JP5315944B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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このように、シリコン単結晶基板の酸化膜を除去した後に、不活性ガス雰囲気下で熱処理することにより、ドーピング物質の放出を抑制することができ、その後にエピタキシャル成長を行うことでオートドーピングを防止することができる。
また、この場合、前記不活性ガス雰囲気での熱処理は、前記水素ガスによるベーク後、該水素ガスを不活性ガスでパージして置換することで行い、その後前記気相成長原料ガスを導入してシリコン単結晶薄膜を気相成長させることで行うことができる。
また、この場合、前記不活性ガス雰囲気での熱処理は、前記酸化膜の除去後、不活性ガス雰囲気中で前記シリコン単結晶基板を昇温させることで行われ、その後前記気相成長原料ガスを導入してシリコン単結晶薄膜を気相成長させることで行うことができる。
このような抵抗率が低いシリコン単結晶基板ほど基板中のドーパント物質濃度が高くなり、それに応じて高温の水素ガス雰囲気中でのドーパント物質の放出量も多くなる。その結果、単結晶薄膜成長初期の抵抗率プロファイルへの影響も大きい。すなわち、このような抵抗率の低いシリコン単結晶基板を本発明において用いた場合、得られる改善効果も大きい。
このように、シリコン単結晶基板の裏面に保護膜が形成されたものを用いることによって、オートドーピングをより効果的に抑制できる。
前述のように、従来、シリコン単結晶基板の裏面側に保護膜を形成しても、シリコン単結晶基板の表面側から放出されるドーパント物質を抑えることができず、結果として、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の抵抗率プロファイルが急峻でなくなり、抵抗率の遷移幅が広いシリコンエピタキシャルウェーハになってしまっていた。
まず、シリコン単結晶基板をエピタキシャル成長装置の反応炉内に仕込む。次いで、酸化膜(例えば、自然酸化膜)の除去は、シリコン単結晶基板に水素ガスによるベークをすることで行い(図1(A))、また、不活性ガス雰囲気での熱処理は、水素ガスによるベーク後、水素ガスの供給を停止し、該水素ガスを不活性ガスでパージして置換することで行い(図1(B))、その後気相成長原料ガスを導入してシリコン単結晶薄膜を気相成長させる(図1(C))ことで行うことができる。
上記シリコン単結晶基板を、エピタキシャル成長装置の反応炉内に仕込み、反応炉の中にキャリアガスとして水素ガスを導入して水素ガス雰囲気で1,125℃まで昇温し、そのまま水素ガス雰囲気で10〜60秒ベークすることで表面の酸化膜を除去した。その後、Arガスにより水素ガスを完全にパージしたのち、水素をキャリアガスとして原料ガスであるTCSガスとドーパントガスの混合ガスを20L/min流して、所定の抵抗率・厚みまで成長させ、水素ガス雰囲気にて冷却してエピタキシャルウェーハを取り出した。
基板前処理として、上記シリコン単結晶基板をフッ化水素を含む水溶液で洗浄することで酸化膜を除去した。この酸化膜が除去されたシリコン単結晶基板をエピタキシャル成長装置の反応炉内に仕込み、不活性ガスとしてArガスを導入し、Arガス雰囲気下で1,125℃まで昇温した後、水素をキャリアガスとして原料ガスであるTCSガスとドーパントガスの混合ガスを20L/min流して、所定の抵抗率・厚みまで成長させ、水素ガス雰囲気にて冷却してエピタキシャルウェーハを取り出した。
次に比較例として、水素ガス雰囲気での昇温およびベーク後、不活性ガスによるパージを行わずに原料ガスを流すようにし、それ以外は実施例と同じ条件でエピタキシャル成膜を行った。
Claims (3)
- エピタキシャル成長装置の反応炉内でシリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記シリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程は、前記シリコン単結晶基板に水素ガスによるベークをすることで前記シリコン単結晶基板の少なくとも表面上の酸化膜を除去した後、該水素ガスを不活性ガスでパージして置換することによって不活性ガス雰囲気下で熱処理することで、前記水素ガスと前記シリコン単結晶基板の表面反応によって前記反応炉内に放出され、前記シリコン単結晶薄膜成長初期でのオートドーピングの原因となるドーパント物質を前記反応炉内から除去し、その後気相成長原料ガスを導入してシリコン単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶基板は、抵抗率が1mΩ・cm以上20mΩ・cm以下のものを用いることを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶基板は、裏面に保護膜が形成されたものを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
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