JPH06349753A - ヒータユニット冷却装置 - Google Patents
ヒータユニット冷却装置Info
- Publication number
- JPH06349753A JPH06349753A JP16310193A JP16310193A JPH06349753A JP H06349753 A JPH06349753 A JP H06349753A JP 16310193 A JP16310193 A JP 16310193A JP 16310193 A JP16310193 A JP 16310193A JP H06349753 A JPH06349753 A JP H06349753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater unit
- air
- cooling device
- air introduction
- exhaust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】縦型拡散・ＣＶＤ炉のヒータユニットの冷却を
全体に均一な温度で、且高速で行う。 【構成】縦型拡散・ＣＶＤ炉のヒータユニット１５に所
要数のエア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂを穿
設し、該エア導入孔より吸引し、ヒータユニット上部よ
り排気することで、又反応管１７頂部に排気口３２を設
け、該排気口より吸引、排気することでヒータユニット
が冷却されるので、均一且高速の冷却が行われる。
全体に均一な温度で、且高速で行う。 【構成】縦型拡散・ＣＶＤ炉のヒータユニット１５に所
要数のエア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂを穿
設し、該エア導入孔より吸引し、ヒータユニット上部よ
り排気することで、又反応管１７頂部に排気口３２を設
け、該排気口より吸引、排気することでヒータユニット
が冷却されるので、均一且高速の冷却が行われる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
ある縦型拡散・ＣＶＤ炉の、特にヒータユニットの冷却
に関するものである。
ある縦型拡散・ＣＶＤ炉の、特にヒータユニットの冷却
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】縦型拡散・ＣＶＤ炉は、ウェーハの表面
に半導体素子を生成する為の薄膜を成膜するものであ
る。ウェーハの表面に半導体膜を生成する工程として、
縦型拡散・ＣＶＤ炉内のヒータを成膜に必要な温度まで
予熱し、成膜後は冷却装置により炉内を冷却している。
に半導体素子を生成する為の薄膜を成膜するものであ
る。ウェーハの表面に半導体膜を生成する工程として、
縦型拡散・ＣＶＤ炉内のヒータを成膜に必要な温度まで
予熱し、成膜後は冷却装置により炉内を冷却している。
【０００３】従来のヒータユニット冷却装置を図４に於
いて説明する。
いて説明する。
【０００４】円筒形状のヒータユニット１内に均熱管６
が設けられており、該均熱管６内に反応管７が設けら
れ、ウェーハ８を水平姿勢で多段に積載したウェーハ積
載治具９が該反応管７内に装入される様になっている。
が設けられており、該均熱管６内に反応管７が設けら
れ、ウェーハ８を水平姿勢で多段に積載したウェーハ積
載治具９が該反応管７内に装入される様になっている。
【０００５】前記ヒータユニット１と前記均熱管６とが
成す空間はエア流路１０を形成し、該エア流路１０下部
は外部と連通している。前記ヒータユニット１の上部に
は排気孔１１が１箇所穿設されており、該排気孔１１
は、ヒータユニット１外の排気バルブ３に接続されてい
る。
成す空間はエア流路１０を形成し、該エア流路１０下部
は外部と連通している。前記ヒータユニット１の上部に
は排気孔１１が１箇所穿設されており、該排気孔１１
は、ヒータユニット１外の排気バルブ３に接続されてい
る。
【０００６】又該排気バルブ３は、前記排気孔１１の開
閉を行う排気ダンパ２を具備しており、前記排気バルブ
３にラジエタ４を介して排気ファン５が設けられてい
る。
閉を行う排気ダンパ２を具備しており、前記排気バルブ
３にラジエタ４を介して排気ファン５が設けられてい
る。
【０００７】ウェーハ８表面に所望の半導体膜を生成す
るには、予め前記ヒータユニット１を加熱しておき、前
記ウェーハ積載治具９を図示しない手段により前記反応
管７内に装入する。この時、前記排気ダンパ２は閉じた
状態である。更に、図示しない手段により、反応管７内
に半導体プロセスガスを流入し、ウェーハ８表面に半導
体膜を生成する。
るには、予め前記ヒータユニット１を加熱しておき、前
記ウェーハ積載治具９を図示しない手段により前記反応
管７内に装入する。この時、前記排気ダンパ２は閉じた
状態である。更に、図示しない手段により、反応管７内
に半導体プロセスガスを流入し、ウェーハ８表面に半導
体膜を生成する。
【０００８】この時、半導体膜生成後のヒータユニット
１内の温度環境が、ウェーハ８表面に空気による酸化を
起こさせるのを防ぐ為、前記ヒータユニット１内の余熱
を急速に取除き、冷却する必要がある。そこで、従来の
ヒータユニット冷却装置では前記排気ダンパ２を全開
し、前記排気ファン５を動作させ、前記エア流路１０か
ら一定のコンダクタンスでエアを吸引し、前記ラジエタ
４を通過させ、ヒータユニット１外に排出させて冷却を
行っている。尚、図中破線矢印はエアの流れを示してい
る。
１内の温度環境が、ウェーハ８表面に空気による酸化を
起こさせるのを防ぐ為、前記ヒータユニット１内の余熱
を急速に取除き、冷却する必要がある。そこで、従来の
ヒータユニット冷却装置では前記排気ダンパ２を全開
し、前記排気ファン５を動作させ、前記エア流路１０か
ら一定のコンダクタンスでエアを吸引し、前記ラジエタ
４を通過させ、ヒータユニット１外に排出させて冷却を
行っている。尚、図中破線矢印はエアの流れを示してい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のヒー
タユニット冷却装置は、ヒータユニット１内にエアを流
通させてヒータユニット１内全体を冷却する際に、エア
流路１０の下端から吸引しているだけであるのでヒータ
ユニット１内の降温、冷却に時間がかかり過ぎ、非常に
効率の悪いものとなっている。又、特に縦型拡散・ＣＶ
Ｄ炉に於いては、ヒータユニット１の上部ゾーン、中間
ゾーン、下部ゾーンそれぞれを均一な温度、均一な時間
で降温させることは困難であり、上下多段に積載された
ウェーハ８の質にもバラツキが生じる虞れがある。
タユニット冷却装置は、ヒータユニット１内にエアを流
通させてヒータユニット１内全体を冷却する際に、エア
流路１０の下端から吸引しているだけであるのでヒータ
ユニット１内の降温、冷却に時間がかかり過ぎ、非常に
効率の悪いものとなっている。又、特に縦型拡散・ＣＶ
Ｄ炉に於いては、ヒータユニット１の上部ゾーン、中間
ゾーン、下部ゾーンそれぞれを均一な温度、均一な時間
で降温させることは困難であり、上下多段に積載された
ウェーハ８の質にもバラツキが生じる虞れがある。
【００１０】本発明は斯かる実情に鑑み、ヒータユニッ
ト内の冷却を均一な温度、均一な時間で行える様にし、
更に、冷却に要する時間を短縮できるヒータユニット冷
却装置を提供しようとするものである。
ト内の冷却を均一な温度、均一な時間で行える様にし、
更に、冷却に要する時間を短縮できるヒータユニット冷
却装置を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦型拡散・Ｃ
ＶＤ炉のヒータユニットに所要数のエア導入孔を穿設
し、該エア導入孔より吸引し、ヒータユニット上部より
排気する様にしたものであり、反応管頂部に排気口を設
け、該排気口より吸引、排気するものである。
ＶＤ炉のヒータユニットに所要数のエア導入孔を穿設
し、該エア導入孔より吸引し、ヒータユニット上部より
排気する様にしたものであり、反応管頂部に排気口を設
け、該排気口より吸引、排気するものである。
【００１２】
【作用】所要数のエア導入孔より外気が流入し、ヒータ
ユニットが冷却されるので、均一且高速の冷却が行われ
る。
ユニットが冷却されるので、均一且高速の冷却が行われ
る。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００１４】図中、１５はヒータユニット、１６は均熱
管、１７は反応管、１８はウェーハ、１９はウェーハ積
載治具を示す。
管、１７は反応管、１８はウェーハ、１９はウェーハ積
載治具を示す。
【００１５】前記ヒータユニット１５は円筒形状であ
り、内部に前記均熱管１６を設け、該均熱管１６内には
前記反応管１７を設ける。又、均熱管１６と反応管１７
の間、所要高さに熱電対２０を設ける。前記ヒータユニ
ット１５と前記均熱管１６との間でエア流路２５を形成
する。前記ウェーハ１８は、前記ウェーハ積載治具１９
に水平姿勢で多段に積載され、前記反応管１７内に装入
される。
り、内部に前記均熱管１６を設け、該均熱管１６内には
前記反応管１７を設ける。又、均熱管１６と反応管１７
の間、所要高さに熱電対２０を設ける。前記ヒータユニ
ット１５と前記均熱管１６との間でエア流路２５を形成
する。前記ウェーハ１８は、前記ウェーハ積載治具１９
に水平姿勢で多段に積載され、前記反応管１７内に装入
される。
【００１６】前記ヒータユニット１５の下部ゾーン、中
間ゾーン、それぞれにエア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２
ａ，２２ｂを穿設し、上部ゾーンには排気孔２３，２４
を穿設する。
間ゾーン、それぞれにエア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２
ａ，２２ｂを穿設し、上部ゾーンには排気孔２３，２４
を穿設する。
【００１７】前記エア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２ａ，
２２ｂにそれぞれ可変コンダクタンスバルブ２６ａ，２
６ｂを接続する。該可変コンダクタンスバルブ２６ａ，
２６ｂはエア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂの
開閉を行うエアダンパ２７ａ，２７ｂを具備し、合流し
て吸気管１４に接続されている。
２２ｂにそれぞれ可変コンダクタンスバルブ２６ａ，２
６ｂを接続する。該可変コンダクタンスバルブ２６ａ，
２６ｂはエア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂの
開閉を行うエアダンパ２７ａ，２７ｂを具備し、合流し
て吸気管１４に接続されている。
【００１８】又、前記排気孔２３にヒータユニット１５
外の排気バルブ２８、ラジエタ３１を介して排気ファン
３０を接続する。前記排気バルブ２８は、前記排気孔２
３の開閉を行う排気ダンパ２９を具備している。
外の排気バルブ２８、ラジエタ３１を介して排気ファン
３０を接続する。前記排気バルブ２８は、前記排気孔２
３の開閉を行う排気ダンパ２９を具備している。
【００１９】前記反応管１７の頂部に排気口３２を設
け、該排気口３２に前記排気孔２４を通り可変コンダク
タンスバルブ３３を介してラジエタ３６、排気ファン３
５を接続する。該可変コンダクタンスバルブ３３は、前
記排気孔２４の開閉を行う排気ダンパ３４を具備してい
る。
け、該排気口３２に前記排気孔２４を通り可変コンダク
タンスバルブ３３を介してラジエタ３６、排気ファン３
５を接続する。該可変コンダクタンスバルブ３３は、前
記排気孔２４の開閉を行う排気ダンパ３４を具備してい
る。
【００２０】ウェーハ１８の表面に所望の半導体膜を生
成するには、予め前記ヒータユニット１５を加熱し、前
記ウェーハ積載治具１９を図示しない手段により前記反
応管１７内に装入する。この時、前記排気ダンパ２９，
３４、及び前記エアダンパ２７ａ，２７ｂは閉じた状態
である。
成するには、予め前記ヒータユニット１５を加熱し、前
記ウェーハ積載治具１９を図示しない手段により前記反
応管１７内に装入する。この時、前記排気ダンパ２９，
３４、及び前記エアダンパ２７ａ，２７ｂは閉じた状態
である。
【００２１】更に、図示しない手段により前記反応管１
７内に半導体プロセスガスを導入し、ウェーハ１８表面
に半導体膜を生成する。ウェーハ１８表面に半導体膜生
成後、ヒータユニット１５内を冷却する為に冷却装置が
作動する。
７内に半導体プロセスガスを導入し、ウェーハ１８表面
に半導体膜を生成する。ウェーハ１８表面に半導体膜生
成後、ヒータユニット１５内を冷却する為に冷却装置が
作動する。
【００２２】以下、本実施例の作動を説明する。
【００２３】前記エアダンパ２７ａ，２７ｂ、前記排気
ダンパ２９をそれぞれ開き、前記排気ファン３０を動作
させエア流路２５内からエアを吸引し、前記ラジエタ３
１を通過させ、ヒータユニット１５外に排出させる。エ
ア流路２５が吸引されることで、エア流路２５には前記
エア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂから外気が
流入する。
ダンパ２９をそれぞれ開き、前記排気ファン３０を動作
させエア流路２５内からエアを吸引し、前記ラジエタ３
１を通過させ、ヒータユニット１５外に排出させる。エ
ア流路２５が吸引されることで、エア流路２５には前記
エア導入孔２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂから外気が
流入する。
【００２４】又同時に、前記排気ダンパ３４を開き、前
記排気ファン３５を動作させ反応管１７内のエアを吸引
し、前記ラジエタ３６を通過させ、ヒータユニット１５
外に排出させる。尚、図中破線矢印はエアの流れを示し
ている。
記排気ファン３５を動作させ反応管１７内のエアを吸引
し、前記ラジエタ３６を通過させ、ヒータユニット１５
外に排出させる。尚、図中破線矢印はエアの流れを示し
ている。
【００２５】図３は、ヒータユニット冷却装置の制御装
置の説明図である。熱電対２０から検出された信号が制
御器４５に入力されると、該制御器４５は予めメモリ４
７にセットされたプログラム４６に従って駆動部４８は
各可変コンダクタンスバルブ２６ａ，２６ｂ，３３に開
度信号を発し、該駆動部４８は可変コンダクタンスバル
ブ２６ａ，２６ｂ，３３を駆動し、ヒータユニット１５
各ゾーンのエア流量、温度下降速度を調整する。
置の説明図である。熱電対２０から検出された信号が制
御器４５に入力されると、該制御器４５は予めメモリ４
７にセットされたプログラム４６に従って駆動部４８は
各可変コンダクタンスバルブ２６ａ，２６ｂ，３３に開
度信号を発し、該駆動部４８は可変コンダクタンスバル
ブ２６ａ，２６ｂ，３３を駆動し、ヒータユニット１５
各ゾーンのエア流量、温度下降速度を調整する。
【００２６】前述の様にヒータユニット冷却装置を作動
させると、反応管１７内部、該反応管１７と均熱管１６
とで形成されるエア流路２５に複数箇所から同時に外気
が流入し冷却が行われるのと同時に、前記した制御装置
のプログラムにより可変コンダクタンスバルブ２６ａ，
２６ｂ，３３が制御され、ヒータユニット１５各ゾーン
のエア流量が調整され、ヒータユニット１５内の温度の
下降速度が広範囲で調節され、各ゾーンの温度の均一性
が保たれる。
させると、反応管１７内部、該反応管１７と均熱管１６
とで形成されるエア流路２５に複数箇所から同時に外気
が流入し冷却が行われるのと同時に、前記した制御装置
のプログラムにより可変コンダクタンスバルブ２６ａ，
２６ｂ，３３が制御され、ヒータユニット１５各ゾーン
のエア流量が調整され、ヒータユニット１５内の温度の
下降速度が広範囲で調節され、各ゾーンの温度の均一性
が保たれる。
【００２７】又、図２はゾーンの増加に伴い、ヒータユ
ニット１５のエア導入孔３７，３８，３９，４０を増設
したものである。可変コンダクタンスバルブ４１は前記
エア導入孔３７，３８に適合する様該エア導入孔３７，
３８の合流点より上流側に、又、可変コンダクタンスバ
ルブ４２は前記エア導入孔３９，４０に適合する様該エ
ア導入孔３９，４０の合流点より上流側にそれぞれ設け
られている。前記可変コンダクタンスバルブ４１，４２
はそれぞれエアダンパ４３，４４を具備している。
ニット１５のエア導入孔３７，３８，３９，４０を増設
したものである。可変コンダクタンスバルブ４１は前記
エア導入孔３７，３８に適合する様該エア導入孔３７，
３８の合流点より上流側に、又、可変コンダクタンスバ
ルブ４２は前記エア導入孔３９，４０に適合する様該エ
ア導入孔３９，４０の合流点より上流側にそれぞれ設け
られている。前記可変コンダクタンスバルブ４１，４２
はそれぞれエアダンパ４３，４４を具備している。
【００２８】図２に於ける実施例の作動は、図１で示し
た実施例と同様であるので説明を省略する。
た実施例と同様であるので説明を省略する。
【００２９】図２に於ける実施例では、ゾーンの増加、
ゾーンの細分化に伴い、エア導入孔３７，３８，３９，
４０を増設したことにより、各ゾーン、又は各ゾーン間
の更にきめ細かい冷却、均一な温度制御が可能となり、
又同時に、ヒータユニットのゾーンが増加した場合も、
複数のエア導入孔に対して１つの可変コンダクタンスバ
ルブを設ける様にしたので、可変コンダクタンスバルブ
をゾーンの増加に応じて増設する必要がなくなる。
ゾーンの細分化に伴い、エア導入孔３７，３８，３９，
４０を増設したことにより、各ゾーン、又は各ゾーン間
の更にきめ細かい冷却、均一な温度制御が可能となり、
又同時に、ヒータユニットのゾーンが増加した場合も、
複数のエア導入孔に対して１つの可変コンダクタンスバ
ルブを設ける様にしたので、可変コンダクタンスバルブ
をゾーンの増加に応じて増設する必要がなくなる。
【００３０】尚、本発明は、均熱管を具備しない炉であ
っても実施可能であることは勿論である。
っても実施可能であることは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ヒータ
ユニットの均一な温度降下、高速冷却ができ、又熱電対
を含む制御装置により各ゾーンの温度の下降速度が調節
可能となる。従って、ヒータユニット冷却に要する時間
の短縮はもとより、ウェーハの成膜精度の向上、スルー
プットの向上が図れる。
ユニットの均一な温度降下、高速冷却ができ、又熱電対
を含む制御装置により各ゾーンの温度の下降速度が調節
可能となる。従って、ヒータユニット冷却に要する時間
の短縮はもとより、ウェーハの成膜精度の向上、スルー
プットの向上が図れる。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す説明図である。
【図３】本発明の制御装置を示す説明図である。
【図４】従来例の説明図である。
１５ ヒータユニット １７ 反応管 ２１ａ エア導入孔 ２１ｂ エア導入孔 ２２ａ エア導入孔 ２２ｂ エア導入孔 ３２ 排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 昭一郎 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 狩野 利一 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 縦型拡散・ＣＶＤ炉のヒータユニットに
所要数のエア導入孔を穿設し、該エア導入孔より吸引
し、ヒータユニット上部より排気する様にしたことを特
徴とするヒータユニット冷却装置。 - 【請求項２】 縦型拡散・ＣＶＤ炉の反応管頂部に排気
口を設け、該排気口より吸引、排気することを特徴とす
るヒータユニット冷却装置。 - 【請求項３】 縦型拡散・ＣＶＤ炉のヒータユニットに
所要数のエア導入孔を穿設し、該エア導入孔より吸引
し、ヒータユニット上部より排気し、反応管頂部に排気
口を設け、該排気口より吸引、排気することを特徴とす
るヒータユニット冷却装置。 - 【請求項４】 可変コンダクタンスバルブをそれぞれの
エア導入孔に設けた請求項１又は請求項２のヒータユニ
ット冷却装置。 - 【請求項５】 複数のエア導入孔を合流させ、可変コン
ダクタンスバルブを合流点より上流側に設けた請求項１
又は請求項２のヒータユニット冷却装置。 - 【請求項６】 ヒータユニットと反応管との間に熱電対
を設け、該熱電対からの信号に応じて可変コンダクタン
スバルブを制御する制御器を具備した請求項１又は請求
項２のヒータユニット冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310193A JPH06349753A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | ヒータユニット冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16310193A JPH06349753A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | ヒータユニット冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349753A true JPH06349753A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15767197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16310193A Pending JPH06349753A (ja) | 1993-06-07 | 1993-06-07 | ヒータユニット冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349753A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1443543A1 (en) * | 2001-11-08 | 2004-08-04 | Tokyo Electron Limited | Thermal treating apparatus |
| WO2007053016A2 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Holdingmij. Wilro B.V. | Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process |
| NL2002126C2 (nl) * | 2007-10-25 | 2010-06-07 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Diffusie-oven en werkwijze voor de temperatuurgeleiding. |
| JP2017199874A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
| CN113436996A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于热处理设备的冷却装置及热处理设备 |
| CN114242839A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-25 | 江西中弘晶能科技有限公司 | 一种提升制造perc电池用热扩散炉流场均匀性的进气方法 |
-
1993
- 1993-06-07 JP JP16310193A patent/JPH06349753A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1443543A1 (en) * | 2001-11-08 | 2004-08-04 | Tokyo Electron Limited | Thermal treating apparatus |
| EP1443543A4 (en) * | 2001-11-08 | 2007-06-20 | Tokyo Electron Ltd | THERMAL TREATMENT APPARATUS |
| US7479619B2 (en) | 2001-11-08 | 2009-01-20 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing unit |
| WO2007053016A2 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Holdingmij. Wilro B.V. | Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process |
| WO2007053016A3 (en) * | 2005-11-07 | 2007-10-25 | Holdingmij Wilro B V | Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process |
| NL2002126C2 (nl) * | 2007-10-25 | 2010-06-07 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Diffusie-oven en werkwijze voor de temperatuurgeleiding. |
| JP2017199874A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
| CN107342244A (zh) * | 2016-04-28 | 2017-11-10 | 光洋热系统股份有限公司 | 热处理装置 |
| TWI781096B (zh) * | 2016-04-28 | 2022-10-21 | 日商捷太格特熱處理股份有限公司 | 熱處理裝置 |
| CN107342244B (zh) * | 2016-04-28 | 2024-02-20 | 捷太格特热系统株式会社 | 热处理装置 |
| CN113436996A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-09-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 用于热处理设备的冷却装置及热处理设备 |
| CN114242839A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-03-25 | 江西中弘晶能科技有限公司 | 一种提升制造perc电池用热扩散炉流场均匀性的进气方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102053029B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
| JP6306151B2 (ja) | 基板処理装置、断熱構造体及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2714577B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| US7313931B2 (en) | Method and device for heat treatment | |
| CN109494172B (zh) | 冷却单元、绝热结构体、基板处理装置、以及半导体装置的制造方法 | |
| WO2016117588A1 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP6752291B2 (ja) | 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPH09260364A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JPH06349753A (ja) | ヒータユニット冷却装置 | |
| JP4355441B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2000031077A (ja) | エアカ―テンが形成される半導体製造用拡散設備及びこれを制御する方法 | |
| JP2002313796A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP3177722B2 (ja) | 高速熱処理炉の温度制御装置 | |
| CN108335998B (zh) | 基板处理装置和基板的冷却方法 | |
| JPH07135182A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2001189250A (ja) | 加熱処理装置および加熱処理方法 | |
| JPH11260744A (ja) | 熱処理炉 | |
| WO2021002228A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
| JP3332955B2 (ja) | 熱処理炉の強制空冷装置 | |
| JPH07335581A (ja) | 縦型炉の冷却装置 | |
| JPH06216056A (ja) | 縦型炉 | |
| JPH06196428A (ja) | 半導体基板の処理装置 | |
| JP3138875B2 (ja) | クリーンエア装置 | |
| JPH07283150A (ja) | 枚葉式半導体製造装置 | |
| TW201946191A (zh) | 處理腔室及包括其的處理器 |