JP4791073B2 - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
c) 格子間シリコンが凝集して生じる転位ループクラスタ(格子間シリコン型転位欠陥、I-defect)。
特許文献1(特開平11−349394号公報)には、窒素をドープするとともに、I−リッチ領域内に収まる引上げ条件で、シリコン単結晶を引上げ成長させるという発明が記載されている。
特許文献2(特開平10−291892号公報)には、シリコン単結晶中に取り込まれた酸素は、結晶強度を増加させて転位の運動を阻止し、熱処理によるウェーハの変形(反り)を小さくする働きがあるということが記載されている。
特許文献3(特開2002−226295号公報)には、シリコン単結晶中に多くの酸素が取り込まれることによって、スリップに対する耐性が期待できるということが記載されている。
石英るつぼに収容されたシリコン融液に種結晶を着液させ、その後シリコン単結晶を引上げ成長させ、引上げ成長されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを取得するようにしたシリコンウェーハの製造方法において、
I−リッチ領域(格子間型点欠陥優勢領域)に入る条件でシリコン単結晶を引上げ成長させるに際して、
シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度を、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しない所定濃度以上とする条件で、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とする。
シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度を、9.0×1017atoms/cm3 以上とする条件で、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とする。
石英るつぼの回転数を調整することによって、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度が制御されること
を特徴とする。
シリコン融液に対して磁場を印加するとともに、石英るつぼの回転数を調整することによって、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度が制御されること
を特徴とする。
石英るつぼに収容されたシリコン融液に種結晶を着液させ、その後シリコン単結晶を引上げ成長させ、引上げ成長されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを取得するようにしたシリコンウェーハの製造方法において、
I−リッチ領域(格子間型点欠陥優勢領域)に入る条件でシリコン単結晶を引上げ成長させるに際して、
シリコン単結晶を肩部から直胴部のトップ部まで形成する過程における結晶中心部の熱応力値を、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しない熱応力値以下とする条件で、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とする。
シリコン融液に種結晶を着液させてからシリコン単結晶の肩部を形成し始めるまでの時間を、40時間以内とする条件で、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とする。
種結晶の着液後に付け直しなしでシリコン単結晶を引き上げること
を特徴とする。
石英るつぼに収容されたシリコン融液に種結晶を着液させ、その後シリコン単結晶を引上げ成長させ、引上げ成長されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを取得するようにしたシリコンウェーハの製造方法において、
I−リッチ領域(格子間型点欠陥優勢領域)に入る条件でシリコン単結晶を引上げ成長させるに際して、
シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度を、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しない所定濃度以上とし、かつシリコン単結晶を肩部から直胴部のトップ部まで形成する過程における結晶中心部の熱応力値を、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しない熱応力値以下とする条件で、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とする。
V/G1が、
V/G1<0.15mm2/゜Cmin
となる条件で引き上げた。引上げ軸4aの引上げ速度Vは、0.3mm/minに調整し、熱遮蔽板8の下端と融液表面5aとのギャップ90は、30mmに調整した。
1)肩部10Aから直胴部10Bのトップ部までの範囲でスリップを発生させないためには、シリコン単結晶10の肩部10Aから直胴部10Bのトップ部までの部位の酸素濃度Oiを、9.0×1017atoms/cm3 以上とする条件で、シリコン単結晶10を引き上げればよいということがわかった。
図15は、単結晶引上げ装置1の各号機、引上げられるインゴットを特定するナンバー(#1、#2…)と、シリコン単結晶10の付け直しの有無との関係を示したグラフである。
また、図17からわかるように、熱遮蔽板8の下端と融液表面5aとのギャップ90と結晶中心部の熱応力値との間にも、ある程度の相関がみられた。
Claims (5)
- 石英るつぼに収容されたシリコン融液に種結晶を着液させ、その後シリコン単結晶を引上げ成長させ、引上げ成長されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを取得するようにしたシリコンウェーハの製造方法において、
I−リッチ領域(格子間型点欠陥優勢領域)に入る条件でシリコン単結晶を引上げ成長させるに際して、
石英るつぼの回転数を調整することによって、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度を9.0×10 17 atoms/cm 3 以上にして、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - シリコン融液に対して磁場を印加するとともに、石英るつぼの回転数を調整することによって、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度を9.0×10 17 atoms/cm 3 以上にすること
を特徴とする請求項1記載のシリコンウェーハの製造方法。 - 石英るつぼに収容されたシリコン融液に種結晶を着液させ、その後シリコン単結晶を引上げ成長させ、引上げ成長されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを取得するようにしたシリコンウェーハの製造方法において、
I−リッチ領域(格子間型点欠陥優勢領域)に入る条件でシリコン単結晶を引上げ成長させるに際して、
シリコン融液に種結晶を着液させてからシリコン単結晶の肩部を形成し始めるまでの時間を、40時間以内とすることによって、シリコン単結晶を肩部から直胴部のトップ部まで形成する過程における結晶中心部の熱応力値を7.1MPa以下にして、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - シリコン融液に種結晶を着液した後に付け直しなしとし、シリコン融液に種結晶を着液させてからシリコン単結晶の肩部を形成し始めるまでの時間を、40時間以内とすることによって、シリコン単結晶を肩部から直胴部のトップ部まで形成する過程における結晶中心部の熱応力値を7.1MPa以下にすること
を特徴とする請求項3記載のシリコンウェーハの製造方法。 - 石英るつぼに収容されたシリコン融液に種結晶を着液させ、その後シリコン単結晶を引上げ成長させ、引上げ成長されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを取得するようにしたシリコンウェーハの製造方法において、
I−リッチ領域(格子間型点欠陥優勢領域)に入る条件でシリコン単結晶を引上げ成長させるに際して、
石英るつぼの回転数を調整することによって、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位の酸素濃度を9.0×10 17 atoms/cm 3 以上とし、かつシリコン融液に種結晶を着液させてからシリコン単結晶の肩部を形成し始めるまでの時間を、40時間以内とすることによって、シリコン単結晶を肩部から直胴部のトップ部まで形成する過程における結晶中心部の熱応力値を7.1MPa以下にして、シリコン単結晶を引き上げること
を特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
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