカベ
ンジャ部が構成されている。このシャッタ部２２もスカ
ベンジャ部本体２０と同様に、表面に酸化アルミニウム
被膜を有するアルミニウム材によって形成されている。
【００１６】反応容器１の下端部には、内筒３内に垂設
されるＬ字状の処理ガス導入管２３が配設されており、
この処理ガス導入管２３のガス吐出部はウエハボ―ト１
６側に向けて開口されている。また、反応容器１の外筒
２下端部には、図示を省略した真空ポンプに接続された
排気管２４が外筒２と内筒３との間隙から処理ガスを排
出するよう設けられている。
されるＬ字状の処理ガス導入管２３が配設されており、
この処理ガス導入管２３のガス吐出部はウエハボ―ト１
６側に向けて開口されている。また、反応容器１の外筒
２下端部には、図示を省略した真空ポンプに接続された
排気管２４が外筒２と内筒３との間隙から処理ガスを排
出するよう設けられている。
【００１７】このような構成の縦型熱処理装置において
は、例えば 800℃程度の予備加熱状態にある反応容器１
の内筒３内に、半導体ウエハ１５を収容したウエハボ―
ト１６を塔載したタ―ンテ―ブル１３をキャップ部９と
ともに、ボ―トエレベ―タ１７により挿入し、キャップ
部９によって反応容器１を密閉する。この後、反応容器
１内を所定の真空度例えば10Torr程度に保持しながら処
理ガス導入管２３から原料ガス例えば SiH2 Cl2 、HCl
、 H2 を供給して半導体ウエハ１５の処理、例えばシ
リコンエピタキシャル成長を行う。
は、例えば 800℃程度の予備加熱状態にある反応容器１
の内筒３内に、半導体ウエハ１５を収容したウエハボ―
ト１６を塔載したタ―ンテ―ブル１３をキャップ部９と
ともに、ボ―トエレベ―タ１７により挿入し、キャップ
部９によって反応容器１を密閉する。この後、反応容器
１内を所定の真空度例えば10Torr程度に保持しながら処
理ガス導入管２３から原料ガス例えば SiH2 Cl2 、HCl
、 H2 を供給して半導体ウエハ１５の処理、例えばシ
リコンエピタキシャル成長を行う。
【００１８】なお、このように、予め反応容器１内を予
備加熱しておくので、高スループットで効率良く処理を
行うことができる。
備加熱しておくので、高スループットで効率良く処理を
行うことができる。
【００１９】そして、処理を終了した後は、水素パ―ジ
と窒素パ―ジを行って処理ガスを除去し、窒素雰囲気で
常圧状態とした後、ボ―トエレベ―タ１７によってウエ
ハボ―ト１６を下降させる。ウエハ―ボ―ト１６が所定
の位置に到達すると、シャッタ部２２が閉じられるとと
もに、スカベンジャ部本体２０内の排気が行われ、次の
処理サイクルの待機状態となる。
と窒素パ―ジを行って処理ガスを除去し、窒素雰囲気で
常圧状態とした後、ボ―トエレベ―タ１７によってウエ
ハボ―ト１６を下降させる。ウエハ―ボ―ト１６が所定
の位置に到達すると、シャッタ部２２が閉じられるとと
もに、スカベンジャ部本体２０内の排気が行われ、次の
処理サイクルの待機状態となる。
【００２０】なお、このように水素パ―ジと窒素パ―ジ
を行って処理ガスを除去し、窒素雰囲気で常圧状態とし
た後ウエハ―ボ―ト１６のアンロードを行うので、処理
ガスが外部に漏洩することを防止することができる。
を行って処理ガスを除去し、窒素雰囲気で常圧状態とし
た後ウエハ―ボ―ト１６のアンロードを行うので、処理
ガスが外部に漏洩することを防止することができる。
【００２１】このように、スカベンジャ部を酸化アルミ
ニウム被膜を表面に有するアルミニウム材によって形成
することにより、反応炉本体の待機状態において反応容
器内に多少の処理ガスや反応生成物が残存していても、
酸化アルミニウム被膜によって耐食性が大幅に向上して
いるため、ほとんど錆びることがない。従って、錆等の
落下による被処理物の不良発生が防止でき、スカベンジ
ャ部本来の働きを充分に発揮することができる。
ニウム被膜を表面に有するアルミニウム材によって形成
することにより、反応炉本体の待機状態において反応容
器内に多少の処理ガスや反応生成物が残存していても、
酸化アルミニウム被膜によって耐食性が大幅に向上して
いるため、ほとんど錆びることがない。従って、錆等の
落下による被処理物の不良発生が防止でき、スカベンジ
ャ部本来の働きを充分に発揮することができる。
【００２２】また、反応容器１が、外筒２及びこの外筒
２内に同心的に収容された内筒３により二重管構造とさ
れ、ベースプレート４に外筒を係止する外筒マニホール
ド５の下端部に、内筒マニホールド６によって内筒３が
係止されているので、気密シール部を有する外筒２を装
着したまま、内筒３だけを取り外し、内筒３だけを洗浄
することができる。これによって、洗浄の度に真空リー
クチェック等を行うことなく、容易に短時間で反応容器
１の洗浄を行うことができ、清浄な雰囲気で良好な処理
を効率良く行うことができる。なお、処理ガスは、処理
ガス導入管２３によって内筒３内に供給され、排気管２
４により内筒３と外筒２との間から排気されるようにな
っているので、外筒２に反応生成物等が付着していて
も、この反応生成物が剥離して半導体ウエハ１５等に付
着することはない。
２内に同心的に収容された内筒３により二重管構造とさ
れ、ベースプレート４に外筒を係止する外筒マニホール
ド５の下端部に、内筒マニホールド６によって内筒３が
係止されているので、気密シール部を有する外筒２を装
着したまま、内筒３だけを取り外し、内筒３だけを洗浄
することができる。これによって、洗浄の度に真空リー
クチェック等を行うことなく、容易に短時間で反応容器
１の洗浄を行うことができ、清浄な雰囲気で良好な処理
を効率良く行うことができる。なお、処理ガスは、処理
ガス導入管２３によって内筒３内に供給され、排気管２
４により内筒３と外筒２との間から排気されるようにな
っているので、外筒２に反応生成物等が付着していて
も、この反応生成物が剥離して半導体ウエハ１５等に付
着することはない。
【００２３】さらに、モ―タ１９によってタ―ンテ―ブ
ル１３上のウエハ―ボ―ト１６を回転させながら処理を
行うので、半導体ウエハ１５に均一で良好な処理を行う
ことができる。
ル１３上のウエハ―ボ―ト１６を回転させながら処理を
行うので、半導体ウエハ１５に均一で良好な処理を行う
ことができる。
【００２４】なお、上記実施例では、スカベンジャ部を
酸化アルミニウム被膜を表面に有するアルミニウム材に
よって形成した場合について説明したが、上記したスカ
ベンジャ部を、アルミニウム材ではなくステンレス鋼か
ら形成してもよい。この場合、表面にテフロンコ―ティ
ングやニッケルメッキを施すことが好ましい。これによ
って、耐熱性を維持しつつ錆の発生を有効に防止でき、
上述した実施例と同様な効果を得ることができる。
酸化アルミニウム被膜を表面に有するアルミニウム材に
よって形成した場合について説明したが、上記したスカ
ベンジャ部を、アルミニウム材ではなくステンレス鋼か
ら形成してもよい。この場合、表面にテフロンコ―ティ
ングやニッケルメッキを施すことが好ましい。これによ
って、耐熱性を維持しつつ錆の発生を有効に防止でき、
上述した実施例と同様な効果を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の熱処理装置
によれば、良好な処理を効率良く行うことができる。
によれば、良好な処理を効率良く行うことができる。
【図１】本発明の一実施例の縦型熱処理装置の要部を示
す縦断面図
す縦断面図
１……反応容器、２……外筒、３……内筒、５……外筒
マニホ―ルド、６……内筒マニホ―ルド、７……加熱用
ヒ―タ、９……キャップ部、１５……半導体ウエハ、１
６……ウエハボ―ト、１７……昇降機構、２０……スカ
ベンジャ部本体、２２……シャッタ部。
マニホ―ルド、６……内筒マニホ―ルド、７……加熱用
ヒ―タ、９……キャップ部、１５……半導体ウエハ、１
６……ウエハボ―ト、１７……昇降機構、２０……スカ
ベンジャ部本体、２２……シャッタ部。
Claims (3)
- 【請求項１】 外筒及びこの外筒内に同心的に収容され
た内筒により二重管構造とされ、略垂直に配設された反
応容器と、 前記反応容器の外側を囲繞する如く設けられた加熱用ヒ
―タと、 前記反応容器の下端部近傍に設けられた基体に前記外筒
を係止する環状の外筒支持部材と、 前記外筒支持部材の下端部に前記内筒を係止する環状の
内筒支持部材と、 前記内筒支持部材の下端に当接されこの部分を気密封止
可能とされた円盤状の蓋体と、 前記蓋体のほぼ中心部を貫通する如く設けられこの貫通
部に気密シール機構が配置された回転軸と、この回転軸
の上端に設けられたタ―ンテ―ブルと、前記回転軸を駆
動するモータとを有する回転機構と、 前記タ―ンテ―ブル上に設置され、半導体ウエハが配置
されたウエハボ―トが載置される保温筒と、 前記蓋体を、前記回転機構および保温筒とともに上下動
させ、前記ウエハボ―トを前記反応容器内にロ―ド・ア
ンロ―ドする昇降機構と、 前記外筒支持部材及び内筒支持部材の外周および下面を
囲う如く円筒容器状に形成され、下側面に前記蓋体の外
径より大径の通過口が設けられたスカベンジャ部本体
と、前記通過口をおおよそ閉塞するシャッタ部を有する
スカベンジャ部と、 前記内筒内に処理ガスを導入する
処理ガス導入管と、 前記外筒の下端部と前記内筒の下端部との間から排気を
行う排気管とを具備したことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の熱処理装置において、 前記反応容器内を前記加熱用ヒ―タによって予め予備加
熱し、この予備加熱された前記反応容器内に前記昇降機
構によって前記半導体ウエハが配置された前記ウエハボ
―トをロードして当該半導体ウエハに所定の処理を施す
よう構成されたことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の熱処理装置において、 前記反応容器内における前記半導体ウエハの処理が終了
した後、前記反応容器内の水素パージと窒素パージを行
って処理ガスを除去し、窒素雰囲気で常圧状態とした
後、前記昇降機構によって前記半導体ウエハが配置され
た前記ウエハボ―トをアンロードするよう構成されたこ
とを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07042232A JP3131601B2 (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07042232A JP3131601B2 (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24004188A Division JPH0287618A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297145A true JPH07297145A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3131601B2 JP3131601B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=12630295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07042232A Expired - Fee Related JP3131601B2 (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131601B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103314122A (zh) * | 2010-12-27 | 2013-09-18 | Posco公司 | 用于退火工艺的热处理设备 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883142U (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 富士通株式会社 | 高圧熱処理装置 |
| JPS60175415A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Toshiba Mach Co Ltd | 縦形気相成長装置 |
| JPS6192051U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | ||
| JPS61161711A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Denkoo:Kk | 半導体の熱処理方法及び熱処理装置 |
| JPS61208218A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉装置 |
| JPS628633U (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-19 | ||
| JPS6291439U (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-11 | ||
| JPS62290126A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-12-17 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置への半導体基板の搬入出方法および外気混入防止装置 |
| JPS6320426U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | ||
| JPS6355532U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 |
-
1995
- 1995-03-02 JP JP07042232A patent/JP3131601B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883142U (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 富士通株式会社 | 高圧熱処理装置 |
| JPS60175415A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Toshiba Mach Co Ltd | 縦形気相成長装置 |
| JPS6192051U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | ||
| JPS61161711A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Denkoo:Kk | 半導体の熱処理方法及び熱処理装置 |
| JPS61208218A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉装置 |
| JPS628633U (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-19 | ||
| JPS6291439U (ja) * | 1985-11-27 | 1987-06-11 | ||
| JPS62290126A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-12-17 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置への半導体基板の搬入出方法および外気混入防止装置 |
| JPS6320426U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | ||
| JPS6355532U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103314122A (zh) * | 2010-12-27 | 2013-09-18 | Posco公司 | 用于退火工艺的热处理设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3131601B2 (ja) | 2001-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5520743A (en) | Processing apparatus with means for rotating an object mounting means and a disk body located in the mounting means differently relative to each other | |
| US5368648A (en) | Sealing apparatus | |
| JP3073627B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0613361A (ja) | 処理装置 | |
| WO2001041202A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement thermique | |
| KR20000017353A (ko) | 반도체 처리 시스템의 종형 열처리 장치 | |
| JP3644880B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| KR950001751B1 (ko) | 반도체 기상성장방법 및 그 장치 | |
| TWI498989B (zh) | Gas port construction and processing device | |
| EP1167568B1 (en) | Heat treatment apparatus and cleaning method of the same | |
| KR20180120586A (ko) | 기판 처리 장치, 인젝터 내의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 방법 | |
| US5296412A (en) | Method of heat treating semiconductor wafers by varying the pressure and temperature | |
| WO1998019335A1 (fr) | Appareil de traitement thermique de type vertical | |
| JP3181308B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US10799896B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of coating particle in process gas nozzle and substrate processing method | |
| JPH07297145A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2691159B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH0287618A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2000353665A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0729841A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPS6112035A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2004011005A (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JP2001237238A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH04188721A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2714576B2 (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000905 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |