JP2010056287A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010056287A JP2010056287A JP2008219608A JP2008219608A JP2010056287A JP 2010056287 A JP2010056287 A JP 2010056287A JP 2008219608 A JP2008219608 A JP 2008219608A JP 2008219608 A JP2008219608 A JP 2008219608A JP 2010056287 A JP2010056287 A JP 2010056287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical
- heat
- heat treatment
- reaction chamber
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical group N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 冷却効果が高く製品製造のサイクルタイムを短くできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】 コイルヒータ１４に通電して雰囲気温度を８００℃付近まで昇温し、半導体ウェーハＷ表面に被膜を形成する。そして、加熱処理が終了したならば、直ちに冷却用空間としての筒状空間Ｓまたは貫通孔１８に、水などの冷却媒体を供給して前記雰囲気温度を４００℃付近まで低下させ、前記と逆の手順で処理後の半導体ウェーハＷを払い出し、新たな未処理のウェーハを反応チャンバー２内に入れる。
【選択図】 図１
【解決手段】 コイルヒータ１４に通電して雰囲気温度を８００℃付近まで昇温し、半導体ウェーハＷ表面に被膜を形成する。そして、加熱処理が終了したならば、直ちに冷却用空間としての筒状空間Ｓまたは貫通孔１８に、水などの冷却媒体を供給して前記雰囲気温度を４００℃付近まで低下させ、前記と逆の手順で処理後の半導体ウェーハＷを払い出し、新たな未処理のウェーハを反応チャンバー２内に入れる。
【選択図】 図１
Description
本発明は、半導体ウェーハなどの被処理基板を多数枚同時に熱処理する縦型の熱処理装置に関する。
半導体ウェーハ表面にベークによって被膜を形成する際に従来から縦型の熱処理装置が用いられている。一般的な熱処理装置の構造は、被処理基板が内部に挿入される反応チャンバーの外側に熱を均一に分散させるためのアウターチューブを配置し、このアウターチューブの外側に、内側面にヒータを設けた筒状断熱体を配置している。
熱処理装置では、被処理基板を熱処理装置内に投入し、所定温度まで上げて熱処理を行い、熱処理が終了したら、所定温度まで下げて処理済の被処理基板を熱処理装置から払い出すようにしている。例えば、シリカ膜をウェーハ表面に形成するには、自然酸化膜を形成しないように雰囲気を窒素ガスで置換した状態で８００℃でベークし、膜が形成されたら、自然酸化膜を形成しない温度（４００℃）まで冷却し、次いで処理済ウェーハを払い出し未処理のウェーハを投入するようにしている。
従来にあっては熱処理後の冷却に時間がかかり、サイクルタイムの短縮を行うことができず、処理効率の妨げになっていた。そこで、熱処理後の冷却時間の短縮を可能にする提案が特許文献１に開示されている。
特許文献１に開示される筒状断熱体は、被処理基板を熱処理する反応管（反応チャンバー）、均熱管（アウターチューブ）およびヒータを同心状に設け、反応管と均熱管との間に第１空間を形成し、また均熱管とヒータ間に第２空間を形成し、第１空間に冷却ガスを供給して均熱管の上端より排出する一方、ヒータの外周の断熱材を通して第２空間に冷却ガスを供給し、この冷却ガスをヒータの上端より排出する内容が開示されている。
特開２００２−１６４２９８号公報
特許文献１に開示される筒状断熱体にあっては、断熱材の径方向に形成されたガス噴出孔を介して冷却ガスを第２空間に導入する構造になっているが、ガス噴出孔は小さいため、断熱材自身の冷却には殆んど影響していない。しかしながら、断熱材は熱容量が大きいため断熱材を冷却しないと自然酸化膜を形成しない温度まで冷却するには時間がかかってしまう。
また特許文献１にあっては冷却ガスが均熱管に直接当たるため、温度分布のムラが生じやすい。
上記課題を解決するため本発明に係る熱処理装置は、上下方向の軸を中心にして、被処理基板が内部に挿入される反応チャンバーと、熱を均一に分散させるために前記反応チャンバーの外側に配置されるアウターチューブと、このアウターチューブの外側で内側面にヒータを設けた筒状断熱体とが同軸状に配置され、前記筒状断熱体には上下方向に貫通する冷却用空間が形成されている。
前記冷却用空間としては、前記筒状断熱体を内側筒と外側筒に分割することで内側筒と外側筒との間に形成される筒状空間、或いは前記筒状断熱体の周方向に等間隔で形成される上下方向の貫通穴が考えられる。
本発明に係る熱処理装置によれば、冷却ガスで被処理基板を冷却するのではなく、断熱材の温度を下げるようにしたので、所定温度まで速やかに雰囲気温度を均一に下げることができる。
また、冷却媒体として水などの流体を用いることができるので、冷却効率を大幅に向上することができる。
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る熱処理装置の処理中の縦断面図、図２は同熱処理装置の平断面図、図３は別実施例を示す図２と同様の図、図４は昇降機構を示す平面図、図５は本発明に係る熱処理装置の筒状断熱体と反応チャンバーを上昇させた状態の縦断面図、図６は本発明に係る熱処理装置の筒状断熱体のみを上昇させた状態の縦断面図である。
加熱処理装置はベースプレート１に開口２を形成し、この開口２に真空引き装置につながる配管３を取り付け、また開口２を跨ぐように合成石英或いは或いはアルミニウムからなる載置台４をベースプレート１上に固定し、この載置台４上に同じく合成石英或いは或いはアルミニウムからなるボート５を着脱自在にセットしている。このボート５には２５〜５０枚の半導体ウェーハＷが等間隔で保持された状態で収納される。
ベースプレート１の側方には図４に示すように昇降装置６，７が設けられ、昇降装置６のアーム８にて合成石英等からなるベルジャー型の反応チャンバー９が支持されている。この反応チャンバー９の下端はアーム８の下面に取り付けた円環状のシール部材１０上面に載置され、アーム８と一体的に昇降動する。即ち、下降位置ではシール部材１０がベースプレート１上面に圧接して載置台４及びボート５を収納する密閉空間を形成し、上昇位置ではボート５を外部に露出せしめる。
反応チャンバー９の外周には合成石英あるいは炭化珪素からなるアウターチューブ１２が同軸状に配置され、このアウターチューブ１２の外側には筒状断熱材１３が同軸状に配置され、筒状断熱体１３の内側面にはコイルヒータ１４が設けられ、アウターチューブ１２によってコイルヒータ１４による加熱斑の影響をなくして均熱化を図っている。
前記筒状断熱材１３の外側にはケース１５が設けられ、このケース１５の上端には排気口１６が形成されている。そしてケース１５、アウターチューブ１２及び筒状断熱材１３は前記昇降装置７のアーム１７支持され、前記反応チャンバー９とは独立して昇降動する。
前記筒状断熱体１３はセラミック繊維などを成形してなり、本実施例では内側筒１３ａと外側筒１３ｂに分け、内側筒１３ａと外側筒１３ｂとの間に筒状空間Ｓが形成され、この筒状空間Ｓに配管等を介して冷却ガス或いは冷却水などの冷却媒体を供給するようにしている。ここで、内側筒１３ａの上端は閉じられているので、筒状空間Ｓ内を流れる冷却媒体がコイルヒータ1４に接触することがない。
この点が前記した従来技術と異なる点であり、従来の筒状断熱体にあっては、断熱材を透過した冷却媒体はヒータに接触するため、水を冷却媒体として用いることができなかったが、本実施例の構造では、冷却媒体はヒータに接触しないので、冷却媒体として冷却ガスの他に水などの液状冷媒を選定することができ、冷却時間を大幅に短縮することができる。尚、冷却媒体として水を用いる場合には、ケース１の上方から供給して下方から排出する構成とすることが好ましい。
尚、冷却用空間としては前記筒状空間Ｓに限らず、図３に示すように、筒状断熱体１３の周方向に上下方向の貫通孔１８を等間隔で形成したものでもよい。この場合には、冷却効果は前記実施例と比べ流路断面積の合計が小さくなるので若干低下するが、筒状断熱体１３を内側筒１３ａと外側筒１３ｂに分ける必要がないので、制作が簡単になる。
以上において、加熱処理は昇降装置６，７によって反応チャンバー９及び筒状断熱体１３を下降させた状態で行なう。この処理では既にチャンバー９内は減圧されており、被処理物Ｗ表面に塗布された塗布膜中の溶剤は蒸発によって除去されている。
加熱処理は、コイルヒータ１４に通電して雰囲気温度を８００℃付近まで昇温し、半導体ウェーハＷ表面に被膜を形成する。そして、加熱処理が終了したならば、直ちに冷却用空間としての筒状空間Ｓまたは貫通孔８に、水などの冷却媒体を供給して前記雰囲気温度を４００℃付近まで低下させ、前記と逆の手順で処理後の半導体ウェーハＷを払い出し、新たな未処理のウェーハを反応チャンバー９内に入れる。本発明の場合には、従来に比べて８００℃から４００℃まで温度が低下するのに短時間ですむ。
次いで、加熱処理が終了したならば図５に示すように、反応チャンバー９及び筒状断熱体１３を上昇させた状態で半導体ウェーハＷの取り出しとセットを行なう。取り出しとセットは被処理物Ｗをボート５に保持させたまま行なう。
この後、図６に示すように反応チャンバー９を下降させ、筒状断熱体１３を上昇させたままの状態で真空引きして半導体ウェーハＷ表面に塗布した塗布液中の溶剤の蒸発を行なう。このとき筒状断熱体１３は反応チャンバー９を覆っていないので、反応チャンバー９内の温度は塗布液の縮合反応を起こさない温度に保たれる。
図７は別実施例をしめす図６と同様の縦断面図であり、この実施例にあっては反応チャンバー９及びボート５をセットする載置台４を独立して昇降動可能とし、筒状断熱材１３（ケース１５）はベースプレート１に固定している。この実施例も筒状断熱体１３には冷却用の空間Ｓが形成され、配管１１を介して冷却媒体が空間Ｓに供給される。
１…ベースプレート、２…開口、３…真空引き装置につながる配管、４…載置台、５…ボート、６，７…昇降装置、８，１７…アーム、９…反応チャンバー，１０…シール部材、１１…冷却媒体供給配管、１２…アウターチューブ、１３…筒状断熱材、１３ａ…筒状断熱材を構成する内側筒、１３ｂ…筒状断熱材を構成する外側筒、１４…コイルヒータ、１５…ケース、１６…排気口、１８…貫通孔、Ｓ…冷却用空間としての筒状空間、Ｗ…半導体ウェーハ。
Claims (3)
- 上下方向の軸を中心にして、被処理基板が内部に挿入される反応チャンバーと、熱を均一に分散させるために前記反応チャンバーの外側に配置されるアウターチューブと、このアウターチューブの外側で内側面にヒータを設けた筒状断熱体とが同軸状に配置された熱処理装置であって、前記筒状断熱体には上下方向に貫通する冷却用空間が形成されていることを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記冷却用空間は前記筒状断熱体を内側筒と外側筒に分割することで内側筒と外側筒との間に形成される筒状空間であることをことを特徴とする熱処理装置。
- 請求項１に記載の熱処理装置において、前記冷却用空間は前記筒状断熱体の周方向に等間隔で形成される上下方向の貫通穴であることをことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008219608A JP5364314B2 (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008219608A JP5364314B2 (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010056287A true JP2010056287A (ja) | 2010-03-11 |
| JP5364314B2 JP5364314B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=42071894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008219608A Expired - Fee Related JP5364314B2 (ja) | 2008-08-28 | 2008-08-28 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5364314B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332020A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型拡散炉 |
| JPH11260744A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱処理炉 |
| JP2002164298A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| WO2007023855A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及びこれに用いられる加熱装置並びにこれらを利用した半導体の製造方法 |
| WO2008099449A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-08-28 JP JP2008219608A patent/JP5364314B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332020A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型拡散炉 |
| JPH11260744A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱処理炉 |
| JP2002164298A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| WO2007023855A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置及びこれに用いられる加熱装置並びにこれらを利用した半導体の製造方法 |
| WO2008099449A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5364314B2 (ja) | 2013-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101615584B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
| JP5982758B2 (ja) | マイクロ波照射装置 | |
| TWI759614B (zh) | 熱處理裝置及熱處理方法 | |
| KR100748820B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| TWI466216B (zh) | 基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及頂板斷熱體 | |
| JP4985449B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP2012033871A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び加熱装置 | |
| JP2009200241A (ja) | 基板保持装置、基板ホルダ、真空処理装置、基板の温度制御方法 | |
| JP5352156B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| WO2015114977A1 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2004014752A (ja) | 静電チャック、被処理体載置台およびプラズマ処理装置 | |
| JP7149786B2 (ja) | 載置ユニット及び処理装置 | |
| JP6574656B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5364314B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR20130142963A (ko) | 열처리 장치 | |
| JP4883589B2 (ja) | アニール炉 | |
| JP6532360B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2013038128A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2021166238A (ja) | クリーニング方法及び熱処理装置 | |
| JP7490692B2 (ja) | 有機膜形成装置 | |
| JPH1092754A (ja) | 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2004289166A (ja) | バッチ式リモートプラズマ処理装置 | |
| KR100532702B1 (ko) | 퍼니스 장치 및 그 장치를 사용한 열처리 방법 | |
| JP2008016765A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2006186189A (ja) | ガス処理製造装置、ガス処理製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110525 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120725 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130628 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130701 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130813 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130909 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5364314 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |