JP5568431B2 - エピタキシャルウェハ及びその製造方法 - Google Patents
エピタキシャルウェハ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5568431B2 JP5568431B2 JP2010229005A JP2010229005A JP5568431B2 JP 5568431 B2 JP5568431 B2 JP 5568431B2 JP 2010229005 A JP2010229005 A JP 2010229005A JP 2010229005 A JP2010229005 A JP 2010229005A JP 5568431 B2 JP5568431 B2 JP 5568431B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- crystal
- nitrogen
- hydrogen
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
窒素、および水素の3つをドープさせる方法が提案されている。これにより、ホウ素の添加濃度を2×1016〜1×1015cm−3という比較的高濃度でありながら、水素が
酸素誘起積層欠陥の形成の促進に関して窒素の作用を弱めることに起因して、エピタキシャルウェハ上の層欠陥を増加させず、ゲッター能力および低い層欠陥密度を達成できることが開示している。
であるシリコン結晶を引き上げる工程(工程1)と、前記シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製し、当該シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程(工程2)と、を含む半導体ウェハの製造方法である。
それらの原子空孔が凝集してできたボイドが存在する。
陥であり、かつエピタキシャル層欠陥の原因の一つとしての酸素析出物などの発生を、水素ドープにより制御できる反面、水素添加に由来する欠陥が発生していることが確認される。しかし、本発明の製造方法のように、窒素および水素を所定の範囲で添加し、かつ所定の条件(冷却速度など)にすることで、本発明者らにより見出した泡状のボイド集合体を制御し、泡状のボイド集合体から発生するエピ層欠陥(H起因欠陥)を抑制・防止できることが理解されうる(図7(c)参照)。また、今回発明者らが見出した泡状のボイド集合体は、水素が集合してできた巨大空洞ではなく、原子空孔が凝集して形成されるボイド欠陥が、水素添加することにより形態変化したものであると考えられる。
「工程1について」
以下、本発明に係るエピタキシャルウェハの製造方法を工程ごとに説明する。
および窒素をシリコン融液に添加し、窒素濃度が3×1013atoms/cm3以上3
×1014atoms/cm3以下であるシリコン結晶を引き上げる工程を有する。
1014atoms/cm3以下であることが好ましく、5×1013atoms/cm
3以上2×1014atoms/cm3以下であることがより好ましい。
08/cm3未満となる。その結果、十分なゲッタリング能力がない。また、窒素濃度が3×1014atoms/cm3超の場合、泡状のボイド集合体の比率が0.4超となる。その結果、水素添加起因のエピタキシャル層欠陥が発生してしまう。
「工程2について」
本発明に係るエピタキシャルウェハは、前記シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製し、当該シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程を含む。
ms/cm3以下であるシリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層が形成され、
かつ前記シリコンサブストレートの中に存在するボイドにおいて、不定形のボイドが複数集合した泡状のボイド集合体が、総ボイド数に対して0.4未満である、エピタキシャルウェハである。
(実施例1)
1.シリコンサブストレートウェハの製造
本実施例に用いられるシリコン単結晶製造装置は、通常のCZ法によるシリコン単結晶製造に用いられるもので、一般的な冷却速度を有する第1引上炉と、1100〜1200℃の冷却速度を上げるために熱遮蔽板を特別な方法で冷却した第2引上炉である。なお、本発明を実施する上で、この引上炉は、本発明の育成条件を実施することができるものであれば、特に制限はない。
化膜付きウェハをシリコン融液中に投入することによって窒素添加を行った。また、水素の添加は、水素混合ガスを当該シリコン結晶製造装置における各引上炉中に導入することにより行った。なお、引上炉中の水素分圧(mbar)は、下記の表1に記載した条件で行った。
窒素濃度および水素分圧を下記表1に記載した条件で行った点以外は、実施例1と同様にして行った。
窒素濃度、冷却速度および水素分圧を下記表1に記載した条件で行った点以外は、実施例1と同様にして行った。
窒素濃度、冷却速度および水素分圧を下記表1に記載した条件で行った点以外は、実施例1と同様にして行った。
窒素濃度、冷却速度および水素分圧を下記表1に記載した条件で行った点以外は、実施例1と同様にして行った。
2.シリコンサブストレートウェハにおける窒素濃度測定
上記方法で引上げた結晶をスライスして得られたシリコンサブストレートウェハの窒素濃度は、二次イオン質量分析装置(SIMS)を用いて測定した。但し、5×1014atoms/cm3以下の窒素濃度を有するウェハはSIMSを用いて測定できないため、以下の数式により求めた窒素濃度を使用した。かかる数式について以下、詳細に説明する。
3.シリコンサブストレートウェハのOSF評価
上記方法で引上げた結晶をスライスして得られたサブストレートのOSF評価は、下記の方法で行った。まず、シリコンサブストレートウェハを1100℃で1時間、水蒸気含有酸素雰囲気中で酸化処理した。その後、フッ酸で酸化膜を除去し、それからライトエッチ液にてエピ層厚み分を1.5μmエッチングし、表面に発生した楕円状、半月状または棒状のOSFピットを光学顕微鏡で観察した。OSF面積密度[個/cm2]は、光学顕微鏡にて直径2.5mmの視野でウェハの直径方向を走査してOSFピット個数をカウントし、「OSFピット個数/観察面積」で求めた。OSF面積密度が100個/cm2以上となる領域をOSF領域とした。このようにして決定したOSF領域の内径及び外径[cm]を下記表1に記載した。
4.エピタキシャルウェハの製造およびその評価
上記の方法で育成したシリコン結晶をスライス・鏡面加工して得られたサブストレートに、エピタキシャル法によりシリコン単結晶層(エピタキシャル層)を堆積して半導体ウェハ(エピタキシャルウェハ)を製造した。
5.エピタキシャルウェハのBMD測定
エピタキシャルウェハのBMDは次の方法により測定した。まず、上記の方法で作製したエピタキシャルウェハを1000℃で16時間の析出熱処理を施し、その後、レイテックス社製BMDアナライザー(MO−4)でBMD密度を測定した。
6.エピタキシャルウェハのエピタキシャル層欠陥の測定
エピタキシャルウェハのエピタキシャル層欠陥は次の方法により測定した。まず、エピタキシャルウェハをKLA tencor社製のSP−1で測定し、0.09μm以上のLPD位置を同定した。その後、前記LPD位置をAFMにて測定し、表面に付着している異物以外のLPDをエピタキシャル層欠陥と同定した。当該同定したエピタキシャル層欠陥のうち、サブストレートのOSF領域に対応する位置に発生しているエピタキシャル層欠陥をN起因欠陥とし、OSF領域より内側に発生しているエピタキシャル層欠陥をH起因欠陥と同定した。このようにして決定したH起因欠陥、およびN起因欠陥の個数を表1に記載する。
101 泡状のボイド集合体
102 ボイド(窒素添加由来)
111 シリコンウェハ
Claims (3)
- チョクラルスキー法により、水素および窒素をシリコン融液に添加し、前記シリコン融液から窒素濃度が3×1013atoms/cm3以上3×1014atoms/cm3以下であるシリコン結晶を成長させる工程を含み、0.1mbar以上0.4mbar以下の水素分圧の雰囲気下で前記シリコン結晶を成長させることにより前記水素が前記シリコン融液に添加され、1100〜1200℃における前記シリコン結晶の冷却速度が3.5℃/分以上であり、
前記シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製する工程と、
前記シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程と、を含むエピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記シリコン結晶中の前記窒素濃度が5×1013atoms/cm3以上2×1014atoms/cm3以下である、請求項1に記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記水素分圧が0.2mbar以上0.35mbar以下である、請求項1または2記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010229005A JP5568431B2 (ja) | 2009-10-08 | 2010-10-08 | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009234494 | 2009-10-08 | ||
JP2009234494 | 2009-10-08 | ||
JP2010229005A JP5568431B2 (ja) | 2009-10-08 | 2010-10-08 | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011098883A JP2011098883A (ja) | 2011-05-19 |
JP5568431B2 true JP5568431B2 (ja) | 2014-08-06 |
Family
ID=43259717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010229005A Active JP5568431B2 (ja) | 2009-10-08 | 2010-10-08 | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8241421B2 (ja) |
EP (1) | EP2309038B1 (ja) |
JP (1) | JP5568431B2 (ja) |
KR (1) | KR101178677B1 (ja) |
CN (1) | CN102031557B (ja) |
SG (1) | SG170676A1 (ja) |
TW (1) | TWI402383B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2977974B1 (fr) * | 2011-07-13 | 2014-03-07 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de mesure de defauts dans un substrat de silicium |
JP6052189B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2016-12-27 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 |
CN104155302B (zh) * | 2014-07-03 | 2017-02-15 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 检测硅晶体缺陷的方法 |
DE102015224983B4 (de) | 2015-12-11 | 2019-01-24 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zu deren Herstellung |
CN106884203A (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-23 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 单晶硅锭及晶圆的形成方法 |
CN108505114B (zh) * | 2017-02-28 | 2021-03-05 | 胜高股份有限公司 | 外延生长晶圆及其制造方法 |
EP3428325B1 (en) | 2017-07-10 | 2019-09-11 | Siltronic AG | Semiconductor wafer made of single-crystal silicon and process for the production thereof |
JP7312402B2 (ja) * | 2019-11-22 | 2023-07-21 | 株式会社アルバック | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19637182A1 (de) | 1996-09-12 | 1998-03-19 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte |
TW589415B (en) | 1998-03-09 | 2004-06-01 | Shinetsu Handotai Kk | Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer |
US6548886B1 (en) | 1998-05-01 | 2003-04-15 | Wacker Nsce Corporation | Silicon semiconductor wafer and method for producing the same |
JP3989122B2 (ja) | 1998-08-07 | 2007-10-10 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板の製造方法 |
JPH11349393A (ja) | 1998-06-03 | 1999-12-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
KR100622884B1 (ko) | 1998-10-14 | 2006-09-12 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 | 열적으로 어닐링된 저결함 밀도 단결정 실리콘 |
JP4460671B2 (ja) | 1999-03-26 | 2010-05-12 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板及びその製造方法 |
JP3589119B2 (ja) | 1999-10-07 | 2004-11-17 | 三菱住友シリコン株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP4224966B2 (ja) | 1999-10-15 | 2009-02-18 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウエーハの製造方法、エピタキシャルウエーハの製造方法、シリコン単結晶ウエーハの評価方法 |
DE10014650A1 (de) * | 2000-03-24 | 2001-10-04 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Halbleiterscheibe aus Silicium und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe |
JP4182640B2 (ja) | 2000-12-11 | 2008-11-19 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の育成方法 |
JP2003002785A (ja) | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 表層部にボイド無欠陥層を有する直径300mm以上のシリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 |
JP4566478B2 (ja) | 2001-08-09 | 2010-10-20 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
JP4549589B2 (ja) | 2001-09-14 | 2010-09-22 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
JP4567251B2 (ja) | 2001-09-14 | 2010-10-20 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン半導体基板およびその製造方法 |
DE10205084B4 (de) * | 2002-02-07 | 2008-10-16 | Siltronic Ag | Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe |
JP2004224642A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Siltronic Japan Corp | 単結晶製造装置 |
KR100588425B1 (ko) | 2003-03-27 | 2006-06-12 | 실트로닉 아게 | 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
JP4670224B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2011-04-13 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
JP2006054350A (ja) | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 窒素ドープシリコンウェーハとその製造方法 |
JP4797477B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2011-10-19 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
US7435294B2 (en) | 2005-04-08 | 2008-10-14 | Sumco Corporation | Method for manufacturing silicon single crystal, and silicon wafer |
JP5121139B2 (ja) | 2005-12-27 | 2013-01-16 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | アニールウエハの製造方法 |
SG142208A1 (en) * | 2006-10-18 | 2008-05-28 | Siltronic Ag | Process for producing p»-doped and epitaxially coated semiconductor wafers from silicon |
JP4760822B2 (ja) | 2007-12-14 | 2011-08-31 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
2010
- 2010-09-22 EP EP10010219A patent/EP2309038B1/en active Active
- 2010-09-24 KR KR1020100092938A patent/KR101178677B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-01 US US12/895,950 patent/US8241421B2/en active Active
- 2010-10-05 SG SG201007280-9A patent/SG170676A1/en unknown
- 2010-10-06 TW TW099134053A patent/TWI402383B/zh active
- 2010-10-08 CN CN2010105109638A patent/CN102031557B/zh active Active
- 2010-10-08 JP JP2010229005A patent/JP5568431B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201132811A (en) | 2011-10-01 |
CN102031557A (zh) | 2011-04-27 |
SG170676A1 (en) | 2011-05-30 |
EP2309038A1 (en) | 2011-04-13 |
EP2309038B1 (en) | 2013-01-02 |
CN102031557B (zh) | 2013-03-27 |
US20110084366A1 (en) | 2011-04-14 |
TWI402383B (zh) | 2013-07-21 |
KR20110038581A (ko) | 2011-04-14 |
JP2011098883A (ja) | 2011-05-19 |
US8241421B2 (en) | 2012-08-14 |
KR101178677B1 (ko) | 2012-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5568431B2 (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
JP4463957B2 (ja) | シリコンウエーハの製造方法およびシリコンウエーハ | |
JP5023451B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶育成方法 | |
JP4805681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハおよびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP4224966B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法、エピタキシャルウエーハの製造方法、シリコン単結晶ウエーハの評価方法 | |
EP0962557B1 (en) | Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal wafer | |
JPWO2007013189A1 (ja) | シリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP3975605B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハおよびシリコン単結晶ウエーハの製造方法 | |
JP2003124219A (ja) | シリコンウエーハおよびエピタキシャルシリコンウエーハ | |
JP2007176732A (ja) | アニールウエハ及びアニールウエハの製造方法 | |
JP4948354B2 (ja) | p−ドープされかつエピタキシャル被覆された、シリコンからなる半導体ウェハの製造方法 | |
JP3771737B2 (ja) | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 | |
JP2007070131A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | |
JP4102988B2 (ja) | シリコンウエーハおよびエピタキシャルウエーハの製造方法ならびにエピタキシャルウエーハ | |
JP5710104B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP3861524B2 (ja) | シリコンウエーハ及びその製造方法 | |
JP4978396B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JPH11302098A (ja) | シリコンウェーハとシリコンエピタキシャルウェーハ並びにその製造方法 | |
JP2000077418A (ja) | リンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法 | |
JP2000072593A (ja) | アンチモンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ並びにこれらの製造方法 | |
WO2001088230A1 (fr) | Procede de fabrication d'une plaquette de silicium monocristallin, plaquette de silicium monocristallin et plaquette epitaxiale | |
JP5652232B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2003109961A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法 | |
JP2010155748A (ja) | アニ―ルウェハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111024 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130304 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140320 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140623 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5568431 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |