JP5246065B2 - エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法 - Google Patents
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Description
atoms/cm3の範囲内であり、ゲルマニウムの濃度が7.0×1019〜1.0×1020
atoms/cm3の範囲内あることが好ましい。シリコン結晶基板の素材であるシリコンインゴットの引き上げプロセスにおいて、インゴットが引き上げられる元の溶融シリコンにリンとゲルマニウムを同時にドープするときのそれぞれの濃度を調整することにより、上記のような範囲内で高濃度のリンとゲルマニウムを含んだシリコン結晶基板を得ることができる。上記のような範囲内の高濃度のリンとゲルマニウムとがドープされたシリコン結晶基板の電気抵抗率は0.8×10−3〜1.5×10−3
Ω・cmの範囲内であり、この電気抵抗率は、パワーMOSトランジスタ用のウェーハに要求される抵抗率条件を満たすものである。
Ω・cmの範囲内で非常に低く、かつ、シリコンエピタキシャル層のミスフィット転位が極めて少なく、かつ、SF(スタッキングフォルト)に起因するLPDの個数が少ないエピタキシャルシリコンウェーハを製造することができる。例えば、パーティクルカウンターであるKLA−Tencor社製SP−1のDCNモードで測定した場合に、ウェーハ表面(シリコンエピタキシャル層の表面)における面積100cm2当たり32個以下(200mmウェーハの表面(314cm2)において、100個以下)、好ましくはウェーハ表面の表面積100cm2当たり10個程度(200mmウェーハの表面において、略30個)、という、パワーMOSトランジスタ用として利用できるエピタキシャルシリコンウェーハが製造される。
Claims (4)
- エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
電気抵抗率調整用n型ドーパントとしてリンがドープされ、かつゲルマニウムがドープされたシリコン結晶基板を用意する第1ステップと、
前記シリコン結晶基板の裏面上に600℃未満の温度でポリシリコン層を形成する第2ステップと、
前記シリコン結晶基板の表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する第3ステップと
を有し、
前記第1ステップで用意される前記シリコン結晶基板のリン濃度が4.7×10 19 〜9.47×10 19 atoms/cm 3 の範囲、かつ前記シリコン結晶基板のゲルマニウム濃度が7.0×10 19 〜1.0×10 20 atoms/cm 3 の範囲にあり、前記第2ステップにおける前記温度が550℃以下である
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記第2ステップにおける前記温度が500℃以下である
請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記第3ステップにおいて、1000〜1090℃の範囲内の温度で前記シリコン結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を形成する
請求項1又は請求項2に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 電気抵抗率調整用n型ドーパントとしてリンがドープされ、かつゲルマニウムがドープされたシリコン結晶基板と、
前記シリコン結晶基板の表面に形成されたシリコンエピタキシャル層と、
前記シリコン結晶基板の裏面側に形成されたポリシリコン層とを備え、
KLA−Tencor社製SP−1のDCNモードで測定した場合に、前記シリコンエピタキシャル層の表面上の0.13μmサイズ以上のライト・ポイント・デフェクトの個数が、表面積100cm2当り32個以下であり、
前記シリコン結晶基板のリン濃度が4.7×10 19 〜9.47×10 19 atoms/cm 3 の範囲、かつ前記シリコン結晶基板のゲルマニウム濃度が7.0×10 19 〜1.0×10 20 atoms/cm 3 の範囲内である
エピタキシャルシリコンウェーハ。
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