JP6052189B2 - シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、酸化性雰囲気下でのシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法に関する。

近年、デバイスの高集積化に伴い、シリコン（Ｓｉ）単結晶ウェーハの高品質要求が厳しくなっている。ここでいう高品質とは、デバイスが動作する領域で欠陥が無いことである。メモリーやロジックなど従来大量に製造されてきたデバイスの多くは、ウェーハの表面近傍で動作するので、表面近傍の無欠陥化がなされてきた。それらを達成できるウェーハとして、エピタキシャルウェーハ、アニールウェーハ、無欠陥結晶から切り出されたＰＷ（ポリッシュドウェーハ）などがある。

しかし最近では省エネルギーの観点から、パワーデバイスなどが注目されている。このデバイスをＳｉ結晶で作製する場合、大量の電気を流すために、ウェーハの厚み方向に電気を流す場合が多くなってきた。従って、表層近傍だけでなく、ウェーハの内部においても無欠陥化が必要となってきている。これを達成するために、例えばエピタキシャルウェーハにおいてエピタキシャル層の厚さをデバイスとして使う厚さまで厚く積む、ということは可能である。しかしながらこれは非常に高コストであり、現実的ではない。そこで結晶を育成する段階でＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を無くし、結晶全体を無欠陥化した無欠陥結晶からウェーハを切り出すことが有効である。

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥には、格子点のＳｉ原子が欠落したＶａｃａｎｃｙ（空孔）タイプのＶｏｉｄ欠陥と、格子間にＳｉ原子が入り込んだＩｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉ（格子間Ｓｉ、以下Ｉ−Ｓｉと表記することがある）タイプの転位クラスタ欠陥の２種類存在することが知られている。このＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の形成状態は、単結晶の成長速度やシリコン融液から引上げられた単結晶の冷却条件により違いが生じる。

例えば成長速度を比較的大きく設定して単結晶を育成した場合には、Ｖａｃａｎｃｙが優勢になることが知られている。このＶａｃａｎｃｙが凝集して集まった空洞状の欠陥はＶｏｉｄ欠陥と呼ばれ、検出のされ方によって呼称は異なるが、ＦＰＤ（Ｆｌｏｗ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｄｅｆｅｃｔ）、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）あるいはＬＳＴＤ（Ｌａｓｅｒ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ Ｄｅｆｅｃｔ）などとして検出される。これらの欠陥が例えばシリコン基板上に形成される酸化膜に取り込まれると、酸化膜の耐圧不良の原因となるなど、電気的な特性を劣化させると考えられている。
一方で成長速度を比較的低速に設定して単結晶を育成した場合には、Ｉ−Ｓｉが優勢になることが知られている。このＩ−Ｓｉが凝集して集まると、転位ループなどがクラスタリングしたと考えられるＬＥＰ（Ｌａｒｇｅ Ｅｔｃｈ Ｐｉｔ＝転位クラスタ欠陥）が検出される。この転位クラスタ欠陥が生じる領域にデバイスを形成すると、電流リークなど重大な不良を起こすと言われている。

そこでＶａｃａｎｃｙが優勢となる条件とＩ−Ｓｉが優勢となる条件との中間的な条件で結晶を育成すると、ＶａｃａｎｃｙやＩ−Ｓｉが無い、もしくはＶｏｉｄ欠陥や転位クラスタ欠陥を形成しない程度の少量しか存在しない、無欠陥領域が得られる。このような無欠陥結晶を得る方法としては、例えば特許文献１に示されるような炉内温度や成長速度の制御による方法が提案されている。しかしながら、無欠陥結晶は一般に成長速度が遅いので生産性は相対的に低いという問題がある。

更にＣＺ結晶において無欠陥領域を判定する手段は種々あるが、その中のひとつに酸素析出物がある。これはＣＺシリコン結晶中に存在する酸素が、熱処理を加えると酸素析出物（ＳｉＯ_２）を形成するものである。この酸素析出反応はＶａｃａｎｃｙが存在すると進みやすくなる特性があるので、欠陥領域によって酸素析出物の生成状況が異なることを利用して、欠陥領域を判定するものである。
近年パワーデバイスやＲＦデバイスをはじめとして、メモリーやロジックなど様々なデバイスで低酸素品の需要が高まってきている。これは酸素があると低温熱処理でドナー化してしまい抵抗率が変化してしまうこと、デバイスプロセスが綺麗になったため従来行ってきたウェーハ内部に酸素析出物を形成して重金属不純物をゲッタリングするという技術が不要になってきていること、などのためである。一方、低酸素濃度化することにより、前述の酸素析出物による欠陥評価が難しくなり、無欠陥領域の判定が難しくなってきているという問題点もある。

以上のような無欠陥結晶における問題点を解決する手段のひとつが、成長速度を速くすることが可能なＶａｃａｎｃｙ−ｒｉｃｈ領域で結晶を育成することである。しかしこの領域においてはＶａｃａｎｃｙが凝集したＶｏｉｄ欠陥が発生する。そこでこれらのＶｏｉｄ欠陥を消滅させる技術が過去に開示されている。

特許文献２、３では非酸化性熱処理＋酸化熱処理でＶｏｉｄ欠陥を消滅させる技術が開示されている。これらの技術では、まず非酸化性熱処理を施すことにより、ウェーハ表層近傍の酸素を外方拡散させ、空洞状のＶｏｉｄ欠陥の内壁に存在している内壁酸化膜を溶解させる。その後酸化熱処理を行い、表面に形成された酸化膜からＩ−Ｓｉをウェーハ内部に注入してＶｏｉｄ欠陥を埋めるという技術である。特許文献４では処理の順序を逆にした酸化熱処理＋非酸化性熱処理という技術が開示されている。
これらの技術によってＶｏｉｄ欠陥を消滅させることは可能であるが、これらの技術では２段階の熱処理が必要であり高コストである。また表層近傍のＶｏｉｄ欠陥しか消すことができないという問題点がある。
また特許文献５では、１，３００℃で酸化熱処理する方法が開示されている。これは単段の熱処理ではあるが、１，３００℃という高温のため、難易度が高く、ウェーハ汚染やスリップ転位発生の問題もある。

以上の技術では酸素濃度の影響が明確化されていない。酸素濃度の影響を明記したものとしては、例えば特許文献６がある。これは複数のＶｏｉｄ欠陥が連結した形態を増加させることで、熱処理で消えやすくする技術である。しかし、この技術では非酸化性熱処理を行っており、以下に述べる酸化熱処理とは方向が異なり、酸素濃度を増加させたり、冷却速度を遅くしたりする方向が良いとなっている。

これらに対し特許文献７では、酸化熱処理の場合には、酸素濃度が低ければ１，２００℃以下の比較的低温の処理のみでＶｏｉｄ欠陥が消滅することが開示され、公知技術となっている。これはシリコン結晶中の酸素固溶限（平衡濃度）が例えば１，２００℃では約８ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡであり、これより酸素濃度が低い場合には、Ｖｏｉｄの内壁酸化膜が上述の特許文献２、３のように非酸化性熱処理を行わなくとも、溶解するためと考えられる。同時に表面に酸化膜が形成されＩ−Ｓｉが注入されるので、酸化熱処理をしただけで、特別な工程を必要とせずにＶｏｉｄを消滅させることができるわけである。

特許文献８ではこの技術を応用し、低酸素シリコンウェーハに酸化熱処理しＶｏｉｄ欠陥を消滅させる技術が開示されている。しかしながら、特許文献８にはＶｏｉｄサイズや結晶育成条件に関する記載がない。また、特許文献９でも同様の技術が開示されており、こちらはＶｏｉｄサイズとして１００ｎｍと比較的大きなサイズが記載されているが、結晶育成条件やその依存性については触れられていない。後述するがＶｏｉｄサイズが大きくなるような結晶育成条件では、酸化熱処理をしてもＶｏｉｄ欠陥が完全には消えないため、これらの技術ではＶｏｉｄ欠陥を消しきれないという問題がある。またこれらの技術はともに中性子照射品が対象であり、この回復熱処理を兼ねるためか熱処理温度が高めである上、処理時間が長めである。このため低コスト化という点では問題があり、更にはウェーハ汚染やスリップ転位発生の面でも問題があった。

特開平１１−１５７９９６号公報 特開平１１−２６０６７７号公報 ＷＯ２０００／０１２７８６号公報 特開２０１３−８９７８３号公報 ＷＯ２００３／０５６６２１号公報 特開２０００−２７２９９６号公報 ＷＯ２００４／０７３０５７号公報 特開２００６−３４４８２３号公報 特開２０１０−２６５１４３号公報

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、酸化性雰囲気下での熱処理によって、低コストで、効率的、かつ確実にシリコン単結晶ウェーハのＶｏｉｄ欠陥や微小な酸素析出核を消滅させるシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明では、シリコン単結晶ウェーハに酸化性雰囲気下で熱処理を行う方法であって、
前記熱処理を行う際の熱処理温度、前記熱処理を行う前の前記シリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度、及び前記シリコン単結晶ウェーハを切り出すシリコン単結晶の育成条件の３者の相関関係から求められる条件に基づいて熱処理を行うシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法を提供する。

このような熱処理方法であれば、酸化性雰囲気下での熱処理によって、低コストで、効率的、かつ確実にシリコン単結晶ウェーハのＶｏｉｄ欠陥や微小な酸素析出核を消滅させることができる。

またこのとき、前記シリコン単結晶ウェーハとして、窒素がドープされていないシリコン単結晶から切り出されたものを用い、前記３者の相関関係が、下記の関係式（Ａ−１）で表されることが好ましい。
Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ^Ａ＋８６０ （Ａ−１）
（ここで、Ｔ：熱処理温度（℃）、［Ｏｉ］：熱処理を行う前のシリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度（ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ）であり、Ｉｖｏｉｄ^Ａは下記の式（Ａ−２）で示される。）
Ｉｖｏｉｄ^Ａ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３×｛Ｌ（１１５０−１０８０）／Ｖ｝^１／２ （Ａ−２）
（ここで、Ｖ：成長速度（ｍｍ／ｍｉｎ）、Ｇ：界面近傍温度勾配（℃／ｍｍ）、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ：無欠陥となるときのＶ／Ｇの値、Ｌ（１１５０−１０８０）：Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯１，１５０℃−１，０８０℃の距離（ｍｍ）である。）

またこのとき、前記シリコン単結晶ウェーハとして、窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたものを用い、前記３者の相関関係が、下記の関係式（Ｂ−１）で表されることが好ましい。
Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ^Ｂ＋８６０ （Ｂ−１）
（ここで、Ｔ：熱処理温度（℃）、［Ｏｉ］：熱処理を行う前のシリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度（ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ）であり、Ｉｖｏｉｄ^Ｂは下記の式（Ｂ−２）で示される。）
Ｉｖｏｉｄ^Ｂ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３×｛Ｌ（１０８０−１０４０）／２Ｖ｝^１／２ （Ｂ−２）
（ここで、Ｖ：成長速度（ｍｍ／ｍｉｎ）、Ｇ：界面近傍温度勾配（℃／ｍｍ）、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ：無欠陥となるときのＶ／Ｇの値、Ｌ（１０８０−１０４０）：窒素ドープ時のＶｏｉｄ欠陥形成温度帯１，０８０℃−１，０４０℃の距離（ｍｍ）である。）

窒素がドープされていないシリコン単結晶から切り出されたウェーハを用いる場合、窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたウェーハを用いる場合のいずれにおいても、それぞれの関係式を満たす熱処理温度、酸素濃度、結晶育成条件とすることで、確実にＶｏｉｄ欠陥を消滅させることができる。

また、このとき前記シリコン単結晶ウェーハとして、５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたものを用いることが好ましい。

窒素がドープされていなくとも上記条件を満たせばＶｏｉｄ欠陥は消滅するが、窒素がドープされたものであれば、スリップ転位に対する耐性を向上させ、Ｖｏｉｄサイズを小さくすることができる。

またこのとき、前記シリコン単結晶ウェーハとして、Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉに起因する欠陥を含まないシリコン単結晶から切り出されたものを用いることが好ましい。

このようなシリコン単結晶ウェーハを用いれば、Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉに起因する欠陥を含まず、かつ本発明の熱処理方法によってＶｏｉｄ欠陥が消滅した無欠陥のシリコン単結晶ウェーハを得ることができる。

またこのとき、前記熱処理温度は９００℃以上１，２００℃以下であり、熱処理時間は１分以上１８０分以下であることが好ましい。

このような熱処理温度であれば、電気的な特性に影響を与えるサイズのＶｏｉｄ欠陥を消滅させることができ、かつスリップ転位の発生を抑制することができる。
また、このような熱処理時間であれば、熱処理を行うのに十分であり、コストの増加を抑制することができる。

またこのとき、前記シリコン単結晶ウェーハとして、前記酸素濃度が８ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ以下のものを用いることが好ましい。

このような酸素濃度であれば、Ｖｏｉｄ欠陥の消滅に必要な熱処理温度を下げることができるため、コストを下げることができる上、高温になるほど発生しやすい熱処理時のスリップ転位の発生を抑制することができる。

またこのとき、前記シリコン単結晶ウェーハとして、厚さが０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下のものを用いることが好ましい。

このような厚さであれば、容易にウェーハの形状を保つことができ、また熱処理時間が長くなり過ぎないため、コストの増加を抑制することができる。

以上のように、本発明のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法であれば、酸化性雰囲気下での熱処理によって、低コストで、効率的、かつ確実に、スリップ転位の発生を抑制しながらシリコン単結晶ウェーハのＶｏｉｄ欠陥や微小な酸素析出核を消滅させることができる。
また、Ｉ−Ｓｉに起因する欠陥を含まないウェーハを用いることで、Ｖｏｉｄ、Ｉ−Ｓｉの両方に起因する結晶欠陥を含まない無欠陥のシリコン単結晶ウェーハを得ることができる。このようなウェーハであれば、特に、メモリー・ＣＰＵ・パワーデバイスなど半導体デバイスの基板として用いられる無欠陥ウェーハとして好適である。

［実験］において各温度（（ａ）１，１５０℃、（ｂ）１，１００℃、（ｃ）１，０５０℃、（ｄ）１，０００℃）での熱処理時のＶｏｉｄ欠陥消滅条件を酸素濃度とＩｖｏｉｄに対してプロットしたグラフである。

上述のように、酸化性雰囲気下での熱処理によって、低コストで、効率的、かつ確実にシリコン単結晶ウェーハのＶｏｉｄ欠陥や微小な酸素析出核を消滅させることができる熱処理方法の開発が求められていた。

酸化熱処理によってＶｏｉｄ欠陥が消滅するかどうかが、熱処理温度とウェーハの酸素濃度に関係することは特許文献７により公知であるが、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、実際にはＶｏｉｄ欠陥を消滅させることができる酸化熱処理の条件には、熱処理温度とウェーハの酸素濃度だけではなく、ウェーハを切り出す単結晶の育成条件も関係していることが判明した。このことから、これら３者の相関関係から求められる条件に基づいて熱処理を行うことで上記課題を達成できることを見出し、本発明を完成させた。

即ち、本発明は、シリコン単結晶ウェーハに酸化性雰囲気下で熱処理を行う方法であって、
前記熱処理を行う際の熱処理温度、前記熱処理を行う前の前記シリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度、及び前記シリコン単結晶ウェーハを切り出すシリコン単結晶の育成条件の３者の相関関係から求められる条件に基づいて熱処理を行うシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法である。

以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、本明細書中、単に「酸素濃度」と言う場合、これは「熱処理前のシリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度」を示し、単に「結晶育成条件」と言う場合、これは「シリコン単結晶ウェーハを切り出すシリコン単結晶の育成条件」を示す。
また、Ｉｖｏｉｄ^ＡとＩｖｏｉｄ^Ｂを区別しない場合、単に「Ｉｖｏｉｄ」と記載することがある。

後述するが、各種サンプルを用意し酸化熱処理における熱処理温度、熱処理時間、酸素濃度、結晶育成条件を振って実験を行い、Ｖｏｉｄ欠陥消滅条件を求めたところ、Ｖｏｉｄ欠陥が消滅するかどうかは、熱処理温度と酸素濃度と結晶育成条件に依存していることが判った。
またこの実験から、Ｖｏｉｄ欠陥は、熱処理温度が高ければ消滅しやすく、酸素濃度が低いほど、またはＶｏｉｄサイズが小さいほど消滅しやすいことが判った。一方で、熱処理時間には大きく影響されることは無かった。これはＩ−Ｓｉの拡散係数が比較的大きいので、数分程度でＩ−Ｓｉがウェーハの内部まで拡散するためと考えられる。従って、熱処理温度、酸素濃度、結晶育成条件の３者の相関関係から求められる条件に基づいて熱処理を行うことが非常に有効である。

これらの３者の関係を具体的に数式で表すと、以下の式で表すことができる。
Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ＋８６０ （１）
また、この式を［Ｏｉ］、Ｉｖｏｉｄを表す式に変形すると、以下の式となる。
［Ｏｉ］≦０．０２６７Ｔ−１．９４Ｉｖｏｉｄ−２２．９ （２）
Ｉｖｏｉｄ≦０．０１３８Ｔ−０．５１６［Ｏｉ］−１１．８ （３）
ここで、Ｔは熱処理温度（℃）であり、［Ｏｉ］は熱処理を行う前のシリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度（ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ）であり、Ｉｖｏｉｄは結晶育成条件から求められＶｏｉｄサイズを反映する「欠陥サイズ指標」である。

なお、酸素濃度を表す単位は各種あるので、ここでは「ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ」を用いている。これを比較的広く用いられている「ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３−ＡＳＴＭ’７９」に変換すると、［Ｏｉ］（ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ）＝［Ｏｉ］’（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３−ＡＳＴＭ’７９）／（８×１０^１６）となる。従って、単位として「ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３−ＡＳＴＭ’７９」を用いる場合には、上記式（１）〜（３）の［Ｏｉ］に［Ｏｉ］’／（８×１０^１６）を代入して用いればよい。

上記式（１）は、熱処理温度を、酸素濃度と結晶育成条件から求められる温度以上に設定して熱処理すること、
上記式（２）は、酸素濃度を、熱処理温度と結晶育成条件から求められる濃度以下に制御すること、
上記式（３）は、結晶育成条件を、酸化処理温度と酸素濃度から求められる値以下に制御すること、
をそれぞれ意味しており、本発明の熱処理方法は、具体的には、これらのいずれかを満たす処理もしくは制御を行えばよい。

以下、上記関係式中のＩｖｏｉｄについて詳しく説明する。
上述のように、実験からＶｏｉｄ欠陥の消滅が結晶育成条件にも依存することが判明した。結晶育成条件とＶｏｉｄ欠陥が消滅した条件を比較すると、Ｖｏｉｄサイズが小さくなるような結晶育成条件の時に、Ｖｏｉｄ欠陥が消滅している傾向が見られた。このことから、本発明者らは結晶を育成する際の条件でＶｏｉｄサイズを表すことができれば良いと考え、結晶育成条件から求められＶｏｉｄサイズを反映する「欠陥サイズ指標：Ｉｖｏｉｄ」を導入した。

ボロンコフ氏がはじめに提唱し（Ｖ．Ｖ．Ｖｏｒｏｎｋｏｖ；Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，５９（１９８２）６２５〜６４３参照）発展したシリコン単結晶中のＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の理解によれば、結晶の成長速度Ｖ（ｍｍ／ｍｉｎ）と結晶成長界面での温度勾配Ｇ（℃／ｍｍ）との比Ｖ／Ｇが大きければ導入されるＶａｃａｎｃｙ量が増加し、Ｖ／Ｇが小さくなれば導入されるＩ−Ｓｉ量が増加するとされる。そこで、本発明ではこのＶ／Ｇの値をＩｖｏｉｄを導入するために利用した。
また単結晶には、Ｖａｃａｎｃｙ−ｒｉｃｈとＩ−Ｓｉ−ｒｉｃｈとの境目があり、その近辺では無欠陥になることが知られている。本発明では、この境目のＶ／Ｇの値を（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔとし、Ｉｖｏｉｄを導入するために利用した。なお、今回用いた計算条件下では、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ＝０．１８０（ｍｍ^２／（ｍｉｎ・℃））である。

Ｖｏｉｄのサイズは高温で導入されたＶａｃａｎｃｙが、欠陥形成温度帯を通過する際に凝集することによって決まると考えられる。そこで、Ｖａｃａｎｃｙ導入量を、｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３として簡易的に求めた。ここで１／３乗するのは、別途坂道拡散等高温で起こる反応をシミュレーションして求めたＶａｃａｎｃｙ導入量と｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝を１／３乗した値がおおよそ比例したためである。

更に、Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯で凝集する量を該当領域の拡散距離√（Ｄｔ）に比例すると仮定し、√（Ｄｔ）を求めた。ここで、単結晶に窒素がドープされていない場合と、窒素がドープされている場合とで、Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯が異なるため、順に説明する。

まず、単結晶に窒素がドープされていない場合について説明する。
窒素がドープされていない場合、Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯は１，１５０℃−１，０８０℃であることから、拡散距離√（Ｄｔ）を、
√（Ｄｔ）∝｛Ｌ（１１５０−１０８０）／Ｖ｝^１／２
として求めた。ここで、ＤはＶａｃａｎｃｙの拡散係数（ただし、温度が決まっていれば定数）であり、ｔは通過時間、Ｌ（１１５０−１０８０）はＶｏｉｄ欠陥形成温度帯１，１５０℃−１，０８０℃の距離であり、Ｖは上記と同様である。

上述のようにして簡易的に求めたＶａｃａｎｃｙ導入量と拡散距離の積から、単結晶に窒素がドープされていない場合のＩｖｏｉｄであるＩｖｏｉｄ^Ａを、
Ｉｖｏｉｄ^Ａ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３×｛Ｌ（１１５０−１０８０）／Ｖ｝^１／２ （Ａ−２）
として求めた。
更に、このＩｖｏｉｄ^Ａを上述の式（１）に適用することで、単結晶に窒素がドープされていない場合の熱処理温度、酸素濃度、結晶育成条件の３者の関係式（Ａ−１）として、
Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ^Ａ＋８６０ （Ａ−１）
を求めた。

次に、単結晶に窒素がドープされている場合について説明する。
窒素がドープされている場合、Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯は窒素がドープされていない場合の１，１５０−１，０８０℃から１，０８０−１，０４０℃に低下するとされている。また、この１，０８０−１，０４０℃でのＶａｃａｎｃｙ拡散係数は１，１５０−１，０８０℃でのＶａｃａｎｃｙ拡散係数のおおよそ半分である。このことから、拡散距離√（Ｄｔ）を、
√（Ｄｔ）∝｛Ｌ（１０８０−１０４０）／２Ｖ｝^１／２
として求めた。ここで、Ｄ、ｔ、及びＶは上記と同様であり、Ｌ（１０８０−１０４０）はＶｏｉｄ欠陥形成温度帯１，０８０℃−１，０４０℃の距離である。

上述のようにして簡易的に求めたＶａｃａｎｃｙ導入量と拡散距離の積から、単結晶に窒素がドープされている場合のＩｖｏｉｄであるＩｖｏｉｄ^Ｂを、
Ｉｖｏｉｄ^Ｂ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３×｛Ｌ（１０８０−１０４０）／２Ｖ｝^１／２ （Ｂ−２）
として求めた。
更に、このＩｖｏｉｄ^Ｂを上述の式（１）に適用することで、単結晶に窒素がドープされている場合の熱処理温度、酸素濃度、結晶育成条件の３者の関係式（Ｂ−１）として、
Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ^Ｂ＋８６０ （Ｂ−１）
を求めた。

以上のように、窒素がドープされていないシリコン単結晶から切り出されたウェーハを用いる場合、窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたウェーハを用いる場合のいずれにおいても、それぞれの関係式を満たす熱処理温度、酸素濃度、結晶育成条件とすることで、確実にＶｏｉｄ欠陥を消滅させることができる。
この関係式を用いれば、いちいち育成された結晶中のＶｏｉｄ欠陥のサイズを各種評価法により求める必要がなく、結晶育成条件からＶｏｉｄ欠陥が消滅するかどうかを判断できる。更にこの関係を応用すれば、例えば酸素濃度を低めに制御し、かつＶｏｉｄサイズを小さくする結晶育成条件に制御することで、熱処理温度を下げられる。熱処理温度を低温化できれば、コストを下げることができる上、高温になるほど発生しやすい熱処理時のスリップ転位の発生を抑制することも可能である。

本発明の熱処理方法に用いられるシリコン単結晶ウェーハは、抵抗率を制御するためのドーパントを除いて、故意に不純物をドープした結晶でない、一般的な結晶から切り出されたものであることが好ましい。一般的な結晶であっても、上記の条件を満たす低酸素濃度であればＶｏｉｄ欠陥が消滅するからである。

一方で窒素をドープすると、スリップ転位に対する耐性が向上することが知られている。また上述のように窒素をドープすると欠陥形成温度帯が低温化し、Ｖｏｉｄサイズが小さくなりやすい。従って、本発明の熱処理方法においては、抵抗率を制御するためのドーパントに加え、窒素を故意にドープした結晶から切り出したシリコン単結晶ウェーハを用いることも好ましい。
このとき、窒素をドープする量としては、５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であることが好ましい。シリコン結晶における窒素の固溶限が１５乗台と言われているため、上記の濃度以下とすることで、窒素の高濃度ドープによって結晶が有転位化する恐れがない。一方で窒素濃度が低い方は、いくら低くてもよい。なぜなら窒素ドープしない場合であっても問題なく本発明の熱処理方法を用いることができるからである。
ただし、上述の欠陥サイズ指標Ｉｖｏｉｄを計算する上で、窒素をドープとしたものとして取り扱う窒素濃度は、１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上とするのが好ましい。これはＶｏｉｄサイズの低下など窒素ドープの効果が現れるのがこの濃度以上だからである。

また、本発明の熱処理方法ではＶｏｉｄ欠陥を消滅させることは可能であるが、Ｉ−Ｓｉに起因する結晶欠陥を消滅させることはできない。従って、シリコン単結晶ウェーハとして、Ｉ−Ｓｉに起因する欠陥を含まないシリコン単結晶から切り出されたものを用いることが好ましい。

単結晶において、Ｖｏｉｄ欠陥が発生する領域より低速成長側には、ＯＳＦの核が発生する領域（ＯＳＦ領域）があり、更に低速側には無欠陥領域がある。無欠陥領域にはＶａｃａｎｃｙが多く含まれる領域（Ｎｖ領域）とＩ−Ｓｉが多く含まれる領域（Ｎｉ領域）があり、Ｎｖ領域には微小な酸素析出物の核が含まれる部分がある。更に低速側にＩ−Ｓｉ起因の欠陥が発生するＩ−ｒｉｃｈ領域がある。
本発明の熱処理方法では、ＯＳＦ核や微小酸素析出核も消滅可能と考えられる。従って、本発明の熱処理方法が有効に適用されるシリコン単結晶は、上述したＩ−ｒｉｃｈ領域を除く、Ｖｏｉｄ欠陥発生領域、ＯＳＦ領域、Ｎｖ領域、Ｎｉ領域が対象の領域である。
つまり、本発明の熱処理方法ではＶｏｉｄ欠陥発生領域の改善はもちろんであるが、ＯＳＦ領域やＮｖ領域の改善効果も期待できる。従ってＩ−Ｓｉに起因する欠陥が無い領域では、全ての領域で本発明の熱処理方法が有効である。

本発明の熱処理方法において、熱処理温度は９００℃以上１，２００℃以下であることが好ましい。熱処理温度が９００℃以上であれば、電気的な特性に影響を与えるサイズのＶｏｉｄ欠陥を消滅させることができる。また、熱処理温度を１，２００℃以下とすることで、コストを抑え、またスリップ転位の発生を抑制することができる。また、１，１５０℃以下であれば、スリップ転位の発生を更に抑制することができるため、１，１５０℃以下とすることがより好ましい。

また、熱処理時間は、用いるウェーハの厚さにもよるが、１分以上１８０分以下であることが好ましい。先にも述べたようにＩ−Ｓｉの拡散は比較的速く、１分で通常のウェーハ厚さ１ｍｍ弱の拡散距離が得られるので、熱処理時間は１分程度で十分である。一方で熱処理時間が長くなると、コストが増加するので１８０分を上回る処理時間は必要ない。

また、シリコン単結晶ウェーハとしては、酸素濃度が８ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ以下のものを用いることが好ましい。これは、前述の好ましい熱処理温度である１，２００℃の酸素固溶限が約８ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡであり、それを超える酸素濃度ではより高温での処理が必要になるためである。また、酸素濃度が６ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ以下のものを用いることがより好ましい。これは、１，１５０℃の酸素固溶限が約６ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡであり、１，１５０℃以下であれば、スリップ転位の発生を更に抑制できるためである。また酸素濃度の下限はなく、上述の式からも判るように酸素濃度が低ければ低いほど、Ｖｏｉｄ欠陥の消滅に必要な熱処理温度を下げることができるため、コストを下げることができる上、高温になるほど発生しやすい熱処理時のスリップ転位の発生を抑制することができる。また、ＣＺ結晶から切り出したウェーハに限らず、ＦＺ結晶のように酸素をほとんど含まない結晶から切り出したウェーハにおいても、本発明の熱処理方法を用いることが可能である。

また本発明の熱処理方法において、シリコン単結晶ウェーハとしては、厚さが０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下のものを用いることが好ましい。本発明の熱処理方法においては、ウェーハが薄くなっても全く問題無いが、０．１ｍｍ以上であれば、ウェーハの形状を保つのが容易であるため好ましい。
一方で、前述のようにコストなどの面から熱処理は１，２００℃以下、１８０分以下で行うのが好ましい。１，２００℃、１８０分の熱処理でのＩ−Ｓｉの拡散距離は１０ｍｍ程度である。酸化膜は表面と裏面との両面に形成され、そこからＩ−Ｓｉが供給されるので、１，２００℃、１８０分の熱処理を行っても２０ｍｍ程度のウェーハ厚さまでしか改質ができない。従って、前述の熱処理温度、熱処理時間内でウェーハ全体のＶｏｉｄ欠陥を消滅させるためには、ウェーハの厚さが２０ｍｍ以下のものを用いることが好ましい。

また、本発明の熱処理方法に用いられるシリコン単結晶ウェーハの表面状態は、例えば研磨面、エッチング面、ラップ面、研削面、スライス面など、シリコンウェーハ製造工程で用いられる範囲の面状態であればよい。本発明の熱処理方法においては、酸化膜が形成されればよいので、特に表面の状態を気にする必要がない。熱処理炉に入れるために洗浄などは必要ではあるが、その他に特殊な表面処理などは必要でなく、ウェーハを製造する工程のどこででも熱処理が可能である。従って、シリコンウェーハ製造工程で用いられるどこかの面状態で熱処理を行えばよい。

また、本発明の熱処理方法は、酸化性雰囲気下で行う方法であり、酸素含有雰囲気であればよくこのときの酸素流量等は特に限定されない。

以上のように、本発明のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法であれば、酸化性雰囲気下での熱処理によって、低コストで、効率的、かつ確実に、スリップ転位の発生を抑制しながらシリコン単結晶ウェーハのＶｏｉｄ欠陥や微小な酸素析出核を消滅させることができる。
また、Ｉ−Ｓｉに起因する欠陥を含まないウェーハを用いることで、Ｖｏｉｄ、Ｉ−Ｓｉの両方に起因する欠陥を含まない無欠陥のシリコン単結晶ウェーハを得ることができる。このようなウェーハであれば、特に、メモリー・ＣＰＵ・パワーデバイスなど半導体デバイスの基板として用いられる無欠陥ウェーハとして好適である。

以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

［実験］
ＣＺ法もしくは磁場印加ＣＺ（ＭＣＺ）法を用いて、直径が２００ｍｍもしくは３００ｍｍを少し超える太さのシリコン単結晶を育成した。このとき酸素濃度及び結晶育成条件を振って結晶を育成した。酸素濃度は結晶の回転数、ルツボの回転数、炉内の圧力、パージのために流しているＡｒガスの流量などを変えて制御した。一方で結晶育成条件としては、窒素ドープの有無に加え、炉内部品の構造で界面近傍温度勾配ＧやＶｏｉｄ欠陥形成温度帯の距離Ｌ（１１５０−１０８０）、Ｌ（１０８０−１０４０）を変え、成長速度Ｖを制御して変化させた。このときＩ−Ｓｉ起因の欠陥が含まれないように結晶成長条件を調整した。

この結晶を円筒研削して所望の太さの円柱状のブロックに加工した後、ブロックから厚さ約１．２ｍｍのウェーハ状サンプルを切り出した。なお、このとき、サンプルは１箇所につき隣接する位置で３枚ずつ切り出し、このうち１枚は熱処理前の酸素濃度や、ＦＰＤ・ＬＥＰ・ＬＳＴＤの有無を測定するサンプル（以下、測定用サンプルと称する）とし、他の２枚は実際に後述のような熱処理を行い、熱処理後のＦＰＤ・ＬＳＴＤを測定するサンプル（以下、熱処理用サンプルと称する）とした。サンプルは３５水準用意し、このうち５水準は窒素をドープしたものとした。

測定用サンプルを高輝度平面研削した後、ＦＴ−ＩＲ法によって酸素濃度を求めた。このとき測定用サンプルの酸素濃度は、０．４〜１２．２ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ（０．３〜９．８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３−ＡＳＴＭ’７９）の間であった。更に、測定用サンプルをフッ酸、硝酸、酢酸からなる混酸でミラーエッチングした。次に、フッ酸、硝酸、酢酸、水からなる選択性のあるエッチング液に測定用サンプルを揺動せず放置し選択エッチングを行った。これらの測定用サンプルにはＦＰＤは観察されるが、ＬＥＰは観察されず、Ｉ−Ｓｉに起因する欠陥が無いことが確認できた。

更に、これらの測定用サンプルを劈開して赤外散乱トモグラフＭＯ４４１（レイテック社製）にてＬＳＴＤを観察した。なおＭＯ４４１では表面から深さ約４００μｍまで観察した。この時点でＬＳＴＤが存在していることを確認した。

以上の測定用サンプルを切り出した位置での結晶育成条件を、総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧ（Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ ｅｔ ａｌ．；Ｉｎｔ． Ｊ． Ｈｅａｔ Ｍａｓｓ Ｔｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９９０）参照）にて計算し、それぞれの界面近傍温度勾配Ｇ及びＶｏｉｄ欠陥形成温度帯の距離Ｌ（１１５０−１０８０）、Ｌ（１０８０−１０４０）を求めた。なお、ＦＥＭＡＧでは界面形状を１０ｍｍと固定して計算した。また、界面近傍温度勾配Ｇは融点（＝１，４１２℃）から１，４００℃までで算出した。これらと結晶を育成した際の成長速度Ｖから、窒素をドープしていない場合のＩｖｏｉｄ（Ｉｖｏｉｄ^Ａ）を、Ｉｖｏｉｄ^Ａ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３×｛Ｌ（１１５０−１０８０）／Ｖ｝^１／２として求めた。また上述のように、測定用サンプル３５水準のうち５水準は窒素をドープしたものであり、その濃度は４〜１２×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。そこで、これら窒素をドープした５水準の測定用サンプルのＩｖｏｉｄ（Ｉｖｏｉｄ^Ｂ）は、Ｉｖｏｉｄ^Ｂ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３×｛Ｌ（１０８０−１０４０）／２Ｖ｝^１／２として求めた。なお、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔは無欠陥となるときのＶ／Ｇの値であり、上述した計算条件の下では（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ＝０．１８０として計算した。

次に、上述の熱処理用サンプルを用いて実際に熱処理を行った。
まず、熱処理の前処理として、２枚の熱処理用サンプルを高輝度平面研削した後、それぞれ４分割し上述の混酸によりミラーエッチングした。エッチング後、熱処理用サンプルをドライ酸素３Ｌ／ｍｉｎの酸化性雰囲気で熱処理した。このとき、熱処理温度及び熱処理時間は、（ａ）１，１５０℃で３０分又は６０分、（ｂ）１，１００℃で３０分又は６０分、（ｃ）１，０５０℃で６０分又は１２０分、（ｄ）１，０００℃で６０分又は１２０分、の４×２＝８パターンとした。

熱処理したサンプルは表面に酸化膜が形成されているので、フッ酸にてこれを除去した。
その後、測定用サンプルと同様に、表面を混酸にてミラーエッチングした後、選択エッチングを行いＦＰＤの観察を行った。熱処理をしていない測定用サンプルに比較して、ＦＰＤが消えているものがあった。次に、このサンプルを劈開し、ＭＯ４４１でＬＳＴＤの有無を確認した。ここでも熱処理をしていない測定用サンプルに比較して、ＬＳＴＤが消えているものが確認された。
表面状態はエッチング面であるが、特に問題なく酸化処理で欠陥が消滅した。ＦＰＤが消滅しているケースとＬＳＴＤが消滅しているケースは基本的に同じ傾向であった。ただ、ＦＰＤの方が消滅しやすい傾向が見られた。これは、ＦＰＤは表層数十μｍを観察しているのに対し、ＬＳＴＤはウェーハ内部まで観察しているためと考えられる。一方、各熱処理温度で熱処理時間を２水準振っているが、欠陥が消滅するかどうかは熱処理時間にはほとんど依存していなかった。

以上の結果を、横軸に酸素濃度、縦軸にＩｖｏｉｄをとって、欠陥が消滅した場合を○、残存した場合を×としてプロットしたものを図１の（ａ）〜（ｄ）に示す。なお、プロットしたのは各温度で６０分熱処理した場合のＬＳＴＤの結果である。

図１の各温度でＶｏｉｄ欠陥が消滅した条件を見ると、酸素濃度が低いほど、またＩｖｏｉｄが小さいほど消滅しやすいことが判る。また１，１５０℃から１，０００℃と温度が下がるほど、消滅し難くなっていることが判る。
ここで、Ｖｏｉｄ欠陥が消滅する過程を考えると、はじめに内壁酸化膜が消え、次にＩ−ＳｉがＶｏｉｄ欠陥を埋める。内壁酸化膜が消えるかどうかは、先に述べたように、酸素濃度が熱処理温度での酸素固溶限より下回っているかどうかである。つまり消滅するかどうかの温度依存性は、酸素固溶限によって決まると考えられる。

酸素固溶限は幾つか報告が有るが、例えば［Ｏｉ］＝２．６５×１０^４ｅｘｐ［−１．０３５／｛ｋ（Ｔ＋２７３）｝］と記述される。ここで、ｋはボルツマン定数で８．６２×１０^−５である。この式を用いると１，１５０℃で約６ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ、１，０００℃で約２ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡとなる。従ってこの温度範囲であれば温度と酸素との間には、おおよそＴ∝３７．５［Ｏｉ］の関係が成り立つことになる。これを元に図１の（ａ）〜（ｄ）の消滅する条件を求めると、Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ＋８６０が求められる。これを酸素濃度について求めると［Ｏｉ］≦０．０２６７Ｔ−１．９４Ｉｖｏｉｄ−２２．９、Ｉｖｏｉｄについて求めるとＩｖｏｉｄ≦０．０１３８Ｔ−０．５１６［Ｏｉ］−１１．８が得られる。

以上の実験から、酸化によりＶｏｉｄ欠陥が消滅するかどうかが、熱処理温度、酸素濃度、結晶育成条件の３つの関係で決まるということが明らかとなった。
このうち結晶育成条件は、Ｖａｃａｎｃｙ導入量に相当する｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝^１／３と、欠陥が形成される温度帯での拡散距離に相当する｛Ｌ（１１５０−１０８０）／Ｖ｝^１／２又は｛Ｌ（１０８０−１０４０）／２Ｖ｝^１／２との積で表されるＶｏｉｄサイズを反映する指標「Ｉｖｏｉｄ」によって表すと理解しやすい。

［実施例１］
上述の実験で用意したブロックのうち、直径が３００ｍｍ、酸素濃度が３．２ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ、Ｉｖｏｉｄ^Ａが１．１８（Ｖ＝０．６６ｍｍ／ｍｉｎ、Ｇ＝３．４９℃／ｍｍ、Ｌ（１１５０−１０８０）＝２１．０ｍｍ）である窒素をドープしていないブロックの部分からウェーハを切り出し、厚さが７７５μｍのポリッシュドウェーハ（ＰＷ＝研磨面）を作製した。測定した酸素濃度［Ｏｉ］及び求めたＩｖｏｉｄ^Ａを関係式に代入して必要な熱処理温度を求めると、
Ｔ≧３７．５×３．２＋７２．７×１．１８＋８６０＝１，０６６
となった。この求めた熱処理温度に基づいて、ウェーハにドライ酸素３Ｌ／ｍｉｎの酸化性雰囲気下、１，１５０℃にて、３０分熱処理を行った。
熱処理後に酸化膜を除去した後、このウェーハをＭＯ４４１で欠陥観察した結果、ＬＳＴＤは検出されなかった。

［実施例２］
ルツボの外径が概略６６０ｍｍである結晶引上げ装置を用いて、直径が概略２００ｍｍの結晶をＭＣＺ法により育成した。この結晶には窒素をドープした。この結晶の隣接する位置から１．２ｍｍ厚さのウェーハを２枚切り出した。ウェーハを切り出した位置での窒素濃度は８×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。切り出したウェーハのうち１枚を両面研削した後、ＦＴ−ＩＲにて酸素濃度を測定したところ、２．８ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡであった。また、この測定用のウェーハをフッ酸、硝酸、酢酸からなる混酸にてミラーエッチングした後、劈開してＭＯ４４１にて観察しところ、ＬＳＴＤが検出された。
この測定用のウェーハを切り出した位置の育成条件を上述した要領でＦＥＭＡＧにて計算すると、融点から１，４００℃までの界面近傍温度勾配Ｇは３．１７℃／ｍｍであり、Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯の距離Ｌ（１０８０−１０４０）は１３．８ｍｍであった。また、ウェーハを切り出した位置での成長速度Ｖは０．９０ｍｍ／ｍｉｎであった。（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ＝０．１８０として、上記の値からこのウェーハにおけるＩｖｏｉｄ^Ｂを求めると、
Ｉｖｏｉｄ^Ｂ＝｛（０．９０／３．１７）−０．１８０｝^１／３×｛１３．８／（２×０．９０）｝^１／２＝１．３０
となった。測定した酸素濃度［Ｏｉ］及び上述のようにして求めたＩｖｏｉｄ^Ｂを関係式に代入して必要な熱処理温度を求めると、
Ｔ≧３７．５×２．８＋７２．７×１．３０＋８６０＝１，０６０
となった。切り出したウェーハのうちもう１枚を平面研削した後、ミラーエッチングし、上記のようにして求めた熱処理温度に基づいて、このウェーハにドライ酸素３Ｌ／ｍｉｎの酸化性雰囲気下、１，１００℃にて、３０分熱処理を行った。
熱処理後に酸化膜を除去した後、このウェーハをＭＯ４４１で欠陥観察した結果、ＬＳＴＤは検出されなかった。

［比較例１］
ルツボの外径が概略６６０ｍｍである結晶引上げ装置を用いて、直径が概略２００ｍｍの結晶をＭＣＺ法により育成した。この結晶には窒素をドープした。この結晶の隣接する位置から１．２ｍｍ厚さのウェーハを２枚切り出した。ウェーハを切り出した位置での窒素濃度は７×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であった。切り出したウェーハのうち１枚を平面研削した後、ミラーエッチングし、酸素濃度の測定及びＩｖｏｉｄの計算を行わず、ドライ酸素３Ｌ／ｍｉｎの酸化性雰囲気下、１，１５０℃にて、３０分熱処理を行った。
熱処理後に酸化膜を除去した後、このウェーハをＭＯ４４１で欠陥観察した結果、ＬＳＴＤが検出された。

確認のため、切り出したウェーハのうちもう１枚を両面研削した後、ＦＴ−ＩＲにて酸素濃度を測定したところ、１１．２ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡであった。また、この測定用のウェーハをフッ酸、硝酸、酢酸からなる混酸にてミラーエッチングした後、劈開してＭＯ４４１にて観察しところ、非常に小さいＬＳＴＤが検出された。
この測定用のウェーハを切り出した位置の育成条件を上述した要領でＦＥＭＡＧにて計算すると、融点から１，４００℃までの界面近傍温度勾配Ｇは３．８２℃／ｍｍであり、Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯の距離Ｌ（１０８０−１０４０）は１１．６ｍｍであった。また、ウェーハを切り出した位置での成長速度Ｖは０．８８ｍｍ／ｍｉｎであった。（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ＝０．１８０として、上記の値からこのウェーハにおけるＩｖｏｉｄ^Ｂを求めると、
Ｉｖｏｉｄ^Ｂ＝｛（０．８８／３．８２）−０．１８０｝^１／３×｛１１．６／（２×０．８８）｝^１／２＝０．９５
となった。測定した酸素濃度［Ｏｉ］及び上述のようにして求めたＩｖｏｉｄ^Ｂを関係式に代入して必要な熱処理温度を求めると、
Ｔ≧３７．５×１１．２＋７２．７×０．９５＋８６０＝１，３４９
であり、熱処理温度を１，１５０℃とした熱処理でＬＳＴＤが消えなかったのは、相関関係から求められる熱処理温度を満たさなかったためであることが示唆された。

以上のことから、本発明のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法であれば、酸化性雰囲気下での熱処理によって、低コストで、効率的、かつ確実にシリコン単結晶ウェーハのＶｏｉｄ欠陥や微小な酸素析出核を消滅させられることが明らかとなった。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (6)

1. シリコン単結晶ウェーハに酸化性雰囲気下で熱処理を行う方法であって、
   前記熱処理を行う際の熱処理温度、前記熱処理を行う前の前記シリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度、及び前記シリコン単結晶ウェーハを切り出すシリコン単結晶の育成条件の３者の相関関係から求められる条件に基づいて熱処理を行う方法であり、
   前記シリコン単結晶ウェーハとして、窒素がドープされていないシリコン単結晶から切り出されたものを用いる場合には、前記３者の相関関係が、下記の関係式（Ａ−１）で表され、
   Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ ^Ａ ＋８６０ （Ａ−１）
   （ここで、Ｔ：熱処理温度（℃）、［Ｏｉ］：熱処理を行う前のシリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度（ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ）であり、Ｉｖｏｉｄ ^Ａ は下記の式（Ａ−２）で示される。）
   Ｉｖｏｉｄ ^Ａ ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝ ^１／３ ×｛Ｌ（１１５０−１０８０）／Ｖ｝ ^１／２ （Ａ−２）
   （ここで、Ｖ：成長速度（ｍｍ／ｍｉｎ）、Ｇ：界面近傍温度勾配（℃／ｍｍ）、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ：無欠陥となるときのＶ／Ｇの値、Ｌ（１１５０−１０８０）：Ｖｏｉｄ欠陥形成温度帯１，１５０℃−１，０８０℃の距離（ｍｍ）である。）
   前記シリコン単結晶ウェーハとして、窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたものを用いる場合には、前記３者の相関関係が、下記の関係式（Ｂ−１）で表されることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
   Ｔ≧３７．５［Ｏｉ］＋７２．７Ｉｖｏｉｄ ^Ｂ ＋８６０ （Ｂ−１）
   （ここで、Ｔ：熱処理温度（℃）、［Ｏｉ］：熱処理を行う前のシリコン単結晶ウェーハ中の酸素濃度（ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ）であり、Ｉｖｏｉｄ ^Ｂ は下記の式（Ｂ−２）で示される。）
   Ｉｖｏｉｄ ^Ｂ ＝｛（Ｖ／Ｇ）−（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ｝ ^１／３ ×｛Ｌ（１０８０−１０４０）／２Ｖ｝ ^１／２ （Ｂ−２）
   （ここで、Ｖ：成長速度（ｍｍ／ｍｉｎ）、Ｇ：界面近傍温度勾配（℃／ｍｍ）、（Ｖ／Ｇ）ｃｒｔ：無欠陥となるときのＶ／Ｇの値、Ｌ（１０８０−１０４０）：窒素ドープ時のＶｏｉｄ欠陥形成温度帯１，０８０℃−１，０４０℃の距離（ｍｍ）である。）
2. 前記シリコン単結晶ウェーハとして、５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の窒素がドープされたシリコン単結晶から切り出されたものを用いることを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
3. 前記シリコン単結晶ウェーハとして、Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ−Ｓｉに起因する欠陥を含まないシリコン単結晶から切り出されたものを用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
4. 前記熱処理温度は９００℃以上１，２００℃以下であり、熱処理時間は１分以上１８０分以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
5. 前記シリコン単結晶ウェーハとして、前記酸素濃度が８ｐｐｍａ−ＪＥＩＤＡ以下のものを用いることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
6. 前記シリコン単結晶ウェーハとして、厚さが０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下のものを用いることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。

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