JP5928133B2 - エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法に関し、詳しくは、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハの表面にシリコンをエピタキシャル成長させる場合に、多結晶シリコン膜表面のくもりの発生を防止することができるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法に関する。

近年、デバイスの高集積化に伴いエピタキシャルシリコンウェーハ（以下、単に「エピタキシャルウェーハ」ともいう）が多く用いられている。エピタキシャルウェーハは、シリコン基板上にシリコンをエピタキシャル成長させることにより製造される。シリコンのエピタキシャル成長には化学的気相成長（ＣＶＤ）法が主として用いられている。

ＣＶＤ法では、シリコン（Ｓｉ）を含んだ原料ガスをキャリアガス（通常はＨ₂）とともに反応炉内に導入し、原料ガスの熱分解または還元により生成されたＳｉを高温に加熱されたシリコン基板上にエピタキシャル層として析出させる。Ｓｉを含んだ原料ガス（シリコンソース）としては、主として四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ₄）やトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ₃）が使用されている。

ところで、エピタキシャルウェーハを含め、一般に、シリコンウェーハは、デバイス製造工程における、鉄、銅、ニッケルなどの重金属汚染を防止するため、重金属イオンがデバイス層に到達しないように、シリコンウェーハに対してゲッタリング処理が施される。このゲッタリング処理法の一つに、ウェーハ裏面に多結晶シリコン（ポリシリコン）膜をＣＶＤ成長させることにより歪み層を形成させ、この歪み層をゲッタリングシンクとして重金属イオンを捕獲する方法がある。

例えば、特許文献１には、エクストリンシックゲッタリング（ＥＧ）処理の具体例として、シリコンウェーハの裏面にポリシリコン層を形成することにより歪み層を形成し、この歪み層を捕獲拠点として重金属不純物を捕獲するというゲッタリングの処理が施されたエピタキシャルウェーハが記載されている。

以下、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハ（以下、「ＰＢＳ（ポリバックシール）ウェーハ」とも記す）上にシリコンをエピタキシャル成長させる場合について説明する。

図１は、エピタキシャルウェーハの製造に用いられるエピタキシャル成長装置の構成例を示す平面図である。図１に示すように、エピタキシャル成長装置は、シリコンウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させる反応室（プロセスチャンバー）１ａ、１ｂと、この反応室１ａ、１ｂ内にウェーハを搬送するウェーハ移載室（トランスファーチャンバー）２と、前記反応室１ａ、１ｂとウェーハ移載室２との連絡部に設けられた仕切り可動機構（ゲートバルブ）３ａ、３ｂとを備えている。ウェーハ移載室２内には、仕切り可動機構３ａ、３ｂの設置位置の近傍からウェーハ移載室２内へ向けて窒素ガス（Ｎ₂）を供給できるように、また反応室１ａ、１ｂ内には、水素ガス（Ｈ₂）を供給できるように構成されている。

図１に示した装置を用いて裏面に多結晶シリコン膜を備えたＰＢＳウェーハの表面にシリコンをエピタキシャル成長させるには、先ず、窒素ガス、水素ガスを供給してウェーハ移載室２内および反応室１ａ、１ｂ内をそれぞれ窒素雰囲気および水素雰囲気にしておく。続いて、ウェーハ移載室２内にＰＢＳウェーハを搬入し、仕切り可動機構３ａ、３ｂを開いて、反応室１ａ、１ｂ内に配置したウェーハ支持部材（サセプタ）上に前記ウェーハを載置する。次いで、仕切り可動機構３ａ、３ｂを閉止して反応室１内を所定温度まで昇温し、水素ガス雰囲気下でベーク処理を行う。その後反応室１ａ、１ｂ内に水素ガスをキャリアガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ₃）等の原料ガスを供給し、所定の温度、時間でエピタキシャル成長処理をする。エピタキシャル層が所定厚さに達した後、原料ガスの供給を停止し、キャリアガスのみの供給に切り替える。

エピタキシャル成長処理が終了した後、仕切り可動機構３ａ、３ｂを開き、ウェーハ支持部材上に載置されたＰＢＳウェーハを反応室１ａ、１ｂ内からウェーハ移載室２内へ搬出する。続いて、ロードロック室（図示せず）を経てウェーハ移載室２から装置外へ搬出することにより、裏面に多結晶シリコン膜を備えたエピタキシャルウェーハが得られる。

ところで、本発明者が行った実験によれば、ＰＢＳウェーハ用いてエピタキシャル成長処理を施すと、ＰＢＳウェーハの裏面が白く曇ったような外観を呈する場合がある（以下、「裏面くもり」という）ことが判明した。裏面くもりが生じると、裏面外観不良となり、製品歩留りが低下してしまうことになる。

これまで、裏面に多結晶シリコン膜を備えていない、通常のシリコンウェーハを用いたエピタキシャル成長処理においては、エピタキシャル成長処理後にウェーハ裏面にくもりが発生することが知られているが、多結晶シリコン膜表面にくもりが発生することについての報告はない。

特開２００３−１８８１７６号公報

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハ（ＰＢＳウェーハ）の上面にシリコンをエピタキシャル成長させる場合に、当該ＰＢＳウェーハにおける裏面くもりの発生を防止することができるエピタキシャルウェーハの製造方法の提供を目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明者は、エピタキシャル成長処理後のＰＢＳウェーハの裏面くもりについて詳細に調査した。その結果、裏面くもりが発生しているエピタキシャルウェーハにおいては、ウェーハ裏面の外周に沿って帯状に面の粗い部分（ここでは、「裏面Ｈａｌｏ」、または単に「Ｈａｌｏ」と記す）が生じており、裏面くもりが強いウェーハでは、このＨａｌｏの幅が広く、ウェーハの内側まで入り込んでいることが観察された。

図２は、裏面くもりが発生しているＰＢＳウェーハについてのＴＭＳ（Ｔｅｘｔｕｒｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｓｙｓｔｅｍ）評価結果の一例をスケッチした図である。ＰＢＳウェーハ４（裏面）の外周部近傍（同図中に符合ａを付した部分）からウェーハ４の内側（符合ｂ、ｃを付した部分）へ向けて裏面Ｈａｌｏが発生しており（面の粗さの程度は、ａ、ｂ、ｃの順に弱まる）、これらの部分を中心に裏面くもりとして観察される。帯状に発生している裏面Ｈａｌｏの最も幅の広い部分（同図中に符合Ｈｗを付した部分）をここではＨａｌｏ幅という。なお、符合ｄを付した部分では概ね正常な状態が維持されている。

さらに、Ｈａｌｏ発生部分を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、後述する実施例に示すように、多結晶シリコンが粒成長していることが判明した。また、ＰＢＳウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する前に実施する水素ベーク処理後にＰＢＳウェーハの裏面（多結晶シリコン膜表面）を観察すると、裏面Ｈａｌｏが発生していることが確認された。

これらの調査結果から、裏面Ｈａｌｏの発生原因は、ＰＢＳウェーハ裏面の多結晶シリコンが、ウェーハの裏面に回り込んだ雰囲気ガス（Ｈ₂）に晒された状態で熱処理されることにより、粒成長したことによるものと考えられる。

そこで、前記図１に示した構成を有するエピタキシャル成長装置を用いてＰＢＳウェーハの表面側にシリコンエピタキシャル膜を形成する際に、ウェーハ移載室内のＰＢＳウェーハを反応室内に搬送する直前における移載室内の圧力を反応室内の圧力よりも高めた状態で仕切り可動機構を開き、ウェーハ移載室内のシリコンウェーハを反応室内に搬送して、ウェーハ支持部材上にＰＢＳウェーハを載置し、エピタキシャル処理を行ったところ、後述する実施例に示すように、ＰＢＳウェーハにおける裏面くもりの発生を防止することができた。さらに、反応室内の圧力とウェーハ移載室内の圧力の差（差圧）が６７Ｐａ〜２６６Ｐａ（０．５ｔｏｒｒ〜２ｔｏｒｒ）の範囲内のとき、特に良好な結果が得られることを確認した。

本発明は、前記の新たな知見に基づきなされたもので、下記のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を要旨とする。

すなわち、エピタキシャル膜を成長させる反応室と、前記反応室と連通し前記反応室内にウェーハを搬送するウェーハ移載室と、前記反応室と前記移載室との連通部に設けられ反応室と移載室とのガスの流通を開放・閉止する仕切り可動機構とを備えたエピタキシャル成長装置を用い、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハの表面側にシリコンエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、窒素ガス雰囲気とした前記移載室内の圧力を水素ガス雰囲気とした前記反応室内の圧力よりも高め、前記反応室の圧力値に対する前記移載室の圧力値の差圧を６７Ｐａ〜２６７Ｐａ（０．５ｔｏｒｒ〜２ｔｏｒｒ）の範囲内に調整した状態で前記可動機構を開放し、前記移載室内のシリコンウェーハを前記反応室内に搬送すると共に、前記移載室内の圧力と前記反応室内の圧力の差を利用して前記移載室内の窒素ガスを反応室内に供給し、反応室内に設けたウェーハ支持部材に対してシリコンウェーハの多結晶シリコン膜側が支持されるように前記シリコンウェーハを載置し、前記シリコンウェーハと前記ウェーハ支持部材の本体との間に、窒素ガスと前記反応室内の雰囲気ガスとが閉じこめられた状態とし、前記可動機構を閉止して前記反応室内への窒素ガスの供給を停止した後、シリコンウェーハ表面にシリコンエピタキシャル膜を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法である。

また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法（前記の実施形態を含む）において、前記ウェーハ支持部材により前記シリコンウェーハの裏面側外周部をリング状に線接触支持またはリング状に面接触支持することが望ましい。
前記エピタキシャル成長装置は、前記移載室と前記反応室との連結部を介して前記移載室に窒素ガスが導入されるように構成されていることが望ましい。

本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハ（ＰＢＳウェーハ）の表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハを製造するに際し、当該ＰＢＳウェーハにおける裏面くもりの発生を防止することができる。

エピタキシャルウェーハの製造に用いられるエピタキシャル成長装置の構成例を示す平面図である。 裏面くもりが発生しているＰＢＳウェーハについてのＴＭＳ評価結果の一例をスケッチした図である。 本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法で使用するウェーハ支持部材の断面形状および使用方法を例示する図で、（ａ）はウェーハ載置前の状態を、（ｂ）はウェーハ載置後の状態を表している。 多結晶シリコン膜表面のＳＥＭによる観察結果で、（ａ）はＨａｌｏ発生部、（ｂ）はウェーハセンター部である。

本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、前記のとおり、エピタキシャル膜を成長させる反応室と、前記反応室内にウェーハを搬送するウェーハ移載室と、前記反応室と前記移載室との連通部に設けられた仕切り可動機構とを備えたエピタキシャル成長装置を用い、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハ（ＰＢＳウェーハ）の表面側にシリコンエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハを製造することを前提としている。

本発明の製造方法は、このエピタキシャルウェーハの製造方法を実施するに際し、窒素ガス雰囲気とした前記移載室内の圧力を水素ガス雰囲気とした前記反応室内の圧力よりも高め、前記反応室の圧力値に対する前記移載室の圧力値の差圧を６７Ｐａ〜２６７Ｐａ（０．５ｔｏｒｒ〜２ｔｏｒｒ）の範囲内に調整した状態で前記可動機構を開放し、前記移載室内のシリコンウェーハを前記反応室内に搬送すると共に、前記移載室内の圧力と前記反応室内の圧力の差を利用して前記移載室内の窒素ガスを反応室内に供給し、反応室内に設けたウェーハ支持部材に対してシリコンウェーハの多結晶シリコン膜側が支持されるように前記シリコンウェーハを載置し、前記シリコンウェーハと前記ウェーハ支持部材の本体との間に、窒素ガスと前記反応室内の雰囲気ガスとが閉じこめられた状態とし、前記可動機構を閉止して前記反応室内への窒素ガスの供給を停止した後、シリコンウェーハ表面にシリコンエピタキシャル膜を形成する方法である。

前記の図１を参照して本発明の製造方法を説明する。
本発明の製造方法において、窒素ガス雰囲気としたウェーハ移載室２内の圧力を水素ガス雰囲気とした反応室１ａ、１ｂ内の圧力よりも高めた状態で仕切り可動機構３ａ、３ｂを開放するのは、可動機構３ａ、３ｂを開放したときに、移載室内の圧力と反応室内の圧力の差を利用してウェーハ移載室２内の窒素ガスを反応室１ａ、１ｂ内に流入させることによって、反応室内に搬送したＰＢＳウェーハ裏面への反応室内雰囲気ガス（Ｈ₂）の回り込みを抑制し、ウェーハ裏面の多結晶シリコンの粒成長を抑えるためである。反応室１ａ、１ｂ内に流れ込んだ窒素ガスが、ウェーハを支持部材に載せることによりウェーハと支持部材間に残留し、この残留窒素ガスが反応室内雰囲気ガス（Ｈ₂）のＰＢＳウェーハ裏面への回り込みを抑え、多結晶シリコンの粒成長を抑制していると推測される。

ウェーハ移載室の圧力および反応室の圧力は、それぞれの室内に取り付けられた圧力センサー（図示せず）で測定することができる。

ウェーハ移載室と反応室の圧力差は後述する実施例に示すように、ウェーハ移載室内の圧力が反応室内の圧力より僅かでも高ければ、その分裏面くもりは改善される。

続いて、ウェーハ移載室２内のシリコンウェーハを前記反応室１ａ、１ｂ内に搬送し、反応室内に設けたウェーハ支持部材に対してシリコンウェーハの多結晶シリコン膜側が支持されるように前記シリコンウェーハを載置した後、仕切り可動機構３ａ、３ｂを閉止して反応室内への窒素ガスの供給を停止する。このようにウェーハを載置することにより、後に反応室１ａ、１ｂ内に原料ガスおよびドーパントガスを供給したとき、ウェーハ表面で反応が進行し、シリコンエピタキシャル膜が形成される。仕切り可動機構３ａ、３ｂを閉止するのは、ウェーハ移載室２からの窒素ガスの流入を遮断してウェーハ表面における窒化物の形成を防止するためである。

その後、シリコンウェーハ表面にシリコンエピタキシャル膜を形成する。この工程は、反応室内にキャリアガスと共に原料ガスおよびドーパントガスを供給し、通常行われている方法に準じて行えばよい。

本発明の製造方法においては、後述する実施例に示すように、前記反応室の圧力値に対する前記ウェーハ移載室の圧力値の差圧を６７Ｐａ〜２６６Ｐａ（０．５ｔｏｒｒ〜２ｔｏｒｒ）の範囲内に調整する。前記差圧が６７Ｐａ（０．５ｔｏｒｒ）より小さければ、ウェーハ移載室内の窒素ガスの反応室内への流入が弱く、前述の反応室内雰囲気ガス（Ｈ₂）のＰＢＳウェーハ裏面への回り込みを十分に抑制できない場合があり、裏面くもりが発生し易くなる。一方、差圧が２６６Ｐａ（２ｔｏｒｒ）より大きいと、反応炉内での反応生成物の巻き上げによりパーティクルが発生し易く、ウェーハ表面のＬＰＤ個数が著しく増加する恐れがある。

本発明の製造方法において、ウェーハ支持部材によりシリコンウェーハの裏面側外周部をリング状に線接触支持またはリング状に面接触支持することとすれば、ウェーハと支持部材間に残留している窒素ガスをより長くとどめ、それにより雰囲気ガス（Ｈ₂）のＰＢＳウェーハ裏面への回り込みを抑えることができるので、ＰＢＳウェーハにおける裏面くもりの発生をより効果的に防止することができる。

図３は、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法で使用するウェーハ支持部材（サセプタ）の断面形状および使用方法を例示する図で、（ａ）はウェーハ載置前の状態を、（ｂ）はウェーハ載置後の状態を表している。図３に示すように、ウェーハ支持部材５の本体５ａは円盤状で中央部の広範囲にわたって窪みを有している。支持部材５の本体５ａには、支持部材５上に載置するＰＢＳウェーハの高さ方向位置を調節するための複数の治具５ｂが上下動可能に取り付けられている。ＰＢＳウェーハ４は、ウェーハ支持部材５に対してシリコンウェーハ４ａ側を上方に向け、多結晶シリコン膜４ｂ側で支持されるように載置される。

図３（ａ）はＰＢＳウェーハ４を支持部材５に載置する直前の状態で、ＰＢＳウェーハ４とウェーハ支持部材５の本体５ａとの間には、ウェーハ移載室から反応室内に窒素ガス（Ｎ₂）が流れ込み、反応室内の雰囲気ガス（Ｈ₂）と混在した状態になっている。図３（ｂ）はウェーハ支持部材５の治具５ｂが下降してＰＢＳウェーハ４の外周部下側を支持部材５でリング状に線接触支持した状態を表している。ＰＢＳウェーハ４とウェーハ支持部材５の本体５ａとの間には、窒素ガス（Ｎ₂）と反応室内の雰囲気ガス（Ｈ₂）とが閉じこめられた状態になっており、その外側からの雰囲気ガス（Ｈ₂）の侵入が妨げられ、ＰＢＳウェーハにおける裏面くもりの発生をより効果的に防止することができるものと推測される。

図示した例では、ＰＢＳウェーハ４の外周部下側を支持部材５でリング状に線接触支持しているが、これに限らず、狭い幅をもたせたリング状の面でウェーハ外周部を面支持できるようなウェーハ支持部材を用いてもよい。

本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は上記のように特徴づけられるが、工程順に記述すると以下のとおりである。
（１）水素ガス雰囲気の反応室内に窒素ガスを供給する。
前述した本発明の製造方法では、移載室内の圧力と反応室内の圧力の差を利用して反応室内に窒素ガスを供給する。前述のように、窒素ガスの供給は、ウェーハを支持部材上に載置する前に行うことが必要である。
（２）裏面に多結晶シリコン膜付きのシリコンウェーハをウェーハ支持部材上に載置する。ウェーハ支持部材は、前記図３に例示した形状のものが望ましい。穴などの開口部のある支持部材では、ウェーハと支持部材間に雰囲気ガス（Ｈ₂）が侵入し易いため残留窒素ガスが留まりにくく、裏面くもり防止効果が低下する。
（３）ウェーハを支持部材上に載置した後、窒素ガスの供給を停止し、水素ガスのみを供給する。
（４）水素ベーク処理をしてシリコンウェーハ表面の自然酸化膜を除去する。
（５）エピタキシャル成長処理を行い、シリコンウェーハ表面にエピタキシャル膜を形成させる。

前記図１に示した構成を有するエピタキシャル成長装置を用い、反応室内の圧力に対するウェーハ移載室内の圧力の差（差圧）を−１３３Ｐａ〜５３２Ｔｏｒｒ（−１Ｔｏｒｒ〜４Ｔｏｌｌ）の範囲内で変更する実験を行った。なお、反応室内のウェーハ支持部材には、前記図３に示した支持部材（サセプタ）を使用した。

本実験で使用したシリコンウェーハの仕様およびエピタキシャル成長処理条件を以下に示す。
シリコンウェーハ仕様
直径：２００ｍｍ、極性：ｐ型、結晶方位：（１００）
ウェーハ裏面仕様：ＰＢＳ（Ｐｏｌｙ Ｂａｃｋ Ｓｅａｌ）
多結晶シリコン厚み：０．８μｍ
エピタキシャル成長条件
水素ベーク温度 ：１１６０℃
エピタキシャル成長温度 ：１１２０℃
キャリアガス ：水素ガス（Ｈ₂）
Ｓｉ原料ガス ：トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ₃）
ドーパントガス ：ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）
エピタキシャル膜厚 ：５μｍ
エピタキシャル膜抵抗率 ：１０Ωｃｍ

得られた各エピタキシャルシリコンウェーハについて、ウェーハ裏面（多結晶シリコン膜表面）で観察されるＨａｌｏ幅、裏面くもりおよびウェーハ表面のＬＰＤ個数を調査した。

調査結果を表１に示す。各条件とも５枚のウェーハについての評価の結果である。なお、表１において、「差圧」とは、「移載室内の圧力」−「反応室内の圧力」であり、差圧を表す数値に付した「−」は、反応室内の圧力の方がウェーハ移載室内の圧力よりも高いことを意味する。

表１に示した「Ｈａｌｏ幅」、「裏面くもり」および「ＬＰＤ個数」についての評価の基準を表２に示す。Ｈａｌｏ幅および裏面くもりについては、蛍光灯の照明下で目視観察により調査した。ＬＰＤ個数については、ＬＰＤ測定器（Ｔｅｎｃｏｒ社製、Ｓｕｒｆｓｃａｎ ６２２０）により測定した。また、得られたウェーハの一部については、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により多結晶シリコン膜表面の観察を行った。

表１に示したように、反応室内の圧力の方がウェーハ移載室内の圧力よりも高いか（条件１）、または同じである（条件２）場合にくらべて、ウェーハ移載室内の圧力の方が反応室内の圧力よりも高い（条件３〜条件１０）場合は、Ｈａｌｏ幅および裏面くもりの改善が認められた。ただし、差圧が大きすぎると、ＬＰＤ個数が増加した。

特に、差圧が６７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）〜２６６Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）（条件４〜条件７）の場合、Ｈａｌｏ幅が狭く、裏面くもりは認められず、ＬＰＤ個数も少なかった。

図４は、多結晶シリコン膜表面のＳＥＭによる観察結果で、（ａ）はＨａｌｏ発生部、（ｂ）はウェーハセンター部である。この観察結果によると、裏面くもりのないウェーハセンター部では粒成長はみられないが、Ｈａｌｏ発生部では粒成長していることがわかる。

本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法によれば、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハ（ＰＢＳウェーハ）の表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェーハの製造における裏面くもりの発生を防止することができる。

１ａ、１ｂ：反応室（プロセスチャンバー）、
２：ウェーハ移載室（トランスファーチャンバー）、
３ａ、３ｂ：仕切り可動機構（ゲートバルブ）、
４：ＰＢＳウェーハ、 ４ａ：シリコンウェーハ、 ４ｂ：多結晶シリコン膜
５：ウェーハ支持部材、 ５ａ：本体、 ５ｂ：治具

Claims (3)

1. エピタキシャル膜を成長させる反応室と、前記反応室と連通し前記反応室内にウェーハを搬送するウェーハ移載室と、前記反応室と前記移載室との連通部に設けられ反応室と移載室とのガスの流通を開放・閉止する仕切り可動機構とを備えたエピタキシャル成長装置を用い、裏面に多結晶シリコン膜を備えたシリコンウェーハの表面側にシリコンエピタキシャル膜を形成するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、
   窒素ガス雰囲気とした前記移載室内の圧力を水素ガス雰囲気とした前記反応室内の圧力よりも高め、前記反応室の圧力値に対する前記移載室の圧力値の差圧を６７Ｐａ〜２６７Ｐａ（０．５ｔｏｒｒ〜２ｔｏｒｒ）の範囲内に調整した状態で前記可動機構を開放し、
   前記移載室内のシリコンウェーハを前記反応室内に搬送すると共に、前記移載室内の圧力と前記反応室内の圧力の差を利用して前記移載室内の窒素ガスを反応室内に供給し、
   反応室内に設けたウェーハ支持部材に対してシリコンウェーハの多結晶シリコン膜側が支持されるように前記シリコンウェーハを載置し、
   前記シリコンウェーハと前記ウェーハ支持部材の本体との間に、窒素ガスと前記反応室内の雰囲気ガスとが閉じこめられた状態とし、
   前記可動機構を閉止して前記反応室内への窒素ガスの供給を停止した後、
   シリコンウェーハ表面にシリコンエピタキシャル膜を形成することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
2. 前記ウェーハ支持部材により前記シリコンウェーハの裏面側外周部をリング状に線接触支持またはリング状に面接触支持することを特徴とする請求項１記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
3. 前記エピタキシャル成長装置は、前記移載室と前記反応室との連結部を介して前記移載室に窒素ガスが導入されるように構成されたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。