JP2000003918A - 半導体熱処理装置及びその方法 - Google Patents

半導体熱処理装置及びその方法

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JP2000003918A
JP2000003918A JP11072438A JP7243899A JP2000003918A JP 2000003918 A JP2000003918 A JP 2000003918A JP 11072438 A JP11072438 A JP 11072438A JP 7243899 A JP7243899 A JP 7243899A JP 2000003918 A JP2000003918 A JP 2000003918A
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cooling gas
gas
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エイ ボルトン ダグラス
W Wiesen Patrick
ダブリュー ウィーゼン パトリック
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 再循環するヒータ排気冷却システムを有し、
補助空気源等を必要としない急速冷却半導体熱処理装置
を提供する。 【解決手段】 要約すると、半導体ウェーハを冷却再循
環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉が、円筒状の加熱
コイル列内に配置された加熱壁反応管を含んでいる。加
熱壁反応管と前記加熱コイル列との間の空間はその間に
冷却ガス通路を提供する。冷却ガス通路は入口及び出口
を有し、冷却ガス入口が冷却ガス通路の入口に連通する
と共に加熱ガス出口が冷却ガス通路の出口に連通する。
炉は、加熱ガス入口と冷却ガス出口とを有する熱交換器
を含み、加熱ガス入口が前記加熱ガス出口に連通し、冷
却ガス出口が前記冷却ガス通路入口に連通している。こ
のシステムでは、冷却ガス通路からの加熱ガスはそこか
ら熱を除去するために冷却されると共に炉からの熱を除
去するために前記冷却ガス通路に戻される。炉は冷却ガ
ス出口と冷却ガス通路入口との間に置かれたファンとそ
の加熱サイクル中に炉から熱交換器を隔離するバルブと
を含んでいるのが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、改良した熱処理
装置と、半導体及びガラスウェーハ基板等の熱処理用過
程に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱処理装置は電子デバイスの製造におい
て、半導体又はガラス基板上に拡散層又はシリコン酸化
物又は窒化物膜を形成するために使用されていた。これ
らの基板は通常シリコン又は他の半導体材料から作られ
る薄いウェーハである。ここではデバイスの説明はウェ
ーハ基板に関して提供されるが、その装置が薄いガラス
又は半導体シートの処理に同様に適していること、及び
これらのいずれか又はすべての材料処理がこの発明の範
囲内にあると考えられることが分かる。
【０００３】これらの装置は、チャンバに不活性ガス又
は反応ガスを導入している間、反応炉又は加熱チャンバ
内のウェーハを加熱することによる所望の熱処理を提供
する。これらの加熱チャンバは断熱胴板内に含まれる加
熱エレメントにより取り囲まれている。単一の熱処理作
用で非常に多くのウェーハを処理するために、平行な方
向にウェーハボートに重ねてウェーハを支持するのが従
来型である。この組合わせはウェーハの積重ねとしてこ
こに引用されている。
【０００４】一般に、縦型炉は縦軸に沿って整列された
炉及び同軸のウェーハボートを有している。処理される
ウェーハを載置するウェーハボートは処理サイクル前は
底部の開口部を通って炉内に上昇され、処理後は炉から
降下される。反応チャンバ内のガスの渦領域を取り除く
ことにより粒子の汚染物質を減少するように設計された
好適な縦型炉が米国特許No.5,320,680で説明されてい
る。
【０００５】従来技術の炉は、それらの加熱システムの
能力により制限され、炉の温度を急速に昇降させる。西
村らによる日本の特許出願公報平4‐184923（1992年７
月１日）は加熱時間を減少させるように設計された熱処
理装置を説明している。西村らによるシステムの加熱及
び冷却サイクル時間はウェーハを支持する追加のヒート
シンク材料の供給により制限されているが、それは加熱
及び冷却段階のためにエネルギ要求と時間を増加させる
からである。
【０００６】一般に譲渡され1997年３月28日に出願され
出願中のNo.08／827,542は急速加熱及び冷却サイクル中
にウェーハを保護するウェーハボート構造を有する急速
加熱及び冷却炉を説明している。この炉は、外側の反応
チャンバ壁と加熱エレメントとの間の炉を通って空気が
吸い込まれ熱を急速に除去すると共に反応チャンバとウ
ェーハを含む炉の温度を降下させる冷却サイクルを提供
する。加熱空気は排気システムを通して除去される。排
気ダクトの任意の熱交換器は排気ガス温度を降下させる
選択肢として説明され、排気システムにおいて熱に弱い
シール又はガスケットを保護する。このシステムは、加
熱空気を除去するのに適した十分な冷却ガスの供給と排
気システムに炉が作用される設備を必要とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】再循環するヒータ排気
冷却システムを有する十分に含んだ急速冷却半導体熱処
理装置を提供し、これは補助空気源又は設備加熱空気排
気システムを必要としないことがこの発明の目的であ
る。
【０００８】再循環冷却システムを有する十分に含んだ
急速冷却半導体熱処理装置を提供し、これは設備の排気
システムの構成部品を保護する補助冷却システムを必要
としないことがこの発明の別の目的である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】要するに、冷却再循環内
蔵ガスを有する半導体ウェーハを処理するこの発明の縦
型急速冷却炉は円筒状の加熱コイル列内に配置された加
熱壁反応管を含んでいる。加熱壁反応管と前記加熱コイ
ル列との間の空間はその間に冷却ガス通路を提供する。
冷却ガス通路は入口及び出口と、冷却ガス通路の入口に
連通する冷却ガス入口と冷却ガス通路の出口に連通する
加熱ガス出口とを有している。炉は加熱ガス入口と冷却
ガス出口とを有する熱交換器を含み、そこの加熱ガス入
口が前記加熱ガス出口に連通し、冷却ガス出口が前記冷
却ガス通路入口に連通する。このシステムでは、冷却ガ
ス通路からの加熱ガスがそこから熱を除去するために冷
却されると共に炉から熱を除去するために冷却ガス通路
に戻すことができる。炉は冷却ガス出口と冷却ガス通路
入口との間に置かれたファンを含んでいるのが望まし
い。
【００１０】炉の加熱コイルは断熱材の円筒管により取
り囲まれ、冷却空気供給胴板が断熱材を取り囲みそこか
ら間隔をあけ、その間に冷却空気供給プレナムを提供す
るのが好ましい。冷却空気供給プレナムは前記熱交換器
の前記冷却ガス出口に連通している。
【００１１】少なくとも１つの循環水温度調節コイルが
円筒管又は断熱胴板の外面に熱伝導関係で配置され、断
熱材のシリンダの外面温度を調節するのが好ましい。
【００１２】随意に、円筒状胴板は循環水温度調節コイ
ルと冷却空気供給胴板との間に配置されると共にそこか
ら間隔をあけられ、円筒状胴板と冷却空気供給胴板との
間の空間が冷却空気供給プレナムを構成している。
【００１３】断熱キャップは断熱材のシリンダの頂部近
傍に配置され、そこの間の空間が冷却ガス通路の出口を
構成するのが好ましい。
【００１４】炉の好適な実施例では、断熱壁内に含まれ
る熱交換器システムを含み、該熱交換器システムは冷却
ガス通路出口からの加熱ガスを受け取るための断熱入口
プレナムと冷却ガス出口プレナムとを含んでいる。熱交
換器は入口プレナムと冷却ガス出口プレナムとに連通す
るように配置され、入口プレナムから冷却ガス出口プレ
ナムに通るガスの熱は熱交換器により除去される。
【００１５】戻り冷却ガスプレナムは冷却ガス出口プレ
ナムと冷却ガス通路の入口とに連通し、冷却ガス出口プ
レナムと戻り冷却ガスプレナムとの間に隙間があるのが
望ましい。ファンは冷却ガス出口プレナムから戻り冷却
ガスプレナムにガスを動かす隙間近傍又は該隙間に連通
して配置されている。少なくとも１つの加熱ガスバルブ
が冷却ガス通路出口と熱交換器との間に置かれ、冷却ガ
ス通路出口と熱交換器との間の連通は加熱ガスバルブの
閉鎖によりなくなると共に加熱ガスバルブの開放により
開放されることができるのが好ましい。
【００１６】少なくとも１つの冷却空気第１バルブが戻
り冷却ガスプレナムと冷却ガス通路入口との間に置か
れ、冷却ガスバルブが閉鎖されると、戻り冷却ガスプレ
ナムと冷却ガス通路入口との間の連通がなくなり、冷却
ガスバルブが開放されると、戻り冷却ガスプレナムと冷
却ガス通路入口との間の連通が開放されることができる
のが好ましい。随意に、少なくとも１つの加熱ガスバル
ブも又冷却ガス通路出口と熱交換器との間に置かれ、冷
却ガス通路出口と熱交換器との連通が前記加熱ガスバル
ブの閉鎖によりなくなると共に該加熱ガスバルブの開放
により開放されることができる。
【００１７】要するに、半導体ウェーハを処理するため
の上述した縦型急速冷却炉を冷却するこの発明の過程
は、冷却ガス通路出口からの加熱空気を除去し、加熱ガ
スを熱交換器に通して冷却ガスを形成させ、冷却ガスを
冷却ガス通路入口に戻し、冷却ガスを冷却ガス通路に通
して炉から熱を除去し、加熱ガスを形成させ、そこから
熱を除去するため熱交換器に加熱ガスを戻すことを含ん
でいる。
【００１８】
【発明の実施の形態】1997年３月28日に出願された出願
中のNo.08／827,542に述べられた元の急速縦型処理装置
では、炉の上半部分は炉排気ガス導管又はダクトに接続
され、それらは順番に排気システムを有する設備の中央
空気排気システムに連通している。ダクト制御バルブ
は、反応炉の頂部をシールすると共に加熱及び反応サイ
クル中の冷却ガスの排気を終わらせるように提供されて
いる。冷却サイクル中、このダクト制御バルブは開放さ
れ冷却空気を反応炉中に吹き流れさせ、反応炉を出て排
気システムに入る。炉排気ガス導管又はダクトは従来の
熱交換器を提供することができ、冷却サイクル中に排気
からの熱を除去する。これは、廃棄ガスダクトの熱的に
不安定なシール又は他の構成要素の存在のため幾つかの
システムにとって必要であることが分かった。
【００１９】この本発明の完全再循環ヒータエレメント
排気冷却システムを有する急速縦型処理装置は、設備廃
棄ガス排気システムを有しない設備又は厳格に制限され
た排気能力を有する設備、或いは排気システムが排気又
はファンシステムのシール及びガスケットのような熱的
に不安定な有機ポリマー構成要素を含む設備の使用に適
した改良実施例である。それは加熱ガスを除去し、そこ
から熱を除去し冷却ガスを形成させ、該冷却ガスを戻し
て炉又は熱反応炉から熱を除去する。
【００２０】この出願の説明では、反応炉又は炉の冷却
のために説明したガスは空気又はガスとして交換可能に
説明されている。一般的には空気が適しているが、ある
適用では窒素のような別のガスが用いられ、本発明は、
システムの冷却、冷却されること、及び冷却ガスとして
再循環するのに適するいずれのガスの使用をも含むこと
を意図しているものである。
【００２１】図１は、この発明の再循環ヒータ排気冷却
システムを有する急速縦型処理装置の断面図を示してい
る。縦型反応炉キャビネット２は縦型反応炉又は処理装
置４及びその制御装置（図示せず）を収容している。処
理装置のガス入口導管６は消費又は使用した処理装置の
ガスを炉から除去する。処理装置を取り囲むキャビネッ
トは漏出した反応ガスをシステムから除去するキャビネ
ット排気装置１０を有している。処理装置４はウェーハ
処理の位置で示されたウェーハボート台座１４により支
持されたウェーハボート体１２を収容している。
【００２２】図２は図１で示された急速縦型処理装置の
炉及び排気冷却システム部分の断面図である。処理装置
は冷却空気供給胴板１６で囲まれている。胴板１６の内
側では、処理装置は循環水温度調節コイル１８により取
り囲まれ、該循環水温度調節コイルは円筒状の断熱性胴
板、層又は管２０の外面に熱伝導関係で配置され、反応
炉の制御された表皮温度を維持するように設計されてい
る。断熱性胴板２０の内面には電気抵抗加熱コイル（図
示せず）を支持する環状の空洞又はレセプター２２があ
る。
【００２３】ウェーハボート体１２が配置される反応チ
ャンバは２重壁で石英製の絶縁囲い内に収容され、該絶
縁囲いは外側壁２４、内側壁２６及び反応チャンバ頂部
２７を有し、それらすべては反応炉内のウェーハ体１２
の回りに反応ガスの流れを向けるように機能する。
【００２４】冷却空気供給外板１６及び断熱材２０は外
側の冷却空気プレナム２８を形成し、冷却空気は矢印３
０により示された方向に通過し、断熱材の外面を冷却す
る。断熱材の底部では、冷却空気の戻り３１はプレナム
２８から内部冷却空気プレナム３２に向かい、冷却ガス
は矢印３４の方向に流れ、反応炉の内部から熱を除去す
る。内部冷却空気プレナム３２は外側の反応チャンバ壁
２４と断熱材２０のシリンダ内面との間の空間により形
成されている。
【００２５】処理中、反応炉内部からの熱放射及び伝導
は断熱性キャップ３８により遮られ、冷却空気出口孔又
は口４０は冷却ガスの出口をそこに連通するプレナム３
２を介して上方に通させるように配置されている。冷却
ガスは円筒状の壁４１（好ましくは断熱材）により形成
された排気プレナムを通って熱交換器４２に流れる。加
熱空気排気プレナム４８及び熱交換器４２は上部壁４４
と下部壁４６とを有し、空気の流れが熱交換器を通るよ
うにする。加熱空気排気プレナム４８は下部壁４６及び
断熱層４７により形成され、炉環境に熱が逃げるのを防
止する。
【００２６】加熱ガスは従来の熱交換器４２を通過し、
該熱交換器は加熱ガスから熱を除去する冷却材を備えた
コイル５０を有している。冷却ガスはファンモータ５８
により駆動されるブロア回転部５６によってブロア入口
開口部５４を通って冷却空気排気プレナム５２に吸い込
まれる。ブロア５６は、例えば、羽根を有するプロペラ
又はかご型ロータを使用するファンのように１つの構成
部品から他のものへ空気を動かす従来の装置とすること
ができる。冷却ガスは回転部５６から冷却空気戻りプレ
ナム６０に流れ、該冷却空気戻りプレナムは下部熱交換
器壁４６と冷却空気戻りプレナム壁６２とにより形成さ
れている。冷却空気は反応炉の頂部を取り囲む冷却空気
供給プレナムに流れ、そこから冷却空気供給プレナム６
４の環状空間に流れる。その構造はそれぞれ連続する流
通プレナムと熱除去領域との間の連通を提供し、システ
ムを通る冷却空気の流通路として上に説明されている。
【００２７】冷却空気出入口４０を通る流れは加熱ガス
ディスクバルブ６６により制御され、該加熱ガスディス
クバルブは従来のソレノイド又は他の従来のディスクバ
ルブ作動システムとすることのできるディスクバルブア
クチュエータによりその出入口７０（図３）が開放され
る開放位置から出入口７０が閉鎖される閉鎖位置まで又
は閉鎖から開放位置に動かされる。
【００２８】図３は、出入口７０を有するディスクバル
ブ構造６６、熱交換器のコイル５０及び従来の冷却フィ
ン７２の構造を示す再循環排気冷却システムの外皮切断
平面図である。
【００２９】反応炉を取り囲むキャビネットのガスは導
管１０を通ってキャビネット排気プレナム７４に排気さ
れ、そこから廃棄ガス排気システムに除去され、その作
動中に反応炉からキャビネット領域に入る漏出ガスを処
理する。
【００３０】図４は、この発明の再循環ヒータ排気冷却
システムを有する急速縦型処理装置の別の実施例の概略
断面図である。通常部品は図１〜図３に示された部品に
類似している。処理装置の炉及び冷却ガス部品はキャビ
ネット（図示せず）に収容されている。炉を取り囲むの
は円筒状で外側の冷却空気供給胴板７６である。外側の
胴板７６と同心の内側の円筒状胴板７８はそこの間に冷
却空気供給プレナム８０を形成している。内側の胴板７
８と断熱材８４との間は螺旋形の水冷コイル８２が収容
される空間である。図２に関連して説明されているよう
に、円筒状断熱材８４の内面には電気抵抗加熱コイルレ
セプタ８６がある。反応チャンバは外側シリンダ壁８
８、内側シリンダ壁９０及び反応チャンバ頂部壁９４を
有する石英製又はシリコンカーバイドの２重壁のガス流
通体内に含まれている。ウェーハボート９６は反応チャ
ンバ内に示されている。
【００３１】この実施例では、反応チャンバの頂部から
の熱の逃げは、頂部壁９４に隣接又は接近して空間を隔
てることのできる断熱性キャップ９８により遮られてい
る。環状の加熱ガス出口孔１００は外周線又はキャップ
９８の縁部及び断熱性シリンダ８４の上部伸長部で支持
された環状の断熱性内面により形成されている。
【００３２】環体１００上でそれと同心の断熱性シリン
ダ１０２は反応炉から冷却ガス排気プレナム１０８へ導
く加熱空気排気通路を形成し、前記冷却ガス排気プレナ
ム１０８は断熱性胴板１０４及び下部壁１０６により形
成されている。冷却システムの頂部壁１１０は断熱材に
沿って並べられている。冷却ガス排気プレナム１０８と
連通しているのは熱交換器１１２であり、順番に冷却空
気プレナム１１３と連通している。冷却空気はファンの
ブレード１１５を通って下部壁１０６の開口部を介して
吸い込まれ、冷却空気戻りプレナム１１８に入りそこか
らそこに連通する冷却空気供給プレナム１２０に吸い込
まれ、更に冷却空気供給プレナム８０に吸い込まれる。
【００３３】この実施例では、反応炉動作の加熱段階中
のガスの逃げを防止するための反応炉の閉鎖及びそれに
伴う冷却ガス流れの終了は、蝶番式加熱ガスシャッタバ
ルブ１２２及び冷却ガスシャッタバルブ１２４を閉鎖す
ることにより成し遂げられる。シャッタバルブ１２２は
プレナム１０８に配置され、開口部を閉鎖し熱交換器１
１２を加熱段階のプレナム１０８から遮ると共に、反応
炉動作の冷却段階中に開放し加熱空気をプレナム１０８
から出させる。相応じて、シャッタバルブ１２４は冷却
空気供給プレナム１１８に配置され、反応炉動作の加熱
段階中にプレナム１１８と冷却空気供給プレナム１２０
との間の開口部を遮り、冷却段階中に開放しプレナム１
１８からプレナム１２０への冷却空気の流れを可能にす
る。
【００３４】冷却部品の振動を減少するため、ゴム又は
同等の弾性材料とすることのできる１組又は何ブロック
もの振動減衰材料１２８がモーターロータ１２６の回り
に置かれ、モーター１１６と下部壁１３０との間に締め
付けられている。これはモーターを部分的にガス冷却部
品から隔離させる。一連の持上げブラダー１３２及び１
３４は冷却部品と外側キャビネット（図示せず）との間
に取り付けられ、反応チャンバ上の冷却部品を支持し冷
却部品を炉から振動的に隔離する。これは炉の囲いと他
の構造の応力を減少させ、モーター１１６及び冷却部品
から炉を振動的に隔離する。
【００３５】当業者であれば、上記教訓に照らして本発
明の非常に多くの修正及び変更が可能であることが容易
に分かるであろう。そのため、添付した特許請求の範囲
の範囲内においてここで特に説明した以外の他の状態で
実施されてもよいことが理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の再循環ヒータ排気冷却システムを
有する急速縦型処理装置の断面図である。
【図２】 図１に示す急速縦型処理装置の炉及び排気冷
却システムの断面図である。
【図３】 図２に示す再循環排気冷却システムの外皮切
断平面図である。
【図４】 この発明の再循環ヒータ排気冷却システムを
有する急速縦型処理装置の別の実施例の概略断面図であ
る。
【符号の説明】
２ キャビネット ４ 処理装置 ６ ガス入口導管 １０ キャビネット排気装置 １６ 胴板 ２０ 断熱材 ２８ 冷却空気プレナム ３２ 冷却空気プレナム ４０ 冷却空気出入口 ４２ 熱交換器 ４８ 加熱空気排気プレナム ５２ 冷却空気排気プレナム ６０ 冷却空気戻りプレナム ６４ 冷却空気供給プレナム ６６ 加熱ガスディスクバルブ ７０ 出入口 ７４ キャビネット排気プレナム ８０ 冷却空気供給プレナム ９８ 断熱性キャップ １００ 加熱ガス出入孔 １０８ 冷却ガス排気プレナム １１８ 冷却空気戻りプレナム １２０ 冷却空気供給プレナム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 パトリック ダブリュー ウィーゼン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92677 ラグナ ニジェール ニジェール ヴィスタ 28952

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで
    処理する縦型急速冷却炉であって、 加熱壁反応管と加熱コイル列との間に間隔をあけてその
    間に冷却ガス通路を備え、該冷却ガス通路が入口及び出
    口を有し、冷却ガス入口が冷却ガス通路の入口に連通す
    ると共に加熱ガス出口が冷却ガス通路の出口に連通す
    る、円筒状の加熱コイル列内に配置された加熱壁反応管
    と、 加熱ガス入口と冷却ガス出口とを有し、その加熱ガス入
    口が前記加熱ガス出口に連通し、冷却ガス出口が前記冷
    却ガス通路入口に連通している熱交換器とを含み、 前記冷却ガス通路からの加熱ガスがそこからの熱を除去
    するために冷却されると共に炉からの熱を除去するため
    に前記冷却ガス通路に戻されることを特徴とする縦型急
    速冷却炉。
  2. 【請求項２】 前記冷却ガス出口と前記冷却ガス通路入
    口との間に置かれたファンを含む請求項１に記載された
    半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急
    速冷却炉。
  3. 【請求項３】 加熱コイルが断熱材と該断熱材を取り囲
    む冷却空気供給胴板に取り囲まれると共にそこから間隔
    をあけられ、その間に冷却空気供給プレナムを提供し、
    該冷却空気供給プレナムが前記熱交換器の前記冷却ガス
    出口に連通している請求項１に記載された半導体ウェー
    ハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉。
  4. 【請求項４】 少なくとも循環水温度調節コイルが断熱
    材の外面と熱伝導関係で配置され断熱材の外面温度を調
    節する請求項３に記載された半導体ウェーハを冷却再循
    環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉。
  5. 【請求項５】 円筒状胴板が循環水温度調節コイルと冷
    却空気供給胴板との間に配置されると共にそこから間隔
    をあけられ、円筒状胴板と冷却空気供給胴板との間の空
    間が冷却空気供給プレナムを構成する請求項３に記載さ
    れた半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦
    型急速冷却炉。
  6. 【請求項６】 加熱コイルを取り囲む断熱材がシリンダ
    であり、断熱キャップが該シリンダの頂部近傍に配置さ
    れると共にそこから間隔をあけられ、その間の空間が冷
    却ガス通路の出口を構成する請求項３に記載された半導
    体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷
    却炉。
  7. 【請求項７】 断熱壁内に含まれた熱交換器システムを
    含み、該熱交換器システムが冷却ガス通路出口からの加
    熱ガスを受け取る断熱された出口プレナムと、冷却ガス
    出口プレナムとを含み、前記熱交換器が入口プレナムと
    冷却ガス出口プレナムに連通するように配置され、前記
    入口プレナムから前記冷却ガス出口プレナムへ通るガス
    の熱が前記熱交換器により除去されることができる請求
    項１に記載された半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガス
    で処理する縦型急速冷却炉。
  8. 【請求項８】 冷却ガス出口プレナムと冷却ガス通路の
    入口とに連通する戻り冷却ガスプレナムと、前記冷却ガ
    ス出口プレナムと戻り冷却ガスプレナムとの間の隙間
    と、前記冷却ガス出口プレナムから前記戻り冷却ガスプ
    レナムにガスを動かす前記隙間に連通して配置されたフ
    ァンとを含む請求項７に記載された半導体ウェーハを冷
    却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉。
  9. 【請求項９】 前記戻り冷却ガスプレナムと前記冷却ガ
    ス通路入口との間の少なくとも１つの冷却ガスバルブを
    含み、該冷却ガスバルブが閉鎖されると、前記戻り冷却
    ガスプレナムと前記冷却ガス通路入口との間の連通がな
    くなり、前記冷却ガスバルブが開放されると、前記戻り
    冷却ガスプレナムと前記冷却ガス通路入口との間の連通
    が開放されることができる請求項７に記載された半導体
    ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却
    炉。
  10. 【請求項１０】 前記冷却ガス通路出口と前記熱交換器
    との間に少なくとも１つの加熱ガスバルブを含み、前記
    冷却ガス通路出口と熱交換器との間の連通が、前記加熱
    ガスバルブの閉鎖によりなくなると共に該加熱ガスバル
    ブの開放により開放されることができる請求項７に記載
    された半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する
    縦型急速冷却炉。
  11. 【請求項１１】 前記戻り冷却ガスプレナムと前記冷却
    ガス通路入口との間の少なくとも冷却ガスバルブを含
    み、該冷却ガスバルブが閉鎖されると、前記戻り冷却ガ
    スプレナムと前記冷却ガス通路入口との間の連通がなく
    なり、前記冷却ガスバルブが開放されると、前記戻り冷
    却ガスプレナムと前記冷却ガス通路入口との間の連通が
    開放されることができる請求項１０に記載された半導体
    ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却
    炉。
  12. 【請求項１２】 半導体ウェーハを処理する縦型急速冷
    却炉を冷却する方法であって、 該炉が、円筒状の加熱コイル列内に配置され加熱壁反応
    管と前記加熱コイル列との間に空間をあけてその間に冷
    却ガス通路を提供する加熱壁反応管と、入口及び出口を
    有する前記冷却ガス通路と、該冷却ガス通路の入口に連
    通する冷却ガス入口と前記冷却ガス通路の出口に連通す
    る加熱ガス出口と、加熱ガス入口と冷却ガス出口とを有
    する熱交換器と、前記加熱ガス出口に連通する加熱ガス
    入口と、前記冷却ガス通路入口に連通する冷却ガス出口
    とを含み、 前記冷却ガス通路出口からの加熱空気を除去し、加熱ガ
    スを熱交換器に通して冷却ガスを形成させ、該冷却ガス
    を前記冷却ガス通路入口に戻し、前記冷却ガスを前記冷
    却ガス通路に通して前記炉からの熱を除去し、加熱ガス
    を形成させ、そこから熱を除去するため前記熱交換器に
    前記加熱ガスを戻すことを特徴とする方法。
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