KR20000006527A - 반도체장치의제조방법과제조장치 - Google Patents

반도체장치의제조방법과제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000006527A
KR20000006527A KR1019990024800A KR19990024800A KR20000006527A KR 20000006527 A KR20000006527 A KR 20000006527A KR 1019990024800 A KR1019990024800 A KR 1019990024800A KR 19990024800 A KR19990024800 A KR 19990024800A KR 20000006527 A KR20000006527 A KR 20000006527A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
reaction chamber
semiconductor device
silicon wafer
oxidation
Prior art date
Application number
KR1019990024800A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100514131B1 (ko
Inventor
이리노기요시
히까즈따니겐이찌
가와무라다쓰야
수기사끼다로
오꾸보사또시
나까니시도시로
다까사끼가네따께
Original Assignee
아끼구사 나오유끼
후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아끼구사 나오유끼, 후지쯔 가부시끼가이샤 filed Critical 아끼구사 나오유끼
Publication of KR20000006527A publication Critical patent/KR20000006527A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100514131B1 publication Critical patent/KR100514131B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
    • H01L21/02332—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen into an oxide layer, e.g. changing SiO to SiON
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/3143—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers
    • H01L21/3144—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers on silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
    • H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
    • H01L21/31662—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of silicon in uncombined form

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

얇은 산화 질화막을 양산성이 좋게 제조할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 또는 제조 장치를 제공한다.
(a) 제 1 및 제 2 가스 도입구를 구비한 반응 챔버 내로 실리콘 웨이퍼를 반송하는 공정과, (b) 제 1 가스 도입구에서 산화성 분위기를 도입하고 실리콘 웨이퍼를 산화 온도까지 승온하는 공정과, (c) 제 1 가스 도입구에서 습식 산화성 분위기를 도입하여 실리콘 웨이퍼 표면에 열산화막을 형성하는 공정과, (d) 반응 챔버 내를 불활성 가스로 세정하고 잔류 수분을 약 1000ppm 이하로 하는 공정과, (e) 700℃ 이상 또한 산화 온도보다 높은 어닐 온도를 유지하면서 제 2 가스 도입구로부터 챔버 내로 NO 또는 N20을 함유하는 분위기를 도입하여 열 산화막 중에 질소를 도입시켜 산화 질화막으로 변환하는 공정을 포함한다.

Description

반도체 장치의 제조 방법과 제조 장치{METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 장치의 제조 기술에 관한 것이며, 특히 얇은 산화 질화막을 실리콘 웨이퍼 표면에 형성할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.
CMOS 반도체 장치에 있어서, 보다 집적도를 높이고, 또한 보다 동작 속도를 빨리하는 요구가 강하다. 이 때문에, CM0S 장치의 구성 요소인 트랜지스터를 더욱 미세화함과 동시에, 구동 능력을 높이는 것이 요구된다. p 채널 MOS 트랜지스터에서는 표면 채널형이 되도록 보론 도프의 게이트 전극을 사용하고, 또한 게이트 절연막을 박막화하는 것이 요청된다.
게이트 절연막을 박막화하면, 게이트 전극에 도프한 보론이 게이트 절연막을 뚫고 나가 기판의 채널 영역에 도달하는 현상이 생기기 쉽다. 채널 영역에 보론이 확산하면 트랜지스터 특성이 변화하여 버린다. 이 현상을 방지하기 위해서는 게이트 절연막을 산화 질화막으로 형성하는 것이 효과가 있다고 알려져 있다.
고집적도의 반도체 장치를 제작하기 위해서, LOCOS 분리 대신에 얕은 트렌치분리(STI)를 채용하는 것이 제안되고 있다. 얕은 트렌치 분리를 사용하면, 반도체소자의 작성에 앞서서 웨이퍼 표면에 얕은 홈(트렌치)를 형성하고 토렌치 내를 절연물로 매립하는 공정이 행해진다. 결과적으로 분리 영역으로 둘러싸인 활성 영역은 볼록 형상의 단면 구조를 갖게 된다.
그런데, 볼록 형상의 표면상에 열산화막을 형성하고져 하면, 볼록부에 응력이 작용하여 절연막이 성장하기 어렵게 되는 박막화(THINNING) 현상이 생긴다. 박막화 현상이 생기면 활성영역에 형성되는 게이트 절연막의 막두께를 안정하게 일정한 값으로 유지하는 것이 곤란하게 된다. 박막화의 방지를 위해서는 습식 산화를 행하는 것이 유효하다고 알려져 있다.
습식 산화는 건식 산화에 비해 산화 속도가 빠르고, 보다 저온에서 산화막을 형성할 수 있는 이점도 갖는다. 습식 산화를 채용하여, 산화 질화막을 형성하기 위해서는, 먼저 기초 산화를 행하여, 얇은 산화막을 형성한 후, 이 산화막에 질소를 도입하는 처리가 행해진다.
예컨대, 종형 배치(batch)식 확산로를 사용하여 다수개의 웨이퍼에 동시에 습식 산화막을 형성하고, 그 후 리프(leaf)식 어닐 장치를 사용하여 1개씩 웨이퍼의 산화막에 질소를 도입하는 처리를 행한다.
이상 설명한 바와 같이, 고구동 능력의 미세 p채널 MOS 트랜지스터를 제작하기 위해서는 게이트 절연막으로서 산화 질화막을 사용하는 것이 유효하다. 그렇지만, 얇은 산화 질화막에 의해 게이트 절연막을 형성하고져 하면 제조공정이 복잡해지고 생산량(throughput)이 저하하여 양산에는 부적당하게 된다.
산화막 중에 질소를 도입하기 위해서는 질소 함유 가스로서 NO나 N20를 사용하는 것이 요망된다. 그러나 현재 입수가능한 장치에서, 이러한 가스를 사용하여 얻는 것은 알려져 있지 않다.
본 발명의 목적은 얇은 산화 질화막을 양산성 좋게 제조할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 또는 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 질소 도입을 위해 NO 또는 N20을 사용할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법 또는 제조 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치의 제조 장치를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 산화 질화막 형성 공정을 나타내는 흐름도.
도 3은 N2세정에 의한 수분 농도의 변화를 나타내는 그래프.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 단면도.
도 5는 도 1에 나타낸 제조 장치를 사용하여 다수의 웨이퍼 상에 형성한 산화 질화막의 균일성을 측정한 측정 결과를 나타내는 그래프.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 장치의 제조 장치 및 산화질화 공정을 나타내는 단면도 및 플로 챠트.
[부호의 설명]
1 … 반응 챔버
2, 3 … 배관
6, 7 … 가스 도입구
8 … 외부 연소관
9 … 배관
10 … 석영제 캡
15 … 0링
18, 19 … 가스 도입구
V … 밸브
CV … 가스 역류 방지 밸브
B … 가스원
MFC … 질량 유량 조정기
20 … 실리콘 웨이퍼
21 … n형 웰(well)
22 … 버퍼 산화막
23 … SiN막
24 … 레지스트 패턴
25 … 트렌치(trench)
26 … STI 산화막
27 … 게이트 절연막
28 … 게이트 전극
29 … LDD 영역
30 … 측벽 산화물 스페이서
31 … 소스/드레인 영역
32, 33 … Co 실리사이드막
35 … 층간 절연막
36, 37 … 콘택트 구멍
38, 39 … 금속 플럭
본 발명의 한 관점에 의하면, (a) 적어도 제 1 및 제 2 가스 도입구를 구비한 반응 챔버 내에 실리콘 웨이퍼를 반송하고, O링을 사용하여 반응 챔버를 밀봉하는 공정과, (b) 상기 공정(a) 후, 상기 제 1 가스 도입구에서 산화성 분위기를 도입하여 상기 반응 챔버 내를 산화성 분위기로 유지하면서 상기 실리콘 웨이퍼를 산화 온도까지 승온하는 공정과, (c) 상기 공정(b) 후, 상기 산화 온도를 유지하면서 상기 반응 챔버 내에 상기 제 1 가스 도입구에서 습식 산화성 분위기를 도입하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 열산화막을 형성하는 공정과, (d) 상기 공정(c) 후, 상기 반응 챔버 내를 불활성 가스로 세정하고 잔류 수분을 약 1000ppm 이하로 하는 공정과, (e) 상기 공정(d) 후, 상기 실리콘 웨이퍼를 700℃ 이상 또한 상기 산화 온도보다 높은 어닐 온도를 유지하면서 상기 제 2 가스 도입구로부터 챔버 내에 NO또는 N20을 포함하는분위기를 도입시켜 상기 열산화막 중에 질소를 도입하여 산화 질화막으로 변환하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 관점에 의하면, 반응 챔버와 반응 챔버의 내부공간에 연통한 제 1 가스 도입로와 상기 제 1 가스 도입로와는 별도의 위치에서 반응 챔버의 내부간에 연통한 제 2 가스 도입로와 상기 제 1 및 제 2 가스 도입로의 각각에 설치된 가스 역류 방지 밸브를 갖는 반도체 장치의 제조 장치가 제공된다.
양산성 좋게 얇은 산화 질화막을 작성하려 하면, 동일 챔버 내에서 습식 산화와 질소 도입을 행하는 것이 요망된다. 그렇지만, 동일챔버 내에서 습식 산화와 질소도입을 행하고져 하면, 수분 및 02와 질소를 함유한 가스가 혼합하는 가능성이 생긴다.
질소를 함유하는 가스로서 NO나 N20를 사용하면, 가스 혼합에 의해 초산이 발생할 가능성이 높아진다. 챔버 내에 초산이 발생하고 역류하여 가스 배관 중에 확산하면, 가스 배관의 금속 부분이 부식할 가능성이 있다.
습식 산화성 분위기와 질소 도입용 분위기가 혼합하지 않도록 공정을 분리하고 중간에서 불활성 가스로 충분히 세정함으로써 가스의 혼합을 방지하고 양질의 산화 질화막을 형성할 수 있게 된다.
[실시예]
본 발명자 등은 동일챔버 내에서 습식 산화를 행하고, 그 후 NO 또는 N20을 사용하여 습식 산화막 중에 질소를 도입하는 것을 제안한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치의 제조 장치를 나타낸다. 본 장치는 기밀한 구성을 갖지만, 상압에서 산화,질소도입을 행하는 것을 주된 기능으로 한다. 반응 챔버(1)는 2중 석영관 구조를 갖고, 그 외관(1a)은 진공 배기 가능한 공간을 획정한다. 외관(1a) 내에 배치된 내관(1b)은 상부에 가스 유통 가능한 부분을 갖는 반개방 구조를 갖는다.
내관(1b) 내의 공간은 그 하부에서 배기구(11)에 접속되어 있다. 외관(1a)과 내관(1b) 사이 중간의 공간에는 NO나 N20를 도입하기 위한 질소 함유 가스 도입용 배관(2) 및 습식 산화성 분위기를 도입하기 위한 습식 산화성 분위기 도입용 배관(3)이 교호로, 또한 내관(1b) 외주상을 나선 형상으로 둘러싸도록 배치되어 있다.
질소 함유가스 도입용 배관(2)은 외관(1a)에 기밀하게 접속된 질소 함유가스 도입구(6)에 접속되어 있다. 습식 산화성 분위기 도입용 배관(3)은 외관(1a)에 기밀하게 접속된 습식 산화성 분위기 도입구(7)에 접속되어 있다. 습식 산화성 분위기 도입구(7)는 산수소염에 의해 수분을 형성하는 외부 연소관(8)에 접속되어 있다. 외부 연소관(8)에는 H2, 02, N2를 공급할 수 있는 배관(9)이 접속되어 있다.
2중관 구성의 반응 챔버(1)의 외측에는 히터(H1, H2)가 배치되어 있다. 히터 (H1)는 반응 챔버(1)의 측벽 외측을 둘러싸고, 히타(H2)는 반응 챔버(1)의 상벽 상부에 배치되어 있다.
또 2중관 구성 대신에 단(單)관을 사용할 수도 있다. 이 경우 2종류의 가스 도입용 배관은 단관의 반응 챔버의 외측에 도 2와 같이 교호로 나선 형상으로 배치하고, 반응 챔버 정상부에서 반응 챔버 내에 도입하여도 좋고, 반응 챔버 내에서 하방보다 상방으로 연재하여도 좋다.
반응 챔버(1)의 하면은 O링(15)을 개재하여 석영제 캡(10)과 결합한다. 석영제 캡(10)은 그 위에 웨이퍼 캐리어를 수납할 수 있고, 반응 챔버(1)와 결합/분리 가능한 구성을 갖는다. 석영제 캡(10)에 결합된 웨이퍼 캐리어(17)의 위에는 복수개(예컨대, 100개)의 실리콘 웨이퍼(W)가 동시에 재치된다.
또 반응 챔버(1)내를 세정하기 위해서 소망수의 N2배관(18,19)이 소망 개소에 설치된다. 이들 N2배관(18,19)은 배관(23)으로부터 도입되어 배기구(11)로 배기되는 활성가스가 반응 챔버 내에 잔류하지 않도록 적당한 위치에 배치된다.
가스 도입구(9,6)에 소망하는 가스를 공급하기 위해서 도면중 하부에 나타낸것 같은 가스 배관이 설치된다.
외부 연소관(8)에 접속하는 배관(9)은 도면 중 하방에 나타낸 바와 같이, 밸브(V1, V2)에 접속된다. 밸브(V1)는 밸브(V4), 질량 유량 조정기(MFC1), 밸브(14) 를 개재하여 02발생원(B1)에 접속됨과 동시에, 가스 역류 방지 밸브(CV1), 밸브(V5 ), 질량 유량 조정기(MFC2), 밸브(V15)를 개재하여 N2원(B2)에 접속된다.
밸브(V2)는 밸브(V7), 질량 유량 조정기(MFC4), 밸브(V16)를 개재하여 H2원 (B2)에 접속됨과 동시에, 가스 역류 방지 밸브(CV2), 밸브(V6), 질량 유량 조정기(MFC3), 밸브(V15)를 개재하여 N2원(B3)에 접속된다.
이러한 가스 배관에 의해, 배관(9)에는 H2, 02, N2의 임의의 혼합가스를 공급할 수 있다. H2원(B3)으로부터 H2를 공급하고,02원(B1)으로부터 02를 공급하여, 외부연소관(8)에서 산수소염을 형성함으로써 파이로 산화를 행하기 위한 분위기를 작성할 수 있다. 필요에 따라서 N2로 희석할 수도 있다.
또, 파이로 산화를 행하는 기간 외에서는 H2배관 및 02배관을 밸브(V7, V4)를 닫음으로써 폐쇄하고, N2원(B2)으로부터 N2를 흘릴 수 있다. 이 유로에는 가스 역류 방지 밸브(CV1, CV2)가 접속되어 있어 반응 챔버(1) 내에서의 가스의 역류를 방지할 수 있다.
질소 함유가스 도입용 배관(6)은 도면중 하방에 나타낸 바와 같이 밸브(V3), 가스 역류 방지 밸브(CV3)에 접속되어 있다. 가스 역류 방지 밸브(CV3)는 밸브(V9), 질량 유량 조정기(MFC6), 밸브(V12)를 개재하여 NO원(B4)에 접속됨과 동시에, 가스 역류 방지 밸브(CV4), 밸브(V8), 질량 유량 조정기(MFC5), 밸브(V15)를 개재하여 N2원(B2)에 접속되어 있다. N0 대신에 N20를 가스원(B4)으로 할 수도 있다.
또한 N2원(B2)은 밸브(V15), 유량계(flow meter)(FM), 밸브(V13), 가스 역류 방지 밸브(CV5), 밸브(V11)를 개재하여 질량 유량 조정기(MFC6)에도 접속되어 있다.
질량 유량 조정기(MFC6)의 출구는 밸브(V9)에 접속되어 있음과 동시에, 밸브 (V10)를 개재하여 외부로 도출되어 있다. 밸브(V9, V10)는 연동하여, 한쪽이 닫힐시에 다른쪽이 개방하는 구성이다. 밸브(V11, V12)도 연동하여 제어된다.
반응 챔버(1)에 NO를 공급하지 않을 시에는 N2원(B2)으로부터 N2를 흘린다. 이 유로에는 가스 역류 방지 밸브(CV4, CV5, CV3)가 설치되어 있어 반응 챔버(1) 내의 분위기가 역류하는 것을 방지하고 있다. 이러한 구성에 의해, 배관(6)에 N2희석의 NO 또는 N2를 공급한다.
또 도시한 가스 발생원 외에, 임의의 가스원 및 그들의 배관을 또한 접속할 수도 있다. 예를 들면, 염산 산화를 행하기 위해서 HCl원 및 그 배관을 설치하여도 좋다. 목적에 따라서 여러가지의 가스 배관을 접속할 수 있는 것은 당업자에 자명할 것이다.
도 2는 도 1이 나타내는 반응 챔버를 사용하여 습식 산화 및 질소도입을 행하기 위한 공정도를 나타낸다. 도면중 횡축은 시간을 나타내고, 종축은 반응 챔버 (1)내의 온도를 나타낸다. 온도는 반응 챔버(1) 외부에 설치한 히터(H1, H2)를 제어함으로써 제어된다.
반응 챔버(1) 내에 다수개의 실리콘 웨이퍼(W)를 수납한 후, N2를 10리터/분, 02를 333cc/분 흘리고, 반응 챔버(1) 내를 300℃로 승온한다. 300℃의 상태를 소정시간 유지한 후, N2+02의 건식 산화성 분위기를 유지하면서 100℃/분의 속도로반응 챔버(1) 내를 승온하여, 750℃까지 가열한다.
건식 산화성 분위기, 750℃의 상태를 10분간 유지한 후, 분위기를 O2가스 10 리터/분, H21리터/분으로 변경하여 디클로로 에틸렌(DCE) 또는 HCl을 1분 정도 첨가하여 금속 오염을 수집(gathering)한다. 또 금속오염의 가능성이 없는 경우는 이 스텝을 생략하여도 좋다. 1분간 경과후, 외부 연소관(8) 내에서 H2를 연소시킨다. 외부 연소관(8) 내에서의 산수소염에 의해 수분이 발생한다. 이렇게 하여 H20와 02를 함유하는 습식 산화성 분위기가 반응 챔버(1) 내로 공급된다.
750℃ 습식 산화성 분위기에서 5분의 습식 산화를 행한 후, 분위기 가스를 질소로 바꾼다. 예컨대, N2를 10리터/분 흘리고 1분간 750℃의 상태를 유지한다. 그 후, N2유량을 30리터/분으로 증가시켜 20℃/분의 승온속도로 900℃까지 승온시킨다 . 900℃에 도달한 후, N2유량을 10리터/분으로 저하시켜 5분간 유지한다.
그 후, 습식 산화성 분위기 도입구(7)에는 N2를 흘린채로 질소 함유가스 도입구(6)에 N0(유량 500cc/분)을 N2(유량 10리터/분)로 희석한 질소도입 분위기를 공급하여 900℃로 15분간 어닐 처리를 행한다. 이 어닐 처리는 NO를 습식 산화막 중에 도입하는 처리이다. NO 어닐 처리가 종료한 후, 질소 도입구(6)에 흐르는 가스를 N210리터/분으로 변경하고 10℃/분∼ 20℃/분의 강온 속도로 반응 챔버(1)내를 강온한다.
이러한 공정에 의해, 실리콘 웨이퍼(W) 표면 상에 먼저 습식 산화막을 형성하고, 그 후 N2로 반응 챔버(1) 내를 세정하여, 어닐 온도로 승온한 후, N0가스에 의해 어닐을 행하여, 습식 산화막 중으로 질소를 도입한다.
상술한 실시예에서는 반응 챔버(1) 내에서 습식 산화를 행한 후, 즉시 습식 산화막 중으로 질소를 도입하는 처리를 행하지 않고 N2가스로 세정을 행하고 있다. 이 N2가스 세정에 의한 영향을 이하와 같은 방법으로 검증하였다.
N2가스 세정은 습식 산화성 분위기를 완전히 반응 챔버 내에서 배출하기 위한 처리이다. 특히 습식 산화성 분위기 중의 수분이 그 후에 행해지는 NO를 사용한 질소도입 처리에 의해 초산으로 변환되는 것을 방지한다. 그래서, 반응 챔버( 1) 내의 잔류 수분의 농도를 조사하였다.
도 3은 세정 시간에 대한 반응 챔버(1) 내의 수분 농도를 측정한 결과를 나타낸다. 또 수분 농도는 배기측에서 가스 분석을 행함으로써 측정하였다.
습식 산화는 상술한 H2유량 1리터/분 + 02유량 10리터/분의 조건(1)과 H20 량을 증가시킨 H2유량 2.133리터/분 + 02유량 6.4리터/분의 조건(2)의 2개의 조건으로행하고, 그 후 N2로 바꿔 세정을 행하였다. 도면중, 곡선(w1)이 조건(1)의 습식 산화에 이어지는 N2세정에 의한 수분 농도의 변화를 나타내고 곡선(w2)이 조건(2)에 의한 습식 산화에 이어지는 N2세정에 의한 수분 농도의 변화를 나타낸다.
곡선(w1)의 경우는 습식 산화에 이어서 약 6분의 세정을 행함으로써 수분 농도는 약 1000ppm 이하로 되고, 약 8분의 세정을 행함으로써 수분 농도는 거의 0으로 되었다. 곡선(w2)의 경우는 수분 농도의 저하가 비교적 완만하고 약 16분의 세정에 의해 수분 농도는 약 1000ppm 이하로 도달하였다.
이것들의 결과로부터, 습식 산화에서 분위기 중의 수분 농도가 비교적 낮은 조건(1)의 경우에는 6분 정도 이상의 세정 시간을 설치하는 것이 바람직하고 습식 산화 분위기 중의 수분 농도가 매우 높은 조건(2)의 경우에는 약 16분 정도 이상의 세정 시간을 설치하는 것이 바람직하다고 추정된다. 도 2의 공정은 조건(1)으로 습식 산화를 행하고 8분 이상의 질소 세정을 행하고 있기 때문에, 잔류 수분 농도는 약 1000ppm을 확실히 하회하고 있는 것으로 생각된다.
또한 습식 산화, N2세정, NO 어닐의 처리에 의해 웨이퍼의 오염이 어떻게 변화하는가를 조사하였다. 반응 챔버를 특히 처리하지 않고 그 내부에 웨이퍼를 방치하여, 조건(2)의 습식 산화, N2세정, NO 어닐을 10회 되풀이하였다. 그 후 얻어진 웨이퍼 중의 금속종류를 Fe 및 Ca로 측정하였다. 세정 시간은 15분 및 5분으로 설정하였다. 결과를 이하의 표로 나타내었다.
금속종류 수분을 15분 세정한 때 수분을 5분 세정한 때
Fe 5.8×1010atoms/cm2 2.1×1011atoms/cm2
Ca 4.2×1010atoms/cm2 3.5×1011atoms/cm2
Fe의 측정 결과는 습식 산화 후 5분 세정한 때보다도 15분 세정한 때의 쪽이 현저히 감소하고 있는 것으로 판단된다. 즉, 수분 농도를 약 1000ppm이하로 하는데 충분한 시간의 N2세정을 행하였어도 Fe 오염은 발생하지 않고, 반대로 Fe 농도가 감소하는 것이 기대된다. Ca는 세정 시간에 의하지 않고 거의 일정한 값을 나타내고 있다고 생각할 수 있다.
따라서, 습식 산화에 이어서 N2가스로 잔류 수분 농도가 약 1000ppm 이하로 될 때까지 세정하는 것이 바람직하다고 생각된다.
또 N2로 세정하는 경우를 설명하였지만, N2대신에 Ar 등의 다른 불활성 가스를 사용할 수도 있다. 본 명세서에서는 N2및 Ar 등의 불활성 가스를 포함해서 불활성 가스라고 부른다.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 개략적으로 나타내었다.
도 4a에 나타낸 바와 같이, n형 웰(21)을 갖는 p형 실리콘 웨이퍼(20)의 표면상에, 열산화에 의해 얇은 버퍼 산화막(22)을 형성한 후, 그 위에 CVD에 의해 SiN막(23)을 퇴적한다. SiN막(23)의 위에 레지스트 패턴(24)을 형성하고 그 개구에 의해 분리 영역을 획정한다.
레지스트 패턴(24)을 식각 마스크로 하여 SiN막(23), 버퍼 산화막(22), 실리콘(21)을 이방성 식각함으로써 분리용 트렌치(25)를 형성한다. 그 후 레지스트 패턴(24)은 제거한다.
트렌치(25) 내의 노출 Si 표면에 라이너 산화로 열산화막을 형성한 후, 웨이퍼 표면상에 CVD에 의해 실리콘 산화막을 퇴적하고, 트렌치(25) 매립하는 매립 산화막을 형성한다. 그 후, 화학 기계 연마(CMP)를 행한 표면을 평탄화하고 노출한 Si N막(23)을 제거한다. 그 후, 버퍼 산화막(22)을 제거하고, 노출한 실리콘 표면을 희생 산화하고 희생산화막을 제거하여 깨끗한 Si표면을 노출한다. 그 후, 게이트 산화 질화막을 작성한다. 이 게이트 산화 질화막의 형성은 도 1에 나타낸 것 같은 제조 장치를 사용하여 도 2에 나타낸 것 같은 공정에 의해 행해진다.
도 4b는 실리콘 표면에 STI 산화막(26), 게이트 절연용의 산화 질화막(27)을 형성한 상태를 개략적으로 나타내었다. 상술한 바와 같은 습식 산화, N2세정, NO 어닐을 행함으로써 활성영역 표면 상에 균일하고 양호한 품질을 갖는 실리콘 산화 질화막(27)을 형성할 수 있다. 그 후, 통상의 공정에 따라서 MOS 트랜지스터를 작성한다. 또 도면에는 p채널 MOS 트랜지스터를 작성하는 부분을 나타내었지만, 웨이퍼의 다른 부분에서 n채널 MOS 트랜지스터를 작성한다. 이러한 CMOS 회로의 제조 공정에 대해서는 공지의 기술을 채용할 수 있고, 예컨대 「98' 최신 반도체 공정 기술 300mm/0.18 시대의 시스템 LSI 제조공정」pp37- 46 후지다 가즈요시저를 참조하기 바란다.
도 4c에 나타낸 바와 같이, 게이트 절연막(27) 상에 다결정 실리콘층을 CVD로 퇴적하고, 레지스트 패턴을 사용한 이방성 식각에 의해 게이트 전극(28)을 작성한다. 게이트 전극(28)의 패터닝 후, 보론 이온을 가볍게 이온 주입하여, LDD영역(29)을 형성한다. 또 게이트 전극(28)에도 보론이 이온 주입된다. 이 이온 주입 공정은 레지스트 마스크를 사용하여 p채널 영역, n채널 영역에 대하여 별개로 행해진다.
그 후, 웨이퍼 표면 상에 CVD에 의해 산화막을 퇴적하고 이방성 식각을 행하는것에 의해 게이트 전극(28) 측벽 상에만 측벽 산화물 스페이서(spacer)(30)를 남긴다. 이 측벽 산화물 스페이서(30) 및 게이트 전극(28)을 마스크로 하여 보론을 이온주입함으로써 고농도의 소스/드레인 영역(31)을 작성한다. 이 이온 주입도 p채널 영역에서만 행하고, n채널 영역은 별도의 이온 주입을 행한다.
게이트 폴리 실리콘 상과 소스/드레인 영역 상의 산화막을 제거한 후, 표면에 Co막을 형성하고, 열처리를 행함으로써 실리콘이 노출하고 있는 영역 상에 Co 실리사이드막을 형성하는 실리사이드 처리를 행한다. 이렇게 하여, 게이트 전극(28) 상면 상에 Co 실리사이드막(32)이 형성되고, 노출한 소스/드레인 영역(31) 표면 상에 Co 실리사이드막(33)이 형성된다. 그 후, 층간 절연막(35)을 CVD 등에 의해 퇴적하고 CMP처리를 행함으로써 표면을 평탄화한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 층간 절연막(35) 상에 레지스트 패턴을 형성하여 콘택트 구멍(36, 37)을 개구한다. 콘택트 구멍을 개구한 후, 전극용 금속을 퇴적하고 콘택트 구멍 내를 재매립한다. 그 후 CMP처리를 행함으로써 콘택트 구멍 내에 플럭 형상의 전극(38, 39)을 남긴다. 그 후 소결(sintering)을 행함으로써 전극의 특성을 개량한다.
이렇게 하여, 전극을 구비한 p채널 MOS 트랜지스터를 작성할 수 있다. 또 웨이퍼 내의 다른 부분에서는 같은 공정에 의해 n채널 M0S 트랜지스터가 형성되어 전체로서 CM0S LSI가 형성된다.
도 5는 도 1에 나타낸 바와 같은 제조 장치를 사용하여 도 2에 나타낸 바와같은 공정에 의해 실리콘 웨이퍼 상에 산화 질화막을 형성한 후, 복수개의 웨이퍼 배치(batch) 내의 분포 및 단일 웨이퍼면 내의 분포를 측정한 결과를 나타낸다. 측정은 SIMS에 의해 행하였다.
도 15a는 배치 내의 SIMS 측정 결과를 나타낸다. 횡축은 웨이퍼 표면에서의 식각 시간을 나타내고, 종축은 각 원소의 검출 신호의 계수를 나타낸다. 검출한 Si, 0, N의 분포는 배치 내의 웨이퍼에서 균일한 것으로 나타나 있다.
도 5b는 단일 웨이퍼면 내의 SIMS 측정 결과를 나타낸다. 도 5a와 같이, 횡축은 식각 시간을 나타내고, 종축은 검출신호의 계수를 나타낸다. Si, 0, N의 분포는 각각 매우 좁은 폭 내로 들어가 있으며, 균일한 품질의 산화 질화막이 웨이퍼면 내에서 거의 동일 두께로 형성되어 있는 것으로 판단된다.
또 습식 산화에 의한 산화막도 밀도가 부족한 경우가 있는 것이 알려져 있다. 이러한 산화막에 대하여 오존 처리를 행하면 산화막의 밀도를 개선할 수 있다.
도 6은 오존 처리를 행할 수 있는 제조 장치 및 오존 처리를 채용한 산화 질화처리의 흐름(flow)을 나타낸다.
도 6a에서 외부 연소관(8)에 접속되는 배관(9)에는 H2, 02, N2외에, 03(03를 포함하는 02)를 공급할 수 있다. 또 03를 공급할 때는 03의 분해를 저감하기 위해서, 외부 연소관(8)의 온도를 강온하여 놓는 것이 바람직하다. 또 배기관(11)에는 오존 킬러(16)가 접속된다. 배기중에 오존이 포함되는 경우에도 오존 킬러(16)에의해 오존을 소멸시킬 수 있다.
도 6b는 오존처리를 포함한 산화 질화처리의 플로 챠트를 나타낸다. 스텝( S1)은 오존 베이크(bake)의 공정을 나타낸다. 오존 베이크는, 예컨대 도2의 플로서 300℃의 예비 가열의 단계에서 행해지면 좋다. 이러한 오존 베이크 처리는 웨이퍼 표면상 등의 유기물을 제거하는데 유효하다.
스텝(S2)은 습식 산화 처리를 나타낸다. 습식 산화 처리는 도 2의 플로에 나타낸 바와 같이, 예컨대 750℃의 습식 산화성 분위기 중에서 행할 수 있다.
스텝(S3)은 습식 산화에 이어지는 오존 어닐 처리를 나타낸다. 오존 어닐 처리는 습식 산화성 분위기 대신에 오존을 포함하는 산화성 분위기를 공급하여 산화 온도와 동일 온도에서 행하면 좋다. 또 오존이 고온의 벽에 접촉하면, 소멸하는 가능성이 증대하기 때문에, 외부 연소관(8)을 개재하지 않고 별도의 배관에 의해 반응 챔버 내에 오존을 공급하여도 좋다.
스텝(S4)은 오존 어닐 후의 N2세정 처리를 나타낸다. N2세정 처리는 도 2의 공정에서의 N2세정과 같은 처리이다. 산화 온도에서 분위기를 N2로 치환하고 서서히 승온하여 어닐 온도까지 승온한다. 이 사이, 반응 챔버 내에는 N2를 흘리는 것을 계속한다.
스텝(S5)은 어닐 온도에서의 NO 어닐 처리를 나타낸다. 이 어닐 처리도 도 2에 나타낸 NO 어닐과 같은 조건으로 행할 수 있다. 그 후, 반응 챔버 내에 N2를 흘리고 강온함과 동시에 N2세정을 계속한다.
이와 같이, 습식 산화와 오존 어닐을 조합시킴으로써 불순물이 적고 밀도가 높은 치밀한산화막을 작성하고, 계속해서 NO 어닐을 행함으로써 양질의 산화 질화막을 작성한다.
이상 실시예에 따라서 본 발명을 설명하였지만 본 발명은 이것들에 제한되는 것이 아니다. 예컨대 여러가지의 변경, 개량, 조합 등이 가능한 것은 당업자에게 자명할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 고품질의 얇은 산화 질화막을 효율적으로 제조할 수 있다.

Claims (16)

  1. (a) 적어도 제 1 및 제 2 가스 도입구를 구비한 반응 챔버 내에 실리콘 웨이퍼를 반송하고, O링을 사용하여 반응 챔버를 밀봉하는 공정과,
    (b) 상기 공정(a) 후, 상기 제 1 가스 도입구로부터 산화성 분위기를 도입하여 상기 반응 챔버 내를 산화성 분위기로 유지하면서, 상기 실리콘 웨이퍼를 산화 온도까지 승온하는 공정과,
    (c) 상기 공정(b) 후, 상기 산화 온도를 유지하면서, 상기 반응 챔버 내에 상기 제 1 가스 도입구로부터 습식 산화성 분위기를 도입하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 열산화막을 형성하는 공정과,
    (d) 상기 공정(c) 후, 상기 반응 챔버 내를 불활성 가스로 세정하여, 잔류 수분을 약 1000ppm 이하로 하는 공정과,
    (e) 상기 공정(d) 후, 상기 실리콘 웨이퍼를 700℃ 이상, 또한 상기 산화 온도보다 높은 어닐 온도를 유지하면서, 상기 제 2 가스 도입구로부터 챔버 내로 NO 또는 N20을 함유하는 분위기를 도입하여 상기 열산화막 중에 질소를 도입시켜 산화 질화막으로 변환하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 (b)∼ (e)가 상압에서 행해지는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정(e) 후, 상기 반응 챔버 내를 불활성 가스로 세정하면서, 상기 실리콘 웨이퍼를 강온하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정(d)이 동시에 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 산화 온도로부터 상기 어닐 온도로 승온하는 서브 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정(e)이 동시에 상기 제 1 가스 도입구로부터 불활성 가스를 반응 챔버 내로 흘리는 서브 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정(c)이 동시에 상기 제 2 가스 도입구로부터 챔버 내로 흘리는 서브공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 어닐 온도가 850℃∼ 950℃ 범위의 온도인 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정(e)의 NO 또는 N20을 함유하는 분위기가 N2희석의 NO로 형성되는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    (f) 상기 공정(a)의 앞에, 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 얕은 트렌치 분리 영역을 형성하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    (g) 상기 공정(e) 후에, 상기 산화 질화막 상에 보론을 도프한 실리콘으로 형성된 게이트 전극을 형성하는 공정을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 공정(g)이 실리콘으로 형성된 게이트 전극과 그 양측 실리콘 웨이퍼 표면에 보론을 이온 주입하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 반응 챔버와,
    상기 반응 챔버의 내부 공간에 연통한 제 1 가스 도입로와,
    상기 제 1 가스 도입로와는 별도의 위치에서 상기 반응 챔버의 내부 공간에 연통한 제 2 가스 도입로와,
    상기 제 1 및 제 2 가스 도입로의 각각에 설치된 가스 역류 방지 밸브를
    갖는 반도체 장치의 제조 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 반응 챔버가 진공배기 가능한 외관과 반개방의 내관을 포함한 2중관 구성을 갖고,
    상기 제 1 및 제 1 및 가스 도입로가 상기 2중관 구성의 외관과 내관 사이의 중간 영역에서 내관를 둘러싸서 배치되어 있는 반도체 장치의 제조 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 2중관 구성의 외측에 배치된 히터를 더 갖는 반도체 장치의 제조 장치.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 도입로가
    상기 2중관 구성의 외부에 배치된 외부 연소관과,
    상기 외부 연소관에 접속되어 N2및 02을 흘릴 수 있는 제 1 서브 배관과,
    상기 외부 연소관에 접속되어 N2및 H2을 흘릴 수 있는 제 2 서브 배관
    을 갖는 반도체 장치의 제조 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 가스 도입로가 NO 또는 N20을 함유하는 가스와 불활성 가스중 어느 하나를 선택적으로 흘리는 가스 배관을 갖는 반도체 장치의 제조 장치.
KR10-1999-0024800A 1998-06-30 1999-06-28 반도체 장치의 제조 방법과 제조 장치 KR100514131B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP98-185109 1998-06-30
JP18510998A JP3472482B2 (ja) 1998-06-30 1998-06-30 半導体装置の製造方法と製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000006527A true KR20000006527A (ko) 2000-01-25
KR100514131B1 KR100514131B1 (ko) 2005-09-09

Family

ID=16165023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1999-0024800A KR100514131B1 (ko) 1998-06-30 1999-06-28 반도체 장치의 제조 방법과 제조 장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6468926B1 (ko)
JP (1) JP3472482B2 (ko)
KR (1) KR100514131B1 (ko)
TW (1) TW440969B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002091447A1 (fr) * 2001-05-09 2002-11-14 Tokyo Electron Limited Traitement thermique de semi-conducteur et systeme a cet effet
KR101107656B1 (ko) * 2003-12-10 2012-01-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
KR20170135693A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램

Families Citing this family (331)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3472482B2 (ja) * 1998-06-30 2003-12-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
KR100682190B1 (ko) * 1999-09-07 2007-02-12 동경 엘렉트론 주식회사 실리콘 산질화물을 포함하는 절연막의 형성 방법 및 장치
EP1160838B1 (en) 2000-05-31 2007-12-05 Tokyo Electron Limited Heat treatment system and method
WO2002047142A1 (fr) 2000-12-05 2002-06-13 Tokyo Electron Limited Procede et appareil de traitement d'un article a traiter
JP2003017595A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Toshiba Corp 半導体装置
JP2003100860A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Toshiba Corp 半導体装置
US6835630B2 (en) 2002-06-19 2004-12-28 Promos Technologies, Inc. Capacitor dielectric structure of a DRAM cell and method for forming thereof
US7335609B2 (en) * 2004-08-27 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials
US7141483B2 (en) * 2002-09-19 2006-11-28 Applied Materials, Inc. Nitrous oxide anneal of TEOS/ozone CVD for improved gapfill
US7431967B2 (en) * 2002-09-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Limited thermal budget formation of PMD layers
US20070212850A1 (en) * 2002-09-19 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials
KR100470941B1 (ko) * 2002-12-26 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 옥시나이트라이드막 형성방법
US6830998B1 (en) * 2003-06-17 2004-12-14 Advanced Micro Devices, Inc. Gate dielectric quality for replacement metal gate transistors
CN100338745C (zh) * 2003-12-19 2007-09-19 茂德科技股份有限公司 电容介电层结构及其制造方法
US20070212847A1 (en) * 2004-08-04 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
US7642171B2 (en) * 2004-08-04 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
KR100643493B1 (ko) 2004-09-23 2006-11-10 삼성전자주식회사 반도체 장치의 실리콘 산질화막을 형성하는 방법 및 장치
KR100673205B1 (ko) * 2004-11-24 2007-01-22 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리소자의 제조방법
KR20060068848A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 삼성전자주식회사 중수소 가스를 사용하는 반도체 소자의 게이트 산화막형성방법
JP4453021B2 (ja) * 2005-04-01 2010-04-21 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP4720323B2 (ja) * 2005-07-06 2011-07-13 セイコーエプソン株式会社 成膜方法、膜形成方法、成膜装置及び膜形成装置並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
US7736437B2 (en) * 2006-02-03 2010-06-15 Integrated Materials, Incorporated Baffled liner cover
JP4362834B2 (ja) * 2006-10-11 2009-11-11 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法および半導体製造装置
JP4407685B2 (ja) * 2006-10-11 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法
GB2445188B (en) * 2006-12-29 2009-07-01 Thermo Fisher Scientific Inc Apparatus and method for generating nitrogen oxides
US7534731B2 (en) * 2007-03-30 2009-05-19 Tokyo Electron Limited Method for growing a thin oxynitride film on a substrate
US20080299780A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-04 Uv Tech Systems, Inc. Method and apparatus for laser oxidation and reduction
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103811421B (zh) * 2012-11-13 2016-12-21 北大方正集团有限公司 一种形成氧化层的方法
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2967538D1 (en) * 1978-06-14 1985-12-05 Fujitsu Ltd Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride
JP2662722B2 (ja) * 1990-01-12 1997-10-15 東京エレクトロン株式会社 バッチ式熱処理装置
US5279670A (en) * 1990-03-31 1994-01-18 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical type diffusion apparatus
US5146869A (en) * 1990-06-11 1992-09-15 National Semiconductor Corporation Tube and injector for preheating gases in a chemical vapor deposition reactor
JPH04257226A (ja) * 1991-02-12 1992-09-11 Oki Electric Ind Co Ltd 絶縁膜形成方法
JP3115015B2 (ja) * 1991-02-19 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 縦型バッチ処理装置
US5318633A (en) * 1991-03-07 1994-06-07 Tokyo Electron Sagami Limited Heat treating apparatus
JPH0568865A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Tokyo Electron Ltd ガス供給システム
JPH0568866A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Tokyo Electron Ltd ガス供給装置
US5383984A (en) * 1992-06-17 1995-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus etching tunnel-type
US5540782A (en) * 1992-10-15 1996-07-30 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treating apparatus having heat transmission-preventing plates
JP3207943B2 (ja) * 1992-11-17 2001-09-10 忠弘 大見 低温酸化膜形成装置および低温酸化膜形成方法
TW289839B (ko) * 1993-02-09 1996-11-01 Gen Instrument Corp
EP0617461B1 (en) 1993-03-24 1997-09-10 AT&T Corp. Oxynitride dielectric process for IC manufacture
US5445522A (en) * 1993-04-26 1995-08-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Combustion device
JP3081886B2 (ja) * 1993-06-30 2000-08-28 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
JPH0710935U (ja) * 1993-07-24 1995-02-14 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉
JP3474258B2 (ja) * 1994-04-12 2003-12-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
KR0147432B1 (ko) * 1994-06-03 1998-11-02 김주용 반도체 소자의 게이트 절연막 형성방법
JP3188967B2 (ja) * 1994-06-17 2001-07-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JPH08186081A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JPH08264521A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造用反応炉
KR960039211A (ko) * 1995-04-04 1996-11-21 김주용 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법
US5891809A (en) * 1995-09-29 1999-04-06 Intel Corporation Manufacturable dielectric formed using multiple oxidation and anneal steps
JPH09115904A (ja) 1995-10-14 1997-05-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化膜の作製方法及び酸化膜の作製装置
JP3373990B2 (ja) * 1995-10-30 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びその方法
JP4001960B2 (ja) * 1995-11-03 2007-10-31 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 窒化酸化物誘電体層を有する半導体素子の製造方法
JP3402881B2 (ja) 1995-11-24 2003-05-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3971810B2 (ja) * 1995-11-30 2007-09-05 三星電子株式会社 縦型拡散炉
KR0136232Y1 (ko) * 1996-02-28 1999-03-20 김광호 반도체 제조 장치
JPH09260363A (ja) 1996-03-21 1997-10-03 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置
JPH09260364A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法および熱処理装置
US5880040A (en) * 1996-04-15 1999-03-09 Macronix International Co., Ltd. Gate dielectric based on oxynitride grown in N2 O and annealed in NO
JP3981426B2 (ja) 1996-07-12 2007-09-26 シャープ株式会社 ゲート絶縁膜形成方法
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US5879458A (en) * 1996-09-13 1999-03-09 Semifab Incorporated Molecular contamination control system
JPH10144617A (ja) * 1996-11-11 1998-05-29 Sharp Corp 熱処理炉
JPH10163186A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Sony Corp 酸化装置
JP3155487B2 (ja) * 1997-02-12 2001-04-09 株式会社日立国際電気 ウェット酸化装置およびウェット酸化方法
JP3949211B2 (ja) * 1997-03-06 2007-07-25 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP3270730B2 (ja) * 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JPH10340909A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6063698A (en) * 1997-06-30 2000-05-16 Motorola, Inc. Method for manufacturing a high dielectric constant gate oxide for use in semiconductor integrated circuits
US5948300A (en) * 1997-09-12 1999-09-07 Kokusai Bti Corporation Process tube with in-situ gas preheating
JP3567070B2 (ja) * 1997-12-27 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JPH11354516A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Sony Corp シリコン酸化膜形成装置及びシリコン酸化膜形成方法
JP3472482B2 (ja) * 1998-06-30 2003-12-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
US6123993A (en) * 1998-09-21 2000-09-26 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus for forming low dielectric constant polymeric films
US6217659B1 (en) * 1998-10-16 2001-04-17 Air Products And Chemical, Inc. Dynamic blending gas delivery system and method
US6191388B1 (en) * 1998-11-18 2001-02-20 Semitool, Inc. Thermal processor and components thereof
US6302963B1 (en) * 1999-12-21 2001-10-16 Axcelis Technologies, Inc. Bell jar having integral gas distribution channeling
US6645302B2 (en) * 2000-04-26 2003-11-11 Showa Denko Kabushiki Kaisha Vapor phase deposition system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002091447A1 (fr) * 2001-05-09 2002-11-14 Tokyo Electron Limited Traitement thermique de semi-conducteur et systeme a cet effet
US6903030B2 (en) 2001-05-09 2005-06-07 Tokyo Electron Limited System and method for heat treating semiconductor
KR101107656B1 (ko) * 2003-12-10 2012-01-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
KR20170135693A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
US10290492B2 (en) 2016-05-31 2019-05-14 Kokusai Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
US20030022523A1 (en) 2003-01-30
US6984267B2 (en) 2006-01-10
JP2000021876A (ja) 2000-01-21
KR100514131B1 (ko) 2005-09-09
JP3472482B2 (ja) 2003-12-02
US6468926B1 (en) 2002-10-22
TW440969B (en) 2001-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100514131B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법과 제조 장치
US6017784A (en) Manufacture method of semiconductor device with suppressed impurity diffusion from gate electrode
US7923319B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device circuit device
US6140187A (en) Process for forming metal oxide semiconductors including an in situ furnace gate stack with varying silicon nitride deposition rate
US6791138B2 (en) Use of atomic oxygen process for improved barrier layer
US6518113B1 (en) Doping of thin amorphous silicon work function control layers of MOS gate electrodes
JPH1174485A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2008244059A (ja) 半導体装置の製造方法
US6806149B2 (en) Sidewall processes using alkylsilane precursors for MOS transistor fabrication
JP2002198526A (ja) 半導体装置の製造方法
US20110006375A1 (en) Method of forming a high-k gate dielectric layer
TWI223352B (en) Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device
JP2002151684A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR100672812B1 (ko) 이미지 센서와 그 제조 방법
WO1997018585A1 (en) Tri-layer pre-metal interlayer dielectric compatible with advanced cmos technologies
KR100549974B1 (ko) 바이폴라 및 바이씨모스 디바이스의 제조방법
JP2008235397A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07130668A (ja) 半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法と、基板熱処理方法及び化学気相堆積方法
JP2008010881A (ja) 半導体装置の製造方法
KR19980081779A (ko) Ｍｏｓ 트랜지스터와 그 제조 방법
JP2000164857A (ja) 半導体装置の製造方法
US20090023273A1 (en) Method of fabricating semiconductor device
JP2003178990A (ja) 基板熱処理方法、半導体装置の製造方法、化学気相堆積方法及ディスプレイ
JPH06267857A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003109953A (ja) 窒化シリコン膜の形成方法、ゲート絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120821

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130822

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140825

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150730

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160818

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170818

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term